TW200521205A - Organic electroluminescent device - Google Patents

Description

200521205 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電激發光材料及其有機電激 發光元件，尤指一種含石夕取代基styrylbenzene之有機電激 5發光材料及其有機電激發光元件。 【先前技術】

Ik著電子科技進步’重量輕、效率高的顯示器亦隨著 蓬勃地發展，並逐漸取代傳統映像管顯示器（CRT),例如 10液晶顯示态（LCD )，然而液晶顯示器仍然存在著許多缺 點，例如其視角不夠廣，應答時間不夠快，所以無法使用 在高速的動晝下。而且其需要使用偏光板和背光板，因而 增加了耗電ϊ、重量與成本。另外，液晶顯示器仍然無法 輕易地製作出大型面板。 15 有鑑於此，有機電激發光元件（〇rganic

Ekohnn刪cent Device )以其自發光、無視角限制、省 電、製程容易、成本低、高應答速度以及全彩化等優點， 使有機電激發光元件具有極大的應用潛力，可望成為下一 代的平面顯示器及平面光源照明，包括特殊光源及一般照 有機電激發光元件包括一基板、一 第一電極 電激發光層與一第二電極。者 ^φ 田轭以―電壓或電流於有機電 激啦先7G件時，電洞與電子係 3 ^ . 、別由第一電極與第二電極 注入，由於外加電場所造成 的電位差，使得載子在有機電 200521205 激發光層中移動、相遇而產生再結合，而由電子與電洞再 結合所產生的激子（exciton)能夠激發有機電激發光層中 的發光分子，然後激發態的發光分子以光的形式釋放出能 量’其中發光分子係包括小分子及高分子的有機電激發光 5 材料。 承上所述，關於有機電激發光層之有機材料的研究已 經發展了相當長的時間，例如W.Helfrish，Dresmer， Williams等人成功的使Anthrancene(蔥）晶體發出藍色光（j.

Chem. Phys. 1966, 44, 2902)，另外 Vincett，Barlow等人利 10用氣相沉積法沉積多芳香環化合物以製得發光元件（Thin Solid Film，1982, 94, 2902)，然而其所製作之發光元件的發 光強度不高且發光效率較低。於1987年，C· W. Tang及S. A. VanSlyke針對有機電激發光層的設計發表一雙層結構，其 係包括一有機薄膜層及一含有電洞或是電子傳輸特性的薄 15膜層；此有機電激發光層的特性依材料基態和激發態之間 的能階差而有發光色度不同的特性。其所發出的綠光最大 亮度達到1000cd/m2，而發光效率達到llm/w (Appl phys

Lett，1987, 51，913);接著，如 japanese J〇urnal 〇fApplied Physics，1988, 27, 2, L269 - L271 及 J0urnal of Applied 20 Physics，1989, 9, 3610所示之三層結構之有機電激發光 層’以降低有機電激發光元件之驅動電壓及提高其亮度， 此二層結構為有機電激發光層、電洞傳輸層及電子傳輸層。 其中，發光材料是有機電激發光元件中最重要的材 料，選擇有機電激發光層之材料至少需要滿足四項要求。 200521205 第一是具有尚的螢光量子效率，且發光波峰在可見光區域 内，波長範圍狹窄；第二是具有良好的半導體特性，即具 有高的導電率，能傳導電子或電洞，或兩者兼具；第三是 具有良好的成膜性，其薄膜不會產生針孔（pinhole);以及 5第四是有良好的熱穩定性，高溫蒸鍍下不會裂解，且其薄 膜不易產生結晶現象。 由於大多數有機染料在固態時存在濃度悴熄之問 題，導致螢光的波峰變寬或紅移，所以一般將其以低濃度 的方式摻雜在具有電子或電洞傳輸性質的主體中（USP 10 4,769,292)。染料的吸收光譜與主體的發射光譜需有良好的 重疊，使能量能有效的從主體分子傳遞到客體分子。 distyrylbenzene之衍生物通常具有不錯的量子效率， 而且可以容易藉由官能基（functional group)調整其放發光 顏色。目前已有distyrylbenzene之衍生物應用在有機電激 15 發光元件，例如日本出光興產發表多篇相關化合物之專利 USP 5，121，029、USP 5，126,214、USP 5，130,603、USP 5,516,577、USP 5,536,949、USP 6,093,864和 W002/20459 等。索尼（Sony)亦發表相關化合物之專利EP0960927、 EP1072668、EP1073128、USP 6,228,514。此外，亦有文獻 20 報導以styrylbenzene化合物及其衍生物作為有機電激發光 材料，如 Synthetic Metal，2001，121，1661、Synthetic Metal， 2001，121，1665、Appl. Phys. Lett· 1995, 67, 26、Engineering B，2001，85, 126以及 Org· Lett·，2003, 5, 1 131 等文獻。 styrylbenzene之衍生物受到廣泛的研究以應用於有機 200521205 電激發光材料及其有機電激發光元件，但始終存在著一些 缺點，例如亮度不足、發光效率不高、驅動電壓過高、色 彩純度不高等問題。舉例而言，如USP 5，130,603所示，其 係 利 用 5 N，N’-diphenyl _N，N’-bis-(3-methylphenyl)-[l，1 ’-biphenyl]-4,4，-diamine (TPD)做為電洞傳輸層，並以 2,5-bis(2,2-di-p-tolyvinyl)xylene (DTVX)做為有機電激發 光層，結果於5V電壓下，其發光亮度為300 cd/m2，發光波 長為486nm，而在7V電壓下，其發光亮度可達1000 cd/m2。 10 另外，在USP 5,536,949中，其係利用TPD做為電洞傳輸層， 4,4’-Bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl (DPVBi)做為有機電激 發光層，而且有機電激發光層中並摻雜有4,4’-Bis[2-{ 4-(N5N-diphenyl amino)pheny } vinyljbiphenyl (DPAVBi)，然後以8-hydroxyquinoline做為電子傳輸層，結 15 果於8 V電壓下，其發光亮度為400 cd/m2，發光波長為 494nm。此外在USP 6,093,864中所顯示的結果皆與上述類 似，且distyrylbenzene系列衍生物於利用真空蒸鐘來形成 於有機電激發光元件中時，其分子的熱穩定較差，於實際 生產製造時所進行的測試中，甚至有分子裂解之情況發 20 生。因此，應用於實際量產時有其困難及複雜性。 【發明内容】 本發明之目的係在提供一種有機電激發光材料及其 有機電激發光元件，俾能穩定材料中較易裂解之雙鍵，提 200521205 升同類化合物之熱穩定性。 本發明之另一目的係在提供一 及其有機電激發光元件，俾能減少：激發光材料 現象，避免濃度綷媳效應，故可^ =堆®㈣’㈣ 效率及使料命。 Ο"有機電激發光元件之 本發明之又-目的係在提供一種有機電激發光材料 及其有機電激發光元件’俾能提高發光亮度、增加發光效 率及提高有機電激發光材料真空蒸鑛時之熱穩定〜生； ίο 為達成上述目的，本發明有機電激發光材料，包含一 如下式（I )之化合物：

其中’ Ri、R2、R3為各別獨立的烷基（alkyl)、瓖烷 基（cycloalkyl)、烷氧基（alkyl〇xy)、芳香族烴基、芳 香族複環基、或是芳烷基；其中Rl、r2、R3係具1至1〇 15個碳原子之取代或不取代的烷基、1至個碳原子之取代 或不取代的環烧基或1至1 〇個碳原子之取代或不取代的燒 氧基’或是具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族 烴基、6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族複環基、 或6至30個碳原子之取代或不取代的芳烷基；r4、&為 2〇各別獨立的烧基（alkyl )、環烧基（cycloalkyl )、腈基、 芳香族烴基、芳香族複環基、或芳烷基，且R4、r5係具i 200521205 至ίο個碳原子之取代或不取代的烷基、丨至ι〇個碳原子 之取代或不取代的環烷基、腈基、或是具有6至3〇個碳原 子之取代或不取代的芳香族烴基、芳香族複環基或芳烷 基，Ar為芳香族烴基、噻吩(thi〇phene)、呋喃…或是芳 5曰私複％基，且Ar為具有6至30個碳原子之取代或不取 代的芳香族烴基或芳香族複環基、以及嗟吩(thi〇phene)、呋 喃(Λ-an); A&B係各別獨立的氫原子、具有丨至ι〇個碳 原子之取代或不取代的烷基、具有丨至1〇個碳原子之取代 或不取代的環烷基、具有丨至1〇個碳原子之取代或不取代 10的鏈烯基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族 烴基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族複環 基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳烷基。 本發明有機電激發光材料之式（1 )化合物中，Ar之鍵 、、’。對象不限，較佳係與A或B有鍵結或沒有鍵結，而八與B 15之間鍵結與否不限；本發明有機電激發光材料之取代基團 不限，較佳係任思選自由下列取代基團所組成之群組： 200521205

其中，R6&R7係各別獨立，具有1至10個碳原子之取代 或不取代的烷基、6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族 烴基、芳香族複環基、或芳烷基。 本發明之有機電激發光材料不限，較佳係包含任意選自 由下列化合物所組成之群組：

200521205

-δΓ 化合物8

化合物9

Η

12 200521205

本發明有機、φ ^ 粗τ、 电教發光元件中所使用之有機電激發光: 枓式U )所示之化人札 有機材料^可作為有機電激發光元件中任 t 物，較佳係為電洞傳輸層之摻雜物； :摻雜浪度不限，較佳係為lwt%〜30wt%。 --槁％包括—種有機電激發光元件，至少包括-…-有機電激發光層與一第二電極依序設置於一 13 200521205 板上；其中，有機電激發光層所使用之材料包含如下式（工） 之化合物：

且’ Ri、R2、R3為各另U獨立的烧基（alkyl )、環烧基 5 ( cycloalkyl )、烧氧基（alkyloxy)、芳香族煙基、芳香 族複環基、或是芳烧基；其中Ri、R2、Rs係具1至1〇個碳原 鲁 子之取代或不取代的烷基、1至10個碳原子之取代或不取代 的環烷基或1至1 〇個碳原子之取代或不取代的烷氧基，或是 具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族烴基、6至3〇 10個碳原子之取代或不取代的芳香族複環基、或6至3〇個碳原 子之取代或不取代的芳烷基；&、Rs為各別獨立的烷基 (alkyl)、環烷基（cycl〇alkyl)、腈基、芳香族烴基、芳 香族複環基、或芳烷基，且R4、Rs係具丨至⑺個碳原子之取 代或不取代的烷基、丨至10個碳原子之取代或不取代的環烷 15基、腈基、或是具有6至3〇個碳原子之取代或不取代的芳香馨 私辽基、芳香族複環基或芳烧基；Ar為芳香族烴基、塞吩 (th10phene)、呋喃（furan)或是芳香族複環基，且射為具有 6$至3 0個碳原子之取代或不取代的芳香族烴基或芳香族複 s 土以及口塞吩（thiophene)、口夫喃（furan) ; a及B係各別 犯獨立的氫原子、具有⑴^固碳原子之取代或不取代的烧 基具有1至丨〇個碳原子之取代或不取代的環烷基、具有i 至10個碳原子之取代或不取代的鏈婦基、具有6至30個碳原 14 200521205 的芳香族烴基、具有6至30個碳原子之取 ^ 代的方香族複環基、具有6至30個碳原子之 不取代的芳烷基。 Μ 本發明有機電激發光元件所使用之式（化人 就鍵結對象不限，而Α與Β之間鍵結與否不限；有機電激 2光元件中有機電激發光材料之取代基團不限，較佳係任 意選自由下列取代基團所組成之群組··

Γ Ί \J ~ϋτ. ySe 酬 - V—J

其中’ R6及&係各別獨立，具有1至10個碳原子之取代或不 10取代的烷基、6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族烴 基、芳香族複環基、或芳烷基；本發明有機電激發光元件 中所使用之有機電激發光材料不限，較佳係包含任意選自 由下列化合物所組成之群組： 15 200521205

化合物11

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本發明有機電激發光元件中，其電洞傳輸材料（h〇le transporting material)不限，較佳係更包括具有芳香於、一 類取代基芳香族複環基類取代基的芳香族胺化合物 > 基 、芳香 17 200521205 族二胺化合物或是芳香族三胺化合物；所使用之電洞傳輸 材料條件不限’較佳為其玻璃轉化溫度係大於1〇(rc。 本發明有機電激發光元件中所使用之基板不限，可以 疋塑膠（plastic)基板或是一柔性（flexible)基板，如聚 5 碳酸 S旨（p〇lyCarb〇nate，Pc )基板或是聚 p〇lyester, ρΕτ ) 基板，較佳係透明基板。 所使用之第一電極不限，較佳係透明電極；本發明元 件中，夾置於第一電極與第二電極間之有機電激發光層不 限，較佳係一層以上之層積結構；其所使用之層積結構不 φ 10限，較佳係包含有電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電 子傳輸層或電子注入層及其組合；有機電激發光層之搭配 組合不限，較佳可以是陽極/發光層/陰極、陽極/發光層/ 電子傳輸層/陰極、陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極、陽 電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極、陽極/電洞注入層/ 15電洞傳輸層/發光層/陰極、陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/ 發光層/電子傳輸層/陰極、或是陽極/電洞注入層/電洞傳輸 層/發光層/電子傳輸層/電子傳注入/陰極等。 本發明有機電激發光元件中之層積結構之形成方式不 · 限，較佳係以蒸鍍（evaporation)、旋轉塗佈（spin c〇ating)、 20喷墨（ink jet priming)或是印刷（pHnting)方式形成於第一電 極之上；有機電激發光材料之成膜方式不限，較佳係以真 空蒸鍵法、分子線蒸著法（MBE)、沉浸法、旋轉塗佈法、 鑄造法（casting)、條碼法（bar code)、滾筒塗佈法⑶州叩） 等形成；本發明所使用之第二電極之形成方式不限，較佳 18 200521205 係以蒸鍍法、電子束鍍膜法(E_gun)或是濺鍍法() 所形成；且第二電極之材質不限，較佳係銘、減合金、 鈣、錯銀合金、銀合金或是銀等導電性材料。 由於依本發明之有機電激發光材料係如上述一般式⑴ 5中所示的:對稱之化合物，並引入石夕取代基團，因而使得 其具有較高的熔點。而且，矽取代基團可穩定鄰近之雙鍵， 所以當本發明之有機電激發光材料於低壓高溫下昇華時， 不易發生分子裂解的情形，即本發明有機電激發光材料具 有車乂同的熱私疋。‘上所述，本發明之有機電激發光材 10料及其有機電激發光元件除了能夠有效地加強發光亮度、 增加發光效率及提高熱穩定性，同時可以增加元件之使用 壽命。 【實施方式】 15 為能讓貴審查委員能更瞭解本發明之技術内容.，特 舉數較佳具體實施例說明如下。 貫施例一、化合物4之合成流程 以下流程圖表示出本發明實施例化合物4之合成方 20去为別依序合成出化合物（A)、（B)、（C)與（D)，即可合 成出代表本實施例化合物4之（E): 19 200521205

化合物（A) : 2,5-二碘-1，4-二甲基苯（2,5-diiodo-l，4-xylene) 取埃酸（27.5 g，121 mmol)和碘（60.25 g，237 mmol ) 5 放入雙頸瓶（1000 ml)中，雙頸瓶一端連接冷凝管，通入 氮氣，另一端以血清塞封住；加入醋酸（5〇〇 ml )，四氯 化碳（100 ml)、對二曱苯（37.4 ml)，及30%硫酸水溶 春 液（34 ml)，並放一個磁石攪拌子攪拌，加熱至8(rc ;反 應28小時後’將圓底航冰浴，再加入約1 〇〇mi的曱醇攪拌， 10會有固體大量析出，利用抽濾將溶液移除；將固體用氯仿 溶解，以飽合硫代亞硫酸鈉水溶液萃洗，收集有機層，並 以無水硫酸鎂除水，再用真空迴旋濃縮器濃縮；用氣仿（1〇〇 ml)和曱醇（l50ml)再結晶可得白色的固體（8i.57g)， 產率77%。光譜數據如下： 20 200521205 mp 92〇C _93〇C ; 1H NMR (300 MHz，CDC13) δ 2.32 (s， 6H)，7.63 (s，2H) 也-合物（B) : 2,5-雙三甲基矽-1，4-二甲基苯 5 (2,5-bis(trimethylsilyl)-1,4-xylene) 取化合物（A)( 30 g，83 ·8 mmol)放入雙頸瓶（ 250 ml)， 右邊架上加液漏斗，中間通氮氣，注入乙醚（175 ml )， 以磁石攪拌子攪拌；將圓底瓶冰浴至〇°C，加入1.6 Μ溶於 正己烧之正丁烧Μ (108 ml，0· 17mol )於加液漏斗，緩慢 10 滴入，並充分攪拌之；半小時後，再注入氯化三甲基矽（32.4 ml，250 mmol )及乙醚（70 ml)於加液漏斗内，緩慢滴入； 反應三小時後，將反應物倒入裝有碳酸氫鈉水溶液的錐形 瓶中和至中性，並用乙酸乙酯萃取多次。收集有機層，以 無水硫酸鎂除水，再用真空迴旋濃縮器除去溶劑；以曱醇 15 作再結晶，得白色固體（10.50 g)，產率50%。光譜數據 如下： mp 68〇C -69〇C ; 1H NMR (300 MHz 5 CDC13) δ 0.30 (s5 18H)，2.41 (s，6H)，7.22 (s，2H) 20 化合物iC) : 1，4-雙二甲基溴-2,5-雙三曱基矽苯 (1，4-Bis (bromomethy 1)-2，5-bis (trimethyl silyl)benzene) 取化合物（B) ( 7.00 g，28.0 mmol)，N-溴丁二内亞醯 胺（NBS ) ( 9.97 g，56.0 mmol )及過氧化苯曱醯（benzoyl peroxide) ( 75%，0.678 g，2.1 mmol)置於雙頸瓶（250 ml) 25 中，雙頸瓶一端連接冷凝管，通入氮氣，另一端以血清塞 21 200521205 封住；注入四氣化碳（72 ml)，以磁石攪拌子攪拌；加熱 至50-60°C，並以鹵素燈照光，四小時後停止反應；待回到 室溫後，重力過濾，用少量的四氯化碳沖洗固體，並收集 慮液，滤液以飽和硫代亞硫酸納水溶液及氯化納水溶液萃 5 洗數次，分離水層和有機層，水層再用乙酸乙酯萃取；收 集有機層，以無水硫酸鎂乾燥，再用真空迴旋濃縮器除去 浴劑，以甲醇作再結晶’得白色固體（8 · 19 g )，產率7 2 %。 光譜數據如下： mp 92〇C -93〇C ; 1H NMR (300 MHz, CDC13) δ 0.39 (s? 10 18H)，4.60 (s，4H)，7.52 (s，2H) ik合物(D): 1，4-雙二乙基-2,5-雙三甲基矽-苯_1，4-二曱基碟 酸酯 (1，4-Bis(diethyl)-2,5-bis(trimethylsilyl)-phenyl -1，4-dimeth 15 anephosphonate) 取化合物（C) ( 4·00 g，9·80 mmol )及 Triethyl phosphite (3.70ml，21.6mmol)放入雙頸瓶（25ml)中，並放一個 磁石攪拌子攪拌，於氮氣下加熱至i丨〇°c，迴流24小時；回 溫至室溫’再用真空抽乾，得白色固體；以矽膠管柱層析 20分離純化（沖堤劑：乙酸乙自旨/正己烷=2 )，最後可得白 色的固體（4.30 g)，產率84%。光譜數據如下： mp 65〇C -66〇C ; 1H NMR (300 MHz 5 CDC13) δ 0.33 (s5 18H)，1.19 (t，J = 7.02 Hz，12H)，3.25 (d，J = 20.8 Hz，4H)， 3.95 (m，8H)，7.60 (s，2H) 22 25 200521205 化合物（El : 1，4-雙（4-(队义二苯基銨基）苯乙烯基-2,5-雙 三曱基矽-苯 (l,4-di(4-(N,N-diphenylamino)pheny)vinyl-2,5-di(trimethylsilyl)benzene) 取化合物（D) ( 0.800 g，1.731 mmol)、4_(N，N-二苯基銨基） 5 苯甲酸（〇_9〇7g，1.73 1 mmol )放入雙頸瓶（25 ml )中， 雙頸瓶一端通入氮氣，另一端以血清塞封住；注入THF( 5.2 ml)，以磁石授拌子攪拌30分鐘；在冰浴下，加入t-BuOK (0.5 83 g，5.193 mmol)，溶液顏色立刻變黃；回至室溫， 繼續攪拌24小時；在冰浴下，加入5%硫酸水溶液悴熄反 10 應。抽氣過濾，收集黃色固體；以曱苯再結晶，得淡黃色 固體（0.936 g)，產率85%。光譜數據如下： mp 296〇C 6-297〇C ； 1H NMR (400 MHz, CDC13) δ 0.38 (s，18H)，6·91 (d，J = 8 Hz，2H)，7.01(d，J = 8 Hz，4H)， 7.05(d，J = 7 Hz，4H)，7_10(d，J = 7Hz，8H)，7.22-7.31(m， 15 10H)，7.36(d，J = 8Hz，4H)，7.78(s，2H) 請參照化合物(E)之合成方法 化合物3 : 1，4_雙（口卡口坐冬基)苯乙烯基-2,5-雙三曱基 >5夕-苯 (l，4-di(4-(carbazol-9，yl)phenyl)vinyl-2,5-di(trimethylsilyl)benzene)

光譜數據如下： mp 382〇C-385〇C； ]H NMR (400 MHz5 CDC13) δ 0.50 (s, 18H)5 7.10 (d, J = 200521205 8 Hz，2H)，7.32(dd，J = 6.4, 1.6 Hz，4H)，7.38〜7.52(m，8H)，7.56〜7.63(m， 6H)，7.75(d，J = 8.6 Hz，4H)，7.91(s，2H)，8.16(d，J=8.0 Hz，4H). 5 化合物F : 1，4-雙（4-(N，N-萘小基-苯基銨基)苯乙烯基-2,5-雙三 甲基矽-苯 (1,4-di(4-(N,N-Naphthalen-1 -y l^henylamino)phenyl)vinyl-2,5-di(trimethylsilyl)benzene)

10 光譜數據如下： mp 296〇C6-298〇C； 1H NMR (400 MHz5 CDC13) δ 0.37 (s5 18H), 6.87 (d, J =8·4 Hz，2H)，6.94(d，J = 6.4, 1.6 Hz，2H)，6.98(d，J = 8.4 Hz，4H)，7.08(d， J = 8.6, 8.0 Hz，4H)，7.18〜7.24(m，4H)，7.27〜7.38(m，10H)，7.46(dd，J=8.0 Hz，4H)，7.76(s，2H)，7.77(d，J = 7.8 Hz，2H)，7.88(d，J = 8.0 Hz，2H)， 15 7.93(d，J=8.0 Hz，2H) 實施例二、有機電激發光元件 首先，提供一個100mm X 100mm的玻璃基板，然後 於此玻璃基板上鑛上15Onm厚度的銦錫氧化物，並經由黃 20 光餘刻形成1 Omm X 1 Omm發光區域的圖樣後，在真空度 1(T5 Pa下進行真空蒸鍍，第一層先鍍上35nm厚的電洞傳輸 材料，此電洞傳輸材料為NPB(N，N’-diphenyl_N，N’-bis-(l-naphthalenyl)-[l，l ’-biphenyl]-4，4’-diamine)，其結構如 下所示，電洞傳輸材料的蒸鍵速率係維持在0.2 nm/sec。 25 接著，第二層再同時鍍上結構如下之 DNA(9,10-Di-naphthalen-2-yl-anthracene)以及本發明之有 機電激發光材料（即實施例一之化合物（E))為一發光層， 200521205 DNA與化合物（E)重量比例為100:1.7，其厚度為45nm，蒸 鍍速率係維持纟0.2nm/sec。

其、、、"構如下所示，其係作為電子傳輸層，其厚度為20nm， 蒸鏡速率是0.2 nm/sec。

最後，以LiF(1.2nm)及Al(150nm)為材料鍍於上述之電 10子傳輸層上，以作為陰極。如此，依本發明較佳實施例之 有機電激發光元件便製作完成。 實施例三、比較實施例 當有機電激發光元件係利用如下式（11)所示的化合物 15作為發光層的材料，則當施加6V的電壓給所製得之有機電 激發光元件時，可以得到亮度1007 cd/m2、電流密度219 mA/cm2、發光效率 2.4 lm/W和 4.6 cd/A，C.I.E =(〇 15， 0.20)。 25 200521205

DPAVBi

當有機電激發光元件係利用如下式（III)所示的另一種 習知的有機電激發光材料作為發光層的材料時，施加6V的 電壓給所製得之有機電激發光元件時，可以得到亮度為 1016 cd/m2、電流密度 11.5 mA/cm2、發光效率 4.6 lm/W和 8.9 cd/A，C.LE.=(0.16，0.27)。

式（III)

實施例四、量測結果 10 本發明有機電激發光元件的發光特性量測是利用直流 (DC)電壓來驅動有機電激發光元件，並利用Keithly 2000 量測，結果顯示發光顏色為藍色。此外，有機電激發光元 件的EL光譜量測係利用Otsuka Electronic Co·的光譜儀，並 使用photodiode array當作為偵測器，所測得之光譜圖形係 15 如圖1所示，其顯示發光波長在468 nm，而有機電激發光元 件的電流-亮度值（I-B)係如圖2所示，其電流-電壓值（ι_ν) 係如圖3所示，因此，當施加6 V的電壓給所製得之有機電 激發光元件時，可以得到亮度1943 cd/m2、電流密度212 mA/cm2、發光效率 4.8 lm/W和 9.2 cd/A，C.I.E.=(〇.l8， 20 0.32) 〇 26 200521205 比較上述的結果可以清楚瞭解，不論是以最大亮度或 是發光效率而言，利用本發明之有機電激發光材料（如 所製得的有機電激發光元件皆明顯優於利用習知的有機電

激發光材料（如式（II)或式（ΠΙ)所示）所製得的有機電激發光 5元件。 X 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而^僅限 於上述實施例。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其 10進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍 中0 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明較佳實施例與習知的有機電激發光材料 15之有機電激發光元件的EL光譜量測圖； 圖2係顯示本發明較佳實施例與習知的有機電激發光材料 之有機電激發光元件的電流_亮度量測圖；以及 圖3係顯示本發明較佳實施例與習知的有機電激發光材料 之有機電激發光元件的電流_電壓量測圖。 20 【圖號說明】 無 27

Claims (1)

1. 200521205 拾、申請專利範圍： • 一種有機電激發光材料，包含一如 構· 戈q式（I )之結

   B 式（I)， ίο 15 其中R丨、R2、R3為各別獨立的具i至1〇個碳 取代或不取代的烷基（alkyl·)、1至10個碳原子:取^ 不取代的環烷基（cycloalkyl)、1至1〇個碳原子之取代 或不取代的烧氧基（alkyloxy)、具有6至3(M固碳原子之 取代或不取代的芳香族烴基、6至3〇個碳原子之取代或不 取代的芳香族複環基、或6至30個碳原子之取代或不取代 的芳烷基；R4、I為各別獨立的具！至1〇個碳原子之取 代或不取代的烷基（alkyl)、1至1〇個碳原子之取代或不 取代的環烷基（cycloalkyl)、腈基、或是具有6至％個 碳原子之取代或不取代的芳香族烴基、芳香族複環基或芳 烷基；Ar為芳香族烴基、噻吩(thi〇phene)、呋喃(f—或是 芳香族複環基，且Ar為具有6至3〇個碳原子之取代或不 取代的芳香族.烴基或芳香族複環基、以及麵脑沖⑽）、 呋。南(fUran);八及3為各別獨立的氫原子、具有1至⑺個 碳原子之取代或不取代的烧基、具有U 1()個碳原子之取 代或不取代的環烷基、具有丨至1〇個碳原子之取代或不取 代的鏈烯基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香 28 20 200521205 族煙基、具有6至30 環基、或具有6至30 個石反原子之取代或不取代的芳香族複 個碳原子之取代或不取代的芳烷基。 2·如申請專利範圍第 甘士 弟項所述之有機電激發光材料， 其中式（I )之化合物中^係盥Δ々。丄 Λ Ώ 你興Α或Β有鍵結或沒有鍵結， 之間係有鍵結或沒有鍵結。 3 ·如申請專利範圍第 .^ ^ _ 固乐1項所述之有機電激發光材料， 一中材料係任意選自由下列跑 歹J取代基團所組成之群組：

   10 且R6、及117係、各別獨立，具有i至1G個碳原子之取 代或不取代的燒基、6至3(3個碳原子之取代或不取代的芳 香紅經基、芳香族複環基、或芳院基。 4 ·如申請專利範 且材料為任一 圍第1項所述之有機電激發光材料， 選自由下列群組之化合物： 29 200521205

   化合物9

   化合物11

   30 200521205

   5.如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光材料’ 31 200521205 其中式（i)中所示之材料係為發光層之摻雜物。 6·如申請專利範圍第5項所述之有機電激發光材料， 其中式（1 )中所示之材料摻雜濃度係介於lwt%至30wt%之 間。 7· —種有機電激發光元件，至少包括： 一第一電極、一有機電激發光層與一第二電極依序設置 於一基板上； 其中’有機電激發光層所使用之材料包含如下式（1 )之化 合物：

   且’ Ri、R2、R3為各別獨立的具丨至⑺個碳原子之取代 或不取代的烷基（alkyl)、丨至⑺個碳原子之取代或不取 代的環烷基（CyCl〇alkyl)、丨至⑺個碳原子之取代或不取 代的烷氧基（alkyloxy)、具有6至30個碳原子之取代或不 15取代的芳香族烴基、6至3〇個碳原子之取代或不取代的芳香 私複％基、或6至30個碳原子之取代或不取代的芳烷基； R4、R5為各別獨立的具1至10個碳原子之取代或不取代的烷 基、1至10個碳原子之取代或不取代的環烷基、腈基、或是 具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族烴基、芳香族 2〇複環基或芳烷基；Ar為芳香族烴基、噻吩（thi〇phene)、呋 喃（furan)或是芳香族複環基，且Ar為具有6至3〇個碳原子 之取代或不取代的芳香族烴基或芳香族複環基、以及噻吩 32 200521205 (thiophene)、σ夫喃（furan) ; A及B係各別獨立的氫原子、具 有1至10個碳原子之取代或不取代的烷基、具有1至10個碳 原子之取代或不取代的環烷基、具有1至1 〇個碳原子之取代 或不取代的鏈烯基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的 5 芳香族烴基、具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳香族 複壤基、或具有6至30個碳原子之取代或不取代的芳烷基。

   8·如申請專利範圍第7項所述之有機電激發光元件， 其中式（I )之化合物中Ar係與A或B有鍵結或沒有鍵結 且A與B之間有鍵結或沒有鍵結。 10 A + L如申明專利範圍第7項所述之有機電激發光元件， 、中材料係任意選自由下列取代基團所組成之群組：

   其中，1及r7 係各別獨立， 具有1至10個碳原子之

   33 200521205 取代或不取代的烷基、6至30個碳原子之取代或不取代的 芳香族烴基、芳香族複環基、或芳烷基。 10.如申請專利範圍第7項所述之有機電激發光元 件，其中材料為任一選自由下列化合物所組成之群組：

   化合物7 化合物8

   34 200521205

   P Nb

   P Nb

   35 200521205

   又口甲蜎寻刊摩巳叫不，πΓ/,地機電激發光元 件：其：電洞傳輸層更包括具有芳香族烴基類取代基或 香族複環基類取代基的芳香族胺化合物、芳香族二胺化 物或疋芳香族二胺化合物，且此電洞傳輸層層之玻璃 溫度係大於l〇〇°C。 12.如申請專㈣圍第7項所述之有機電激發光元 件’其中基板係透明基板。

   13·如申凊專利範圍第7項所述之有機電激發光元 件’其中第一電極係透明電極。 14·如申明專利範圍第7項所述之有機電激發光元 件，其中夾置於第-電極與第二電極間之有機電激發光層 係一層以上之層積結構。 15·如申請專利範圍第14項所述之有機電激發光元 件其甲層積結構包含有電洞注入層、電洞傳輸層、發光 36 200521205 層、電子傳輸層、電子注入層及其組合。 16.如申請專利範圍第14項所述之有機電激發光元 件’其中層積結構之形成係以蒸錢（evap〇rati〇n )、旋轉塗 佈（spin coating )、噴墨（ink jet printing )或是印刷 5 ( Panting )方式形成於第一電極之上。 17·如申請專利範圍第14項所述之有機電激發光元 件’其中有機電激發光材料之成膜係以真空蒸鍍法、分子 線洛著法（MBE)、沉浸法、旋轉塗佈法、鑄造法（casting)、 條碼法（bar code)、滾筒塗佈法（r〇11 c〇ating)等形成。 _ 10 18·如申請專利範圍第14項所述之有機電激發光元 件，其中第二電極係以蒸鍍法、電子束鍍膜法（E_gun)或是 濺鏡法（sputtering)所形成。 19·如申請專利範圍第14項所述之有機電激發光元 件’其中第二電極之材質係鋁、鋁鋰合金、鈣、鎂銀合金、 15 銀合金或是銀等導電性材料。

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