TW200811548A - Phase differential film, polarizing film and liquid crystal display device - Google Patents
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Description
200811548 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於相位差膜、偏光板及液晶顯示裝置之技 術領域,特別是屬於垂直配向型液晶顯示裝置、與用於其 之相位差膜及偏光板等技術領域。 【先前技術】 液晶顯示裝置通常具有液晶胞及偏光板。前述偏光板 具有保護膜及偏光膜。而且偏光板係藉由例如,以碘將聚 Φ 乙烯醇薄膜構成之偏光膜染色,進行拉伸,在其雙面上積 層保護層而得。穿透型液晶顯示裝置係在液晶胞的兩側安 裝該偏光板,同時更配置一片以上之光學補償片。反射型 液晶顯示裝置係依序配置反射板、液晶胞、一片以上之光 學補償片、偏光板。液晶胞係由液晶分子、用於將其封入 之二片基板及用於對液晶分子施加電壓的電極層所構成。 液晶胞係依液晶化合物之排列差異而實行ΟΝ/OFF顯示, 現已提議議如TN (扭轉向列Twisted Nematic)、IPS (面 φ 內切換 In-Plane Switching )、OCB (光學補償彎曲 Optically compensatory Bend)、VA(垂直 歹[j Vertically Aligned)、及 ECB(電控制雙折射 Electrically Controlled Bl Refringence)之顯示模式,其均可應用於穿透及反射 型顯示裝置。 此類液晶顯示裝置之中,對於需要高顯示品質之用 途’主要使用利用具有正介電率各向異性之向列液晶分 子’藉由薄膜電晶體驅動之90度扭轉向列型液晶顯示裝置 (以下稱爲TN模式)。然而,雖然自前方觀看時TN模式液 200811548 晶顯示裝置具有優良之顯示特性,但在歪斜方向觀看時對 比降低,及在灰階顯示中引起亮度反轉之灰階反轉,因而 顯示特性退化之視角特性,而強烈期望這方面之改良。 近年’作爲改良該視角特性之液晶顯示裝置之方式, 已提議有使用具有負介電率各向異性之向列液晶分子,在 未施加電壓之狀態使液晶分子的長軸略爲垂直基板之方向 來配向,將其藉由薄膜電晶體驅動之垂直配向向列型液晶 顯示裝置(以下稱爲VA模式)(參照特開平2-176625號公 ^ 報)。該VA模式不僅從正面觀看時顯示特性與丁 N模式同 樣地優良,藉由適當地使用視角補償用相位差膜發現廣的 視角特性。關於VA模式,發現藉由在液晶胞的上下,使用 兩片在薄膜面垂直方向具有光學軸之負的一軸性相位差 膜,可得到更廣的視角特性,在該液晶顯示裝置進一步使 用面内遲滯値爲50nm之具有正折射率各向異性的一軸配 向性相位差膜,可實現更廣的視角特性(S ID 97 DIGEST 8 4 5頁〜8 4 8頁)。
然而,相位差膜之片數增加時伴隨著生產成本上昇, 又,爲貼合多數薄膜容易引起合格率降低。再者,爲了使 用複數之薄膜而使厚度增加,亦有不利於顯示裝置之薄形 化的情形。又,在拉伸薄膜的積層使用黏著層,因而由於 溫濕度變化導致黏著層收縮,而在薄膜間有剝離、彎曲之 不良發生。 作爲改善其之方法,已揭示減少相位差膜片數之方法 (參照特開平11_95208號公報)、或使用膽固醇液晶層之方 法(參照特開平1 1 -95208號公報)。然而,即使此方法仍必 200811548 須貼合至少複數層薄膜,關於液晶顯示裝置之薄層化、生 產成本低減之點仍不充分。 又,以改善上述課題爲目的,已提議使用圓盤狀液晶 性化合物之方法(參照特開平1 1 -352328號公報)。但是, 特開平11-352328號公報所記載之方法,在長條之支撐體 上連續地形成光學各向異性層係爲困難,生產性差。再者, 解決該問題之方法已揭示於特開2000-304931號公報。但 是,該公報所記載之方法爲了得到必要之光學特性(尤其是 φ Rth値),塗布膜厚變厚,而發生塗布不均等問題。再者, 藉由採用折射率各向異性之絶對値爲特定範圍之光學各向 異性層’以改善塗布不均之方法已揭示於特開 2005-128050 號公報。 然而,以上方法仍沒有滿足液晶顯示器之顯示特性的 水準。 【發明內容】 [發明所欲解決之課題]
本發明之課題爲提供一種液晶胞係正確的光學補償, 且至少可對應貼合之薄膜片數,亦即,可薄層化之液晶顯 示裝置中所使用的相位差膜及液晶顯示裝置。 又,本發明係以提供一種液晶顯示裝置,特別是在VA 模式之液晶顯示裝置黑顯示時從歪斜方向觀察時,有助於 減輕光漏及色調變化,同時可以簡易方法安定地製造,並 提供一種相位差膜、及偏光板作爲課題。 又,本發明係以提供一種從正面方向觀察時顯示特性 良好,同時從歪斜方向觀察時顯示特性亦良好,具體而言, 200811548 在黑顯示時從歪斜方向觀察時,光漏及色調變化減輕之液 晶顯示裝置,特別是VA模式之液晶顯示裝置作爲課題。 [解決課題之手段] 爲解決此課題,發明人鑽硏探討之結果發現,關於組 合高分子薄膜等所構成之支撐體與光學各向異性層的習知 之相位差膜,幾乎對全部光學各向異性層之特性都主要注 目硏究及開發,惟爲解決上述課題,必須再檢討支撐體之 光學特性。反覆進一步檢討之結果,發現使用具有由特定 φ 材料所構成,Re、Rth及波長分散特性滿足特定關係之支 撐體的相位差膜時,可改善液晶顯示裝置之顯示特性,達 成滿足各種顯示特性(不僅是正面方向,亦包括歪斜方向之 顯示特性等)的水準。 具體而言,爲解決上述課題之手段如下。 (1) 一種相位差膜,其係具有支撐體及至少一層光學各向 異性層之相位差膜, 該支撐體之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係滿 φ 足下式[1】, 該支撐體之波長分散性係滿足下式[2]-1, 該支撐體係由醯化纖維素薄膜所構成, 該相位差膜之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係 滿足下式[3],並且, 該相位差膜之波長分散性滿足下式[4]: [1] OS Re(630)S 10 且 | Rth(630)| ^ 25 [2] -1 | Re(400)-Re(700)| $10 且 | Rth(400)-Rth(700)| ^ 35 [3】0SRe(550)g10 且 100SRth(550)$300 200811548 [4] 1.04S Rth(450)/Rth(550)‘ 1.30 式中,Re(A),以Re(A) = (nx-ny)>ccl表示,係表示波長λ nm 之正面遲滯値(單位:nm) ; Rth(A),以 Rth(A)= {(nx + ny) /2-nz} xd表示,係表示波長λ nm之膜厚方向遲滯値(單 位:nm); nx爲膜面内的遲相軸方向之折射率,ny爲膜面 内的進相軸方向之折射率,nz爲膜的厚度方向之折射率, d爲膜之厚度(nm)。
(2) 一種相位差膜,其係具有支撐體及至少一層光學各向 異性層之相位差膜, 該支撐體係由含至少一種丙烯酸系聚合物之醯化纖維素 薄膜所構成, 該支撐體之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係滿 足下式[1 ], 該支撐體之波長分散性係滿足下式[2]-1, 該相位差膜之正面遲滯値R e與厚度方向之遲滯値Rt h係 滿足下式[3],並且, 該相位差膜之波長分散性滿足下式[4]: [1 ] 0 g Re(630) g 1 0 且 | Rth(630)| ^25
[2] -2 I Re(400)-Re(700) | g 10 且-35 S
Rth(400)-Rth(700) ^60 [3】0 S Re(550) S 1 0 且 1 00 ^ Rth(550) ^ 300 [4] 1.04^ Rth(450)/Rth(550) ^ 1.30 式中,Re(A),以Re(A) = (nx-ny)xd表示,係表示波長λ nm 之正面遲滯値(單位 :nm) ; Rth(A), 以 RthU) = {(nx + ny)/2-nz}xd表示,係表示波長λ nm之膜厚 200811548 方向遲滯値(單位:nm); nx爲膜面内的遲相軸方向之折射 率,ny爲膜面内的進相軸方向之折射率,nz爲膜的厚度方 向之折射率,d爲膜之厚度(nm)。 (3) 如(1)或(2)項之相位差膜,其中該相位差膜之波長分 散性係滿足下式[5]: [5] 1 ·06 S Rth(4 5 0)/Rth(5 50) S 1.30。
(4) 如(1)或(2)之相位差膜,其中該光學各向異性層之至 少一層係將含有圓盤狀液晶性化合物之至少一種的聚 合性液晶組成物以向列液晶相之狀態,藉由聚合而固定 所形成的層,其中使該圓盤狀液晶化合物之分子向同 (homeotrop ic)配向 〇 (5) 如(1)或(2)之相位差膜,其中該光學各向異性層之至 少一層係將含有棒狀液晶性化合物之至少一種的聚合 性液晶組成物,以將該棒狀液晶性化合物之分子爲膽固 醇液晶相之狀態,藉由聚合而固定所形成之層。 (6) 如(1)或(2)之相位差膜,其中該光學各向異性層之至 少一層係聚合物層。 (7) 如(6)之相位差膜,其中該聚合物層係含有選自於聚 醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚醚酮、聚醯胺醯亞胺及聚酯 醯亞胺所構成之群組的至少一種類之聚合物。 (8) 如(1)或(2)之相位差膜,其中該光學各向異性層之至 少一層係包括含氟化合物。 (9) 如(1)之相位差膜,其中該支撐體係在醯基取代度 2.85〜3·00之醯化纖維素,以相對於該醯化纖維素爲 200811548 〇·〇1~30質量%之比例,添加使Re( λ )及/或Rth( λ )降 低之化合物的至少1種而得者。 (10)如(1)之相位差膜’其中該支撐體之膜厚爲10~12〇/z (1 1)如(2)之相位差膜’其中該支撐體之波長分散性係滿 足下式[6]: [6] | Re(400)-Re(700)| ‘ 10 且 0‘Rth(400)-Rth(700)g 60。
(1 2)如(2)之相位差膜,其中該支撐體係由含有醯基取代 度2·70~3·00的醯化纖維素之醯化纖維素薄膜所構成。 (1 3)如(2)之相位差膜,其中該丙烯酸系聚合物之重量平 均分子量爲500以上、低於1 0,000。 (14) 如(2)之相位差膜’其中該丙烯酸系聚合物係在主鏈 及/或側鏈具有羥基之丙烯酸系聚合物。 (15) 如(2)之相位差膜,其中該支撐體係由含可塑劑之醯 化纖維素薄膜所構成。 (16) 如(2)之相位差膜,其中該支撐體的膜厚爲10〜60// (17) —種偏光板,其係具有偏光膜與設置在該偏光膜的兩 面之保護膜,且該保護膜之至少一者爲如(1)或(2)之相 位差膜。 (18) —種偏光板,其係具有偏光膜、如(1)或(2)之相位差 膜、與第二相位差膜,該第二相位差膜之正面遲滯値及 厚度方向之遲滯値係滿足下式[7],且第二相位差膜之波 長分散係滿足下式[8p [7】70S Re(550)S 180 且 30^ Rth(550)^ 140 200811548 [8] 0.7SRe(450)/Re(550)g1.0。 (19) 一種液晶顯示裝置,其係包括如(1)或(2)之相位差膜 或(17)或(18)項之偏光板。 (2 0) —種液晶顯示裝置,其係具有彼此之吸收軸爲正交的 二片偏光板、設置在該二片偏光板之間的液晶胞,該液 晶胞係具有一對基板及夾持於該一對基板間的液晶分 子所構成的液晶層,且未施加外部電場之非驅動狀態 中,該液晶分子係以對於該一對基板略爲垂直的方向來
配向,更含有如(1)或(2)之相位差膜或 (17)或(18)項之 偏光板。 (2 1 )如(1 9 )之液晶顯示裝置,其中該液晶顯示裝置係更具 有第二相位差膜,該第二相位差膜係由高分子拉伸薄膜 所構成,正面遲滯値及厚度方向之遲滯値係滿足下式 [7]: [7] 70S Re(550)S 180 且 30g Rth(550)S 140 〇 (22)如(19)之液晶顯示裝置,其中該液晶顯示裝置係更具 有第二相位差膜,該第二相位差膜之波長分散係滿足下 式[8]: [8] 0.7SRe(450)/Re(550)S1.0。 (23)如(19)之液晶顯示裝置,該液晶顯示裝置係更具有第 二相位差膜,該第二相位差膜係由醯化纖維素薄膜、降 冰片烯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚烯丙酯系薄膜、聚 酯系薄膜及聚颯系薄膜之任一者所構成。 -13- 200811548 (24)如(1 9)之液晶顯示裝置,該液晶顯示裝置係更具有第 二相位差膜,該第二相位差膜係以該偏光膜之吸收軸爲 正交之配置,直接積層在偏光膜之一者上。 [發明效果] 藉由利用本發明之相位差膜及偏光板,以與習知之液 晶顯示裝置相同的構成,可光學地補償液晶胞(特別是VA 模式之液晶胞)。 特別是,本發明之相位差膜及偏光板有助於減輕液晶 φ 顯示裝置(特別是VA模式之液晶顯示裝置)在黑顯示之歪 斜漏光及色調變化兩者,且不僅有助於改善正面方向,且 可改善歪斜方向之顯示特性。
又,習知之液晶顯示裝置爲了正確地光學補償液晶 胞,必須一邊嚴密地調整複數片相位差膜及該等之面内遲 相軸與偏光板之吸收軸的角度,一邊進行積層步驟。然而, 以本發明之相位差膜之製造可以不需經此步驟,例如,可 製作長條狀支撐體連續地形成光學各向異性層,又,本發 明之偏光板製作時亦可連續地積層製作長條狀偏光膜。藉 由塗布更形成光學各向異性層時,不必爲了確保光學特性 而增厚層厚,不會發生塗布時不均等問題,可安定地進行 製作。 再者,若藉由本發明,可提供一種從正面方向觀察時 之顯示特性爲良好,同時從歪斜方向觀察時之顯示特性亦 爲良好,具體而言,在黑顯示時從歪斜方向觀察時,減輕 光漏及色調變化之液晶顯示裝置,特別是VA模式之液晶顯 示裝置。 -14- 200811548 【實施方式】 [實施發明之最佳形態】 以下詳細說明本案發明之内容。此外,在本說明書中, 「~」係意味包含其前後所記載之數値作爲下限値及上限値 而使用。 在本說明書中,關於角度之「實質上」,係意味與嚴密 之角度的誤差在小於±5°之範圍内。再者,與嚴密之角度 的誤差較佳爲小於4°,更佳爲小於3°。又,折射率之測定 φ 波長只要沒有限定爲係特別記述,即爲可視光區域之 A = 550nm之値。此外,在本說明書中,所謂「可視光」係指 波長爲4 0 0 n m〜7 0 0 n m的光。另外折射率之測定波長只要 沒有限定爲特別記述,即爲可視光區域之λ = 550ηιτι之値。 本發明中 Re(A)爲在波長Anm之正面遲滯値(單位: nm),以下式表示。 R e (λ) = ( η X - n y) X d
(式中,nx爲在膜面内之遲相軸方向的折射率,ny爲 膜面内的進相軸方向之折射率,nz爲膜的厚度方向之折射 率,d爲膜之厚度(nm)。) - 又,本發明中Rth (λ)爲在波長ληηι之膜厚方向的遲滯 値(單位:nm),以下式表示。
Rth = {(nx + ny)/2-nz)xd (式中,nx爲膜面内的遲相軸方向之折射率,ny爲膜面内 進相軸方向之折射率,nz爲膜的厚度方向之折射率,d爲 膜之厚度(nm)。) 在本說明書中Re(A)係使用KOBRA-21ADH或WR(王 -15- 200811548 子計測機器(股)製)使波長ληητι之光在薄膜法線方向入射來 測定。Rth(A)係以前述 Re(A)、面内遲相軸(由 KOBRA 21ADH或WR來決定)當作傾斜軸(回轉軸)(沒有遲相軸 時,將薄膜面内之任意方向作爲回轉軸)之從對於薄膜法 線方向的法線方向至50。爲止,以1 0°間隔,6點測定全 部從各傾斜方向入射波長ληΐΌ的光,基於其測定之遲滯 値、平均折射率之假設値及輸入之膜厚値以KOBRA 21ADH 或WR計算。又,將遲相軸當作傾斜軸(回轉軸)(沒有遲相 φ .軸時將薄膜面内之任意方向當作回轉軸),從任意2方向測 定遲滯値,基於該値、平均折射率之假設値及輸入之膜厚 値,藉由以下式(1)及上述式可算出Rth。在此平均折射率 之假設値可使用聚合物手冊(JOHN WILEY&SONS,INC), 各種光學薄膜之型錄値。平均折射率的値不是已知時,可 以Abbe折射計來測定、。以下例示主要光學薄膜之平均折 射率値:醯化纖維素(1.48)、環烯烴聚合物(1.52)、聚碳酸 酯(1.59)、聚甲基丙烯酸甲酯(1.49)、聚苯乙烯(1.59)。藉 φ 由輸入該等平均折射率之假設値與膜厚,KOBRA 21 ADH 或WR係算出nx、ny、nz。 式(1)
Re(约: ΠΧ
X |{nysm(sin —) )}a X- {π2 cos(sin -i)}2 nx d cos{sm (-;-)} 附註:上述Re ( 0 )係表示從法線方向傾斜角度(9方向 之遲滯値。 又’作爲傾斜軸(回轉軸)之面内遲相軸相對於薄膜法 200811548 線方向,從+ 20°傾斜之方向入射波長550 nm的光所測定之 遲滯値超過Re時,Rth之符號爲正,比Re低時爲負。但, 關於I Rth/Re |爲9以上之試料,係使用附有回轉自由台 座之偏光顯微鏡,以作爲傾斜軸(回轉軸)之面内進相軸相 對於薄膜法線方向之+40°傾斜之狀態,用偏光板之檢板可 決定試料之遲相軸係平行於薄膜平面時爲正,又遲相軸係 薄膜之厚度方向時爲負。 此外,本說明書中烷基等「取代基」除特別敘述外並無 φ 限制,又,亦可具有、或不具取代基。 [相位差膜】 本發明係關於Re及Rth之絶對値小、組合醯化纖維 素薄膜所構成之支撐體與光學各向異性層之相位差膜。 [第1態樣之相位差膜] 本發明之相位差膜之第1態樣爲關於一種相位差膜, 其中支撐體之正面遲滯値與厚度方向之遲滯値Rth係滿足 下式[1】,且前述支撐體之波長分散性係滿足下式[2】-2,藉 φ 由進一步與光學各向異性層組合,相位差膜全體,正面遲 滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係滿足下式[3],且波長 分散性係滿足下式[4]。 [1] 0SRe(630)^10 且 |Rth(630)| ^ 25 [2] -1 | Re(400)-Re(700) | S 10 且 I Rth (4 0 0)· Rth (7 0 0) | S 35 [3] 0 ‘ Re(550) g 1 0 且 100^ Rth(550)^ 300 [4] 1.04^ Rth(450)/Rth(550) ^ 1.30 本發明第1態樣之相位差膜之正面遲滯値Re(550)較 200811548 佳爲8 n m以下,更佳爲5 n m以下’尤佳爲3 n m以下。又, 相位差膜厚度方向之遲滞値 Rth(550)較佳爲 120~280nm,更佳爲140〜260nm以下,尤佳爲160〜240nm 以下。又,相位差膜之波長分散性較佳爲1.06〜1.30,更 佳爲1 .08〜1 .28以下,尤佳爲1 .1 0〜1.26 nm以下。 以下說明支撐體及光學各向異性層分別之較佳光學特 性、及製造其所用之材料、方法等。 [支撐體】
本發明第1態樣之相位差膜之支撐體係使用醯化纖維 素薄膜。醯化纖維素薄膜從在可視光領域無吸收、光透過 率80%以上、基於雙折射性而遲滯値小之觀點而言爲較 佳。再者,可直接貼合於偏光膜,與偏光板一體化,從偏 光膜之耐久性觀點而言亦爲較佳。 具體而言,本發明第1態樣所用之光學各向異性(Re、 Rth)爲小的醯化纖維素薄膜係:該醯化纖維素薄膜(支撐體) 之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係滿足式[1 ], .且波長分散性係滿足式[2 ] -1。 式[1]較佳爲 0SRe(630)S5 且 | Rth| ‘20nm,尤佳 爲、0 S Re(630) $ 2 且 | Rth | S 15nm。 式[2]-1 較佳爲 | Re(400)-Re(700) I ‘ 5 且 |
Rth(40 0)-Rth(700)| $25,更佳爲 | Re(400)-Re(700)l S 3 且 | Rth(400)-Rth(700) | S 15。 用於本發明第1態樣相位差膜之支撐體的一個例子係 可藉由例如下述方法來製作。 [醯化纖維素原料綿] -18- 200811548 用於本發明第1態樣之相位差膜之製作所用之醯化纖 維素原料之纖維素,有棉絨或木材木漿(闊葉樹木漿、針葉 樹木漿)等,可使用得自任何原料纖維素之醯化纖維素,亦 可視情況混合使用。關於該原料纖維素詳細記載,可使用 記載於例如塑膠材料講座(17)繊維素系樹脂(九澤、宇田 著,日刊工業新聞社,1 970年發行)、發明協會公開技報 2001-1745(7頁~8頁)之纖維素,對本發明第1態樣之相位 差膜所用之醯化纖維素薄膜亦可較佳地採用任一方法。 Φ [醯化纖維素取代度] 接著記載將上述纖維素製造爲原料之醯化纖維素。在 第1態樣較佳使用之醯化纖維素爲纖維素之羥基係經醯化 者,其取代基可使用例如,醯基之碳原子數2〜22之乙醯基 者。關於第1態樣所用之醯化纖維素,對於纖維素之羥基 取代度無特別限定,惟測定在纖維素之羥基取代之酢酸及/ 或碳原子數3〜22之脂肪酸的結合度,藉由計算可得取代 度。測定方法,可根據ASTM之D-81 7-91來實施。
在前述醯化纖維素中,關於纖維素之對羥基的取代度 無特別限定,惟纖維素對羥基之醯基取代度以2.8 5〜3.00 爲佳。而且,取代度爲2.87~3.00較佳,2.90~3.00爲更 佳0 在纖維素之羥基取代的酢酸及/或碳原子數3〜22之脂 肪酸之中,碳原子數2〜22之醯基並無特別限定,可以是脂 肪族基、亦可以是烯丙基,可以是1種類、亦可以是2種 類以上之混合物。作爲此類脂肪族基,可列舉纖維素之烷 基羰基酯基、烯基羰基酯基、芳香族羰基酯基、芳香族烷 -19- 200811548 基羰基酯基等。此等基亦可更以取代基加以取代。 具體而言,作爲醯基,較佳爲乙醯基、丙醯基、丁醯 基、庚醯基、己醯基、辛醯基、癸醯基、十二醯基、十三 醯基、十四醯基、十六醯基、十八醯基、異丁醯基、tert-丁醯基、環己烷羰基、油醯基、苯甲醯基、萘基羰基、桂 皮醯基,更佳爲乙醯基、丙醯基、丁醯基、十二醯基、十 八醯基、tert-丁醯基、油醯基、苯甲醯基、萘基羰基、桂 皮醯基,尤佳爲乙醯基、丙醯基、丁醯基。
特別是,在上述纖維素之羥基取代之醯基取代基之 中,實質上係由乙醯基/丙醯基/ 丁醯基中之至少2種類構 成的情況下,其全取代度爲2.5 0~3.00時,可更有效地降 低醯化纖維素薄膜之光學各向異性,醯基取代度以 2_60〜3.00爲較佳,以2.65~3.00爲更佳。 [使醯化纖維素薄膜之光學各向異性降低的化合物之構造 特徴] 第1態樣所使用之醯化纖維素薄膜中,亦可含有使光 φ 學各向異性降低之化合物。使用抑制薄膜中之醯化纖維素 在面内及膜厚方向配向之化合物,可使光學各向異性充分 地降低,Re變成零且Rth變成近似於零。因此,使光學各 向異性降低之化合物係充分與醯化纖維素相溶,且以化合 物本身不具有棒狀構造或平面性構造爲有利。具體地,具 有複數個芳香族基之類的平面性官能基時,該等官能基爲 非同一平面或具有非平面之構造係爲有利。 (LogP 値) 製作第1態樣之醯化纖維素薄膜時,抑制上述薄膜中 -20- 200811548 之酿化纖維素在面内及膜厚方向配向的化合物之中,以辛 醇水分配係數(丨〇 g P値)爲0〜7之化合物爲較佳。I 〇 g P値 超過7之化合物係欠缺與醯化纖維素之相溶性,容易發生 薄膜之白濁或粉吹。又,log P値比0小之化合物由於親水 性高,因此有乙酸纖維素薄膜之耐水性惡化的情況。作爲 logP値,更佳之範圍爲1〜6,特佳之範圍爲1 .5〜5。 辛醇-水分配係數(I 〇 g P値)之測定可以根據J IS日本工業 規格Z7260-1 07(2000)所記載之燒瓶滲透法予以實施。又, φ 辛醇-水分配係數(i〇gP値)亦可藉由計算化學方法或經驗方 法來估計,以代替實際測量。作爲計算方法,可較佳地使用 Crippen’s fragmentation 法(J.Chem. Inf. Comput. S c i ·,2 7,2 1 (1 9 8 7)) 、 V i s w a n a d h a n ’ s fragmentation 法 (J.Chem. Inf. Comput. Sci. ,29,1 63(1 989).) 、 Broto.s fragmentation 法 (Eur.J.Med.Chem. -chim.
Theor.,1 9,71 (1 984))等,惟更佳爲 Crippen,s fragmentation 法(J.Chem. Inf. Comput· Sci.,27,21 (1 987))。某化合物之 φ i〇gP値藉由測定方法或計算方法相異的情況下,該化合物是 否在範圍内較佳以CripperTs fragmentation法來判斷。 [降低光學各向異性之化合物的物性] 降低光學各向異性之化合物宜含有芳香族基,不含有 亦可。另外,降低光學各向異性之化合物以分子量爲 150〜3000爲較佳,以 170〜2000爲更佳,以 200〜1000 爲尤佳。如在此等之分子量範圍內,特定單體構造爲佳, 複數結合其單體單元之寡聚物構造、聚合物構造亦佳。 降低光學各向異性之化合物較佳爲在25°C爲液體、融 -21 - 200811548 點爲25〜250 °C之固體’尤佳爲在25 °C爲液體、融點爲 2 5 ~2 0 0 °C之固體。又,降低光學各向異性之化合物係以在 醯化纖維素薄膜之製作時,於摻混(dope)流延、乾燥過程 中不會揮散之化合物爲較佳。 降低光學各向異性之化合物之添加量,以醯化纖維素 之0.01 ~30質量%爲較佳,以1 ~25質量。/。爲更佳,以5~20 質量%爲尤佳。 降低光學各向異性之化合物可僅使用1種類,亦可以 φ 任意比例混合2種以上化合物來使用。 添加降低光學各向異性之化合物的時期可以是摻混製 作步驟中的任何時點,亦可在摻混調製步驟的最後進行^ 降低光學各向異性之化合物較佳爲:從在至少一側的 表面到全膜厚之1〇 %爲止的部分中之該化合物之平均含有 率爲該醯化纖維素薄膜之中央部之化合物平均含有率的 80~99%。前述化合物之存在量係可藉由例如特開平 8-57 879號公報中記載的紅外吸收光譜所用之方法等,測 φ 定表面及中心部之化合物量而求出。 以下,列舉下述一般式(1 3 )、( 1 8 )、( 1 9 )之任一者所表 示之化合物作爲用於第1態樣之較佳降低醯化纖維素薄膜 的光學各向異性之化合物之具體例,惟不限定於該等化合 物。 -22- 200811548 一般式(1 3) ? ψ Ο [一般式(13)中,R1表示烷基或芳基,R2及R3係各自獨 立地表示氫原子、烷基或芳基。惟R1、R2及R3之碳原子 數總和爲1 0以上。]
一艇式(1 8) 〇 R3 R1—C - N-R2 [一般式(18)中,R1係表示烷基或芳基,R2及R3係各 自獨立地表示氫原子、烷基或芳基。] —般式(1 9) φ 〇 R8 r4 — C - [一般式(19)中,R4、R5及R6係各自獨立地表示烷基或 芳基。] 關於一般式(13)之化合物加以説明。 上述一般式(13)中,R1表示烷基或芳基,R2及R3係 各自獨立地表示氫原子、烷基或芳基。又,以R1、R2及 R3之碳原子數總和爲1 〇以上爲特佳。R1、R2及R3係可經 -23- 200811548 取代,作爲取代基,以氟原子、烷基、芳基、烷氧基、楓 基及磺醯胺基爲較佳,以院基、芳基、院氧基、楓基及磺 醯胺基爲更佳。又,烷基可以是直鏈、分枝或環狀’以碳 原子數1〜25者爲較佳,6~25者爲更佳,6~20者爲尤佳(例 如,甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、ter卜丁 基、戊基、異戊基、tert-戊基、己基、環己基、庚基、辛 基、二環辛基、壬基、金剛烷基、癸基v、tert-辛基、十 一碳基、十二碳基、十三碳基、十四碳基、十五碳基、十 % 六碳基、十七碳基、十八碳基、十九碳基、二十碳基)° 作爲芳基,以碳原子數6〜30者爲較佳,以6〜24者爲更佳 (例如,苯基、聯苯基、三聯苯基、蔡基、聯奈基、一本土 苯基)。 一般式(1 3)所表示之化合物的較佳實例如下@ &萍:’ ί隹不限定於此等具體例。 式中,pri係表示異丙基。
-24· 200811548
-25- 200811548
-26- 200811548
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A-4 4 Ο 15一奶
Ο A一 4 5
-27- 200811548 以下,一般式(18)或一般式(19)所表示之化合物的較 佳實例如下述所示,惟不限定於此等具體例。又,一般式 (18)或一般式(19)所表示之化合物中,烷基及芳基的具體 例係與一般式(13)相同。 FA-2 PA1
O^-rO ^ CHZ ^ CSn FA-5 FA-4
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其他降低光學各向異性之化合物的較佳實例,可列舉以 下述一般式(1)所表示之化合物。 -36- 200811548 一般式(1) ch2c〇2r2 R1〇--002R3 ch2co2r4 上述一般式(1)中,R1表示氫原子、取代或無取代之脂 肪族醯基、或者取代或無取代之芳香族醯基。以氫原子或 脂肪族醯基爲更佳。脂肪族醯基可以是直鏈、分枝、環狀 之任一者。脂肪族醯基之碳原子數以1〜1 2爲較佳,1〜8爲 φ 更佳,1 ~4爲最佳。芳香族醯基可以是芳香族烴醯基、亦 可是芳香族雜環醯基,更佳爲芳香族烴醯基。作爲芳香族 烴醯基,以碳原子數爲6〜24者爲較佳,6〜12者爲更佳。 作爲脂肪族醯基及芳香族醯基可具有之取代基,可列舉後 述之取代基T。 R2、R3與R4係各自表示氫原子、取代或無取代之脂 肪族基、或者取代或無取代之芳香族基,以脂肪族基爲更 佳。脂肪族基可以是直鏈、分枝、環狀之任一者,以分枝 φ 或環狀爲更佳,環狀爲特佳。脂肪族基之碳原子數以5〜24 爲較佳,5〜15爲更佳,5~12爲最佳。芳香族基可以是芳 香族烴基亦可是芳香族雜環基,更佳爲芳香族烴基。作爲 芳香族烴基,以碳原子數爲6~24者爲較佳,6~12者爲更 佳。作爲脂肪族基及芳香族基可具有之取代基,可列舉後 述之取代基T。 以下,進一步說明前述之取代或無取代之脂肪族基。 脂肪族基可以是直鏈、分枝或環狀,以碳原子數1~2 5者爲 佳’ 5〜24爲較佳,5〜1 5爲更佳,5〜1 2爲最佳。脂肪族 -37- 200811548 基之具體例,包括甲基、乙基、η-丙基、異丙基、環丙基、 η-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、tert·戊基、 η -己基、環己基、η -庚基、η -辛基、二環辛基、金剛烷基、 η-癸基、tert-辛基、十二碳基、十六碳基、十八碳基、二 十碳基。 以下,進一步說明前述之取代或無取代之芳香族基。 芳香族基可以是芳香族烴基、也可以是芳香族雜環基,更 佳爲芳香族烴基。作爲芳香族烴基,以碳原子數爲6〜24 φ 者爲較佳,1 2者爲更佳。具有芳香族烴基之環的具體 例,包括苯、萘、蒽、聯苯、三聯苯等。作爲芳香族烴基, 以苯、萘、聯苯爲特佳。作爲芳香族雜環基,以包括氧原 子、氮原子或硫原子之中的至少1個爲較佳。雜環之具體 例包括例如,呋喃、吡咯、噻吩、咪唑、吡唑、吡啶、吡 畊、嗒阱、三唑、三畊、吲哚、吲唑、嘌呤、噻唑啉、噻 二唑、噁唑啉、噁唑、噁二唑、喹啉、異喹啉、酞畊、萘 錠、喹噁啉、喹唑啉、啐啉、喋啶、吖啶、啡啉、吩哄、 φ 四唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、苯并三唑、四吖 啶。作爲芳香族雜環基,以吡啶、三阱、喹啉爲特佳。 又,以下說明前述之取代基丁。 取代基T : 烷基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1〜12’特佳爲 1〜8,可列舉例如甲基、乙基、異丙基、tert-丁基、η-辛基、 η-癸基、n-十六碳基、環丙基、環戊基、環己基等。)、烯 基(較佳爲碳原子數2〜20,更佳爲2~12,特佳爲2~8,可 列舉例如乙烯基、烯丙基、2-丁嫌基、3-戊烯基等。)、 -38- 200811548
炔基(較佳爲碳原子數2~20,更佳爲2〜12,特佳爲2〜8’ 可列舉例如丙炔基、3-戊炔基等。)、芳基(較佳爲碳原子 數6〜3 0,更佳爲6〜2 0,特佳爲6〜12,可列舉例如苯基、 聯苯基、萘基等。)、胺基(較佳爲碳原子數0〜20 ’更佳爲 0〜10,特佳爲〇~6,可列舉例如胺基、甲胺基、二甲胺基、 二乙胺基、二戊胺基等。)、烷氧基(較佳爲碳原子數1〜20 ’ 更佳爲1〜1 2,特佳爲1〜8,可列舉例如甲氧基、乙氧基、 丁氧基等。)、芳氧基(較佳爲碳原子數6~20,更佳爲6~16^ 特佳爲6~ 1 2,可列舉例如苯基氧基、2-萘基氧基等。)、 醯基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1〜16,特佳爲1~12 ’ 可列舉例如乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基 等。)、烷氧基羰基(較佳爲碳原子數2~20,更佳爲2~16’ 特佳爲2〜1 2,可列舉例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等。)、 芳氧基羰基(較佳爲碳原子數7〜20,更佳爲7〜16,特佳爲 7〜1 0,可列舉例如苯基氧基羰基等。)、醯氧基(較佳爲碳 原子數2〜2 0,更佳爲2〜1 6,特佳爲2 ~ 1 0 ’可列舉例如乙 酿氧基、苯甲釀基氧基等。)、酸胺基(較佳爲碳原子數 2〜2 0,更佳爲2 6,特佳爲2〜1 0,可列舉例如乙醯基胺 基、苯甲醯基胺基等。)、烷氧基羰基胺基(較佳爲碳原子 數2〜20,更佳爲2〜16,特佳爲2~12,可列舉例如甲氧基 羰基胺基等。)、芳氧基羰基胺基(較佳爲碳原子數7〜20 ’ 更佳爲7〜1 6,特佳爲7~1 2,可列舉例如苯基氧基羰基胺 基等。)、磺醯基胺基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1~16, 特佳爲1〜1 2,可列舉例如甲烷磺醯基胺基、苯磺醯基胺基 等。>、胺磺醯基(較佳爲碳原子數〇〜20,更佳爲0~16,特 佳爲〇〜1 2,可列舉例如胺磺醯基、甲基胺磺醯基,二甲基 -39- 200811548
胺磺醯基、苯基胺磺醯基等。)、胺甲醯基(較佳爲碳原子 數1〜20,更佳爲1 ~1 6,特佳爲1〜1 2,可列舉例如胺甲醯 基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等。)、 院硫基(較佳爲碳原子數1〜2 0,更佳爲1〜1 6,特佳爲 1〜1 2,可列舉例如甲硫基、乙硫基等。)、芳基硫基(較佳 爲碳原子數6~20,更佳爲6〜16,特佳爲6〜12,可列舉例 如苯硫基等。)、磺醯基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲 1〜16,特佳爲卜12,可列舉例如甲磺醯基、對甲苯磺醯基 等。)、次磺醯基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1〜16,特. 佳爲1〜1 2,可列舉例如甲烷次磺醯基、苯次磺醯基等。)、 脲基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1〜16,特佳爲1〜12, 可列舉例如脲基、甲基脲基、苯基脲基等。)、磷酸醯胺基 (較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲1〜16,特佳爲1〜12,可列 舉例如二乙基磷酸醯胺基、苯基磷酸醯胺基等。)、羥基、 锍基、鹵素原子(可列舉例如氟原子、氯原子、溴原子、碘 原子)、氰基、磺基、竣基、硝基、氧胯基、亞磺基、胼基、 亞胺基、雜環基(較佳爲碳原子數1〜30,更佳爲1〜12,作 爲雜原子,可列舉例如氮原子、氧原子、硫原子,具體地 可列舉例如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、哌啶基、 嗎啉基、苯并嚼嗤基、苯并咪哩基、苯并噻哗基等。)、及 砍烷基(較佳爲碳原子數3~40,更佳爲 3〜30,特佳爲 3〜24 ’可列舉例如三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等)。 此等取代基可更經取代。又,取代基爲二個以上時,可 以相同或不同。又,在可能的情況下,可互相連結形成環。 即述一般式(1 )所表示之化合物的較佳實例如下述所 示’惟本發明不限定於此等具體例。 -40- 200811548 CH2C02R2 r1〇~co2r2 ch2co2r2 R2
No.__Bi A-1
H A-2
H
A-3
H A-4
H A-5
H A-6
H A-7
H A-8
H A-a
H
MO H A-11 A-21 A-13 A-14 A-15 A-16 Α·17 A-18 A-19 A-20
-41 - 200811548 ch2co2r2 R10--C02R2ch2co2r2
Nq, B-1 B-2 B-3 B-4 B-5 S*8 B-7 B-8 B-9 B-10
Ac
Ac
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Ac v〇
No. B-11 B-12 B-13 B-14 Β·15
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j〇 B>16 B,17 B^18 B*19 B-20
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Ac Ac Ac Ac Ac
"X]
-42- 200811548 ohzco2rz R1C—|—C02R2 CH2CO2R2
R1
Ac
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Ac (moITmol)__v-A / ⑽
(1/2) (1/2)
[波長分散調整劑】
在醯化纖維素薄膜亦可添加使波長分散降低之化合物 (以下稱爲「波長分散調整劑」)。爲了改善第1態樣所使用 之醯化纖維素薄膜之Rth的波長分散’較佳爲含有至少一 種滿足下式(v)、(vi)之範圍的化合物’該化合物係降低下 式(iv)所表示之 Rth 之波長分散,δ Rth= | Rth(400)-Rth(700)j 之化合物。
(iv) Δ Rth= I Rth(400)-Rth(700) I (v) (Δ Rth(B)-A Rth(0))/B ^ -2.0 (vi) 0.01^ B ^ 30 -43- 200811548 上述式(V)、(Vi)係以 (ν) (Δ Rth(B)-A Rth(0))/B ^ -3.0 (Vi) 0.05^ 25 爲更佳, (ν) (Δ Rth(B)-A Rth(0))/B ^ -4.0 (vi) 0.1 S B S 20 爲尤佳。 上述波長分散調整劑通常具有200~400nm之紫外領 φ 域吸收,例如,藉由相對於醯化纖維素固體成分,使用 0.01〜30重量%,可調整醯化纖維素薄膜之Re與 Rth的 波長分散。 第1態樣所使用之醯化纖維素薄膜之Re、Rth的値有 比起一般的短波長側,變得更傾向於長波長側之大波長分 散特性。因此,通常要求將相對地小之短波長側的Re、Rth 變大,以使波長分散平滑。另一方面,具有在200~400nm 之紫外領域吸收的化合物,比起短波長側,具有長波長側 φ 之吸光度爲大的波長分散特性。因此,使具有在200~400nm 之紫外領域吸收之化合物各向同地存在於醯化纖維素薄膜 内部時,化合物自身之雙折射性、甚至是Re、Rth之波長 分散係與吸光度之波長分散同樣地有短波長側變大之傾 向。 藉由使用具有在該200〜400nm之紫外領域吸收、化合 物自身的R e、R t h之波長分散係在短波長側爲大之預定化 合物,可調製醯化纖維素薄膜之Re、Rth的波長分散。因 此要求調整波長分散之化合物係在醯化纖維素中充分均@ -44- 200811548 地相溶。此類化合物之紫外領域的吸收帶範圍以 200〜400nm爲佳,以220〜395nm爲尤佳,240〜390nm爲 更佳。 又,由於近年電視、筆記型電腦、行動電話(mobile) 型携帶端末等液晶顯示裝置以更少的電力提高亮度,因此 要求用於液晶顯示裝置之光學構件之透過率優良之物。關 於此點,當將具有在200〜4 OOnm之紫外領域吸收、使薄膜 之 | Re(400)-Re(700) | 及 | Rth(400)-Rth(700) | 降低之 φ 化合物添加於醯化纖維素薄膜時,要求分光透過率優良。 關於用於第1態樣之醯化纖維素薄膜,在波長380nm之分 光透過率爲45 %〜95 %,且以在波長350nm之分光透過率 爲10%以下爲較佳。 如上所述,在第1態樣較佳地使用之波長分散調整 劑,從揮散性之觀點而言,以分子量爲250〜1 000爲較佳。 更佳爲260-800,尤佳爲270〜800,特佳爲300〜800。波 長分散調整劑可以是單體、及經連結該單體之低聚合物或 φ 聚合物之任一者。 可用於第1態樣之波長分散調整劑係以在製作醯化纖 維素薄膜之際的摻混流延、乾燥的過程中不揮散者爲較佳。 (波長分散調整劑之添加量) 可用於第1態樣之波長分散調整劑之添加量以醯化纖 維素的 0.01~30重量%爲較佳,0.1~20重量%爲尤佳, 0.2〜10重量。/〇爲更佳。 (添加波長分散調整劑之方法) 可用於第1態樣之波長分散調整劑係可僅使用1種 -45- 200811548 類,亦可以2種以上以任意比來混合使用。 又,添加波長分散調整劑的時期係以將第1態樣所使 用之醯化纖維素薄膜予以製膜之摻混製作步驟中的任何時 候進行爲較佳,又,亦可在摻混調製步驟的最後進行。 作爲在第1態樣較佳地使用之波長分散調整劑的具體 例,可列舉苯并三唑系化合物、二苯甲酮系化合物、含氰 基之化合物、羥基二苯甲酮系化合物、水楊酸酯系化合物、 鎳錯鹽(complex salt)系化合物等,惟不受此等化合物所限 ⑩定。 作爲苯并三唑系化合物,可較佳地使用一般式(1 〇 1) 所示之物。 一般式(1 01 ) q1-q2-oh (式中,Q1係表示含氮芳香族雜環,Q2表示芳香族環。) Q1係表示含氮芳香族雜環,較佳爲5員環〜7員環之含 氮芳香族雜環,更佳爲5員環或6員環之含氮芳香族雜環, 例如,咪唑環、吡唑環、三唑環、四唑環、噻唑環、噁唑 φ 環、硒唑環、苯并三唑環、苯并噻唑環、苯并噁唑環、苯 并硒唑環、噻二唑環、噁二唑環、萘噻唑環、萘噁唑環、 氮雜苯并咪唑環、嘌呤環、吡啶環、吡阱環、嘧啶環、嗒 畊環、三畊環、三吖啶環、四吖啶環等;尤佳爲5員之含 氮芳香族雜環,可具體地舉出咪唑環、吡唑環、三唑環、 四唑環、噻唑環、噁唑環、苯并三唑環、苯并噻唑環、苯 并噁唑環、噻二唑環、噁二唑環;特佳爲苯并三唑環。 Q1表示之含氮芳香族雜環可進一步具有取代基,作爲 取代基,可適當地使用後述取代基T。又,取代基有複數 -46- 200811548 個時,亦可各自縮環進一步形成環。 Q2所表示之芳香族環可爲芳香族烴環,亦可爲芳香族 雜環。又,此等可爲單環,亦可更與其他環形成縮合環。 作爲芳香族烴環,較佳爲碳原子數6〜30的單環或二環 之芳香族烴環(苯環、萘環等),更佳爲碳原子數6〜20之芳 香族烴環,尤佳爲碳原子數6〜1 2之芳香族烴環,特佳爲苯 環0
作爲芳香族雜環,以含氮原子或硫原子之芳香族雜環 爲較佳。作爲雜環之具體例,可列舉噻吩環、咪唑環、吡 唑環、吡啶環、吡阱環、嗒哄環、三唑環、三阱環、吲哚 環、吲唑環、嘌呤環、噻唑啉環、噻唑環、噻二唑環、噁 唑啉環、噁唑環、噁二唑環、喹啉環、異喹啉環、酞阱環、 萘錠環、喹噁啉環、喹唑啉環、晬啉環、喋啶環、吖啶環、 啡啉環、吩畊環、四唑環、苯并咪唑環、苯并噁唑環、苯 并噻唑環、苯并三唑環、四吖啶環。作爲芳香族雜環之具 體例,可列舉吡啶環、三阱環、喹啉環。 作爲Q2所表示之芳香族環,較佳爲芳香族烴環,尤佳 爲萘環或苯環,更佳爲苯環。Q2可進一步具有取代基,以 後述之取代基T爲較佳。 作爲取代基 T,可列舉例如烷基(較佳爲碳原子數 1〜20,更佳爲碳原子數1〜12,特佳爲碳原子數1〜8,可列 舉例如甲基、乙基、異丙基、tert-丁基、η-辛基、η-癸基、 η-十六碳基、環丙基、環戊基、環己基等。)、烯基(較佳 爲碳原子數2〜20,更佳爲碳原子數2〜12,特佳爲碳原子 數2~8,可列舉例如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、3-戊烯 -47- 200811548 基等。)、炔基(較佳爲碳原子數2~20,更佳爲碳原子數 2〜12,特佳爲碳原子數2~8,可列舉例如丙炔基、3-戊炔 基等。)、芳基(較佳爲碳原子數6 ~ 30,更佳爲碳原子數 6〜20,特佳爲碳原子數6〜12,可列舉例如苯基、P-甲基苯 基、萘基等。)、胺基(較佳爲碳原子數〇~20,更佳爲碳原 子數0~1 〇,特佳爲碳原子數〇~6,可列舉例如胺基、甲基 胺基、二甲胺基、二乙胺基、二戊胺基等。)、烷氧基(較 佳爲碳原子數1〜20,更佳爲碳原子數1〜12,特佳爲碳原 φ 子數1〜8,可列舉例如甲氧基、乙氧基、丁氧基等。)、芳 氧基(較佳爲碳原子數6~20,更佳爲碳原子數6〜16,特佳 爲碳原子數6~12,可列舉例如苯基氧基、2-萘氧基等。)、 醯基(較佳爲碳原子數1〜20,更佳爲碳原子數1〜16,特佳 爲碳原子數1〜1 2,可列舉例如乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、 、三甲基乙醯基等。)、烷氧基羰基(較佳爲碳原子數2〜20, 更佳爲碳原子數 2〜16,特佳爲碳原子數2~12,可列舉例 如甲氧基羰基、乙氧基羰基等。)、芳氧基羰基(較佳爲碳 φ 原子數7~20,更佳爲碳原子數7~16 ’特佳爲碳原子數 7〜1 0,可列舉例如苯基氧基羰基等。)、醯氧基(較佳爲碳 原子數2~20,更佳爲碳原子數2〜16,特佳爲碳原子數 2〜1 〇,可列舉例如乙醯氧基、苯甲醯基氧基等。)、醯胺基 (較佳爲碳原子數2〜20,更佳爲碳原子數2〜16 ’特佳爲碳 原子數2~10,可列舉例如乙醯基胺基、苯甲醯基胺基等。)、 烷氧基羰基胺基(較佳爲碳原子數2~20 ’更佳爲碳原子數 2~16,特佳爲碳原子數 2~12,可列舉例如甲氧基羰基胺 基等。)、芳氧基羰基胺基(較佳爲碳原子數7~20,更佳爲 -48- 200811548 碳原子數7~ 1 6,特佳爲碳原子數7〜1 2,可列舉例如苯基 氧基羰基胺基等。)、磺醯基胺基(較佳爲碳原子數1~20’ 更佳爲碳原子數1〜16,特佳爲碳原子數1~12,可列舉例 如甲烷磺醯基胺基、苯磺醯基胺基等。)、胺磺醯基(較佳 爲碳原子數〇~20,更佳爲碳原子數〇~16,特佳爲碳原子 數0〜12,可列舉例如胺磺醯基、甲基胺磺醯基、二甲基胺 磺醯基、苯基胺磺醯基等。)、胺甲醯基(較佳爲碳原子數 1〜20,更佳爲碳原子數1〜16,特佳爲碳原子數1〜12,可 0 列舉例如胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯 基胺甲醯基等。)、烷硫基(較佳爲碳原子數1~20,更佳爲 碳原子數1〜1 6,特佳爲碳原子數1 ~ 1 2,可列舉例如甲硫 基、乙硫基等。)、芳基硫基(較佳爲碳原子數6〜20,更佳 爲碳原子數6〜16,特佳爲碳原子數6〜12,可列舉例如苯 硫基等。)、磺醯基(較佳爲碳原子數1~20,更佳爲碳原子 數i ~ 1 6,特佳爲碳原子數1〜1 2,可列舉例如甲磺醯基、 對甲苯磺醯基等。)、次磺醯基(較佳爲碳原子數1~20,更 佳爲碳原子數1〜16,特佳爲碳原子數1〜12,可列舉例如甲 烷次磺醯基、苯次磺醯基等。)、脲基(較佳爲碳原子數 1~20,更佳爲碳原子數1~16,特佳爲碳原子數H2,可 列舉例如脲基、甲基脲基、苯基脲基等。)、磷酸醯胺基(較 佳爲碳原子數1〜20,更佳爲碳原子數1~16,特佳爲碳原 子數1〜12,可列舉例如二乙基磷酸醯胺基、苯基磷酸醯胺 基等。>、羥基、锍基、鹵素原子(可列舉例如氟原子、氯 原子、溴原子、碘原子)、氰基、磺基、竣基、硝基、氧月弓 基、亞磺基、胼基、亞胺基、雜環基(較佳爲碳原子數1~30, -49- 200811548 更佳爲1〜1 2,作爲雜原子,可列舉例如氮原子、氧原子、 硫原子、具體地可列舉例如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋 喃基、哌啶基、嗎啉基、苯并噚唑基、苯并咪唑基、苯并 噻嗖基等。)、矽烷基(較佳爲碳原子數3〜40,更佳爲碳原 子數3〜30,特佳爲、碳原子數3~24,可列舉例如三甲基 矽烷基、三苯基矽烷基等)等。此等取代基亦可更經取代。 又,取代基爲二個以上時,可以相同或不同。又,亦可在 可能的情況下互相連結形成環。
作爲一般式(101),較佳爲下述一般式(101-A)所表示 之化合物。 一般式(1 0 1-A)
立地表示氫原子或取代基。) R、R、Μ、R5、R6、R' ,8及 r9 係各自獨立 地表示氫原子或取代基,作爲取代基,可以適當地使用取 代基丁。卩,此等取代基亦可更經其他取代基取代,取代 基彼此可縮環形成環構造。 作爲R1及R3,較佳爲氫原子、烷基、烯基、決基、 芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、_ -50- 200811548 氫原子、烷基、芳基、烷基氧基、芳氧基、鹵素原子,尤 佳爲氫原子、碳原子數1~12烷基,特佳爲碳原子數1~12 之烷基(較佳爲碳原子數4~12)。 作爲R2及R4,較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、 芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、鹵素原子,更佳爲 氫原子、烷基、芳基、烷基氧基、芳氧基、鹵素原子,尤 佳爲氫原子、碳1〜12烷基,特佳爲氫原子、甲基,最佳爲 氫原子。
作爲R5及R8,較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、 芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、經基、鹵素原子,更佳爲 氫原子、烷基、芳基、烷基氧基、芳氧基、鹵素原子,尤 佳爲氫原子、碳1〜12烷基,特佳爲氫原子、甲基,最佳爲 氫原子。 作爲R6及R7,較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、 芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、鹵素原子,更佳爲 氫原子、烷基、芳基、烷基氧基、芳氧基、鹵素原子,尤 φ 佳爲氫原子、鹵素原子,特佳爲氫原子、氯原子。 作.爲一般式(1〇1),更佳爲下述一般式(1\〇1-B)所表示 之化合物。 一般式(1 0 1 - B)
(式中,R1、R3、R6及R7係與一般式(1 01 - A)中該等同 200811548 義,又較佳範圍亦相同。) 以下,列舉一般式(1 0 1)所表示之化合物之具體例,惟 不限定於下述具體例。
-52- 200811548 υν·ι
υν·2
UV-3 UV4 υν-5
OC^a -53 - 200811548
UV-16
UV^20
-5 4 - 200811548 以上例舉之苯并三唑系化合物中,在使用不含分子量 爲320以下之物的醯化纖維素薄膜時,確認以所得之相位 差膜的保留性之點而言爲有利。 又,作爲可用於第1態樣之波長分散調整劑之一的二 苯甲酮系化合物,可較佳地使用一般式(1 〇 2 )所示之物。 一般式(102) 〇 • 丨
/XH Q1,、Q〆 (式中,Q1及Q2係各自獨立地表示芳香族環。X表示 NR(R係表示氫原子或取代基)、氧原子或硫原子。) Q1及Q2所表示之芳香族環可以是芳香族烴環,亦可 是芳香族雜環。又,此等可爲單環,亦可更與其他環形成 縮合環。 ® 作爲q1及q2所表示之芳香族烴環,較佳爲(較佳爲碳 原子數6〜30之單環或二環芳香族烴環(可列舉例如苯環、 萘環等。)’更佳爲碳原子數6〜20之芳香族烴環、尤佳爲 碳原子數6~12之芳香族烴環。)尤佳爲苯環。 作爲Q1及Q2所表示之芳香族雜環,較佳爲含氧原子、 氮原子或硫原子中的至少1個之芳香族雜環。作爲雜環之 具體例’可列舉例如呋喃環、吡咯環、噻吩環、咪唑環、 吡哩環、吡啶環、吡阱環、嗒阱環、三唑環、三畊環、吲 哚環、吲唑環、嘌呤環、噻唑啉環、噻唑環、噻二唑環、 -55- 200811548 噁唑啉環、噁唑環、噁二唑環、喹啉環、異喹嚇瓌、酞畊 環、萘錠環、喹噁啉環、喹唑啉環、哮啉環、喋啶環、吖 啶環、啡啉環、吩阱環,四唑環、苯并咪哇環、苯并_唑環、 苯并噻哇環、苯并三哩環、四吖陡環等。作爲芳香族雜環, 較佳爲吡啶環、三哄環、喹啉環。 作爲Q1及Q2所表示之芳香族環,較佳爲芳香族烴環, 更佳爲碳原子數6〜10之芳香族烴環,尤佳爲苯環。 Q1及Q2可更具有取代基,以前述取代基T爲較佳, ^ 惟取代基中不含羧酸、磺酸、4級銨鹽。又,在可能的情 況下,取代基彼此可連結形成環構造。 X表示NR(R係表示氫原子或取代基。作爲取代基, 可以適當地使用取代基T。)、氧原子或硫原子;以nr(作 爲R,較佳爲醯基、磺醯基,此等取代基可更經取代。)、 或氧原子爲較佳’以氧原子爲更佳。 作爲一般式(1〇2)’較佳爲下述一般式(1〇2仏)所表示 之化合物。 Λ —般式(102-Α)
(式中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、r8 及 r9 係各 自獨立地表示氫原子或取代基。) {系各自獨立 R1、 R2、 R3、 r4、 r5、 R6、 R7、尺8及 R9 -56- 200811548 地表示氫原子或取代基,作爲取代基可適當地使用前述取 代基T。又,此等取代基亦可更經其他取代基取代,取代 基彼此可縮環形成環構造。 作爲R1、R3、R4、R5、r6、r8及r9,較佳爲氫原子、 烷基、烯基、炔基、芳基、胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、 鹵素原子,更佳爲氫原子、烷基、芳基、烷基氧基、芳氧 基、鹵素原子,尤佳爲氫原子、碳原子數1〜1 2院基,特佳 爲氫原子、甲基,最佳爲氫原子。
作爲R2,較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、鹵素原子,更佳爲氫原子、 碳原子數1〜20之烷基、碳原子數0〜20之胺基、碳原子數 1〜12之烷氧基、碳原子數6〜12之芳氧基、羥基,尤佳爲 碳原子數1〜20之烷氧基,特佳爲碳原子數1〜12之烷氧基。 作爲R7,較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、 胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、鹵素原子,更佳爲氫原子、 碳原子數1〜20之烷基、碳原子數0~20之胺基、碳原子數 1〜12之烷氧基、碳原子數6〜12芳氧基、羥基,尤佳爲氫 原子、碳原子數1~2 0之烷基(較佳爲碳原子數1〜12,更佳 爲碳原子數1〜8、尤佳爲甲基),特佳爲甲基、氫原子。 作爲一般式(102),更佳爲下述一般式(102-B)所表示 之化合物。 -5 7 - 200811548 一般式(102-B)
(式中,r1q表示氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基。)
R1C)表不氫原子、院基、嫌基、炔基、芳基,作爲此等 基所具有之取代基,以前述取代基T爲較佳。 作爲R 1 ^,較佳爲院基,更佳爲碳原子數5〜2 0之院基, 尤佳爲碳原子數5~12之烷基(可列舉η-己基、2-乙基己 基、η-辛基、η -癸基、η-十二碳基、·节基。),特佳爲碳原 子數6~12之烷基(2-乙基己基、η-辛基、η-癸基、η_十二 碳基、苄基)。 一般式(102)所表示之化合物可藉由特開平11-12219 號公報所記載之習知方法予以合成。 以下列舉一般式(102)所表示之化合物之具體例,惟不 限定於下述具體例。 -58· 200811548 υνΛΰΐ
Ο OH
-59- 200811548 UV-109 UV-104
〇 OH
UV410
Will
O OH
-60- 200811548 CJV412 (flCgHna
OGgH” ㈣
UV43L5 UWL20
又,作爲可用於第1態樣之波長分散調整劑之一的含 氰基化合物,可較佳地使用一般式(1〇3)所示之物。 -61 - 200811548 一般式(103)
(式中,Q1及Q2係各自獨立地表示芳香族環。χ1及X 係表示氫原子或取代基,至少任1個表示氰基、羰基'礦 醯基、芳香族雜環。)
Q1及Q2所表示之芳香族環可以是芳香族烴環’亦可 是芳香族雜環。又,此等可爲單環,亦可更與其他環形成 縮合環。 作爲芳香族烴環,較佳爲碳原子數6〜30之單環或二環 芳香族烴環(例如,苯環、萘環等),更佳爲碳原子數6〜20 之芳香族烴環,尤佳爲碳原子數6~12之芳香族烴環,特佳 爲苯環。 作爲芳香族雜環,較佳爲含氮原子或硫原子之芳香族 雜環。作爲雜環之具體例,可列舉例如噻吩環、咪唑環、 吡唑環、吡n定環、吡畊環、嗒畊環、三哩環、三哄環、口引 哚環、吲唑環、嘌呤環、噻唑啉環、噻唑環、噻二哩環、 噁唑啉環、噁唑環、噁二唑環、喹啉環、異喹啉環、酿哄 環、萘錠環、喹噁啉環、喹唑啉環、啐琳環、喋陡環、K 啶環、啡啉環、吩阱環、四唑環、苯并咪唑環、苯幷螺哇 環、苯并噻唑環、苯并三唑環、四吖啶環等。作爲芳香族 雜環較佳爲吡啶環、三阱環、喹啉環。 作爲Q1及Q2所表示之芳香族環,較佳爲芳香族烴環, -62- 200811548 更佳爲苯環。 Q1及Q2可更具有取代基,以上述取代基T爲較佳。 X 1及X 2係表示氫原子或取代基,至少任1個係表示 氰基、羰基、磺醯基,芳香族雜環。X1及X2所表示之取代 基可適當地使用前述取代基T。又,X1及X2所表示之取 代基可更經其他取代基所取代,X 1及X 2亦可各自縮環形 成環構造。 作爲X 1及X 2,較佳爲氫原子、烷基、芳基、氰基、 Φ 硝基、羰基、磺醯基、芳香族雜環,更佳爲氰基、羰基、 磺醯基、芳香族雜環,尤佳爲氰基、羰基,特佳爲氰基、 烷氧基羰基(-C(=〇)OR(R爲:碳原子數1〜20烷基、碳原 子數6〜1 2之芳基及組合此等者)。 作爲一般式(103),較佳爲下述一般式(103-A)所表示 之化合物。 一般式(1 03-A)
(式中,、R2、R3、R4、R5、R6、R7、r8、r9 及 r1〇 係各自獨立地表示氫原子或取代基。X1及x 2係與一般式 (103)中該等同義,較佳範圍亦相同。〉 -63- 200811548 R1、R2、R3、R4、R5、R6, R7、R8、R9 及 R10 係各自 獨立地表示氫原子或取代基,作爲取代基,可適當地使用 前述取代基τ。又,此等取代基亦可更經其他取代基取代, 取代基彼此可縮環形成環構造。 作爲R1、R2、R4、RS、Re、r7、…及R1。,較佳爲氫 原子、;Itc基、儲基、炔基、芳基、胺基、院氧基、芳氧基、 .羥基、鹵素原子,更佳爲氫原子、烷基·、芳基、院基氧基、 方興基、鹵素原子’尤佳爲氫原子、碳1〜12院基,特佳爲 氫原子、甲基,最佳爲氫原子。 作爲R3及R8較佳爲氫原子、烷基、烯基、炔基、芳 基、胺基、烷氧基、芳氧基、羥基、幽素原子,更佳爲氨 原子、碳原子數1〜20之烷基、碳原子數〇〜20之胺基、碳 原子數1〜12之院氧基、碳原子數6〜12芳氧基、經基,尤 佳爲氫原子、碳原子數1〜12之烷基、碳原子數1〜12院氧 基,特佳爲氫原子。 作爲一般式(103),更佳爲下述一般式(103-B)所表示 φ 之化合物。 -6 4 - 200811548 一般式(103-B)
NC
(式中,R3及R8係與一般式(1〇3_A)中該等同義,較佳 範圍亦相同。X 3係表示氫原子或取代基。) X 3係表示氫原子或取代基,作爲取代基,可適當地使 用前述取代基T ;又,在可能的情況下亦可經其他取代基 所取代。作爲X 3較佳爲氫原子、烷基、芳基、氰基、硝基、 幾基、磺醯基、芳香族雜環,更佳爲氰基、羰基、磺醯基、 方香族雜環,尤佳爲氰基、幾基,特佳爲氰基、院氧基鑛 基(-c( = 〇)〇R(R爲:碳原子數卜20烷基、碳原子數6〜12 之芳基及組合此等之物)。 作爲一般式(1 03),尤佳爲一般式(1 03-C)所表示之化 合物。 一般式(103-C) 〇
R3 -65- 200811548 (式中,R3及R8係與一般式(103·Α)中之該等同義,又 較佳範圍亦相同。R21表示碳原子數1~20之烷基。) 作爲R21,在R3及R8兩者爲氫的情況時,較佳爲碳 原子數2〜12之烷基,更佳爲碳原子數4~1 2之烷基,尤佳 爲碳原子數6~12之烷基,特佳爲η-辛基、tert-辛基、2-乙基己基、η-癸基、η-十二碳基,最佳爲2-乙基己基。 作爲R21,在R3及R8爲氫以外的情況時,較佳爲一 般式(103-C)所表示之化合物的分子量成爲300以上,且以 φ 碳原子數2〇以下之碳原子數之烷基爲較佳。 一般式(10 3)所表示之化合物可藉由 Jounal of American Chemical Society 第 63 卷第 3452 頁(1941) 記載之方法予以合成。 以下列舉一般式(1 〇3)所表示之化合物之具體例,惟不 限定於下述具體例。
-66- 200811548
UV-206 UV.2D7 Ο
UV-204
UV-205
υν-209 υν-210 Ο
ο
-67- 200811548 υν-2Π ο UV-212
UV-215
UV-21S 〇
υν-219
UV-220
Ο
Ο
-68 - 200811548
UV-224 UV-225 UV-229
UV-231
-69- 200811548 在第1態樣中,用來作爲支撐體之醯化纖維素薄膜係 以其厚度爲10〜120μπι爲較佳。 [第2態樣之相位差膜] 第2態樣之相位差膜係關於一種Re及Rth之絶對値爲 小’且組合含至少一種丙烯酸系聚合物之醯化纖維素薄膜所 構成之支撐體、與光學各向異性層之相位差膜。具體而言, 係關於一種相位差膜,其中支撐體之正面遲滯値與厚度方向 之遲滯値Rth係滿足下式[1],且前述支撐體之波長分散性 Φ 係滿足下式[2]-2 ;藉由進一步與光學各向異性層組合,相位 差膜全體,正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値Rth係滿足 下式[3],且波長分散性係滿足下式[4】之相位差·膜。 [1] 0SRe(630)S10 且 | Rth(630)| $25 [2】-2 | Re(400)-Re(700)| S 10 且-35$ Rth(400)-Rth(700)S60 [3] OS Re(550)g 10 且 100$ Rth(550)g 300 [4] 1.04^ Rth(450)/Rth(550)^ 1.30 第2態樣之相位差膜之正面遲滯値Re(550)較佳爲 φ 8nm以下,更佳爲5nm以下,尤佳爲3nm以下。又,相位 差膜厚度方向之遲滯値Rth(550)較佳爲120〜280nm,更佳 爲140〜260nm,尤佳爲160〜240nm。又,相位差膜之波長 分散性較佳爲 1.06〜1.30,更佳爲 1.08〜1.28 ,尤佳爲 1 · 1 0〜1.26 〇 在第2態樣之相位差膜所用之支撐體爲含有至少一種 丙烯酸系聚合物之醯化纖維素薄膜。該醯化纖維素薄膜爲 該醯化纖維素薄膜(支撐體)之正面遲滯値Re與厚度方向 之遲滯値Rth係滿足前述式[彳],且波長分散性係滿足前述 •70- 200811548 式[2]-2者。 用作前述支撐體之醯化纖維素薄膜的Re及Rth係以 滿足下式[1Γ爲較佳,以滿足下式[1]"爲更佳。 [1 0 ^ Re(630) ^ 5 且 | Rth (6 3 0) | S 2 0 n m [1 ]11 R e (6 3 0) ^ 2 且 |Rth(630)| S15nm 又,前述支撐體之波長分散性係以滿足下式[2Γ-2爲 較佳,以滿足下式[2 Γ-2爲更佳。 [2】·-2 | Re(400)-Re(700)| S 1 0 且 0S Rth(400)-Rth(700)S 60
[2]"-2 | Re(400)-Re(700)| $ 5 且 0 $ Rth(400)-Rth(700) S 45 關於前述醯化纖維素之原料係與上述第1態樣相同。 在前述第2例子之醯化纖維素薄膜之製作所使用的醯 化纖維素爲纖維素之羥基經醯化者,例如,較佳爲使用以 醯基之碳原子數2〜22之乙醯基取代的醯化纖維素。纖維素 對羥基之取代度並無特別限定,惟以纖維素對羥基之醯基 取代度係2.70〜3.00爲較佳。再者,取代度爲2.80〜3.00 爲較佳,2.85〜3.00爲更佳。 特別是,在上述纖維素之羥基取代之醯基取代基之 中,實質上由乙醯基/丙醯基/ 丁醯基的至少2種類所構成 的情況下,在其全取代度爲2·70〜3.00時,可更有效降低 醯化纖維素薄膜之光學各向異性,而可安定地製作滿足上 述式[1]及[2]之醯化纖維素薄膜。醯基取代度以2.7 5〜3.00 爲較佳,2.80〜3.00爲更佳。 關於其他,係與在第1態樣中醯化纖維素薄膜之製作 所用的醯化纖維素之較佳例相同。 -71 - 200811548 [丙烯酸系聚合物] 在第2態樣之相位差膜中,作爲支撐體所用之醯化纖 維素薄膜係含有至少一種丙烯酸系聚合物。此外,本說明 書中所謂「丙烯酸系聚合物」,係將丙烯酸及其衍生物(不僅 包括丙烯酸酯,亦包括具有羥基等取代基之丙烯酸或丙烯 酸酯)視爲單體之同元聚合物及共聚物、及將甲基丙烯酸及 其衍生物(不僅包括甲基丙烯酸酯,亦包括具有羥基等取代 基之甲基丙烯酸或甲基丙烯酸酯)視爲單體之同元聚合物 φ 及共聚物的總稱。 前述丙烯酸系聚合物係藉由添加於醯化纖維素薄膜 中,來使該薄膜光學各向異性降低。在第2態樣中,以使 用重量平均分子量爲500以上、低於1〇,〇〇〇 (更佳爲 500〜5,000)之丙烯酸系聚合物爲較佳。重量平均分子量在 前述範圍時,與纖維素酯之相溶性良好,且製膜中不易發 生蒸發及揮發。特別是,(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯系 聚合物、在側鏈具有芳香環之丙烯酸系聚合物或在側鏈具 φ 有環己基之丙烯酸系聚合物爲上述分子量時,除了上述之 外,所得之醯化纖維素薄膜爲透明性優良、透濕度亦極低, 因此作爲偏光板用保護膜亦顯示優異性能。 又,若表現丙烯酸系聚合物,認爲是重量平均分子量 係5 0 0以上、低於1 0,0 0 0之丙烯酸系聚合物爲從低聚合物 至低分子量聚合物之間者。關於合成此類聚合物,通常的 聚合難以控制分子量,期望以可不使分子量太大之方法盡 可能地使分子量一致方法。作爲此聚合方法,使用過氧化 枯嫌(cumene peroxide)、t -丁基過氧化氫之類的過氧化物 -72- 200811548 聚合引發劑之方法,使用比一般聚合更多量聚合引發劑之 方法、除了聚合引發劑使用锍基化合物或四氯化碳等鏈轉 移劑之方法、除了聚合引發劑使用二苯甲酮或二硝基苯之 類的聚合停止劑之方法,更可舉出特開2000-1 2891 1號公 報或同2000-344823號公報中之具有一個硫醇基與2級羥 基之化合物、或是使用倂用該化合物與有機金屬化合物之 聚合觸媒之塊狀聚合方法等,任一者均可較佳地使用於第 2態樣,特佳爲該公報所記載之方法。
以下例示作爲構成前述丙烯酸系聚合物之單體單位的 單體,惟不限定於此等。 作爲構成聚合物之單體單位:例如丙烯酸甲酯、丙烯 酸乙酯、丙烯酸丙酯(i -、η -)、丙烯酸丁酯(n -、丨-、s —、t -)、 丙烯酸戊酯(n-、i-、s-)、丙烯酸己酯(η-、卜)、丙烯酸庚 酯(η·、卜)、丙烯酸辛酯(η-、卜)、丙烯酸壬酯(n_、卜)、丙 烯酸肉豆蔻酯(η-、卜)、丙烯酸環己酯、丙烯酸(2 -乙基己 酯)、丙烯酸苄酯、丙烯酸苯乙酯、丙烯酸(ε -己內酯)、丙 φ 烯酸(2-羥基乙酯)、丙烯酸(2-羥基丙酯 >、丙烯酸(3-羥基 丙酯)、丙烯酸(4-羥基丁酯)、丙烯酸(2-羥基丁酯)、丙烯 酸(2 -甲氧基乙酯)、丙烯酸(2 -乙氧基乙酯)、丙烯酸苯酯、 丙烯酸(2或4-氯苯酯)、丙烯酸(2或3或4-乙氧基羰基苯 酯)、丙烯酸(〇或m或ρ-甲苯酯)、丙烯酸苄酯、丙烯酸苯 乙酯、丙烯酸(2-萘酯)、丙烯酸環己酯、丙烯酸(4-甲基環 己酯)、丙烯酸(4-乙基環己酯)、丙烯酸-P-羥基甲基苯酯、 丙烯酸- p-(2-羥基乙基)苯酯等;作爲甲基丙烯酸酯爲將上 述丙烯酸酯變更爲甲基丙烯酸酯之物;作爲不飽和酸可列 -73- 200811548 舉例如丙嫌酸、甲基丙嫌酸、馬來酸酐、巴豆酸、伊康酸 等。以上述單體所構成之聚合物可爲共聚物亦可爲同元聚 合物。 前述丙烯酸系聚合物爲在主鏈及/或側鏈具有羥基 時,與醯化纖維素之相溶性及所得薄膜之透明性顯著提 升,因而較佳。在側鏈具有羥基之丙烯酸系聚合物可利用 具有羥基之(甲基)丙烯酸衍生物(例如在(甲基)丙烯酸酯的 酯部份具有羥基之化合物)作爲單體來製造。具有羥基之 ^ (甲基)丙烯酸衍生物之具體例爲丙烯酸(2 -羥基乙酯)、丙烯 酸(2 -羥基丙酯)、丙烯酸(3 -羥基丙酯)、丙烯酸(4 -羥基丁 酯)、丙烯酸(2 -羥基丁酯)、丙烯酸-P-羥基甲基苯酯、丙烯 酸- p-(2-經基乙酯)苯酯等;包括將上述丙嫌酸酯變更爲甲 基丙烯酸酯酸酯者。 作爲在側鏈具有羥基之丙烯酸系聚合物,以在丙烯酸 酯的酯部份具有羥基之化合物與甲基丙烯酸酯(在酯部份 不具有羥基之化合物)之共聚合體爲特佳。
又,由上述可知,較佳爲在主鏈具有羥基,特別是在 聚合物主鏈之至少一邊的末端具有羥基之丙烯酸系聚合 物。關於製造在主鏈末端具有羥基之聚合物,可以是藉由 例如,使用偶氮雙(2-羥基乙基丁酯)之類具有羥基之自由 基聚合引發劑之方法;使用2-锍基乙醇之類具有羥基之鏈 轉移劑之方法;使用具有羥基之聚合停止劑之方法;藉由 活性離子聚合使末端具有羥基之方法;使用特開 2000-128911號公報或2000-344823號公報之具有一個硫 醇基與2級羥基之化合物、或是倂用該化合物與有機金屬 -74- 200811548 化合物之聚合觸媒的塊狀聚合方法等而得者,以該公報所 記載之方法爲特佳。以該公報記載之關連方法所製造之聚 合物可較佳地使用市售之綜硏化學社製Act flow· Series。 作爲第2態樣之相位差膜之支撐體所用的醯化纖維素 薄膜亦可添加其他降低光學各向異性之化合物或波長分散 調整劑。其具體例、添加方法等係與上述第1態樣相同。 第2態樣中,作爲支撐體用之醯化纖維素薄膜係以其 厚度爲10〜60/zm爲較佳。 •[可塑劑] 關於本發明中可作爲支撐體使用之醯化纖維素薄膜, 特別是第2態樣中作爲支撐體使用之醯化纖維素薄膜,以 改良薄膜之脆性的點而言,較佳爲添加可塑劑。具體而言, 可防止薄膜裁斷時龜裂的發生等。有可塑效果之化合物, 以具有磷酸酯、羧酸酯、醯胺基、醚、胺基甲酸酯等官能 基之化合物爲較佳。此等較佳化合物的實例爲以下列舉之 物,惟不限定於此等。 ’
作爲磷酸酯,可列舉三苯基磷酸酯、聯苯二苯基磷酸 酯、三甲苯酚基磷酸酯、甲苯酚基二苯基磷酸酯、辛基二 苯基磷酸酯、三辛基磷酸酯、三丁基磷酸酯、間苯二酚雙 二苯基磷酸酯、1,3-伸苯基雙二苯二甲基磷酸酯、雙酚A 雙二苯基磷酸酯。 作爲羧酸酯,可列舉三羥甲基丙烷三苯甲酸酯、三經 甲基丙烷三環己基羧酸酯、季戊四醇四丁酯、甘油三丁酯、 三乙酸甘油酯、三三丁酸甘油酯(tributyirin)、三甘油一丙 酸酯等多元醇之羧酸酯;琥珀酸二丁酯、己二酸二苯酯、 -75- 200811548 苯 辛 酸 酸 酸 乙 之 甲 酯 或 甲 纖 25 加 粒 苯二甲酸二丁酯、苯二甲酸二芳酯、苯二甲酸二甲酯、 二甲酸二乙酯、苯二甲酸二-2-甲氧基乙酯、苯二甲酸二 酯、本一甲酸一 -2-乙基己基苯:::甲酯、偏苯三酸三甲酯 均本四酸四乙酯等飽和、不飽和多元羧酸酯;甲基丙烯 甲酯、丙烯酸乙酯之低聚合物等^ 又,作爲經基酸之酯,可列舉檸檬酸三乙酯、檸檬 乙醯基·二乙酯、酒石酸二丁酯、二乙醯基酒石酸二丁酯 丁基献醯基丁基經基乙酸酯、乙基酞醯基乙基羥基乙 φ 酯、甲基酞醯基乙基羥基乙酸酯、丁基酞醯基丁基羥基 酸酯等經基乙酸、水楊酸、棒様酸、蘋果酸、酒石酸等 羥基酸的酯。 作爲醯胺,可列舉N-苯基:苯竣酸醯胺、N-苯基- p-苯磺醯胺、N -乙基甲苯磺醯胺等羧酸醯胺、磺酸醯胺。 其他可列舉p -甲苯磺酸〇 -甲苯酚酯等之類的磺酸醋 甲苯二異氰酸酯與乙醇或己醇等醇類之反應的胺基甲酸 等。
亦可舉出雙酚A之縮水甘油醚等之類的醚低聚合物 甲苯二異氰酸酯與2價醇與1價醇混合物之反應的胺基 酸酯低聚合物等低分子量低聚合物作爲較佳例。 其他亦可列舉三苯甲基醇等作爲較佳例。 顯示此等可塑效果之化合物的添加量爲相對於醯化 維素100質量份而言,以5〜30質量份爲較佳,以10 -質量份爲更佳。 在第1及第2態樣所用之醯化纖維素薄膜,亦可添 其他向來可用於醯化纖維素薄膜之添加劑、消光劑微 -76- 200811548 子、劣化防止劑、剝離劑等。具體而言,採用特開 2 006-3 0937號公報中[02 12]〜[02 19]所記載之化合物及其 使用法。 在第1及第2態樣用來作爲支撐體之醯化纖維素薄膜 以藉由溶劑流延法製造者爲較佳,具體而言,以藉由特開 2 0 06-30937號公報中[0220]~ [022 5]記載之方法製造爲較 佳。 [光學各向異性層]
本發明之相位差膜(以下稱「本發明之相位差膜」時係 包括前述第1及第2相位差膜兩者之意)係在前述支撐體上 具有至少一層光學各向異性層。藉由與具有特定光學特性 之前述支撐體積層,只要是滿足上述光學特性之本發明之 相位差膜,基本上關於其材料及形態並無特別限制。例如, 聚合物薄膜(較佳爲雙折射聚合物薄膜構成之相位差膜)亦 可、在支撐體上含有高分子化合物之層形成後,加熱拉伸 而得之膜亦可、及將液晶性組成物成爲特定液晶相後,固 定其狀態所形成之層亦可。又,亦可將其各自積層。 [由聚合性液晶組成物所形成之光學各向異性層] 前述光學各向異性層較佳爲使聚合性液晶性組成物成 爲特定液晶相後,藉由聚合將其配向狀態固定所形成之層。 作爲其一個態樣,可列舉將含有至少一種圓盤狀液晶 性化合物之聚合性液晶組成物(使該圓盤狀液晶化合物之 分子向同配向)以向列液晶相之狀態藉由聚合固定所形成 之層。此外,作爲其他態樣,可列舉將含有至少一種棒狀 液晶性化合物之聚合性液晶組成物,以該棒狀液晶性化合 -77- 200811548 物之分子爲膽固醇液晶相的狀態固定所形成之層。 [圓盤狀液晶性化合物] 作爲可用於前述光學各向異性層之形成的圓盤狀液晶 性化合物,可採用各文獻(C.Destrade et al.,Mol· Crysr· Liq· Cryst., vol.71,第 111 頁(1981);日本化學會編、季 刊化學總説、No. 22、液晶化學、第5章、第一 0章第二 節(1994);B. Kohne et al·,Angew. Chem. Soc. Chem. Comm.,第 1 7 94 頁(1 9 8 5); J . Zh a n g et a I., J . Am. Chem φ Soc., vol.116,第 2655 頁(1 994))所記載之各者。 關於圓盤狀液晶性化合物之聚合,可採用例如特開平 8-2 7 2 84號公報所記載之方法。 圓盤狀液晶性化合物係藉由聚合而可以固定,以具有 聚合性基爲較佳。例如,在圓盤狀液晶性化合物的圓盤狀 核使作爲聚合性基之取代基結合之構造。又,以在圓盤狀 核與聚合性基之間具有連結基構造爲更佳。採用具有連結 基之構造時,在聚合反應中保持配向狀態變得更爲容易。 φ 具有聚合性基之圓盤狀液晶性化合物較佳爲以下述一般式 (VI)所表示之化合物。 一般式(VI) D(-L-P)n (一般式(VI)中,D爲圓盤狀核,L爲二價連結基,p 爲聚合性基,η爲4〜12之整數。) 前述式(VI)中之圓盤狀核(D)、二價連結基(L)及聚合性 基(Ρ)分別可使用例如特開 2001 -4837號公報所記載之 (D1)〜(D15)、 (L1)〜(L25)、 (Ρ1)〜(Ρ18)。具體地舉出以下 -78- 200811548 所示之TE-8。 -79- 200811548
R
(1) (ΓΠί=2—1 5.之整數 (3) π - (¾¾ ο -C-—〇 ⑷
o ⑻ ?l 0
,CH_C_〇_CmH2]r-D
(ΐη=4 —1 0之整數 -80- 200811548 藉由倂用至少一種後述之含氟化合物,可使圓盤狀液 晶性化合物相對於支撐體之醯化纖維素薄膜面實質上爲水 平配向。在此,實質上水平係指圓盤狀液晶性化合物之圓 盤面與光學各向異性層面之平均角度(平均傾斜角)爲〇 ° 〜10°之範圍内。又,在使用具有聚合性基之圓盤狀液晶性 化合物時,亦與上述相同地,使圓盤狀液晶性化合物之分 子實質上水平配向。作爲此時之圓盤狀液晶性化合物之具 φ 體例,可較佳地採用國際公開WOO 1/88 5 74A1號刊物中58 頁6行〜65頁8行所記載之物。 [含氟化合物] 當形成前述光學各向異性層之際,爲使液晶性化合物 (特別是圓盤狀液晶性化合物)配向、或使光學特性在面内 均勻,較佳爲使層形成用組成物中含有至少一種含氟化合 物。含氟化合物以含氟界面活性劑爲較佳。含氟化合物可 爲低分子化合物、亦可以是高分子化合物,例如低分子化 Φ 合物以特開2005-1 28050號公報中例示之化合物爲較佳。 作爲高分子含氟化合物,以含有包括下述一般式(1 )所表 示之重複單位之氟脂肪族的聚合物爲較佳。 一般式(1 ) R2 R1
一般式(1)中,R1、R2及R3係各自獨立地表示氫原子、 -81 - 200811548 烷基、鹵素原子(例如,氟原子、氯原子、溴原子、捵原子 等)、或後述- L- Q所表示之基,較佳爲氫原子、碳數1〜6 之院基、氯原子、-L-Q所表示之基,更佳爲氫原子、碳數 1〜4之烷基,特佳爲氫原子、碳數1〜2之烷基。作爲該烷 基之具體例,可列舉甲基、乙基、η-丙基、n_丁基、sec-丁基等。該院基亦可具有適當之取代基。作爲該取代基, 可列舉鹵素原子、芳基、雜環基、烷氧基、芳氧基、烷硫 基、芳基硫基、醯基、羥基、醯氧基、胺基、烷氧基羰基、 φ 醯胺基、氧基羰基、胺甲醯基、磺醯基、胺磺醯基、磺醯 胺基、硫醯基、羧基等。 此外’烷基之碳數不包括取代基之碳原子。以下,關 於其他基之碳數亦相同。 L 係表示單鍵、-〇-、-CO-、-NR4-、-S-、-SO2-、 -PO(OR5)-、伸烷基、伸芳基或組合此等所形成之2價連結 基。在此,R4表示氫原子、烷基、芳基、或芳烷基。R 5 表示烷基、芳基、或芳烷基。
作爲 L ’ 以包括單鍵、_〇·、-CO·、-NR4-、-S-、-S〇2-、 伸烷基、或伸芳基者爲較佳,以包括-CO-、-Ο-、-NR4-、 伸烷基、或伸芳基者爲特佳。 L爲包括伸烷基的情況下,伸烷基之碳數較佳爲 1〜10,更佳爲1〜8,特佳爲1~6。特佳之伸烷基之具體例, 可列舉亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四伸丁基、六亞甲基 等。 I»爲包括伸芳基的情況下,伸芳基之碳數較佳爲 6~24,更佳爲6〜18,特佳爲6〜12。特佳之伸芳基之具體 -82- 200811548 例可列舉伸苯基、萘基等。 L爲包括組合伸烷基與伸芳基所得之2價連結基(即伸 芳烷基)的情況下,伸芳烷基之碳數較佳爲7〜34,更佳爲 7〜26,特佳爲7〜16。特佳之伸芳烷基之具體例可列舉伸苯 基亞甲基、伸苯基伸乙基、亞甲基伸苯基等。 舉出之作爲L的基亦可具有適當之取代基。作爲此類 取代基,可列舉與先前R1〜R3中作爲取代基之取代基相同
以下例示L之具體構造,惟本發明不限定於此等具體
-COQ-fcHsrln _coo+ch2-)^chch2— -COHH^CHz^
L·! 一一(單鍵) m -C00-f-CH2^2 L3 -C00^CH2-^3 M -COO-fCH^ 1^5 - 七 Η 南 lr6
Lr7 L*
Wl -GONHfCH^! -83 - 200811548 ΙΛ9
一 CON
S02NHCH2CH2
Ia20
L-21
Lr22 UB
Lr24 —^ QCH2CH2NHCOCH2CH2 ^25
Lr26 —^CH2 )厂 127 —O十 Q只要爲具有氣結合性之極性基並無特別限制。較 羥基、羧基、羧基之鹽(例如鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨 如銨、四甲基銨、三甲基-2-羥基乙基銨、四丁基銨、 基苄基銨、二甲基苯基銨等)、吡啶鑰鹽等)、羧酸之 基(N無取代物、N -單低級院基取代物或n _二低級烷_ 物,例如-CONH2、_CONHCH3、-c〇n(〇h3)2 等)、% 磺基之鹽(形成鹽之陽離子的實例係與上述竣基所託 相同)、磺醯胺基(N無取代物、Μ _單低級烷基取代物 :佳爲 鹽(例 三甲 :醯胺 ^取代 ,基、 i載者 或N- -84 - 200811548 二低級烷基取代物,例如-so2nh2-、-so2nhch3、 -S02 N(C Η 3)2等)、磷醯基、磷醯基之鹽(形成鹽之陽離子的 實例係與上述羧基所記載者相同)、磷醯胺基(N無取代物或 N-單低級烷基取代物,例如-0Ρ( = 0)(ΝΗ2)2 、 -0P( = 0)(NHCH3)2 等)、脲基(-1^0 0,142)、1位爲無取代 或經單取代之胺基(-nh2、- NHCH3)等(在此低級烷基表示札 基或乙基)。更佳爲羥基、羧基、磺基、磷醯基,特佳爲經 基或羧基。
聚合物中所含之上述重複單位可單獨1種、亦可同時 存在2種以上之重複單位。具有羧酸之重複單位或具有丙 烯醯胺基之重複單位爲特佳。 又,前述含有氟脂肪族之聚合物係具有1種或2種以 上由含有氟脂肪族基之單體所衍生之重複單位。較佳爲包 括特開2006-1 26768號公報中以一般式(丨)或一般式(丨丨)所 記載之含有氟脂肪族基單體者爲較佳。具體而言,可含有 1種選自於特開2006-126768號公報中[0033卜【0044】所記 載之單體群之單體所衍生之重複單位,亦可含有2種以上。 再者,前述含有氟脂肪族之聚合物除了上述以外亦可 含有其他重複單位。關於前述其他重複單位並無特別限 制,可列舉由可進行一般自由基聚合反應之單體所衍生之 重複單位作爲較佳實例。前述含有氟脂肪族之聚合物可含 有1種選自於特開2004·46038號公報中[00 26]〜[003 3]所 記載之單體群之單體所衍生之重複單位,亦可含有2種以 上。 又,前述含有氟脂肪族之聚合物可包括自記載於特開 -85- 200811548 2004-3 3 38 52號公報所記載之一般式[2】所表示之單體所衍 生之重複單位。 此外’前述含有氟脂肪族之聚合物爲了將液晶性化合 物之配向狀態予以固定化,亦可具有聚合性基作爲取代基。
在本發明所用之前述含有氟脂肪族之聚合物中,具有 氟脂肪族基之單體的聚合單位,根據構成該氟聚合物之全 聚合單位’以25〜99質量%爲較佳。更佳之比例係視氟脂 肪族基之構造而異,特開2006-126768號公報之一般式⑴ 所表示之單體的聚合單位,根據構成該氟聚合物之全聚合 單位’以5 0〜99質量%爲較佳,60~97質量%爲更佳,70〜95 質量%爲尤佳。特開2006-1 26768號公報之一般式(||)所表 示之單體的聚合單位,根據構成該氟聚合物之全聚合單 位,以25〜80質量%爲較佳,30〜70質量%爲更佳,35〜65 質量%爲尤佳。又,在一個聚合物中亦可包括2種類以上 之含有氟脂肪族基單體,亦可同時包括各一種以上之一般 式⑴所表示之單體與一般式(II)所表示之單體。 在本發明所用之前述含有氟脂肪族之聚合物之較佳質 量平均分子量爲2000〜100, 〇〇〇,更佳爲3000〜80,000,尤 佳爲4,000〜6 0,000。在此,質量平均分子量及分子量係藉 由使用 TSKgel GMHxL、TSKgel G4000HxL、TSKgel G2 000HxL(均爲Tosol(股)製之商品名)之管柱的GPC分析 裝置,由溶媒T H F、示差折射計檢出之聚苯乙烯所換算表 示之分子量。 在本發明所用之前述含有氟脂肪族之聚合物可以習知 慣用之方法製造。例如,在包括氟系單體、氫結合性基之 -86- 200811548 單體等有機溶媒中添加泛用之自由基聚合引發劑,並藉由 使其聚合來製造。又,可視情況進一步添加真他加成聚合 性不飽和化合物,以與上述相同之方法來製造。因應各單 體之聚合性,在反應容器一邊滴下單體與引發劑一邊進行 聚合之滴下聚合法等,亦可有效得到均勻組成之聚合物。 更具體而言,以使用特開 2004-46038 號公報中 [0035】〜[0041]所記載之方法爲較佳。 【棒狀液晶性化合物]
又,如上述,前述光學各向異性層較佳爲將含有至少 1種棒狀液晶性化合物之聚合性液晶組成物以將該棒狀液 晶性化合物分子爲膽固醇液晶相之狀態固定所形成之層。 作爲前述棒狀液晶性化合物,可列舉在以可三次元交聯之 反射波長在紫外線領域之扭轉配向之聚合性的手性(chiral) 向列型(膽固醇型)液晶層所用之液晶單體分子(聚合性液晶 分子)。又,作爲前述聚合性液晶組成物,例如,特開平 7-2 5 86 38號公報、特表平1 0-508882號公報所揭示之液晶 φ 性單體與手性化合物之混合物。可利用於前述聚合性液晶 組成物之聚合性棒狀液晶化合物之具體例包括下述化合物 A~K。此等化合物亦可混合,例如,從下述化合物A〜化合 物J之化合物選出2種類以上、在下述化合物K之範圍所 包括之化合物混合2種類以上來使用。此外,下述化合物 K中,式中X表示整數,較佳爲X爲2〜5之整數。 又,前述手性劑之具體例包括下述化合物L〜化合物N 所示之手性劑。此外,在化合物L或化合物Μ,式中X表 示整數,惟期望X爲2〜12之整數·,又,化合物Ν中,式 -87- 200811548 中X亦表示整數,惟期望又爲2〜5之整數
-88- 200811548 化合物A Η^Ο=ΟΗΟ〇2{ΟΗ2)5〇"·~^ ^^coo
co〇i ^ 0{C^}^>2CHC^CH2 仆
化合物B
H2C«QHC02(OH2)4〇~h 一 coo >_0~( 化合物c
<y
H2〇~CHC02{CH2)4〇—\ 7-000--4 /—OCO —\ )—〇{CH^Qz〇m=CHz
化合物D
H2C=GHC02(CH2)3〇--f V-CO〇Hi )—0C0~^ 卜 0(CH2)s〇2CHC=CH2
化合物B
H2C*CHGO2{0H2)5〇H h-GDD: 5^_oco_q_ 〇{0H2)s02CHG=CH2
化合物F H2C=CHC02(CH2)sC>—^^—C〇〇-<^^—
化合物G
H2C-CHCO^CHi)5〇—f ^-coo
QH2OH(CHi)C2Hs -89- 200811548 化合物Η
H2C=CHC02(CH2}sO—( >-〇〇〇—( OCH 化合物ϊ Ι^Ο^ΟΗΟΟ^Η^
-fV 0H3
GOO -OGO
〇(CH2)2i〇2CHC^CH2
化合物J
Η2〇=€Η〇〇2(€Η^4〇—< >—000
COO--4 /—a(CH2)4〇2〇HC^DH2
化合物K
Η2€^ΟΗ€02(〇Η2)Χ0000—COO -〇"c〇〇O^〇c^〇- 0000{ΟΗ2}χ〇2〇ΗΟ=Η2ϋ 化合物L·
-90- 200811548 化合物Μ
化合物Ν
Ο000χ{Η2Ρ)Ο^Η0=0ΗΛ [液晶性化合物配向狀態之固定化]
使前述光學各向異性層(由含有液晶性化合物之液晶 組成物所形成時)配向之液晶性化合物的分子較佳爲維持 其配向狀態、予以固定化。固定化較佳係藉由在液晶性化 合物之分子中已導入之聚合性基的聚合反應予以實施。聚 合反應包括使用熱聚合引發劑之熱聚合反應與使用光聚合 引發劑之光聚合反應,惟以光聚合反應爲更佳。作爲光聚 合引發劑,可採用例如,α-羰基化合物(記載於美國專利第 2367661號、同2367670號之各說明書所記載者)、偶姻醚 (記載於美國專利第2448828號說明書者)、α-烴取代芳香 族偶姻化合物(記載於美國專利第272251 2號說明書者>、 多核醌化合物(記載於美國專利第30461 27號、同2951 758 號之各說明書者)、三芳基咪唑二聚物與Ρ-胺基苯基酮之組 合(記載於美國專利第3549367號說明書者)、吖啶化合 物及吩哄化合物(記載於特開昭60-1 05667號公報、美國專 利第4239850號說明書者)及噁二唑化合物(記載於美國專 -91 - 200811548 利第421 2970號說明書者)。 光聚合引發劑之使用量以光學各向異性層形成用組成 物(塗布液的情況爲其固體成分)的 0.01〜20質量。/。爲較 佳’ 0.5〜5質量%爲更佳。爲了液晶性化合物之聚合進行之 光照射以使用紫外線爲較佳。照射能量以 20mJ/cm2〜50J/cm2 爲較佳,以 1 00〜800 m J/cm2 爲更佳。 爲了促進光聚合反應,宜在加熱條件下實施光照射。 光學各向異性層之厚度以0 · 1 ~ 1 0 μ m爲較佳,0.5 ~5μηπ 爲更佳。 前述光學各向異性層係包括液晶性化合物及視期望之 上述聚合引發劑或其他添加劑;調製聚合性液晶組成物作 爲塗布液,並將該塗布液塗布於支撐體(視期望之配向膜) 的表面、進行乾燥及聚合來形成者爲較佳。作爲於光學各 向異性層塗布液之調製所使用的溶媒,可較佳地使用有機 溶媒。作爲有機溶媒,可採用例如,醯胺(例如,Ν,Ν-二甲 基甲醯胺基)、亞颯(例如,二甲基亞颯)、雜環化合物(例如, φ 吡啶)、烴(例如,苯、己烷)、烷基幽化物(例如,氯仿、二 氯甲烷)、酯(例如,酢酸甲基、酢酸丁基)、酮(例如,丙酮、 甲基乙基酮)、醚(例如,四氫呋喃、1 ,2-二甲氧基乙烷)。 其中以烷基鹵化物及酮爲較佳。再者,亦可並用二種類以 上之有機溶媒。塗布液之塗布係可廣泛地採用習知方法(例 如,擠出塗覆法、直接凹版塗覆法、逆凹版塗覆法、模口 塗覆法)。 [配向膜] 形成前述光學各向異性層之際,爲使液晶性化合物之 -92- 200811548 分子配向’以使用配向膜爲較佳。亦已知可進一步藉由賦 予電場、賦予磁場或光照射而產生配向機能之配向膜。在 配向膜所使用之聚合物種類可因應液晶性化合物之分子配 向樣式(例如、,平均傾斜角)來決定。例如,爲了使液晶性 化合物水平配向,使用不使配向膜之表面能量降低之聚合 物(一般之配向用聚合物)。關於具體的聚合物種類可採用 於關於液晶胞或光學補償片之習知文獻所記載之事項。尤 其是,在對摩擦處理之方向正交之方向,使液晶性化合物 φ 之分子配向時,可較佳地採用例如於特開2002-62427號 公報記載之改性聚乙烯醇、特開2002-98836號公報記載 之丙烯酸系共聚物、特開2002-268068號公報記載之聚醯 亞胺、聚醯胺酸。在各配向膜中,爲了提升光學各向異性 層與配向膜(結果地光學各向異性層與支撐體)之密接性, 以在配向膜中包括具有聚合性基之聚合物爲較佳。聚合性 基係在側鏈導入具有聚合性基之重複單位、或者導入作爲 環狀基之取代基。以使用在界面形成液晶性化合物與化學 φ 鍵之配向膜爲更佳,在此作爲配向膜,可採用例如特開平 9-1 525 09號公報所記載之物。 配向膜之厚度以〇·〇1~5μηη爲較佳,以0.05〜2/zm爲 更佳。此外,用配向膜使液晶性化合物的分子配向之後, 直接固定該配向狀態之液晶性化合物形成光學各向異性 層,且可僅將該光學各向異性層轉印於支撐體上。 [聚合物層所構成之光學各向異性層] 前述光學各向異性層可以是拉伸或未拉伸之聚合物薄 膜所構成之聚合物層、或將聚合物組成物在支撐體表面適 -93- 200811548 用形成之聚合物層。進一步在前述支撐體上形成聚合物層 後,作爲整體施行拉伸處理,發現滿足作爲支撐體及相位 差膜之必要條件的光學特性。在前述聚合物層之形成所用 之聚合物材料並無特別限制,惟以在成膜後對於薄膜面之 法線方向的面内方向折射率係變大的各種聚合物材料爲較 佳。又’在形成聚合物層之過程進行聚合,此種情況較佳 爲使用能給予該聚合物聚合可能之低分子化合物等。具體 地,可使用特開平 2000-190385 號公報、特開平 Φ 2 0 〇 4 - 2 2 6 9 4 5所揭示之材料。可列舉例如,具有至少1種 類以上之芳香族環的聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺酸、聚酯、 聚醚酮、聚芳基醚酮、聚醯胺醯亞胺,聚酯醯亞胺或聚酯醯 胺等各種聚合物、或賦予此等聚合物聚合可能之低分子化 合物。此等係可單獨使用,亦可混合使用。 又,亦可採用在上述聚合物薄膜等成膜後,加入進一 步拉伸薄膜,將面内光學各向異性變大之步驟的薄膜。拉 伸處理可適當地採用1種或2種以上之逐次方式或同時方 φ 式等之雙軸拉伸方式、自由端方式或固定端方式等一軸拉 伸方式等適宜之方式。從有效地發現Rth之觀點而言,以 雙軸拉伸方式爲較佳。 作爲前述聚醯胺,可列舉包括例如下式(1)所表示之聚 ‘合單位的聚合物。
Txr Yt- (1) 0 Ο Η Η -94- 200811548 式中X及R1爲任意殘基,至少一者爲包括芳香環之 基。 前述X較佳爲下述所表示之任一者。在此1\/18爲甲基。
-95- 200811548
•96- 200811548
-97 - 200811548
Ite
MeMew- Ο-1
<§h
_(9)^1¥γ(^γ,iT©~, 1〇1^#γ(〇Γ,
Me 2p ψ Me Me Me 又陳
但,上述式中r表示2~12之數,s表示1〜500之數,t 表示0〜500之數。 又,其他作爲前述聚醯胺醯亞胺,可列舉例如特開昭 6 1 -1 62 5 1 2號公報記載之聚醯胺醯亞胺。 作爲前述聚醯亞胺,例如下式(2)所示之聚合物: -98- 200811548 ⑵ /C\ /C\ 2
-¾ Y N/、〆 0 0 (式中m爲平均聚合度。又,Y表示
-99- 200811548
-1 ο ο - 200811548 作爲前述聚醯亞胺,較佳爲例如面内配向性高、可溶 於有機溶劑之聚醯亞胺。具體而言,例如,可使用包含特 表2000-51 1 296號公報所揭示之9,9_雙(胺基芳基)莽與芳 香族四羧酸二酐之縮合聚合生成物、含有1個以上之下式 (3)所示重複單位之聚合物。
前述式(3)中,R3〜R6爲各自獨立地選自於氫、鹵素、苯 基、1〜4個鹵素原子或C1-10烷基所取代之苯基、及C1-10 烷基構成之群組之至少一種類的取代基。較佳爲、R3〜R6
爲各自獨立地選自於幽素、苯基、1 ~4個鹵素原子或C 1 -1 0 烷基所取代之苯基、及C 1 ~ 1 0烷基所構成之群組之至少一 種類的取代基。 前述式(3)中,Z爲例如,C6〜20之4價芳香族基,較佳 爲苯均四酸基、多環式芳香族基、多環式芳香族基之衍生 物、或下式(4)所表示之基。
-1 0 1 - (4) 200811548 前述式(4)中,Z’爲例如共價鍵、C(R7 )2基、CO基、Ο 原子、S原子、S02基、Si (C2H5)2基、或NR8基,在複 數個時,分別相同或相異。又,w表示1~1〇之整數。R7 係各自獨立地爲氫或C(R9)3。R8爲氫、碳原子數1〜約20 之院基、或C6~2〇芳基,在複數個時分別相同或相莫。R9 係各自獨立爲氫、氟、或氯。 作爲前述多環式芳香族基,可列舉從例如萘、莽、苯 并莽或蒽所衍生之4價基。又,作爲前述多環式芳香族基 胃| 之取代衍生物,可列舉例如被選自於C 1〜1 0之烷基、其 氟化衍生物、及F或CI等鹵素所構成之群組的至少一個基 所取代的前述多環式芳香族基。 其他亦可列舉例如,特表平8 - 5 1 1 8 1 2號公報記載之重 複單位爲下述一般式(5)或(6)所示之同元聚合物、或重複單 位爲下述一般式(7)所示之聚醯亞胺等。此外,下式(7)之聚 醯亞胺爲下式(5)之同元聚合物的較佳形態。
-1 0 2 - 200811548
⑸
(6)
⑺ 前述一般式(5) ~(7)中,G及G,係各自獨立地表示選自
於’例如共價鍵、ch2 基、c(ch3)2 基、c(cf3)2 基、c(cx3)2 基(在此X爲鹵素)、CO基、〇原子,S原子、so2基、 SUdCH3)2基及N(CH3)基所構成之群組之基,可各自相 同或不同。 前述式(5)及式(7)中、L表示取代基,d及e表示其取代 數。L爲’例如鹵素、C1〜3烷基、C1〜3鹵化烷基、苯基、 或取代苯基’在複數個時’各自相同或不同。作爲前述取 代苯基,可列舉具有選自於例如鹵素、C1〜3院基及C1〜3 鹵化院基所構成之群組的至少一種類取代基之取代苯基。 又,作爲前述鹵素,可列舉例如氟、氯、溴或碘。d爲〇~2 -103- 200811548 之整數,e爲〇〜3之整數。 前述式(5>〜(7)中,Q表示取代基,f表示其取代數。 作爲Q,例如選自於氫、鹵素、烷基、取代烷基、硝基、 氰基、硫烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、烷基酯基、及 取代烷基酯基構成之群組的原子或基;Q爲複數個時,分 別相同或相異。作爲前述鹵素,可列舉例如氟、氯、溴及 碘。作爲前述取代烷基,可列舉例如鹵化烷基。又,作爲 前述取代芳基,可列舉例如鹵化芳基。f爲0〜4之整數,g φ 及h係各自爲〇〜3及1〜3之整數。又,9及"較佳爲比1 大。 前述式(6)中、|^1()及以1爲各自獨立地選自於氫、鹵 素 '苯基、取代苯基、烷基及取代烷基所構成之群組的基。 其中,R1G及R11較佳爲各自獨立地爲鹵化烷基。 前述式(7)中,M1及M2係爲相同或不同的例如鹵素、 C1〜3烷基、C1〜3鹵化烷基、苯基、或取代苯基。作爲前 述鹵素,可列舉例如氟、氯、溴及碘。又,作爲前述取代 φ 苯基,可列舉例如具有選自於鹵素、C卜3烷基、及C1~3 鹵化烷基所構成之群組的至少一種類取代基之取代苯基。 作爲在前述式(5)所示之聚醯亞胺之具體例,可列舉例 如下>式(8)所表示者等。 200811548
再者’作爲前述聚醯亞胺,可列舉例如使前述之骨架(重 複單位)以外之酸二酐或二胺予以適當地共聚合之共聚物。
作爲前述酸二酐,可列舉例如芳香族四羧酸二軒。作 爲前述芳香族四羧酸二酐,可列舉例如苯均四酸二軒、二 苯甲酮四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、雜環式芳香族四羧酸 二酐、2,2’-取代聯苯基四羧酸二酐等。 作爲前述苯均四酸二酐,可列舉例如苯均四酸二酐、 3,6-二苯基苯均四酸二酐、3,6-雙(三氟甲基)苯均四酸二 酐、3,6 -二溴苯均四酸二酐、3,6 -二氯苯均四酸二酐等。作 爲前述二苯甲酮四羧酸二酐,可列舉例如3,3’,4,4、二苯甲 酮四羧酸二酐、2,3,3,,4,-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3、 二苯甲酮四羧酸二酐等。作爲前述萘四羧酸二酐,可列舉 例如2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,6-二氯-萘-1,4,5,8-四羧酸二酐等。作爲前述雜環式芳香族 四羧酸二酐,可列舉例如噻吩- 2,3,4,5四羧酸一酐、吡哄 -2,3,5,6-四羧酸二酐、吡啶·2,3,5,6 -四羧酸二酐等。作爲 前述2,2,-取代聯苯基四羧酸二酐,可列舉例如2,2 β二溴 -4,4,,5,5,-聯苯基四羧酸二酐、2,2’-二氯-4,4’,5,5、聯苯基 四羧酸二酐、2,2,-雙(三氟甲基)-4,4’,5,5·-聯本基四殘酸二 酐等。 又,作爲前述芳香族四羧酸二酐之其他例’可列舉 -105- 200811548 3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二 酐、雙(2,5,6-三氟-3,4-二羧基苯基)甲烷二酐'2,2-雙(3,4- 二羧基苯基六氟丙烷二酐、4,4»_雙(3,4-二羧 基苯基)-2,2-二苯基丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二 酐、.4,4、氧基二對苯二甲酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)磺
酸二酐、3,3\4,4’-二苯基颯四羧酸二酐、4,4’-[4,4、異亞 丙基二(P-伸苯基氧基)】雙(對苯二甲酸酐)、N,N-(3,4-二羧 基苯基)-N-甲基胺基二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二乙基矽烷 二酐等。 此等之中,作爲前述芳香族四羧酸二酐,以2,2’-取代 聯苯基四羧酸二酐爲較佳,更佳爲 2,2’-雙(三鹵甲 基)-4,4’,5,5^聯苯基四羧酸二酐,尤佳爲、2,2-雙(三氟甲 基)-4,4’,5,5’-聯苯基四羧酸二酐。 作爲前述二胺,可列舉例如芳香族二胺;作爲具體例, 可舉出苯二胺、二胺基二苯甲酮、萘二胺、雜環式芳香族 二胺、及其他芳香族二胺。 作爲前述苯二胺,可列舉選自於例如〇-、m-及P-伸苯 基二胺、2,4-二胺基甲苯、1,4-二胺基-2-甲氧基苯、1,4-二胺基-2-苯基苯及1,3-二胺基-4-氯苯之類的苯二胺基所 構成之群組之二胺基等。作爲前述二胺基二苯甲酮之實 例,可列舉2,2-二胺基二苯甲酮、及3,3'-二胺基二苯甲酮 等。作爲前述萘二胺,可列舉例如1 ,8-二胺基萘及1 ,5-二 胺基萘等。作爲前述雜環式芳香族二胺之實例,可舉出2,6-二胺基吡啶、2,4-二胺基吡啶及2,4-二胺基-S-三畊等。 又,前述芳香族二胺,其他可列舉4,4’-二胺基聯苯、 -106- 200811548 4,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-(9-亞苐基)-二苯胺、2,2*-雙(三氟甲基)-4,4·•二胺基聯苯、3,3’-二氯-4,4’-二胺基二 苯基甲烷、2J1-二氯-4,4’-二胺基聯苯、2,2人5,5·-四氯聯 苯胺、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基) 丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4"-二胺基二苯基醚、1 ,3-雙(3-胺基苯 氧基)苯、1,3-雙(4_胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基) 苯、4,41-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4’-雙(3-胺基苯氧基) # 聯苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基】丙烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]-1 ,1 ,1 ,3,3,3-六氟丙烷、4,4‘-二胺基二苯 基硫釀、4,4’ - ^胺基—^苯基砸等。 作爲前述聚醯胺酸,可列舉例如下式(1 〇)〜(12)所示之 聚合物。
-107- (10) 200811548
(11)
(12) (式中η表示2〜400之數。) 此外,使用前述聚醯胺酸的情況下,較佳爲在溶液塗 布、乾燥後,藉由熱處理予以醯亞胺化。 作爲前述聚醚酮,可舉出例如特開2001 -491 1 0號公報 所記載之以下述一般式(13)所表示之聚芳基醚酮。
前述式(13)中,X表示取代基,q表示其取代數。X爲 例如鹵素原子、低級院基、鹵化院基、低級院氧基、或鹵 -108- 200811548 化烷氧基,X爲複數個時,分別相同或相異。 作爲前述鹵素原子,可列舉例如氟原子、溴原子、氯 原子及碘原子,此等之中以氟原子爲較佳。作爲前述低級 烷基,可列舉例如具有c 1〜6之直鏈或分枝鏈的低級烷基 爲較佳,更’佳爲C 1〜4之直鏈或分枝鏈之烷基。具體而言, 以甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、sec-丁基、 及tert-丁基爲較佳,特佳爲甲基及乙基。作爲前述鹵化烷 基,可舉出例如三氟甲基等前述低級院基之鹵化物。作爲 φ 前述低級烷氧基,以例如C1~6之直鏈或分枝鏈之烷氧基 爲較佳,更佳爲C1~4之直鏈或分枝鏈之烷氧基。具體而 言,尤佳爲甲氧基、乙氧基、丙氧基基、異丙氧基基、丁 氧基、異丁氧基、sec-丁氧基、及tert-丁氧基,特佳爲甲 氧基及乙氧基。作爲前述鹵化院氧基,可列舉例如三氟甲 氧基等前述低級院氧基之鹵化物。 前述式(13)中,q爲0〜4之整數。前述式(13〉中,較佳 爲q = 〇,且結合在苯環兩端之羰基與醚的氧原子係互相以 φ 對位存在。又,前述式(彳3)中,R1爲下式(14)所表示之基, m爲0或1之整數。 -109- 200811548
前述式(14)中、X ’表示取代基,例如,與前述式(1 3)中 之X相同。前述式(14)中’ X ’爲複數個時,分別相同或相 異。q·係表示前述X2取代數,爲〇〜4之整數,以q’ = 〇 爲較佳。又,P爲〇或1之整數。 · 前述式(14)中,R2表示2價芳香族基。作爲該2價芳 香族基,可列舉例如由〇 -、m或p -伸苯基、或萘、聯苯基、 蒽、〇-、m -或p -三聯苯、菲、二苯并呋喃、聯苯基醚、或、 聯苯基礪所衍生的2價基等。此等2價芳香族基中,直接 結合至芳香族的氫亦可爲鹵素原子、低級烷基或低級烷氧 基所取代。此等之中,作爲前述R2,以選自於下式(15)〜(21) φ 所構成之群組之芳香族基爲較佳。 -110· 200811548
郎述式(13)中,作爲前述R1以下式(22)所表示之基爲較 佳;下式(22)中,R2及ρ係與前述式(14)中同義。
再者,前述式(13)中,η係表示聚合度,例如,2〜5000 之範圍,較佳爲5~500之範圍。又,其聚合係可爲相同構 造之重複單位所構成者,亦可爲相異構造之重複單位所構 成者。在後者的情況下,重複單位之聚合形態可爲塊狀聚 合,亦可爲無規聚合。 -111- 200811548 再者,前述式(13)所示之聚芳基醚酮的末端係以p -四氟 伸苯甲醯基側爲氟,氧伸烷基側爲氫原子爲較佳’此種聚 芳基醚酮可以是例如以下述一般式(2 3)表示。此外,下式 中,η表示與前述式(13)同樣之聚合度。
作爲前述式(13)所示之聚芳基醚酮之具體例’可列舉 下式(24)~(2 7)所表示之物等,下述各式中,η表示與前述 式(13)问樣之聚合度。
-112- 200811548 又,其他作爲前述聚醯胺或聚酯,可舉出例如特表平 1 0-508048號公報所記載之聚醯胺、聚酯,此等之重複單 位可以例如下述一^般式(2 8)所表不。
A_
,丫一(28> aw 前述式(28)中、Y爲0或NH。又,E爲例如選自於共 價鍵、C2伸烷基、鹵化C2伸烷基、CH2基、C(CX 3)2基(在 此,X爲鹵素或氫。)、CO基、Ο原子、S原子、S02基、 Si(R)2基及N(R)基所構成之群組之至少一種類的基,其可 分別相同或相異。前述E中,R爲C1~3烷基及C1〜3鹵化 垸基之至少一種類,對於羰基官能基或Y基爲間位或對位。 又’前述(28)中,A及A’爲取代基,t及z爲各別之取 代數。又,p爲0〜3之整數,q爲1〜3之整數,r爲0〜3 之整數。 前述A爲選自於例如氫、鹵素、C1~3烷基、C1〜3鹵 化焼基' 0R(在此,R爲前述定義之物。)所表示之烷氧基、 芳基、鹵化等之取代芳基、C1〜9烷氧基羰基、C1〜9烷基 幾基氧基、C1~12芳氧基羰基、C1~12芳基羰基氧基及其 取代衍生物、C1〜12芳基胺甲醯基、與C1~12芳基羰基胺 S及其取代衍生物所構成之群組;在複數個時,分別相同 或相異。前述A,係選自於例如鹵素、C1~3烷基、C1 ~3鹵 化院基、苯基及取代苯基所構成之群組;在複數個時,分 -113- 200811548 別相同或相異。作爲在前述取代苯基之苯基環上的取代 基,可列舉例如鹵素、C 1〜3烷基、C 1 ~ 3鹵化烷基及此等 之組合。前述t爲0〜4之整數,前述z爲〇〜3之整數。 在前述式(2 8)所表示之聚醯胺或聚酯的重複單位之中, 以下述一般式(2 9)所表示之物爲較佳。
前述式(29)中、A、A'及丫係前述式(28)中所定義者, v爲0~3之整數,較佳爲〇〜2之整數。X及y分別爲〇或1, 惟不同時爲0。 [偏光板】 又,本發明係關於直線偏光膜(本說明書中單稱「偏光 膜」時係指「直線偏光膜」)、與具有作爲該偏光膜之保護膜 的本發明之相位差膜之偏光板。本發明之相位差膜具有特 定醯化纖維素薄膜作爲支撐體,因此該醯化纖維素薄膜的 裏面(未形成光學各向異性層側之表面)可直接與偏光膜表 面貼合。例如,連續地供給長條狀醯化纖維素薄膜,且在 該薄膜表面塗布聚合性液晶組成物或聚合物層形成用組成 物等,而形成光學各向異性層,來製作長條狀相位差膜, 更與長條狀偏光膜貼合,而可連續地安定製作偏光板。 [偏光膜】 本發明採用之偏光膜並無特別限制,可廣泛地採用習 •114- 200811548 知之物。可使用,例如在聚乙烯醇或部分縮甲醛化聚乙烯 醇、伸乙基·酢酸乙烯基共聚合體部分皂化物等親水性聚合 物所構成之薄膜上,使吸著碘及/或偶氮系、蒽醌系、四阱 系等二色性染料,進行拉伸配向處理者等。在本發明,以 使用特開2002-1 31 548號公報記載之拉伸方法者爲較佳, 特佳爲使用偏光膜之吸收軸係相對於長度方向實質上正 父、在寬度方向一軸拉伸型拉幅機拉伸機。 偏光膜係用來作爲其兩面係由保護膜所保護之偏光 Φ 板。本發明之相位差膜如後述,可較佳地用作偏光膜之保 護膜。 作爲保護膜,在使用本發明之相位差膜以外保護膜 時,該保護膜之種類無特別限定,可使用乙酸纖維素、乙 酸丁酸纖維素、丙酸纖維素等纖維素酯類、聚碳酸酯、聚 烯烴、聚苯乙烯、聚酯等。保護膜通常係以輥形態供給, 對於長條之偏光膜,以長度方向一致的方式連續地貼合爲 較佳。在此,保護膜之配向軸(遲相軸)可爲任一方向,惟 # 從操作上之簡便性而言,保護膜之配向軸較佳爲平行於長 度方向。又’保護膜之遲相軸(配向軸)與偏光膜之吸收軸(拉 伸軸)的角度亦無特別限定,可因應偏光板之目的適宜地設 定。 作爲保護膜,在使用本發明之相位差膜以外保護膜的 情況下,保護膜之Re値係以例如632.8nm中10nm以下 爲較佳’ 5nm以下爲更佳。從此種低遲滯値之觀點而言, 作爲保護膜使用之聚合物係以使用三乙酸纖維素、 Zeonex、Zeonoa(均爲曰本 zeon (股)製)、ARTON(JSR(股) -115- 200811548 製)之類的聚烯烴類爲較佳。其他,可舉出例如特開平 8-1 1 0402號公報或特開平1 1 -2931 16號公報記載之非雙折 射性光學樹脂材料。此外,將乙酸纖維素用於保護膜的情 況下’從減小因環境溫濕度導致遲滯値變化之目的而言, 以Re、Rth小於i 0nm爲較佳,2nm以下爲更佳。 在本發明,爲了薄型化等,偏光膜的保護膜中之一者 係可兼爲光學各向異性層之支撐體,又亦可爲光學各向異 性層。從防止光學軸的錯位(shear)或防止灰塵等異物入侵 ^ 之點而言’光學各向異性層與偏光膜較佳係以固定處理。 關於黏合積層,可適當地使用例如隔著透明接合層之接合 方式等適宜方式。關於接合劑等種類並無特別限定,從防 止構成構件之光學特性變化等點而言,以接合處理時之硬 化、乾燥之際不需要高溫程序者爲較佳,期望不需要長時 間之硬化處理、乾燥時間。從此種觀點而言,可較佳地使 用親水性聚合物系接合劑、黏著層。 關於前述黏著層之形成,可以使用例如採用丙烯酸系 Φ 聚合體或聚矽氧烷系聚合物、聚酯或聚胺基甲酸酯、聚醚 或合成橡膠等適宜聚合物之透明黏著劑。其中,從光學透 明性、黏著特性、耐候性等點而言,以丙烯酸系黏著劑爲 較佳。又,爲了向被著體接合液晶胞等,黏著層可因應需 要設置於偏光板之單面或兩面上。此時,黏著層係在表面 露出時,到將其供於實用之間,較佳爲將分離器等暫時接 著以防止黏著層表面之汚染等。 亦可使用在偏光膜之單面或兩面上形成依據上述保護 膜之耐水性等各種目的保護膜、爲了防止表面反射之反射 -116- 200811548 防止層或/及防眩處理層等適宜之機能層之偏光板。可 地形成例如氟系聚合物之塗布層或多層金屬蒸鍍膜等 渉性膜等作爲前述反射防止層。又,亦可以例如藉由 微粒子之樹脂塗布層、壓紋加工、噴砂加工或蝕刻加 適宜方式在表面賦予微細凹凸構造,使表面反射光擴 適宜方式來形成防眩處理層。 又,關於前述微粒子,可使用1種或2種以上之 平均粒子尺寸爲0.5〜20/zm之矽石、氧化鈣、氧化鋁 φ 化鈦、氧化錐、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等 導電性之無機系微粒子、或聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺 酸酯之適當聚合物構成的交聯或未交聯之有機系微粒 適宜之物。又,無上述接合層之黏著層亦可爲顯示含 微粒子之光擴散性者。 [偏光板之光學性能] 本發明之偏光板係包括偏光膜及保護膜(至少一 本發明之相位差膜)。本發明之偏光板的光學性質及耐 φ (短期、長期之保存性)係以具有市售超高對比品(例 Sanritz股份有限公司製之HLC2-5618等)同等以上之 者爲較佳。具體而言,可視光透過率爲42.5%以上、 度({(丁卩-丁〇)/(丁卩+ 丁〇)}1/2^ 0.99 95(惟,丁卩爲平行透過 Tc爲正交透過率),在溫度60°(:、濕度90%1^大氣下 5 0 0小時及在8 〇 °C、乾燥大氣下放置5 0 0小時時’其 之光透過率的變化率依據絶對値爲3 %以下’更佳爲 下;偏光度之變化率依據絶對値係1 %以下’更佳爲 以下。 適當 光干 含有 工等 散之 例如 、氧 亦有 基甲 子等 有該 者爲 久性 如, 性能 偏光 率, 放置 前後 1%以 0.1% -117- 200811548 本發明之偏光板係可具有本發明之相位差膜(第一相 位差膜),同時具有其他相位差膜(第二相位差膜)。第二相 位差膜之較佳光學特性係因應本發明之偏光板所用之液晶 顯示裝置模式來變動。例如,在用於VA模式等垂直配向型 之液晶顯示裝置時,第二相位差膜較佳爲A板(plate),更 具體而言,以滿足下式[7]之相位差膜爲較佳。更佳爲其波 長分散性滿足下式[8]。 [7] 70S Re(550)S 180 且 30 S Rth(550) S 1 40 • [8] 0.7^ Re(450) /Re(550)^ 1.0 此外,第二相位差膜係以其面内遲相軸爲與偏光膜之 吸收軸正交配置來積層爲較佳。 關於第二相位差膜之詳細說明於以下[液晶顯示裝置] 欄。 [液晶顯示裝置] 本發明亦關於具有本發明之相位差膜或偏光板之液晶 顯示裝置。本發明之液晶顯示裝置宜爲包括不施加驅動電 φ 壓或施加低於施加電壓之電壓的非驅動狀態下,液晶胞中 之液晶性分子係對於基板垂直配向之垂直配向型、例如, VA模式、MVA模式、PVA模式、0?八模式、511尺乂以八1»模 式等液晶胞。以下,用第1圖及第2圖說明本發明之液晶 顯示裝置的一態樣。第1圖爲本發明之液晶顯示裝置的模 式圖、第2圖爲在本發明可使用之偏光板構成之一例的模 式圖。第1圖係使用具有負介電各向異性之向列液晶作爲 電場效果型液晶元件進行活性驅動之實例。 在第1圖中,液晶顯示裝置係具有液晶胞及配置在液 -118- 200811548 晶胞兩側之一對偏光板(上側偏光板1及下側偏光板14)。 上側偏光板1與液晶胞之間係配置第二相位差膜3,下側 偏光板1 4與液晶胞之間係配置第一相位差膜1 0。又,液 晶胞係由上側電極基板5、下側電極基板8與挾持於其中 之液晶分子7所構成。液晶分子7係以藉由在電極基板之 對向面施以配向控制方向(上基板配向控制方向6及下基板 配向控制方向9),在未施加外部電場之非驅動狀態下,對 前述基板以略垂直之方向配向的形式來控制。又,上側偏 φ 光板1與下側偏光板1 4係以其吸收軸與吸收軸爲槪略正交 的方式來積層。在此,第1圖中,2係表示上側偏光板吸 收軸之方向,1 5係表示下側偏光板吸收軸之方向。再者, 第二相位差膜係將其遲相軸之方向4對於上側偏光板之吸 收軸的方向2爲正交來配置。 如第2圖所示,偏光板係由保護膜1 〇 1及1 〇 5、及其 所挾持之偏光膜1 03所構成。偏光板可藉由,例如將聚乙 烯醇薄膜構成之偏光膜以碘染色、進行拉伸,得到偏光膜, φ 且在其兩面積層保護膜101及106來製作。積層之際,將 一對保護膜與偏光膜共計3片之薄膜以輥對輥(roll to roll) 貼合時,從生產性之點而言爲較佳。又,輥對輥之積層係 如第2圖所示,保護膜之遲相軸方向1〇2及106、與偏光 膜之吸收軸方向104成爲平行的方式可容易地積層,不易 引起偏光板之尺寸變化或捲曲之發生,成爲機械安定性高 之偏光板因而較佳。又,3片薄膜構成之至少2個軸(例 如,一邊之保護膜之遲相軸與偏光膜吸收軸)、或2片保護 膜之遲相軸等係以實質地平行可得相同效果。 -119- 200811548 在第1圖中,第一相位差膜1 0係本發明之相位差膜(第 1或第2態樣之相位差膜),詳細如前所述。將本發明之相 位差膜作爲第一相位差膜來配置時,較佳爲以特定醯化纖 維素薄膜之支撐體爲偏光板側、光學各向異性層爲液晶胞 側的方式來配置。又,將本發明之偏光板作爲偏光板1來 配置,代替配置第一相位差膜,亦可得到同樣效果。此外, 本發明之偏光板係組入液晶顯示裝置時,在偏光板中組入 本發明之相位差膜作爲保護膜,係以成爲液晶胞側的方式 ^ 來配置。 在第1圖中,第二相位差膜3係藉由光學地一軸或二 軸之光學各向異性層所構成,並無特別限制,可舉出醯化 纖維素、降冰片烯系高分子、聚碳酸酯系高分子、聚烯丙 酯系高分子、聚酯系高分子或聚楓、或是此等聚合物之2 種或3種以上的混合聚合物等。其中,以雙折射特性之控 制性、透明性、耐熱性優良者爲較佳。又,第二相位差膜 3亦是藉由與第一相位差膜1 0之組合,從顯示特性之點而 φ 言,以Re之絶對値係隨波長變大,所謂逆波長分散性之一 軸性者爲更佳。另一方面,第一相位差膜10係具有光學 負折射率各向異性,Rth之絶對値係隨波長變小,所謂順 波長分散,以Re爲-10〜10nm爲較佳。此等第二相位差膜 3及第一相位差膜1 0係解消液晶胞之畫像著色且寄予視角 之擴大。 第1圖中,將上側當作觀察者側^時,第1圖係顯示第 二相位差膜3爲配置在觀察者側之上側偏光板1與爲觀察 .者側液晶胞用基板之液晶胞上電極基板5之間;第一相位 -120- 200811548 差膜1 〇爲配置在背面側之下側偏光'板1 4與爲背面側液晶 胞用基板之液晶胞下電極基板8之間的構成,惟第二相位 差膜3與第一相位差膜10亦可交換構成。又,第二相位差 膜3與第一相位差膜10兩者亦可配置在上側偏光板1與液 晶胞上電極、基板5之間,或配置在下側偏光板1 4與液晶胞 下電極基板8之間。此態樣,第一相位差膜1 0亦可係同時 爲第二相位差膜3之支撐體。 相位差膜亦可以是與偏光板一體型,例如第1圖中, Φ 第二相位差膜3亦可與上側偏光板1 一體化。此時,可以 與上側偏光板1 一體化之狀態組入液晶顯示裝置内。例 如,使第二相位差膜之支撐體作爲偏光膜一側之保護膜之 機能,以保護膜、偏光膜、第二相位差膜之順序來積層成’ 爲一體型偏光板爲較佳。將前述一體型偏光板組入液晶顯 示裝置内時,從裝置外側(從液晶胞遠側),以保護膜、偏 光膜、第二相位差膜3之順序的方式來組合者爲較佳。 又,作爲上側偏光板1,可使用本發明之偏光板,再 φ 者,如上述,第二相位差膜3亦可在本發明之偏光板一體 化組入液晶顯示裝置。此態樣係以保護膜、偏光膜、第一 相位差膜(支撐體及光學各向異性層之順)、及第二相位差 膜的順序來積層做成一體型偏光板,較佳爲將該一體型偏 光板從外側(從液晶胞遠側),以保護膜、偏光膜、第一相 位差膜及第二相位差膜之順序的形式組入液晶顯示裝置 内。 更詳細地說明第二相位差膜。 [第二相位差膜】 -121 - 200811548 本發明之液晶顯示裝置,尤其是垂直配向型之液晶顯 示裝置,較佳係使用本發明之相位差膜爲第一相位差膜, 同時爲第二相位差膜。在此,第二相位差膜之正面遲滯値 及厚度方向之遲滯値係滿足下式[6】,及/或第二相位差膜之 波長分散係滿足下式[7】爲較佳。 [7] 70$ Re(550)S 180 且 30 S Rth (550) S 1 40 [8] 0.7^ Re(450) /Re(550)^ 1.0
可用於本發明之第二相位差膜可爲光學一軸、亦可爲 二軸性。又,可用於本發明之第二相位差膜可爲高分子薄 膜、亦可爲聚合性液晶組成物所形成之層,只要具有期望 的各特性並無特別限制。作爲採用之高分子,只要可達成 均勻的二軸配向,並無特別限制,可列舉例如降冰片烯系 高分子、聚碳酸酯系高分子、聚烯丙酯系高分子、聚酯系 高分子、聚礪等芳香族系高分子、三乙醯基纖維素等;以 溶液流延法、擠出成形方式等來製膜。二軸性之光學各向 異性層係將以擠出成形方式或流延製膜方式等適宜方式所 製造之薄膜’藉由例如輥之縱拉伸方式、拉幅機之横拉伸 方式或雙軸拉伸方式等,由拉伸處理所形成。 可用於本發明之第二相位差膜的 Re値較佳爲 80〜170nm,更佳爲 90~160nm。又,Rth 値較佳爲 40〜120nm,更佳爲 50〜100nm。 又,Re(450)/Re(550)所表示之波長分散性較佳爲 0.73〜0.95,更佳爲 0.75〜0.90〇 前述輥之縱拉伸方式係使用加熱輥之方法或將大氣加 熱之方法,可採用並用此等方法等之加熱方法。又,拉幅 -122- 200811548 機之雙軸拉伸方式可採用全拉幅機方式之同時雙軸拉伸方 法、或輥·拉幅機法之逐次雙軸拉伸方法等方法。又,以配 向不均或相位差不均少者爲較佳。其厚度係由相位差等來 加以適當地決定,惟通常從薄型化之點而言,以1〜300 /Z m 爲較佳,1 0〜2 0 0 /z m爲更佳,20~150//1^爲更佳之。 作爲可使用於上述第二相位差膜之製作的降冰片烯系 高分子,可列舉降冰片烯及其衍生物、四環十二烯及其衍 生物、二環戊二烯及其衍生物、亞甲基四氫莽及其衍生物 # 等降冰片烯系單體之主成分所成之單體聚合體。可舉出例 如,降冰片烯系單體之開環聚合體、降冰片烯系單體、其 與可閉環共聚合之其他單體的閉環共聚合體、降冰片烯系 單體之加成聚合體、降冰片烯系單體、其與可共聚合之其 他單體的加成共聚合體,及此等之氫添加物等。此等之中, 由耐熱性、機械強度等觀點而言,最佳爲降冰片烯系單體 之開環聚合體氫化物。降冰片烯系聚合體、單環之環狀烯 烴的聚合體或環狀共軛二烯聚合體之分子量係可因應使用 φ 目的來適當地選擇。舉例來說,以環己烷溶液(聚合體樹脂 不溶解時爲甲苯溶液)之凝膠·滲透·層析法測定之聚異戊 二烯或聚苯乙烯換算的重量平均分子量,較佳爲 5,000〜500,000 ,更佳爲 8000〜200,000 ,尤佳爲 10,000〜100 ,〇〇〇之範圍。爲此種平均分子量時,所得光學 各向異性層的薄膜機械強度、成形加工性係爲高度平衡而 適合。 做爲在上述第二相位差膜之製作可使用之聚碳酸酯系 高分子,可舉出聚碳酸酯及與其他聚合物之混合物。 •12 3- 200811548 作爲在上述第二相位差膜之製作可使用之聚烯丙酯系 高分子,可舉出聚氧基苯甲酸酯等及與其他聚合物之混合 物0 作爲在上述第二相位差膜之製作可使用之聚酯系高分 子,可舉出聚伸乙基對苯二甲酸酯、聚伸乙基異苯二甲酸 酯、聚伸苯基異苯二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸酯、聚 伸乙基-2,6-萘酸酯等及與其他聚合物之混合物。
作爲在上述第二相位差膜之製作可使用之聚颯等芳香 族系高分子,可舉出聚楓、聚醚颯、聚烯丙基颯等及與其 他聚合物之混合物。 · 在上述第二相位差膜之製作可使用之高分子的玻璃轉 移溫度Tg係可因應使用目來適當地決定。該樹脂之玻璃轉 移溫度較佳爲70°C以上,更佳爲80°C〜250°C、尤佳爲90 °C ~2 0 0 °C之範圍。採用此範圍之樹脂時,耐熱性與成形加 工性係高度平衡而爲合適。 作爲上述第二相位差膜,最佳實例可使用特開 2000-1 371 1 6號公報、特開 2002-14234號公報、特開 2002-4891 9號公報、國際公開*000/26705號刊物、特開 平2-1208 04號公報等所揭示之具有遲滯値爲逆波長分散 特性的拉伸高分子薄膜或複合拉伸薄膜。代表地有,使之 含有液晶並薄膜化、拉伸製作之具有莽骨架的聚碳酸酯薄 膜;薄膜化、拉伸製作之乙酸纖維素薄膜;將正波長分散 特性之芳香族聚酯聚合物與逆波長分散特性之芳香族聚酯 聚合物的混合物進行薄膜化、拉伸製作之薄膜;將包括相 異之波長分散特性的高分子所形成之單體單位的共聚合體 -1 2 4 - 200811548 所構成之高分子予以薄膜化、拉伸製作之薄膜;將波長分 散特性相異之2片拉伸薄膜進行積層之複合薄膜等。 將樹脂成形爲片狀或薄膜狀之方法,可使用例如加熱 溶融成形法、溶液流延法之任一者。加熱溶融成形法可更 詳細地分類爲擠出成形法、加壓成形法、吹塑成形法、射 出成形法、吹成形法、拉伸成形法等,惟此等方法之中, 爲了得到機械強度、表面精度等優良之薄膜,以擠出成形 法、吹塑成形法及加壓成形法爲較佳,以擠出成形法爲最 Φ 佳。成形條件係由使用目的、成形方法來適宜地選擇;在 加熱溶融成形法的情況下,圓筒(cylinder)溫度係在,較佳 爲100〜400°C,更佳爲1 50~350°C之範圍內適宜地設定。 上述片或薄膜之厚度較佳爲10〜300 // m,更佳爲30~200 /z m 〇 上述片或薄膜之拉伸,在上述光學各向異性層所採用 之高分子的玻璃轉移溫度記爲Tg時,較佳爲(Tg-30)°C 〜(Tg + 60)°C之溫度範圍,更佳爲(Tg-10)°C〜(Tg + 50)°C之溫 φ 度,在至少一方向較佳爲進行1.01 ~2倍之拉伸倍率。在片 係以擠出成形而得的情況下,拉伸方向較佳爲樹脂之機械 流動方向(擠出方向)。又,拉伸方法以自由收縮一軸拉伸 法、寬度固定一軸拉伸法、雙軸拉伸法等爲較佳。 在此,舉出拉伸之具體方法的一例。 (1) 將片通過加熱爲一定溫度的輥(加熱輥)調整,以爲 期望的溫度。 (2) 接著,將已調整溫度之片從回轉速度比較慢的第一 輥依序通過回轉速度較快之第二輥,來進行拉伸。藉由控 -125- 200811548 制第一輥的回轉速度與第二輥的回轉速度之速度比,來將 拉伸倍率調整爲1~4倍之範圍。此外,較佳爲在加熱輥、 第一輥、及第二輥之間設置紅外線加熱器等,以將輥的溫 度保持一定。 (3) 將經拉伸之薄膜通過冷却輥進行冷却。 (4) 將經冷却之拉伸薄膜以卷取輥進行卷取回收。以防 止卷取導致薄膜彼此之沾黏(bio eking)爲目的,可以重疊與 拉伸薄膜同等寬度之遮罩(mas king)薄膜一起卷取,亦可一 # 邊在拉伸薄膜之至少一端、較佳爲兩端上貼附弱黏著力之 寬度細的膠帶等,一邊一起卷取。 在上述方法之步驟(1),亦可以是使加熱輥通過片係其 溫度比加熱輥更高之狀態,也就是說以擠出機等成形之後 的狀態。又,爲了可以進行高拉伸倍率,亦宜爲比加熱輥 更低溫度之物、室溫(例如,25~30°C )之物。較佳爲室溫之 物。此種低溫片係在成形爲片後,一旦冷却,藉由輥卷取 回收而得。又,拉伸速度較佳爲 5~1 000mm/秒,更佳爲 Φ 〜750mm/秒。拉伸速度在上述範圍時,拉伸控制變得容 易,更且表面精度、遲滯値之面内變化可變得更小。 本發明之液晶顯示裝置並不限於上述構成,亦可包括 其他構件。例如,可在液晶胞與偏光膜之間配置濾光片。 又’在穿透型液晶顯示裝置之態樣,可將作爲光源之冷或 熱陰極螢光管、發光二極體、電螢光元件之背燈配置於背 面。另一方面,在反射型液晶顯示裝置之態樣,偏光板可 僅在觀察側配置1片,在液晶胞之背面或液晶胞之下側基 板内面設置反射膜。亦可將使用前述光源之前燈(front -126- 200811548 丨ight)設於液晶胞觀察側。再者,亦可爲在顯示裝置的1畫 素内設置透過部與反射部之半穿透型。 本發明之液晶顯示裝置的種類並無特別限定,包括畫 像直視型、畫像投影型及光變調型任一種之液晶顯示裝 置。使用TFT或Ml Μ之類的3端子或2端子半導體元件之 活性矩陣液晶顯示裝置係以本發明特別有效。當然,以分 割驅動與稱爲Super-Twisted Nematic型(STN型)爲代表 之被動矩陣液晶顯示裝置亦有效。 φ [VA模式液晶胞]
在本發明中,以液晶胞爲Vertically Aligned模式(VA 模式)爲較佳。VA模式之液晶胞係在未施加外部電場之非 驅動狀態下,液晶分子係對於液晶胞之基板爲配向在略垂 直方向。此種液晶胞爲,例如在對向面係經摩擦處理之上 下電極基板之間封入介電各向異性爲負之液晶分子而成。 更具體而言,使用Δη = 0.0813及△ ε =-4.6左右之液 晶分子,可製作顯示液晶分子之配向方向之方向,亦即傾 φ 斜角爲約89°之液晶胞。此時,液晶層之厚度d可爲例如 3.5/zm。由於液晶層之厚度d(nm)與折射率各向異性An 之積△ η · d的大小,而使白顯示時之明度變化。爲了得到 最大明度,以液晶層之厚度d爲2〜5μηι(2000〜5000nm) ,之範圍爲較佳,△ η爲:0.060〜0.085之範圍爲較佳。在此, 折射率各向異性△ η係表示A n = Rth/膜厚(nm)。 第1圖所示之液晶顯示裝置爲具有VA模式液晶胞的 情況下,在液晶胞上電極基板5及液晶胞下電極基板8之 内側係形成透明電極(圖中未示),在電極未施加驅動電壓 -127- 200811548 之非驅動狀態下,液晶層中的液晶分子7係對於基板面配 向爲槪略垂直,其結果,通過液晶面板之光的偏光狀態沒 有任何變化。如上所述,由於液晶胞之上側偏光板吸收軸 的方向2與下側偏光板之吸收軸的方向15爲槪略正交,因 此光不通過偏光板。亦即,第1圖之液晶顯示裝置係實現 了在非驅動狀態下理想的黑顯示。相對於此,在驅動狀態, 液晶分子係在基板面之平行方向傾斜,通過液晶面板的光 係藉由該傾斜之液晶分子使偏光狀態變化,來通過偏光板。
在第1圖爲了於上下基板間施加電場,顯示在電場方 向垂直之液晶分子爲應答的方式,使用介電率各向異性爲 負的液晶材料之實例。另外,將電極配置在一邊的基板, 在電場係施加於在基板面平行之橫方向時,可使用液晶材 料爲具有正介電率各向異性之物。此外,VA模式之液晶顯 示裝置,在Twised Nematic模式(TN模式)之液晶顯示裝 置,——般所使用之手性劑之添加係:爲了使動態應答特性 之劣化而用者少,爲了降低配向不良亦有添加。 VA模式的特徴爲高速應答及對比高。但是,對比在正 面高而在歪斜方向低係爲課題。在黑顯示時,液晶分子係 在基板面垂直配向。從正面觀察時,液晶分子幾乎不因雙 折射而使透過率低,可得高對比。但是,從歪斜觀察時, 液晶分子發生雙折射。更且,上下偏光板吸收軸的交差角 在正面爲90°正交,但從歪斜看時,變得比90。大。由於此 2個要因,而使在歪斜方向容易發生漏光,而有對比降低 的傾向。本發明爲了解決此問題,配置至少一片本發明之 相位差膜。以配置至少一層本發明之相位差膜及第二相位 -128- 200811548 差膜爲較佳。 在VA模式,於白顯不時液晶分子傾斜,傾斜方向與其 反方向從歪斜觀察時液晶分子的雙折射之大小不同,而發 生亮度與色調差異。爲了解決此問題,較佳爲將液晶胞予 以多域(m u 11 i d 〇 m a i η)。所謂多域,係在一個畫素中形成配 向狀態不同之複數個領域之構造。例如,多域方式之VA 模式液晶胞,係在一個晝素中施加電場時,存在有液晶分 子的傾斜角互異的複數個領域。多域方式之VA模式液晶 φ 胞,可每畫素地平均化施加電場導致之液晶分子傾斜角, 藉此可平均化視角特性。在一畫素内分割配向,係在電極 設置隙縫、設置突起,變更電場方向使電場密度具有偏斜。 爲了在全方向得到均等之視角,只要增加其分割數即可。 又,配向分割之領域邊界中液晶分子難以應答。因此, 爲了使標準黑顯示維持黑顯示,亮度降低變成問題。在液 晶材料添加手性劑,可使邊界領域爲小。 【實施例】
以下舉出實施例更具體地說明本發明。以下,實施例 所示之材料、試藥、物質量及其比例、操作等只要不脫離 本發明之意旨,可做適當變更。因此,本發明之範圍不受 以下之具體例所限制。 [實施例1-1] <液晶胞之製作> (垂直配向液晶胞之製作) 在3重量%之聚乙烯醇水溶液添加1重量%之十八基 二甲基氯化銨(偶合劑)。將其在附有ΙΤΟ電極的玻璃基板 -129- 200811548 上旋轉塗布,以1 6 0 °c熱處理後,施行摩擦處理,形成垂 直配向膜。摩擦處理係以2片玻璃基板成爲反方向的方式 來實施。以胞間隙(cell gap) (d)成爲約5.0 /z m的方式使2 片玻璃基板相對。在胞間隙注入以酯系與乙烷系作爲主成 分之液晶性化合物(△ η : 0·06),製作垂直配向液晶胞。△ η與d的積爲300nm。 <支撐體1-1之製作> 將下述組成物投入混合槽、攪拌溶解各成分,來調製 # 乙酸纖維素溶液A。 乙酸纖維素溶液A之組成 乙醯基取代度2.94之乙酸纖維素 1〇〇·〇質量份 二氯甲烷(第一溶媒) 402.0質量份 甲醇(第二溶媒) 60.0質量份 (消光劑溶液之調製)
將 20質量份之平均粒子尺寸 16nm之矽石粒子 (八£只〇31匕尺972、曰本八6「〇311(股)製)、80質量份之甲醇 良好地混合攪拌30分鐘,做成矽石粒子分散液。將該分散 液與下述組成物同時投入分散機中,更攪拌30分鐘以上, 以溶解各成分,來調製消光劑溶液。 消光劑溶液組成 平均粒子尺寸16nm之矽石粒子分散液 1〇_〇質量份 二氯甲烷(第一溶媒) 76·3質量份 甲醇(第二溶媒) 3.4質量份 乙酸纖維素溶液A _1 〇 · 3質量份 -1 3 0 - 200811548 (添加劑溶液之調製) 將下述組成物投入混合槽,一邊加熱一邊攪拌,溶解
各成分,來調製添加劑溶液。 添加劑溶液組成 下述遲滯値減低劑 49.3質量份 下述波長分散調整劑 4.9質量份 二氯甲烷(第一溶媒) 58.4質量份 甲醇(第二溶媒) 8.7質量份 乙酸纖維素溶液A 1 2.8質量份 遲滯値減低劑 觀僉麵螯劑
(乙酸纖維素薄膜之製作) 將94.6質量份之上述乙酸纖維素溶液A、1 .3質量份 之消光劑溶液、4.1質量份之添加劑溶液分別過濾後混合, 使用帶狀流延機流延。上述組成相對於遲滯値減低劑及波 長分散調整劑之乙酸纖維素,質量比係各自爲12%、1.2%。 -13 1- 200811548 在殘留溶劑量30 %將薄膜從帶剝離,並以140 °C乾燥40分 鐘,製造厚度80 μ m的長條狀乙酸纖維素薄膜。所得薄膜 之面内遲滯値(Re)爲1nm、厚度方向之遲滯値(Rth)爲3nm。 又,| Re(400)_Re(700) | 爲 4nm,| Rth(400)-Rth(700) | 爲 1 2nm 〇 <支撐體1-2之製作> 與支撐體1-1同樣地做,調整流延膜厚,製造厚度35 // m之長條狀乙酸纖維素薄膜。所得薄膜之面内遲滯値(Re) φ 爲〇nm,厚度方向之遲滯値(Rth)爲Onm。 又,| Re(400)-Re(700) | 爲 2nm,| Rth(400)-Rth(700) | 爲 6nm 〇 <支撐體1-3之製作> 藉由下述方法製作支撐體1-3。 (聚合物1-1之製作) 將下述組成物投入四口燒瓶(裝備投入口、溫度計、迴 流冷卻管、氮導入口、攪拌機),緩慢升溫至80 °C,一邊 φ 攪拌一邊進行5小時聚合,聚合結束後將聚合物溶液投入 大量甲醇中使之沈澱,更以甲醇洗浄,精製乾燥而得到重 量平均分子量3,000(以GPC測定)之聚合物1-1。 丙烯酸甲酯 10質量份 丙烯酸2-羥基乙酯 1質量份 偶氮二異丁晴(A IBM) 1質量份 甲苯 30質量份 (支撐體1-3之製膜) 將下述塗布液組成物投入加壓密閉容器中,並加熱至 -1 3 2 - 200811548 7 0 °C爲止,使容器内壓力成爲1氣壓以上,——邊攪拌一邊 使纖維素酯完全溶解。將塗布液溫度降溫至35 °C静置一 晚,並使用安積濾紙(股)製之安積濾紙No. 244將該塗布液 過濾後,更靜置一晚進行脫泡。接著,使用日本精線(股) 製之 Finemett NM (絶對過濾精度 100μηη)、Finepore NF (以絶對過濾精度50μ»η、15μηι、5μηι的順序,提高依序過 濾精度來使用)、以過濾壓力1_〇x1〇SPa來過濾製膜。膜厚 爲 40μηι。
所得薄膜之面内遲滯値(Re)爲0.6nm、厚度方向之遲 滯値(Rth)爲-2.9nm。 又 , | Re(400)-Re(700) | 爲 3nm , |
Rth(400)-Rth(700) | 爲 15nm〇 (塗布液組成物) 1 00質量份 1 5質量份 〇 · 8質量份 〇. 2質量份 4 7 5質量份 5 〇質量份 三乙酸纖維素(取代度2.83) 上述合成之聚合物1-1 下述UV劑(1) 下述UV劑(2) 二氯甲烷 乙醇 U V 劑(1 )
Η2〇—CHjCO-O—οη?οη-ο4η9 -133 200811548 UV 劑(2)
<支撐體1-4之製作> 除了將支撐體1之遲滯値減低劑以前述化合物A-1取 代以外,與支撐體1-1同樣地製作支撐體1-4。
所得薄膜之面内遲滯値(Re)爲Onm,厚度方向之遲滯 値(R t h)爲 2 n m。 又 , I Re(400)-Re(700) | 爲 3nm , |
Rth(400)-Rth(700) | 爲 1〇nm 〇 <第一相位差膜1-1之製作> 將支撐體1 -1之表面皂化後,在該薄膜上用線棒塗布 .機以2 0m l/m2塗布下述組成之配向膜塗布液。以60°C的溫 風乾燥6 0秒,更以1 0 0 °C之溫風乾燥1 2 0秒,以形成膜。 接著,在所形成的膜上與遲相軸方向平行的方向施行摩擦 處理,形成配向膜。 配向膜塗布液之組成 下述改性聚乙烯醇 1〇質量份 水 371質量份 甲醇 1 1 9質量份 戊二醛 〇 _ 5質量份 化合物Β 〇·2質量份 -134- 200811548
化合物B
改性聚乙烯醇 -ch2-gh- 随3 ,ch2_ch
OH ! 12 OCOCH3 -ch2-gh ( 1·7 CH3 0cgNHCH2CH2〇COC=CH2 接著,將下述組成之光學各向異性層塗布液用線棒 以硬化後之厚度方向的Rth成爲200rim的方式來塗布。 下述圓盤狀液晶性化合物 1 .8g 環氧乙烷改性三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (V#360、大阪有機化學(股)製) 0.2g 光聚合引發劑 (Irgacure 90 7、Ciba-geigy 公司製) 〇 . 〇6g # 增感劑 (KayacureDETX、曰本化藥(股)製) 〇.〇2g 含氟聚合物(下述化合物A) 〇.〇1g 甲乙酮 _ _3.9g 將其貼附於金屬框架,在1 2 5 °C之恆溫槽中加熱3分 鐘,使圓盤狀液晶性化合物配向。接著,用120之高 壓水銀灯,照射UV30秒以交聯圓盤狀液馮性化合物。將 UV硬化時之溫度當作8〇°C,得到相位差膜。光學各向異 性層之厚度爲2.8 /z m。其後,放置冷卻到室溫。如此來製 -135- 200811548 作相位差膜1 -1。相位差膜1 -1的光學特性示於表1 -1。 圓盤狀液晶性化合物
化合物A
GOO{CH2)2CeFi3 GON(eH3)2 <第一相位差膜1-2〜1-5之製作> 接著,除了變更光學各向異性層塗布液的塗布量以 外,與第一相位差膜彳-彳同樣地做,來製作第一相位差膜 1-2 ~ 1-5。所得之第一相位差膜之光學各向異性層之厚度依 序爲 3.5/zm、2.1/zm、0.7//m、4.9//m。製作之相位差 膜的光學特性係示於表1 -1。 <第一相位差膜1-6之製作> 接著,除了使用支撐體1-2以外,與第一相位差膜1-1 同樣地做,來製作第一相位差膜1 -6。製作之相位差膜的 光學特性係示於表1 - 1。 <第一相位差膜1-7之製作> 接著,除了使用支撐體1 -3以外,與第一相位差膜1 -1 同樣地做,來製作第一相位差膜1 -7。製作之相位差膜的 光學特性係示於表1 - 1。 -1 3 6 - 200811548 <第一相位差膜1-8之製作> 接著,除了使用市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照相軟片(股)製)作爲支撐體以外,與第一相 位差膜1-3同樣地做,來製作第一相位差膜1-7。 在此所用的支撐體之光學特性爲:面内遲滯値(Re)爲 3nm、厚度方向之遲滯値R(th)爲45nm。 又 , 丨 Re(400)-Re(700) | 爲 5nm , |
Rth(4 00)-Rth(700)丨爲13nm。所製作之相位差膜的光學 φ 特性係示於表1 -1。 <第一相位差膜1-9之製作> 接著,除了使用下述組成之光學各向異性層塗布液以 外,與第一相位差膜1 -1同樣地做,來製作第一相位差膜 1 -9。所製作之相位差膜的光學特性係示於表1 -1。 下述圓盤狀液晶性化合物 1 . 8g 環氧乙烷改性三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (v#360、大阪有機化學(股)製) 0.2g φ 光聚合引發劑(下述化合物B) 0.04g 含氟聚合物(化合物A) 0 01 9 甲乙酮 3.9g -137- 200811548 圓盤狀液晶性化合物
<>{m^rO-GO^BrCU2
化合物B
接著,除了變更塗布液的塗布量以外,與第一相位差 膜1 -9同樣地做,來製作第一相位差膜1 - i 0。所製作之相 位差膜的光學特性係示於表1 -1。 <第一相位差膜1-11之製作>
將75重量份之在兩端具有可聚合之丙烯酸酯基、同時 在中央部之液晶原(mesogen )與上述丙烯酸酯之間具有 間隔材的棒狀液晶性化合物、1重量份之光聚合引發劑 (Chiba Speciality c h e nn i c a I s 製,I r g a c u r e I rg 184)、25 重量份之作爲溶劑的甲乙酮予以混合,且更加入1 〇重量份 之在兩末端具有可聚合丙烯酸酯基之手性劑作爲手性劑, 來調製光學各向異性層塗布液。 -138- 200811548 棒狀液晶性化合物
手性劑
HzC^CHCOiiCHs^OQO
OOC OOOOx(HzC)02CHC=CH1 在此,X爲4。
將所調製之上述光學各向異性層塗布液與第一相位差 膜同樣地,在支撐體1 -1之經皂化處理、配向膜塗設、更 經摩擦處理的配向膜面上塗布、乾燥、UV硬化,得到手性 配向(膽固醇型)液晶層(光學各向異性層)。所得之光學各向 異性層之厚度爲(4.2 μ m)。液晶層之螺距爲1 8 0 n m,反射波 長爲280 nm。所製作之相位差膜的光學特性係示於表1-1。 <第一相位差膜1-12之製作> 接著,除了使用支撐體1-3以外,與第一相位差膜1-11 同樣地做,來製作第一相位差膜1 -1 2。所製作之相位差膜 的光學特性係示於表1 -1。 <第一相位差膜1-13之製作> 接著,除了使用市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照相軟片(股)製)作爲支撐體以外,與第一相 位差膜1 -1 1同樣地做,來製作第一相位差膜1 - 1 3。所製 作之相位差膜的光學特性係示於表1 -1。 -139- 200811548 <第一相位差膜1-14之製作> 接著,使用支撐體1-1,製作將作爲光學各向異性層 之市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照相軟片 (股)製)以3片黏著劑的積層薄膜,以黏著劑貼合支撐體與 積層薄膜,來製作第一相位差膜1 -1 4。所製作之相位差膜 的光學特性係示於表1-1. <第一相位差膜1-15之製作> 接著,除了使用支撐體4以外,與第一相位差膜1 - i φ 同樣地做,來製作第一相位差膜1 -1 5。所製作之相位差膜 的光學特性係示於表1 -1。 <下側偏光板之製作> 將上述第一相位差膜1-1〜1-15與「内40(^丁〇8〇1^用 聚乙烯醇系黏著劑、以輥對輥貼付在偏光膜的兩面,來製 作一體型偏光板。各薄膜之積層角度係以從顯示裝置上側 觀看見時的左右方向爲基準(0°),如第2圖所示,偏光膜吸 收軸1 〇4(在第1圖爲15)的軸角度設定爲90°,保護薄膜遲 φ 相軸102及106的角度設定爲90°。將所製作之下側偏光 板以光學各向異性層(在第1圖爲10)係與上側液晶胞基板 (在第1圖爲8)相接的方式,來組入液晶顯示裝置。 <上側偏光板之製作> 使用市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照 相軟片(股)製、Re値爲3nm、Rth値爲50nm)作爲保護薄 膜(在第2圖爲105)。又,在上側偏光板(在第1圖爲1)與 上側液晶胞基板(在第1圖爲5)之間,配置1片聚碳酸酯薄 膜(商品名:Pure S WR (帝人(股))當作拉伸薄膜構成之一 -14 0- 200811548 軸相位差膜。此時,相位差膜之面内遲相軸係以與上側偏 光板之透過軸一致的方式來構成。 聚碳酸酯薄膜的光學特性係Re爲155nm、Rth爲 78nm、Re(450)/Re(550) = 0.8 〇 <液晶顯示裝置之顯示特性的評價> 如以上所製作之液晶顯示裝置,以以下基準評價從裝 置正面的方位角方向45度、在極角方向60度之黑顯示時 的光漏、及從正面目視之色調變化。 φ (光漏之判定基準) A :未感到光漏 B :輕微光漏 C :微弱光漏 D :強烈光漏 (色調變化之判定基準) / A :未感到著色 B :輕微著色 φ C :微弱著色 D :強烈著色 在表1 -1中,顯示各相位差膜的光學特性及顯示特性 評價結果。 -141- 200811548 【表1】表1 -1 第一相位 差膜 Re Rth 波長分散 黑顯示之 光漏 黑顯示之色調 變化 1-1 1.0 200 1.09 A A 本發明 1-2 0.8 250 1.10 B A 本發明 1-3 1.1 150 1.08 B B 本發明 1-4 1.2 50 1.12 D C 比較例 1-5 0.9 350 1.05 D D 比較例 1-6 0.6 200 1.09 A A 本發明 1-7 0.8 200 1.08 A A 本發明 1-8 2.1 150 1.03 C D 比較例 1-9 0.5 200 1.16 A A 本發明 1-10 1.5 250 1.18 B A 本發明 1-11 1.1 200 1.04 B B 本發明 1-12 1.2 200 1.04 B B 本發明 1-13 1.4 200 1.02 C D 比較例 1-14 6 135 0.89 B D 比較例 1-15 0.9 200 1.08 A A 本發明
由表1-1之評價結果,將支撐體之遲滯値變小,藉由 與光學各向異性層之組合、藉由將相位差膜的光學特性做 成期望値,可形成VA液晶顯示裝置之黑顯示時,兼備歪斜 之漏光與色調變化高水準者。再者,本發明之液晶顯示裝 % 置不僅是顯示品質、亦顯著改善了視角。 [實施例2-1] <液晶胞之製作> (垂直配向液晶胞之製作) 在3質量。/。之聚乙烯醇水溶液中添加1質量%之十八 基二甲基氯化銨(偶合劑)。將其在附有丨TO電極的玻璃基 板上旋轉塗布,以160 °C熱處理後、施行摩擦處理,來形 成垂直配向膜。摩擦處理係以2片玻璃基板之反對方向的 方式來實施。使胞間隙(d)成爲約5.〇Mm的方式使2片玻璃 -142- 200811548 基板相對。在胞間隙注入以酯系與乙烷系作爲主成分之液 晶性化合物(△ η : 0.06 ),而製作垂直配向液晶胞。△ η與 d的積爲300nm。 <支撐體2-1之製作> 藉由下述記載之方法製作支撐體2-1。 (聚合物2-1之製作)
將下述組成物投入四口燒瓶(裝備投入口、溫度計、迴 流冷卻管、氮導入口、攪拌機 >,緩慢升溫至80 °C,一邊 攪拌一邊進行5小時聚合,聚合結束後將聚合物溶液投入 大量甲醇中使之沈澱,更以甲醇洗浄,精製乾燥而得到重 量平均分子量3,000(以GPC測定)之聚合物2-1。 丙烯酸甲酯 1 〇質量份 丙烯酸2-羥基乙酯 1質量份 偶氮二異丁晴(AIBN) 1 ·5質量份 甲苯 3 0質量份 (支撐體2-1之製膜) 將下述塗布液組成物投入加壓密閉容器中,並加入至 70 °C爲止,使容器内壓力成爲1氣壓以上,一邊攪拌一邊 使纖維素酯完全溶解。將塗布液溫度降溫至35 °C静置一 晚,並使用安積濾紙(股)製之安積濾紙No.244將該塗布液 過濾後,更靜置一晚進行脫泡。接著,使用日本精線(股) 製之 Finemett NM (絶對過濾精度 100μηη)、Finepore NF (以絶對過濾精度50μίη、15μηι、5μπι的順序,提高依序過 濾精度來使用)、以過濾壓力1.0x1 〇6 Pa來過濾製膜。 (塗布液組成物) -143- 200811548 1 0 0質量份 1 5質量份 〇. 8質量份 〇. 2質量份 475質量份 5 0質量份 三乙酸纖維素(取代度2.83) 上述.合成之聚合物1 _ 1 下述UV劑(1) 下述UV劑(2) 二氯甲烷 乙醇 uv劑⑴
OH
UV劑⑵
c10h21 所製作之支撐體2-1的膜厚爲80 μ m。 又,所得薄膜之面内遲滯値Re(630)爲2nm、厚度方 向之遲滯値 Rth(630)爲-7nm, | Re(400)-Re(700) | 爲 3 n m,且 R t h (4 0 0) - R t h (7 0 0)爲-2 5 n m。 <支撐體2-2之製作> 藉由下述記載之方法製作支撐體2-2。 (聚合物2-2之製作) -144- 200811548 使用下述組成物,與聚合物2-1同樣地合成聚合物 2-2 (丙烯酸酯系聚合物)。聚合物2-2之重量平均分子量爲 2,000 。 甲基丙烯酸甲酯 6質量份 甲基丙烯酸乙酯 5質量份 丙烯酸2-羥基乙酯 1質量份 偶氮二異丁晴(AIBN) 2質量份 甲苯 30質量份 φ (支撐體2-2之製膜) 除了將塗布液組成物的聚合物2-1更換爲聚合物2-2 以外,與支撐體2-1同樣地做,來製作支撐體2-2。 製作之支撐體2-2的膜厚爲80/zm。 又,所得薄膜之面内遲滞値Re(630)爲2nm、厚度方 向之遲滯値 Rth(630)爲 _5nm, | Re(400)-Re(700)丨爲 2nm,且 Rth(400)-Rth(700)爲-20nm。 <支撐體2-3之製作>
除了將支撐體膜厚變更爲40/zm以外,與支撐體2-2 同樣地做,來製作支撐體2-3。 所得薄膜之面内遲滯値Re(630)爲2nm、厚度方向之 遲滯値 Rth(630)爲-5nm,| Re(400)-Re(700) | 爲 2nm, 且 Rth(400)-Rth(7 00)爲- 20nm。 <支撐體2-4之製作> 藉由下述記載之方法製作支撐體2-4。 (支撐體2-4之製膜) 除了將下述塗布液組成物變更爲下述組成物以外,與 -145- 200811548 支撐體2 -1同樣地做,來製作支撐體2-4。 (塗布液組成物) 三乙酸纖維素(取代度2.90) 1〇〇質量份 上述合成之聚合物2-1 1 〇質量份 三苯基磷酸酯 4質量份 聯苯二苯基磷酸酯 2質量份 下述UV劑(1) 〇 . 8質量份 下述UV劑(2) 〇 . 2質量份 二氯甲烷 475質量份 乙醇 5 〇質量份
製作之支撐體2-4的膜厚爲80/zm。 所得薄膜之面内遲滯.値Re(630)爲3nm、厚度方向之 遲滯値 Rth(630)爲-5nm,| Re(400)-Re(700)| 爲 2nm, 且 Rth(400)-Rth(700)爲-13nm。 <支撐體2-5之製作> 藉由下述記載之方法製作支撐體2-5。 (支撐體2_5之製膜) 除了將下述塗布液組成物變更爲下述組成物以外,與 支撐體2-1同樣地做,來製作支撐體2-5。 (塗布液組成物) 1〇〇質量份 20質量份 1.4質量份 475質量份 三乙酸纖維素(取代度2.92) UMM-1001(丙烯酸系聚合物) 下述UV劑(3) 二氯甲烷 -146 200811548 乙醇 5 0質量份 UMM-1001 :東亞合成(股)製、Act Flow UV劑⑶
製作之支撐體2-5的膜厚爲80 g m。 所得薄膜之面内遲滯値Re(630)爲2nm、厚度方向之 遲滯値 Rth(630)爲 5nm,| Re(400)-Re(700)| 爲 1nm, 且 Rth(40 0) -Rth(700)爲 20nm。 <第一相位差膜2-1之製作> 將支撐體2_ 1之表面皂化後,在該薄膜上用線棒塗布 機以20ml/m2塗布下述組成之配向膜塗布液。以60°C的溫 風乾燥6 0秒,更以1 0 0 °c之溫風乾燥1 2 0秒,以形成膜。 接著,在所形成的膜上,與遲相軸方向平行的方向施行摩 擦處理,形成配向膜。 -147- 200811548
配向膜塗布液之組成 下述改性聚乙烯醇 1 〇質量份 水 371質量份 甲醇 1 1 9質量份 戊二醛 〇 . 5質量份 '化合物B 〇·2質量份
化合物B 改性聚乙烯醇
OH OCDCH3 1 lJ 严 OCGNHGH2GH2〇COG=CH2
接著,將下述組成之光學各向異性層塗布液用線棒, 以硬化後之厚度方向的Rth成爲200nm的方式來塗布。 光學各向異性層塗布液_ 下述圓盤狀液晶性化合物 1 . 89 環氧乙烷改性三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 (V#360、大阪有機化學(股)製) 〇-29 光聚合引發劑 (Irgacure 907、Ciba-geigy 公司製) 0.06g 增感劑 (KayacureDETX、日本化藥(股)製) 0.02g -148- 200811548 含氟聚合物(下述化合物A) * 〇_〇1g 甲乙酮 _399 圓盤狀液晶性化合物
十 H21h^~~^ch2T 垃 COO(GH2)2C6F13 C〇N(GH3)2 將其貼附於金屬框架,在1 25°C之恆溫槽中加熱3分 鐘,使圓盤狀液晶性化合物配向。接著,用120W/cm之高 壓水銀灯,照射UV30秒以交聯圓盤狀液晶性化合物。將 UV硬化時之溫度當作80°C,得到相位差膜。光學各向異 ^ 性層之厚度爲2.9 /z m。其後,放置冷卻到室溫。如此來製 作相位差膜2-1。相位差膜2-1的光學特性示於表2-1。 <第一相位差膜2-2〜2-5之製作> 接著,除了變更光學各向異性層塗布液的塗布量以 外,與第一相位差膜2-1同樣地做,來製作第一相位差膜 2-2〜2-5。所得之第一相位差膜之光學各向異性層之厚度依 序爲 3·6μΓη、2.2/χΓη、0·8/χηΊ、5.0/ζπι。製作之相位差 膜的光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-6之製作> -149- 200811548 接著,除了使用市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、 富士照相軟片(股)製、Re(630) = 3nm、Rth(630) = 45nm, Re(400)-Re(700) = -5nm、Rth(400)-Rth(700) = -13nm)作爲支撐體、 調整塗布膜厚以外,與第一相位差膜2-1同樣地做,來製 作第一相位差膜2-6。 製作之相位差膜的光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-7之製作> 將7 5重量份之在兩端具有可聚合之丙烯酸酯基、同時 ^ 在中央部之液晶原與上述丙烯酸酯之間具有間隔材的棒狀 液晶性化合物、1重量份之光聚合引發劑(C h i b a S p e c i a丨i t y chemicals製,丨rgacure Irg 184)、25重量份之作爲溶劑 的甲乙酮予以混合,且更加入10重量份之在兩末端具有可 聚合丙烯酸酯基之手性劑作爲手性劑,來調製光學各向異 性層塗布液。 -150- 200811548 棒狀液晶性化合物
手性劑 ^CHOD^OCOO^ 在此,X爲4。 ^ 將所調製之上述光學各向異性層塗布液與第一相位差 膜同樣地,在支撐體2 -1之經皂化處理、配向膜塗設、更 經摩擦處理的配向膜面上塗布、乾燥、UV硬化,得到手性 配向(膽固醇型)液晶層(光學各向異性層)。所得之光學各向 異性層之厚度爲4·2μηι。液晶層之螺距爲180nm,反射波 長爲280nm。所製作之相位差膜的光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-8之製作> 接著,除了使用支撐體2-2以外,與第一相位差膜2-7 φ 同樣地做,來製作第一相位差膜2-8。製作之相位差膜的 光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-9之製作> 接著,除了使用支撐體2-3以外,與第一相位差膜2-7 同樣地做,來製作第一相位差膜2-9。製作之相位差膜的 光學特性係示於表2_1。 <第一相位差膜2-10之製作> 接著,除了使用支撐體2-4以外,與第一相位差膜2-7 同樣地做,來製作第一相位差膜2-1 0。製作之相位差膜的 -1 5 1 - 200811548 光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-11之製作> 接著,除了使用支撐體2-5以外,與第一相位差膜2-7 同樣地做,來製作第一相位差膜2-1 1。製作之相位差膜的 光學特性係示於表2-1。 <第一相位差膜2-12之製作> 接著,除了使用市售三乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照相軟片(股)製)作爲支撐體,調整塗布膜厚 # 以外,與第一相位差膜2-7同樣地做,來製作第一相位差 膜 2-12 〇 <第一相位差膜2-13之製作> 將以2,2·-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷與2,2'-雙(三 氟甲基)-4,4^二胺基聯苯所合成之重量平均分子量 (M w) 1 20,000的聚醯亞胺以環己酮溶解,調製爲之15重量 %之聚醯亞胺溶液。然後,在支撐體2-4之上塗布前述聚 醯亞胺溶液。然後,將該塗布膜以100 °C乾燥處理1〇分鐘, Φ 結果形成厚度5/zm之聚醯亞胺薄膜。如此製作相位差膜 2 -1 3。相位差膜的光學特性示於表2 -1。 <第一相位差膜2-1 4之製作> 將由4,4*-雙(3,4-二羧基苯基)-2,2-二苯基丙烷二酐與 2,2(-二氯-4,4^二胺基聯苯所合成之重量平均分子量(Mw) 3萬的聚醯亞胺溶解於環己酮,調製爲2 0重量%之聚醯亞 胺溶液。然後,在支撐體2-4上塗布前述聚醯亞胺溶液。 然後,將該塗布膜以130 °C熱處理5分鐘,結果形成厚度 8 μη之透明平滑聚醯亞胺薄膜,如此製作相位差膜2-14。 -152- 200811548 相位差膜的光學特性示於表2-1。 <第一相位差膜2-15之製作> 在支撐體2-4上塗布在相位差膜2-13中所使用之聚醯 亞胺,將該塗布膜以1 00 °C乾燥處理1 〇分鐘。接著,將前 述聚醯亞胺塗布膜與支撐體的積層體,相對於拉伸前之積 層體長度,以1 6 0 °C進行1 〇 %之雙軸拉伸,在支撐體上形 成厚度4 μ m之聚醯亞胺雙軸拉伸薄膜。如此製作相位差 膜2-15。相位差膜的光學特性示於表2-1。 φ <第一相位差膜2-16之製作> 接著,除了使用市售三乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照相軟片(股)製)作爲支撐體,調整塗布膜厚 以外,與第一相位差膜2-1 3同樣地做,來製作第一相位差 膜.2-16 〇 <下側偏光板之製作>. 將上述第一相位差膜2-1〜2-12與Fujitech TD80UF用 聚乙烯醇系黏著劑、以輥對輥貼付在偏光膜的兩面,來製 φ 作一體型偏光板。各薄膜之積層角度係以從顯示裝置上側 觀看見時的左右方向爲基準(0°),如第2圖所示,偏光膜吸 收軸104 (在第1圖爲15)的軸角度設定爲90°,保護薄膜遲 相軸102及106的角度設定爲90°。將所製作之下側偏光 板以光學各向異性層(在第1圖爲1 〇)係與上側液晶胞基板 (在第1圖爲8)相接的方式,來組入液晶顯示裝置。 <上側偏光板之製作> 使用市售乙酸纖維素薄膜(Fujitech TD80UF、富士照 -153 - 200811548 相軟片(股)製、Re値爲3nm、Rth値爲50nm)作爲保護薄 膜(在第2圖爲1 05)。又,在上側偏光板(在第1圖爲1)與 上側液晶胞基板(在第1圖爲5)之間,配置1片聚碳酸酯薄 膜(商品名:Pu『e S WR (帝人(股))當作拉伸薄膜構成之一 軸相位差膜。此時,相位差膜之面内遲相軸係以與上側偏 光板之透過軸一致的方式來構成。 聚碳酸酯薄膜的光學特性係 Re爲 155nm、Rth爲 78nm、Re (4 5 0) / Re (5 5 0) = 0.8。即,滿足第二相位差膜所 φ 要求之光學特性。 <液晶顯示裝置之顯示特性的評價> 如以上所製作之液晶顯示裝置,以以下基準評價從裝 置正面的方位角方向45度、在極角方向60度之黑顯示時 的光漏、及從正面目之視色調變化。 (光漏之判定基準) A :未感到光漏 B :輕微光漏 φ C :微弱光漏 D :強烈光漏 (色調變化之判定基準) A :未感到著色 B :輕微著色 C :微弱著色 D :強烈著色 在表2-1中顯示各相位差膜的光學特性及顯示特性評 價結果。 -15 4- 200811548 <相位差膜脆性之評價> 在湯姆森(Thomsom)沖孔機的i8cmX16cm 墊片上重疊放置5片薄膜樣本,沖孔、從4個声 定最長之裂痕長度’以沖孔加工適性評價脆性。 表示爲〇、2~3mm以下表示爲△、超過3mm表 之橡膠製 I往内側測 2 m m以下 不爲X。
-155- 200811548 【表2】表2-1 第一相 位差膜 Re Rth 波長分散 黑顯示之 光漏 黑顯示之色 調變化 .脆性 2-1 1.0 200 1.09 A A △ 本發明 2-2 0.8 250 1.10 B A Δ 本發明 2-3 1.1 150 1.08 B B △ 本發明 2-4 1.2 50 1.12 D C Δ 比較例 2-5 0.9 350 1.05 D D △ 比較例 2-6 3.6 150 1.03 C D 〇 比較例 2-7 1.1 200 1.08 A A △ 本發明 2-8 1.3 250 1.09 B A △ 本發明 2-9 0.4 200 1.12 B B △ 本發明 2-10 1.2 200 1.10 B B 〇 本發明 2-11 1.2 200 1.16 A A Δ 本發明 2-12 1.4 200 1.02 C D 〇 比較例 2-13 1.3 200 1.09 B B 〇 本發明 2-14 0.9 200 1.08 B B 〇 本發明 2-15 2.0 200 1.11 A B 〇 本發明 2-16 2.9 200 1.01 C D 〇 比較例
由表2-1之評價結果,使用具有本發明之相位差膜之 偏光板(即,本發明之偏光板)的VA模式液晶顯示裝置係 從任一歪斜方向觀察的情況下,在黑顯示時幾乎觀察不到 光漏及色調變化。 另一方面,由於薄膜2-4〜2-6未滿足上述式[3】及/或上 述式[4],因此將其用作第一相位差膜的比較例,係在歪斜 方向觀察到黑顯示時之光漏及色調變化。又,薄膜2-1 2亦 未滿足上述式[4],因此將其用作第一相位差膜之比較例, 係在歪斜方向觀察到黑顯示時之光漏及色調變化。 【圖示簡單說明】 第1圖 顯示本發明之液晶顯示裝置的一個實例之槪略圖。 第2圖 顯示在本發明可使用之偏光板的一個實例之槪略圖。 -15 6- 200811548 【元件符號說明】
1 上 側 偏 光 板 2 上 側 偏 光 板 吸 收 軸之 方 向 3 第 二 相 位 差 膜 4 第 二 相 位 差 膜 遲 相軸 之 方 向 5 液 晶 胞 上 電 極 基 板 6 上 基 板 配 向 控 制 方向 7 液 晶 分 子 8 液 晶 胞 下 電 極 基 板 9 下 基 板 配 向 控 制 方向 1 0 第 —^ 相 位 差 膜 1 4 下 側 偏 光 板 1 5 下 側 偏 光 板 吸 收 軸之 方 向 1 0 1 偏 光 板 保 護 膜 1 0 2 偏 光 板 保 護 膜 遲 相軸 之 方 向 1 03 偏 光 板 偏 光 膜 1 0 4 偏 光 膜 吸 收 軸 方 向 1 05 偏 光 板 保 護 膜 1 06 偏 光 板 保 護 膜 遲 相軸 之 方 向 -157-
Claims (1)
- 200811548 十、申請專利範圍: 1. 一種相位差膜’其係具有支撐體及至少一層光學各向異 性層之相位差膜, 該支撐體之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値 Rth係滿足下式[1】, 該支撐體之波長分散性係滿足下式[2]-1, 該支撐體係由醯化纖維素薄膜所構成,該相位差膜之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値 Rth係滿足下式[3],並且, 該相位差膜之波長分散性滿足下式[4]: [1] 0€ Re(630)‘ 10 且 | Rth(630) I S25 [2] -1 I Re(4〇0)-Re(700) | S10 且 | Rth(400)-Rth(700) | $35 [3] Re(550)S 10 且 100^ Rth(550)^ 300 [4] 1.04^ Rth(450)/Rth(550)^ 1.30 式中,Re(A),以Re(A) = (nx-ny)xd表示,係表示 波長λ nm之正面遲滯値(單位:nm); Rth(A),以 Rth(A) = {(nx + ny)/2-nz}xd 表示,係表示波長;l nm 之膜 厚方向遲滯値(單位:nm) ; nx爲膜面内的遲相軸方向 之折射率,ny爲膜面内的進相軸方向之折射率,nz爲 膜的厚度方向之折射率,d爲膜之厚度(nm)。 2.—種相位差膜,其係具有支撐體及至少一層光學各向異 性層之相位差膜, 該支撐體係由含至少一種丙烯酸系聚合物之醯化 纖維素薄膜所構成, 該支撐體之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値 -158- 200811548 Rth係滿足下式[1], 該支撐體之波長分散性係滿足下式[2】-2, 該相位差膜之正面遲滯値Re與厚度方向之遲滯値 Rth係滿足下式[3],並且, 該相位差膜之波長分散性滿足下式[4]: [1] 0^Re(630)^10 K \ Rth(630) | ^25 [2] -2 | Re(400)-Re(700) | ^ 1 0 £-35^ Rth(400)-Rth(700)^ 60 [3】OS Re(550)S 10 且 100S Rth(550)S 300[4] 1.04^ Rth(450)/Rth(550)^ 1.30 式中,Re(A),以Re(A) = (nx-ny)xd表示,係表示 波長λ nm之正面遲滯値(單位:nm); Rth(A),以Rth(A) = {(nx + ny) /2-nz} xd表示,係表示波長;l nm之膜厚方向 遲滯値(單位:nm) ; nx爲膜面内的遲相軸方向之折射 率,ny爲膜面内的進相軸方向之折射率,nz爲膜的 厚度方向之折射率,d爲膜之厚度(nm)。 3. 如申請專利範圍第1或2項之相位差膜,其中該相位差 膜之波長分散性係滿足下式[5]: [5] 1.06S Rth(450)/Rth(550)S 1.30。 4. 如申請專利範圍第1或2項之相位差膜,其中該光學各 向異性層之至少一層係將含有圓盤狀液晶性化合物之 至少一種的聚合性液晶組成物以向列液晶相之狀態,藉 由聚合而固定所形成的層,其中使該圓盤狀液晶化合物 之分子向同(homeotropic)配向。 5. 如申請專利範圍第1或2項之相位差膜,其中該光學各 向異性層之至少一層係將含有至少一種棒狀液晶性化 -159- 200811548 合物的聚合性液晶組成物,以將該棒狀液晶性化合物之 分子爲膽固醇液晶相之狀態,藉由聚合而固定所形成之 層。 6.如申請專利範圍第彳或2項之相位差膜,其中該光學各 向異性層之至少一層係聚合物層。7 .如申請專利範圍第6項之相位差膜,其中該聚合物層係 包括選自於聚醯胺、聚醯亞胺、聚酯、聚醚酮、聚醯胺 醯亞胺及聚酯醯亞胺所構成之群組的至少一種類之聚 合物。 8 ·如申請專利範圍第1或2項之相位差膜,其中該光學各 向異性層之至少一層係包括含氟化合物。 9 ·如申請專利範圍第1項之相位差膜,其中該支撐體係在 醯基取代度2.85〜3.00之醯化纖維素,以相對於該醯化 纖維素爲0.01-30質量%之比例,添加使Re ( λ )及/或 Rth( λ )降低之化合物的至少1種而得者。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之相位差膜,其中該支撐體之膜 厚爲1 0〜12 0/zm。 1 1 ·如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該支撐體之波 長分散性係滿足下式[6P [6] | Re(400)-Re(700)l ‘ 1〇 且 〇‘Rth(400)-Rth(700)S60。 1 2.如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該支撐體係由 含有醯基取代度2·70~3·00的醯化纖維素之醯化纖維素 薄膜所構成。 13.如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該丙烯酸系聚 合物之重量平均分子量爲500以上、低於1〇,〇〇〇。 -160- 200811548 14.如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該丙嫌 合物係在主鏈及/或側鏈具有羥基之丙烯酸系聚合物。 15·如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該支撐體彳系自 含可塑劑之醯化纖維素薄膜所構成。 1 6 _如申請專利範圍第2項之相位差膜,其中該支撐體的_ 厚爲10〜60/zm。17·—種偏光板,其係具有偏光膜與設置在該偏光膜的兩面 之保護膜,且該保護膜之至少一者爲如申請專利範圍第 1或2項之相位差膜。 18.—種偏光板,其係具有偏光膜、如申請專利範圍第1或 2項之相位差膜、與第二相位差膜,且該第二相位差膜 之正面遲滯値及厚度方向之遲滯値係滿足下式[7],且第 二相位差膜之波長分散係滿足下式[8]: [7] 70S Re(550)$ 180 且 30$ Rth(550)S 140 [8] 0.7^ Re(450)/Re(550)S 1.0。 19·—種液晶顯不裝置’其係包括如申請專利範圍第1或2 項之相位差膜或如申請專請專利範圍第1 7或1 8項之偏 光板。 2 0.—種液晶顯示裝置,其係具有彼此之吸收軸爲正交的二 片偏光板、設置在該二片偏光板之間的液晶胞,該液晶 胞係具有一對基板及夾持於該一對基板間的液晶分子 所構成的液晶層’且未施加外部電場之非驅動狀態中, 該液晶分子係以對於該一對基板略爲垂直的方向來配 向,更含有如申請專利範圍第1或2項之相位差膜或如 申請專利範圍第17或18項之偏光板。 -161 - 200811548 2 1 .如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置’其中該液晶 顯示裝置係更具有第二相位差膜,該第二相位差膜係由 高分子拉伸薄膜所構成’正面遲滯値及厚度方向之遲滯 値係滿足下式[7Γ [7] 70S Re(550)$ 180 且 30$ Rth(550)S 140。 2 2 ·如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置,其中該液晶 顯示裝置係更具有第二相位差膜,該第二相位差膜之波 長分散係滿足下式[8】 :[8] 0_7g Re(450) /Re(550)S 1 _0。 23.如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置,該液晶顯示 裝置係更具有第二相位差膜,該第二相位差膜係由醯化 纖維素薄膜、降冰片烯系薄膜、聚碳酸酯系薄膜、聚烯 丙酯系薄膜、聚酯系薄膜及聚楓系薄膜之任一者所構 成。 24 如申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置,該液晶顯示 裝置係更具有第二相位差膜,該第二相位差膜係以該偏 光膜之吸收軸爲正交之配置,直接積層在偏光膜之一者 上。 -162-
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