TW200531127A - Dispenser and method thereof, plasma processing device and method thereof, and manufacturing method for LCD - Google Patents

Description

200531127 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種分配器及電漿處理裝置，特別有關使 用2個方形導波管之電磁波分配器及使用其之電漿處理裝 置。 ’ 【先前技術】 在LCD (Liqmd Crystal Display :液晶顯示器）等平面顯示器或 半導體裝置之製造中，為了進行㈣、灰化或

VapourDeposition:化學氣相沈積）等處理，廣泛使用電漿處理 裝置。電漿處理裝置之一係藉由供給微波至處理容器内， 使處理今益内部之氣體電離、激發、解離而產生電漿之微 波電漿處理裝置。 圖11係表示以往之電聚處理裝置之全體才冓成之縱剖面 圖。此電聚處理裝置具有平面為方形之有底筒狀處理容器 1處理夺态1係由A1等金屬形成。於處理容器丨之底面中央 部配設載置台2。力載置台2上面配置作為被處理體之[CD 土板3專尚頻電源5經由匹配盒4而連接於載置台2。 於處理谷益1之底面周緣部設置真空排氣用之排氣口 6 , 於處理容器1之側壁設置氣體導人口 7,將氣體導入處理容 器1内。例如：電漿處理裝置作絲刻裝置使用時，導入Ar 等電漿氣體及CF4等反應氣體。 處理容器1之上部開σ係以石英麵等所組成之介電體 板8所閉塞’以持續由該處導入微波，保持處理容器1内部 之減壓。再者’使0形環介在處理容器1之側壁上面與介電

〇：\9i\9l484 D〇C 200531127 體板8之間，確保處理容器1内之氣密性。 於介電體板8上方設置供給微波至處理容器丨内之微波供 給裝置11 0。 圖12係表示以往之微波供給裝置丨1〇之構成之橫剖面 圖。微波供給裝置110係由微波振盪器12〇、微波分配器13〇 及天線構成體150所構成。 在此’天線構成體150具有複數放射用導波管151A、 1518、151〇151〇、151£、151?。各放射線導波管151八〜151只 係由方形導波管所組成。方形導波管係垂直於軸線之剖面 為長方形之導波管，能以TElQ模式傳送微波。在TEiq模式， 形成平行於包含上述剖面之長邊之管壁、亦即寬壁之磁 %，並形成平行於包含短邊之管壁、亦即窄壁之電場。於 各放射用導波管151A〜151F之寬壁形成複數放射用開槽 152。輸入於各放射用導波管151A〜151F之微波經由放射用 開槽1 5 2而放射於處理容器1内，並利用於產生電漿。 又，於放射用導波管15 1A〜15 1F管内，配置介電體（相對 介電常數8『(>1)所組成之慢波材料153。藉此，管内波長^ 成為1/(ε「）1/2’故可縮短根據管内波長所設定之放射用開槽 1 5 2之間隔，使電漿密度分佈均一化。 微波分配器130具有方形導波管所組成之微波導波管131 及供電用導波管141，將微波振盪器120所輸入之微波分配 給天線構成體1 5 0之各放射用導波管1 5 1Α〜1 5 1F。微波導波 管131之輸入端連接於微波振盪器120，輸出端連接於供電 用導波管141 一方之窄壁141A之中央部。於窄壁i4iA中央

O:\9l\9l484.DOC 200531127 部形成使兩導波管1 3 1、1 4 1連通之連通孔1 3 2 (來考例女. 中島將光著《微波工學》森北出版，ρ·123)。又，於供電用 導波管1 4 1另一方之窄壁1 4 1 B，形成複數使供電用導波管 141及放射用導波管151八〜151F連通之開口 143。 即使出現一開口 143，其係僅一部分與微波導波管13ι連 通之連通孔132對向，則經由該開口 143而輸出至放射用導 波管之微波增加，對於各放射用導波管151A〜151F之微波分 配將產生偏差。因此，為了使連通於微波導波管1 3 1之連通 孔132不與連通於放射用導波管151A〜151F之開口 143對 向’於微波導波管131與供電用導波管141之連接部設置隔 板147A、147B，使連通孔132之寬度窄於微波導波管131之 管寬。 再者，微波導波管131之管内為中空，供電用導波管141 之管内配置有慢波材料153。 如上述，於以往之電漿處理裝置，由於在微波導波管131 與供電用導波管141之連接部設置隔板i47A、ι47Β，於連 接部之管寬變窄，可通過連接部之頻帶會窄頻帶化。特別 疋如同將中空之微波導波管131與配置有慢波材料153之供 電用導波官141連接時，管内之相對介電常數之差越大，頻 帶之窄頻帶化傾向更明顯。因此，微波振盪器120之振盪頻 率僅些許變動，無法通過兩導波管1 3 1、丨4丨之連接部而被 反射之電力就會增加，具有導波管1 3丨5 1 4丨所組成之微波 刀配器1 j 0之反射損失變大之問題。 【發明内容】

O:\91\9U84 DOC 200531127 本發明係為了解決 輸入分配器之微波等 失0 此類問題而實現者，其目的在於減少 電磁波之頻率變動時所產生之反射損 為了達成此類曰& I、 、 、、本务月之分配器之特徵在於具備： 輸出電磁波之振邊 A 連接於此振盪器之第一方形導波管 及形成複數開口之第二方形導波管a第-方形導波管及 第-方形導波管係經由形成於各一方之窄壁之連通孔而連 通0 又本發明之電漿處理裝置之特徵在於具備：載置台， -二載置被處理體者，處理容器，其係、收容此載置台者； 及天線構成體，其係具有形成有開槽之複數放射用導波管 者及刀波器，其係將電磁波分配給各放射用導波管者； 且此分波器具備··振盪器，其係輸出電磁波者；第一方形 導波管，其係連接於此振盪器者；及第二方形導波管，其 係經由複數形成之開口，連接於放射用導波管之各一端 者第方形導波管及第一方形導波管係經由形成於^__ 方之窄壁之連通孔而連通。 又，本發明之分配方法之特徵在於具備··將傳送於第— 方形導波管之電磁波，經由形成於第一方形導波管及第二 方形導波管之各一方之窄壁之連通孔而導入第二方形導波 管之步驟；及將導入第二方形導波管之電磁波，經由複數 形成於第二方形導波管之開口而分配給複數導波管之步 驟。 乂 又’本發明之電漿處理方法之特徵在於具備··將傳送於 O:\9I\91484.DOC -9 · 200531127 =一方形導波管之電磁波，經由形成於第—方形導波管及 苐—方形導波管之各一方之窄壁之連通孔，導入第 導波管之步驟；將導入第二方形導波管之電磁波，經由複 數形成於第二方形導波管之開口，分配給複數放射用導波 ^之步驟；將導入放射用導波管之電磁波，經由形成於放 射用導波管之開槽而供給處理容器之步驟；及利用藉由供 給處理容器之電磁波所產生之電漿，處理配置於處‘容器 内部之被處理體之步驟。 ° 〃又，本發明之LCD製造方法之特徵在於具備：將傳送於 第-方形導波管之電磁波 '經由形成於第一方形導波管及 第二方形導波管之各一方之窄壁之連通孔，導入第 導波管之步驟；將導入第二方形導波管之電磁波，經由複 數形成於第二方形導波管之開口，分配給複數放射用導波 官之步驟；將導人放㈣導波管之電磁波，經由形成於放 射用導波管之開槽而供給處理容器之步驟；及利用藉由供 給處理容器之電磁波所產生之電聚，於配置於處理容器内 部之LCD基板表面施加敍刻、灰化、氧化、氮化或cvd之 處理之步驟。 【實施方式】 以下’參考圖式’ ^細說明本發明之實施例。再者，於 以下圖式，關於相當於圖U及圖12所示之構成要素之構成 要素’以同於® U及圖12之符號標示，並適#其省略說明。 第一實施例 圖1係表示本發明之第一實施例之電漿處理裝置之全體

0 \9|\9!484 DOC ' 10- 200531127 構成之縱剖面圖。此電漿處理裝置具有：載置台2,编 置作為被處理體之L⑶基板3等者；有底筒狀之處理容器 卜其係收容載置台2之平面為方形者；介電體板8,其係閉 塞處理容器1之上部開口者；微波供給裝置1〇,其係經由介 電體板8，由外部將作為電磁波之微波供給處理容器1内者。 乂圖2及圖3係表示微波供給裝置lQ之構成之橫剖面圖。圖2 係表示圖1之II.II，、線方向之剖面，圖3係表示由圖㈣慢波材 料5一3除外之構成。再者，—部分之構成要素係以機能區塊 表示。 微波供給裝置10係由微波振盪器20、微波分配器3〇及天 線構成體50所構成。 在此，微波振盪器20係將頻率例如為2·45 GHz之微波輸 出之振盪器，由例如：磁控管等所組成。 微波分配器30將微波振盪器20輸入之微波分配給天線構 成體50之複數放射用導波管51A、51B、51C、51D、51E；、 5 1F之各個。後續將詳細說明其構成。 天線構成體50之放射用導波管51 a〜5 1F分別由方形導波 官所組成，輸入端（一端）連接於微波分配器3 〇，終端（另一 端）被短路，於寬壁（H面）形成複數放射用開槽52。作為放 射用開槽52之一例，使用圖3所示之十字開槽。十字開槽係 使成對之2個開槽在互相之中心交叉，並放射圓形極化波 者’以管内波長之大致自然數之倍數之間隔配置。再者， 於放射用導波管5 1 Α〜5 1F之管内’如圖2所示，配置介電體 (相對介電常數^(>1))所組成之慢波材料53。此類放射用導 O:\9l\9U84 DOC 11 200531127 波官51 A〜5 IF係在使形成有放射用開槽52之寬壁與載置台2 對向之狀態下，排列配置於與管軸方向（微波之進行方向） 正交之寬度方向。 於以上構成之電漿處理裝置，微波振盪器2〇所輸出之微 波係由微波分配器30分配給天線構成體5〇之各放射用導波 吕51A〜5 1F。由放射用導波管51A〜51F之輸入端所輸入之微 波，一面朝向終端傳送，一面從複數形成於寬壁之放射用 開槽52逐漸放射，並透過介電體板8而供給處理容器1内。 藉由供給處理容器丨内之微波之電場，電子加速，處理容器 1内之氣體被電離、激發、解離而產生電漿。藉由此電漿， 於載置台2上之LCD面板3之表面施加蝕刻、灰化、氧化、 氮化或CVD等處理。 其次，進一步說明微波分配器3〇之構成。微波分配器 具有··微波導波管31 ,其係由將微波振盪器2〇輸入之微波 導引之第一方形導波管所組成者；及供電用導波管41，其 係將微波導波管3 1所導引之微波分配給各放射用導波管 51A 〜51F 者。 在此，微波導波管31之輸入端（一端）連接於微波振盪器 2 0 ’終端（另一端）3 4被短路。 此微波導波管3 1及供電用導波管41係各一方之窄壁（E 面）3 1A、4 1A對向而平行配置。此時，窄壁3丨A及4丨a宜接 觸，或者如圖2及圖3所示，窄壁31A及41A宜以同一導體板 63形成。於此類之窄壁3 1A、41A形成連通孔32 ,使兩導波 管31、41連通。連通孔32大致為長方形，但亦可為其他形 O:\91\91484 DOC 12 200531127 狀。於本實施例，連通孔32位於供電用導波管4 1之窄壁4 ^ A 之中央部。經由此連通孔32，將傳送於微波導波管31之微 波導入供電用導波管4 1。 供電用導波管41兩端被短路。又，在與形成有連通孔32 之窄壁41A對向之另-方之窄壁41B ’複數形成使供電用導 波管41與放射用導波管51A〜51F連通之開口 43。經由此等開 口 43，將導入供電用導波管41之微波分配給各放射用導波 管51A〜51F。使微波均等分配而調整開口 43之寬度。又，使 開口 43與連通孔32不對向而調整連通孔32之寬度。 其結果，即使連通孔32之寬度變窄，如上述，藉由在各 微波導波管31及供電用導波管41之窄壁31A、41八形成連通 孔32 ,管寬在兩導波管3丨、4丨之連接部不會變窄，故可抑 制可通過連接部之頻帶之窄頻帶化。故，可減低微波頻率 變動時之無法通過連接部而反射之電力，減低微波分配器 30之反射損失。 於本貫施例’相對於微波導波管3 1之管内為中空，供電 用導波管41之管内配置與放射用導波管51A〜511；管内相同 之慢波材料5 3，兩導波管3 1、4 1管内之相對介電常數不同。 然而，於此類情況，亦可藉由在兩導波管3卜q之窄壁31A、 41A形成連通孔32，以減低微波分配器3〇之反射損失。 又’於微波分配器3 0之微波導波管3 1管内，設置從微波 導波管31之另一方之窄壁31]8朝向連通孔32突出之誘導壁 33°誘導壁33延伸於微波導波管31之上下寬壁之間。在誘 導壁33朝向連通孔3 2之大致中央部，由窄壁31B垂直突出之

O:\9I\91484 DOC -13 - 200531127 情況，亦可使其突出長度hl為例如：微波導波管3丨之管内 波長之大致％程度。藉由設置此類誘導壁33，將傳送於 微波導波官3 1之微波誘導向連通孔32方向，微波將容易經 由連通孔32而導入供電用導波管41。 然而，若設置誘導壁33，在該處將反射微波，產生逆行 於微波導波管31之反射波。因此，以微波導波管31之終端 34所反射之反射波抵銷此反射波。例如：於連通孔32之正 面附近位置設置誘導壁33，於離開誘導壁33管内波長、之 大致％之整數倍程度之位置設置終端34。藉此，抑制微波 導波管3丨與供電用導波管41之連接部之反射，可更減少微 波分配器30之反射損失。 另一方面，於供電用導波管41管内，在連通孔h中央部 附近a又置導體柱45。導體柱45延伸於供電用導波管41上下 寬壁之間。利用導體柱45之直徑及配置等，可調整將經由 連通孔3 2導入供電用導波管4丨之微波分配給供電用導波管 之一端側或另一端側之比例。又，可抑制導入供電用導波 管41之微波被反射並回到微波導波管3丨。故，可更減少微 波分配器30之反射損失。 於供電用導波管4丨管内，設置由窄壁41A朝向各開口 43 突出之複數誘導壁44。誘導壁44延伸於供電用導波管“之 上下見壁之間。藉由設置此類誘導壁44，將傳送於供電用 導波管41之微波誘導向開口 43之方向，容易將微波經由開 口 43而導入各放射用導波管51A〜51F。故，可從微波分配器 30 ’有效地將微波供給各放射用導波管51A〜51F。

〇 \9l\91484 DOC -14· 200531127 於此類構成之微波分配器30，各部尺寸設定如圖4所示， 進行有關將微波從微波導波管3 1供給供電用導波管4丨時之 反射損失的數質解析。其結果，可獲得圖5所示之特性圖。 亦即，中心頻率f〇=2.45GHz時，反射損失為-2〇dB，反射 損失-15 dB之相對頻帶變成2.3%，可知頻帶之窄頻帶化被 抑制。 故，藉由採用微波分配器3 0，可抑制微波頻率變動時之 微波分配器30之反射，有效地將微波供給各放射用導波管 51A〜51F。其結果，可有效地將微波供給處理容器}内，有 效地進行利用藉由微波所產生之電聚之處理。 再者，於本實施例，供電用導波管41及放射用導波管 5 1A〜5 1F係藉由將互相離間而平行配置之平面為方形之2片 平板61、62及連接此等平板61、62之周緣部之侧壁63、64、 65、66所組成之箱體内部，以平行於側壁63、65之配置於 僅距離側壁63大致kg/2之位置之隔板67分隔，並將隔板67 與側壁6 5所炎者之區域’採用平行於側壁6 4、6 6所配置之5 個隔板68，以大致xg/2之間隔分隔所形成。再者，平板61、 62、側壁63〜66及隔板67、68係由銅等導體所形成。 此時，平板61、62分別成為供電用導波管41及放射用導 波管51A〜5 1F之寬壁，側壁63成為供電用導波管41之一方之 乍壁41A ’隔板67成為供電用導波管41之另一方之窄壁 41B，側壁65成為放射用導波管51A〜5 1F之終端面，側壁 64、66之各一部分成為供電用導波管41之兩端面，側壁64、 66之各另一部分及隔板68成為放射用導波管51A〜51F之窄 O:\9I\9I484 DOC -15- 200531127 壁。而且’於㈣63之中央部形成連通孔32，於隔板67形 成夕數開σ 43。又’在與載置台2對向之平板&，形成複數 放射用開槽52。 第二實施例 圖6係表示本發明之第二實施例之微波供給裝置之構成 之橫剖面圖。於此微波供給裝置u之微波分配器3〇α，使用 平面為L字型之微波導波管36。其他部分則與第一實施例之 微波分配器30相同。亦即，與第一實施例同樣設置連通微 波導波管36及供電科波㈣之連通㈣、微波導波管％ 之誘導壁33、微波導波管36之終端34及供電用導波管y内 之導體柱45。&，與第_實施例相同，可縮小微波頻率變 動時之微波分配器3 〇之反射損失。 第二實施例 圖7係表示本發明之第三實施例之微波供給裝置之構成 之橫剖面圖。於此微波供給裝置12, $ 了縮短放射用開槽 52之間隔，在放射用導波管51A〜51F及供電用導波管41之管 内，配置链等相對介電常數較高之介電體所組成之慢波材 料 另方面’於接近微波導波管36之管内之連通孔32 之區域’配置相董十彳電常數比慢波材料53低之石英等介電 體所組成t慢波材料37。遠離連通孔32之區域仍為中空。 可通過微波導波管36及供電用導波管41之連接部之頻帶 ‘ Ik著連接σ卩之相對介電常數變動之變大，傾向於窄頻帶 化故 士上述’藉由將接近微波導波管3 6管内之連通孔 32之區域之相對介電常數，設定在遠離連通孔^之區域之

O:\9I\9I484 DOC -16- 200531127 相對；丨電常數與供電用導波管4 1之管内之相對介電常數之 間之值’可緩和兩導波管3 6、4 1之連接部之相對介電常數 文化’抑制可通過連接部之頻帶之窄頻帶化。故，可減低 微波頻率變動時無法通過而反射之電力，縮小微波分配器 30B之反射損失。 再者，亦可使用3種以上之慢波材料，將微波導波管36 及供電用導波管4丨管内之相對介電常數之變化設定在3階 段以上。 第四實施例 圖8係表不本發明之第四實施例之微波供給裝置之構成 之橫剖面圖。此微波供給裝置13係組合複數第二實施例之 微波供給裝置U所構成。更具體而言，由8個微波供給裝置 11A、11B、lie、11D、11E、11F、11G、11H所構成。微 波供給裝置11A〜11H係各天線構成體5〇之放射用開槽52所 形成之面（放射用導波管51A〜51F之寬壁）構成同一平面而 配置。在圖8所不之例，微波供給裝置11A〜UD係天線構成 體50之側壁64及66對向而配置。微波供給裝置nE〜亦 同。又，微波供給裝置11A及UE係天線構成體5〇之側壁65 彼此對向而配置。微波供給裝置丨丨3及UF、丨⑴及ug、 及11Η亦同。 如本實施例，藉由採用複數微波供給裝置UA〜UH，將 電力供給處理容器1内，可利用複數低輸出振盪器，實現與 使用1個高輸出振盪器時同等之電力供給。故，即使於採用 大口徑處理容||1進行電梁處理時等，需要將大電力供給處

O:\9I\91484 DOC -17- 200531127 理容器1之情況，藉由使用複數低輸出且廉價之微波振盪器 20，仍可減低電漿處理裝置全體之製造成本。 再者，本實施例係說明有關組合第二實施例之複數微波 供給裝置11之例，但亦可組合其他實施例之複數微波供給 裝置10 、 12 、 14 。 第五實施例 圖9係表示本發明之第五實施例之微波供給裝置之構成 之橫剖面圖。此微波供給裝置1 4之天線構成體70係與第一 實施例之放射用導波管5 1A〜5 1F具有同樣之放射用導波管 71A〜71F。以下，放射用導波管71代表放射用導波管 71A〜71F。 圖1 〇係表示放射用導波管71終端附近之放大圖。於放射 用導波管71之形成有放射用開槽52之寬壁終端側，形成駐 波激勵開槽72。駐波激勵開槽72係由駐波所激勵之開槽， 其中a亥駐波係由放射用導波管71之輸入端朝向終端之進行 波’及在終端朝輸入端側反射之反射波所形成。故，駐波 激勵開槽72宜配置在駐波振幅最大之位置，亦即遠離終端 之大致％管内波長之自然數倍數程度之位置。於本實施 例配置於运離終端大致λ§/2之位置。又，本實施例中使用 十字開槽作為駐波激勵開槽72。 藉由形成此類駐波激勵開槽7 2，在放射用導波管7 1終端 所反射之反射波朝外部放射，減低逆行於管内之反射波。 /、、、果進行波所激勵之放射用開槽5 2將按照設計而動 作，故經由放射用開槽52，有效地將傳送於放射用導波管

O:\9l\91484.DOC -18- 200531127 7 1之彳政波供給處理容器1内，可有效地進行利用微波所產生 之電漿之處理。 然而’僅形成駐波激勵開槽7 2，無法從放射用開槽$ 2朝 正面方向（形成有放射用開槽52之寬壁之法線方向）放射圓 形極化波。其理由係由於藉由駐波激勵開槽72，並未充分 減低反射波所致。因此，於本實施例，在駐波激勵開槽72 與相鄰之放射用開槽52之間，設置將進行波之一部分朝輸 入端側反射之反射構件73。反射構件73係由垂直突出於放 射用導波管71之各窄壁之2個反射壁73A、73B所組成。反 射壁73 A、73B延伸於放射用導波管71之上下寬壁之間。反 射壁73A、73B配置於駐波激勵開槽72之中心位置與由此中 心位置朝向輸入端側之遠離大致程度之位置之間之適當 位置，藉由調整其突出長度，利用反射壁73A、73Β所反射 之反射波，可抵銷放射用導波管71之終端或駐波激勵開槽 7 2所反射之反射波。 針對本實施例進行數質解析，表示其結果。駐波激勵開 槽72係採用使長度為0.286 λ〇、0.376 λ〇(λ〇 :自由空間波長） 之2個開槽在互相之中心正交之十字開槽，放射用導波管71 内外之相對介電常數卜為3.5。於未設置反射壁73Α、73Β之 情況’在頻率2.45 GHz存在-10 dB之反射。相對於此，若在 從駐波激勵開槽72距離山=0· 1 34 λ〇位置設置反射壁73 A、 73B，則反射減低至-30 dB以下。並且，若將駐波激勵開槽 72與相鄰之放射用開槽52之間隔dm設定在0.855 ，結果將 可朝正面方向放射圓形極化波。再者，此時之圓形極化波 O:\9I\9I484 DOC -19- 200531127 之軸比為-2.14 dB，反射係數為27·4 dB。 正 如此，藉由設置反射壁73A、73B，可由放射用開槽52朝 面方向放射微波。亦即，可由天線構成體7〇朝載置台2之 方向放射微波。其結果，由於在載置台2之正上方形成電 漿，因此可容易設計電漿處理裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示第一實施例之電漿處理裝置之全體構成之縱 剖面圖。 圖2係表示微波供給裝置之構成之橫剖面圖。 圖3係表示微波供給裝置之構成之橫剖面圖。 圖4係表示用於連接構造之數值解析之各部尺寸圖。 圖5係表示有關連接構造之反射損失之特性圖。 圖6係表示第二貫施例之微波供給裝置之構成之橫剖面 圖0 圖7係表示第三實施例之微波供給裝置之構成之橫剖面 圖0 圖8係表示第四實施例之微波供給裝置之構成之橫剖面 圖0 圖9係表示第五實施例之微波供給裝置之構成之橫剖面 圖。 圖1 〇係表不放射用導波管之終端附近之放大圖。 圖Π係表示以往之電漿處理裝置之全體構成之縱剖面 圖。 圖12係表示以往之微波供給裝置之構成之橫剖面圖。 O:\9I\9I484 DOC -20- 200531127 【圖式代表符號說明】 1 處理器 2 載置台 3 LCD基板 4 匹配盒 5 南頻電波 6 排氣口 7 氣體導入口 8 介電體板 10、11、11A 〜11H、 12 、 13 、 14 、 110 微波供給裝置 20、120 微波振盪器 30、30A、130 微波分配器 3 卜 36、131 微波導波管 31A、31B、41A、 41B、141A、141B 窄壁 32、132 連通孔 33 誘導壁 34 終端 37、53、153 慢波材料 41、141 供電用導波管 43、143 開口 45 導體柱 50、70、150 天線構成體 51A〜51F、71A〜71F(71)、 151A 〜151F 放射用導波管 O:\91\9I484.DOC -21 - 200531127 52、152 放射用開槽 61 ^ 62 平板 63 〜66 側壁 67、68、147A、147B 隔板 72 駐波激勵開槽 73 反射構件 73A、73B 反射壁 dm 間隔 fo 中心頻率 hi 突出長度 λ〇 自由空間波長 ' Xg〇 管内波長 O:\91\91484 DOC -22

Claims (1)

1. 200531127 拾、申請專利範圍： L 一種分配器，其特徵在於包含： 振盪器，其係輸出電磁波者； 方形導波管，其係連接於此振盪器者；及 第二方形導波管，其係形成複數開口者；且 前述第_方形導波管及前述第二方形導波管係經由形 成於各一方之窄壁之連通孔而連通。 2·如申請專利範圍第丨項之分配器，其中 述第彳形v波官包含誘導壁，其係從另—方之窄 =向前料通孔突出，並且將於前㈣一方形導波管 傳播之電磁波誘導至前述連通孔之方向者。 3.如申請專利範圍第2項之分配器，其中 於别述誘導壁反射，於前述第—方形導波管逆行之電 磁波與於前述第—方料波管之端部反射之電磁波係互 相抵銷。 4. 5. 6. 如申請專利範圍第3項之分配器，其中 前述誘導壁係與前述連通孔對向配置； ，述第方形冷波官之端部配置於從前述誘導壁離開 前述第—方形導波管管内波長之大致1/2之整數倍之位置。 如申請專利範圍第1項之分配器，其中 月迷第二方形導波管包含導體柱，其係配置於前述連 通孔附近’並且延伸於互相對向之寬壁之間者。 如申請專利範圍第1項之分配器，其中 】述第&第__方形導波管係、管内之相對介電常數互 O:\9I\9I484 DOC 200531127 異。 7· 一種電漿處理裝置，其特徵在於包含： 載置台，其係載置被處理體者； 處理容器，其係收容此載置台者，· —天線構成體，其係具有形成有開槽之複數放射用導波 管者；及 分波器，其係將電磁波分配給各前述放射用導波管者； 此分波器包含： ’ 振蘯器，其係輸出電磁波者； 第一方形導波管，其係連接於此振盪器者；及 >第一方形導波管，其係經由複數形成之開口，連接於 前述放射用導波管之各一端者； 前述第一方形導波管及前述第二方形導波管係經由形 成於各一方之窄壁之連通孔而連通。 8·如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中 前述放射用導波管係於其側壁之另一端側形成駐波激 勵開槽’其係、藉由從前述—端朝向前述另—端之進行波 及於前述另一端朝前述一端側反射之反射波所形成之駐 波所激勵者。 9. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中 前述駐波激勵開槽係形成於從前述另一端朝前述—端 側離開前述放射用導波管管内波長之大致％之自然數倍 之位置。 10. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中 O:\91\9I484.DOC -2- 200531127 11. 前述放射用導波管包含反射構件 勵開槽看來，配置於前述一端側， 波之一部分朝前述一端側反射 ’其係由前述駐波激 並且猎由將前述進行 以抵銷於前述另一端或 前述駐波激勵開槽所反射之反射波者。如申請專利範圍第1 0項之電漿處理裝置，其中 前述反射構件配置於前述駐波激勵開槽之中心位置與 由此中心位置朝向前述-端側離開前述放射料波管管 内波長之大致2/3之位置之間之特定位置。 12 · —種分配方法，其特徵在於包含： 將於第#形導波官傳播之電磁波，經由形成於前述 第-方形導波管及第二方形導波管之各一方之窄壁之連 通孔，導入前述第二方形導波管之步驟；及 2導入前述第二方形導波管之電磁波，經由複數形成 於刖述第一方形導波管之開口，分配給複數導波管之步 驟。 13· —種電漿處理方法，其特徵在於包含： 々：；第方形導波官傳播之電磁波，經由形成於前述 ^ Α導波言及第二方形導波管之各一方之窄壁之連 通孔、，導入前述第二方形導波管之步驟； 、丄導入别述第二方形導波管之電磁波，經由複數形成 於刖4第二方形導波管之開口，分配給複數放射用導波 管之步驟·， :導入則述放射用導波管之電磁波，經由形成於前述 放射用導波管之開槽，供給處理容器之步驟；及 0\9I\9I484.DOC 200531127 利用藉由供給前述處理容器之電磁波所產生之電漿， 處理配置於刖述處理容器内部之被處理體之步驟。 14 一種LCD製造方法，其特徵在於包含： 將於第一方形導波管傳播之電磁波，經由形成於前述 第一方形導波管及第二方形導波管之各一方之窄壁之連 通孔，導入前述第二方形導波管之步驟； 將導入別述第一方幵》導波管之電磁波，經由複數形成 於削述第二方形導波管之開口，分配給複數放射用導波 管之步驟； 將導入前述放射用導波管之電磁波，經由形成於前述 放射用導波管之開槽，供給處理容器之步驟；及 利用藉由供給前述處理容器之電磁波所產生之電漿， 於配置於前述處理容器内部之LCD基板表面施加蝕刻、灰 化、氧化、氮化或CVD之處理之步驟。 0\9I\9I484.DOC