TW200420973A - Liquid crystal display apparatus - Google Patents

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TW200420973A TW092123002A TW92123002A TW200420973A TW 200420973 A TW200420973 A TW 200420973A TW 092123002 A TW092123002 A TW 092123002A TW 92123002 A TW92123002 A TW 92123002A TW 200420973 A TW200420973 A TW 200420973A
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Description

200420973 玖、發明說明: t發明所屬^^技術領诚]1 發明背景 1·發明範圍 5 本發明係關於液晶顯示器(LCD)裝置,且更特定地關於 具有增加的反應速度及光傳輸率的LCD裝置。 【先前技術3 相關技藝之描述 一般而言,LCD裝置包括薄膜電晶體(TFT)基板,其中 10用來轉換像素的TFT形成於上,彩色濾光片基板,其中共用 電極形成於上,以及設入在Τ F T基板和彩色濾光片基板間的 液晶。LCD裝置供應電壓至形成在TFT基板及彩色濾光片基 板上的像素電極及共用電極,以便於驅動液晶且控制液晶 的光傳輸率,藉此顯示影像。 15 近來,LCD裝置廣泛地使用,且為了滿足顧客需求的 改良是強烈的,例如LCD裝置的視覺特性,顯示品質等。 為了滿足顧客的需求,已發展為具有垂直對準型(其後稱為 VA型)的LCD裝置。 VA型LCD裝置包括兩個藉由垂直對準處理的基板且液 2〇晶放入在兩個基板間並具有負型介電常數的各向導性。 假定液晶呈現-垂直排列,且當電壓沒有供應至兩個 基板時,液晶對準在實質上垂直於兩個基板之表面的方 向’藉此維持液晶在-黑色模型狀態。反之,當電壓供應 至兩個基板時,液晶對準在實質上平行於兩個液晶表面的 5 方向,藉此顯示液晶的操作在白色模型狀態。當小於供應 至兩個基板之電壓的電壓供應至液晶對準在實質上平行於 兩個基板之表Φ的兩個基板時,液晶對準在與兩個基板之 表面傾斜的方向。 第1圖係顯示傳統PVA型LCD裝置的示意圖。第2圖係 沿著第1圖所示之傳統PVA型LCD裝置之線B七,的橫截面 圖。 麥照第1及第2圖,傳統PVA型LCD裝置包括有tfT11〇 形成於上的第一基板100,有光屏蔽層21〇形成於上的第二 基板200,以及放入在第一及第二基板1〇〇和2〇〇間的液晶 (未顯示)。偏光膜(未顯示)設置在第一基板1〇〇下及第二基 板200上,以便於根據其偏光軸有選擇性地傳輸由背光總成 (未顯示)提供的光。 第一基板100包括數個實質上彼此平行的閘極線12Q, 數個貝貝上彼此平行且垂直於閘極線12〇的數據線13〇,由 閘極線及數據線120和130所限定的像素區域,以及形成在 像素區域上的像素電極140。第二基板2〇〇包括形成在光屏 蔽層210上的共用電極220。 一般而言,LCD裝置包括第一,第二及第三電極15〇,16〇 和170,以便於對準液晶在數個區域結構或在彼此不同的方 向。第一電極150形成在第一基板1〇〇上,且第二及第三電 極160和170形成在第二基板2〇〇上。 第一電極150包括第一凸出部15〇a,其以虛線乡A,為準 彼此對稱地形成且傾斜於數據線130,及第二凸出部15〇b, 其實質上平行於數據線130,以便於連接第一凸出部I50a的 端點。 第二凸出部150b完全地被形成於第二基板2〇〇上的光 井蔽層210覆盖。亦即,光屏蔽層210具有28微米的寬度, 其寬於形成在數據線130兩側之第二凸出部15牝的寬度總 ^第電極150藉由閘極絕緣層102與像素電極140絕緣, 且第一凸出部15 〇 b與數據線丨3 〇分隔約5 · 5微米的間距。 第一私極160為V形且第一和第二電極15〇和16〇彼此交 替地排列。第三電極170向内地設置在第二電極160及第二 電極的鄰近位置間並呈γ形。第二及第三電極⑽和口〇藉由 f5刀地矛夕除幵> 成於第二基板2〇〇上的共用電極22〇而形成。 第3A圖係顯示液晶之傾斜方向的示意平面圖,該液晶 位於鄰近於傳統LCD裝置之數據線的區域。第爛係顯示 偏光軸及液曰曰之傾斜方向的示意平面圖,該液晶位於鄰近 於傳統LCD裝置之數據線的區域。 〜如第3八圖所示,像素電極重叠鄰近於數據線13〇的 第二凸出部150b,以便於完全地覆蓋第二凸出部15肋。 -般而言,具有負型介電常數之各向導性的液晶相對 於偏光軸傾向約45度。^而,當電場沒有供應時,鄰近於 像素電極140之端點的液晶垂直地對準,以致於液晶維持在 黑色模型狀態300。 〜參照第3B圖,當偏光軸31〇在一電場供應至此的最初狀 ㈣’鄰近於像素電極14()之端點的液晶傾斜於相同方向, 且由於液晶沒有鄰近於像素電極14G的端點,所以鄰近於像 素龟極140之端點的液晶與偏光軸310傾斜約45度。 亦即,即使電場沒有供應至液晶,由於鄰近於像素電 極丨4〇之端點的液晶傾斜於與偏光軸31〇相同的方向,所以 損害LCD裝置的亮度。 此外,為了讓鄰近於像素電極140之端點的液晶與偏光 軸31〇呈45度傾斜,必需完成兩個階段的移動,例如排列在 與偏光軸310相同的方向,並與偏光軸31〇傾斜約45度。因 此舜卩近於像素電140之端點的液晶的傾斜過程可能變得複 雜。
C發明内容J 發明概要 本發明提供一種具有增加的反應速度及光傳輸率的 LCD裝置。 在本發明的一態樣中,LCD裝置包括第一基板,面對 第一基板的第二基板,放在第一及第二基板間的液晶,光 發射單元,其設置在第二基板下且供應光至第一及第二基 板,以及偏光膜,其具有用來可擇地傳輸光的偏光軸,並 分別地設置在第一基板之頂表面及第二基板的底表面上。 第二基板包括數個閘極線,其延伸於第_方向並排列 在貫質上垂直於第-方向的第二方向’數個與閘極線相交 的數據線,數個像素區域,其具有㈣輯及數據線所限 定的V形’具有V形的第—電極,其形成在像素區域且鄰近 於數據線,該輯線在第―電極形成於上的像素區域間對 應至-現存像素區域,具有V形的第二電極,其形成在像素 ^420973 區域且鄰近於數據線,該數據線在像素區域間對應至先前 像素區域,且像素電極形成在像素區域。 在本發明的另一態樣中,LCD裝置包括第一基板,面 對第-基板的第二基板,放人在第—基板及第二基板間的 液晶,光發射單元,其放置在第二基板下且供應光至第_ 及第二基板,以及偏光膜,其具有用來可擇地傳輪光的偏 光轴,其分別地設置在第-基板的頂表面及第二基板的底 表面。 10 15 第二基板包括數個閘極線,其延伸於第一方向且排列 在實質上垂直於第—方向的第二方向,數個與閉極線相交 的數據線,以及數個像素區域,其具有㈣極線及數據線 所限定的V形’具有V形的第__電極’其形成在像素區域且 鄰近於數據線,該數據線在第-電極形成於上的像素區域 間對應至現存像素d域,以便於部分地覆錄錢域具 有幵7的第一电極,其形成在像素區域且鄰近於數據線該 數據線在像魏域崎應至切像素_,⑽於部分地 覆蓋像素區域,且像素電極部分地重疊於第—及第二電極。 20 二 …㈣冬發明的LCD裝置,…復盍第—及第一电 形成在第-電極上之光屏㈣的寬度及位於第—及第二 距❹,藉切加LCD裝㈣傳輸率及反應速肩 圖式間單說明 本發明的上述和其他優點將參照下料細的描述較佳 ,、體貫施例連同伴隨的圖式而變得顯而易見,其中: 第1圖係顯示傳統PVA型LCD褒置的平面示意圖 9 200420973 第2圖係頒不沿著第i圖所示之傳統裝置之 線B-B’的橫截面圖; 第3A圖係顯示液晶之傾斜方向的示意平面圖,該液晶 位於鄰近於如第1圖所示之傳統LCD裳置之數據線的區域; 5 第3B圖係顯示偏光軸及液晶之傾斜方向的示意平面 圖’該液晶位於鄰近於如以圖所示之傳統LCD裝置之數據 線的區域; 第4圖係顯示根據本發明典型具體實施例之LCD裝置 的平面圖; 10 第5圖係顯示沿著如第4圖所示之£^£)裝置之線C-C, 的橫截面圖; 第6圖係顯示如第4圖所示之本發明另一典型具體實 施例之金屬圖案的平面圖; 第7A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本發 15明典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰近於數 據線的一區域上; 第7B圖係顯示偏光軸及液晶之排列方向的平面圖,在 根據本發明典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在 鄰近於數據線的一區域上;
2〇 第8圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之LCD 装置的平面圖; 第9圖係顯示如第8圖所示之LCD裝置的橫截面圖; 第10A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本 發明另一典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰 10 200420973 近於數據線的一區域上; 第10B圖係顯示偏光軸及液晶之排列方向的平面圖, 在根據本發明另一典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶 設置在鄰近於數據線的一區域上; 5 第11圖係顯示LCD裝置及傳統LCD裝置之耦合電容器 之變動數值的曲線圖; 第12圖係顯示電壓及傳輸率間關係的曲線圖; 第13圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之 LCD裝置及傳統LCD裝置之數據線開口率的曲線圖; 10 第14A圖係顯示傳統LCD裝置之晶體顯現之區域的平 面圖; 第14B圖係顯示根據本發明典型具體實施例之LCD裝 置之晶體顯線之區域的平面圖; 第15圖係顯示如第14A圖示之傳統LCD裝置之晶體區 15 域的平面圖; 第16圖係顯示位於電極之間距及傳輸率間關係的曲 線圖; 第17圖係顯示位於電極之間距及反應時間間關係的 曲線圖。 20 【實施方式】 本發明之詳細說明 第4圖係顯示根據本發明典型具體實施例之LCD裝置的平 面圖。第5圖係顯示沿著如第4圖所示之LCD裝置之線C-C’的橫 截面圖。第6圖係顯示根據如第4圖所示之本發明另一典型 11 200420973 具體實施例之金屬圖案的平面圖。 特別地,在第4圖中,將描述pva型LCD裝置的像素區 域,该LCD裝置具有不均勻的液晶排列的電極圖案。當電 %供應至液晶時,液晶與偏光軸彼此傾斜在不同方向,夢 5 此增強視覺角度特性。 曰 參照第4及第數據線5圖,根據本發明典型具體實施例 之LCD裝置包括第一基板400,第二基板5〇〇及液晶(未顯 示),其具有負型介電常數的各向導性並放入在第一及第二 基板400和5〇〇間。第一及第二基板4〇〇和5〇〇包括垂直傾斜 表面及第一,弟二和第三電極450,460和470,以便部八 地覆蓋像素區域及排列液晶穩定的在像素區域上。 第一基板400包括數個閘極線41〇,其延伸在第一方向 且排列在實質上垂直於第一方向的第二方向上。第一基板 4〇〇包括數個與閘極線41〇相交的數據線42〇。第一基板4〇〇 15另包括1^1430,其形成在閘極線及數據線410和420的相交 處,以及像素電極440,其形成在由閘極線及數據線41〇和 420限定的像素區域。 如第4圖所示,像素區域由閘極線41〇之彼此鄰近的兩 條問極線,以及數據線420之彼此鄰近的兩條數據線所限 20疋’藉此有V形彎曲在中心部。 此外’數據線420之每一具有對應至像素區域的v形。 TFT43〇包括閘極432,源極434,以及汲極436。閘極 432藉由閘極-絕緣層438而與源極及汲極434和436絕緣。 第一電極450鄰近於在數據線42〇中對應至現在的數 12 200420973 有對應至這些數據線420的V形。穿 ^ ,, 弟一及弟二電極450和460 5 據線設置’且具有㈣至這些數據線4_v形。第二電極 460鄰近於在數據線42时對應至過去的數據線設置且也具 /一、有νι 1 口此$及第一電極45〇和_與偏光膜(未顯 示)的偏光軸490呈傾斜45度。 第-電極450包含-些材料,例如金屬材料,如同第 二電極偏’且第-及第二電極彻和_成在閘極-絕緣 層438下。 10 第三電極470藉由部分地移除共用電極仙而形成,且 設置在第-及第二電極伽和偏間。特定地第三電極47〇 包括第-開口部,其從第—電極㈣的f曲部延伸一預定的 15 長度至第-方向,第二開σ部從第―開口部的—端延伸S 第二方向’及實質上相對於第二方向的第三方向且與第一 開口部傾斜—敎的坡度,以及第三開口部其從第二探 口部的-端延伸_預定長度至第二電極,且因此第三電相 470八有V形。第—開口部實質上平行於數據線働。 ,像素電極440具有對應至第-及第二電極450和460的 办像素電極44〇與第—及第二電極彻和偏間距一預定 的間距。 p特疋地,像素電極440形成在閘極-絕緣層438上且彼此 ,、第及第一電極45〇和46〇分隔一大約2至3微米的預定間 距。在此典型具體實例巾,第—電極彻與鄰近於此的數據 線侧分隔約2微米的第-間距,且第二電極460與鄰近於此 的書據、泉420刀^約2微米的第二間距。因此,位於第一電 13 極450和第二電極470間的間距τι,及位於第二及第三電極 4460和470的間距Τ2減少。 第二基板500包括光屏蔽層52〇,其設置在第二基板 500及共用電極510間以便於覆蓋第一及第二電極45〇和 460。光屏蔽層520具有相同於第一電極45〇之寬度,第二電 極460之寬度及第一和第二間距之總合的寬度。特定地,光 屏蔽層520具有約21微米的寬度。 因此,光屏蔽層520的寬度可減少,因為位於第一電 極450和數據線420間的第一間距及位於第二電極46〇和數 據線420間的第二間距減少。此外,雖然鄰近於像素電極44〇 之約從2至3微米的區域沒有藉由光屏蔽層52〇覆蓋,但由於 光屏蔽層520具有適於用來覆蓋第一及第二電極45〇和46〇 的寬度,所以可避免晶體及兩個階段的移動。 在此典型的具體實施例中,像素電極44〇沒有重疊於 第一及第二電極450和460,因此,金屬圖案48〇分別地形成 在像素電極440的頂部,其鄰近於像素電極44〇的中心部。 金屬圖案480作為儲存電容器Cst的上電極,且對應至金屬 圖案480的像素電極44〇部分地作為儲存電容器cst的下電 才亟° 參知、第6圖,作為儲存電容器Cst之上電極的金屬圖案 可形成在鄰近於閘極線410的區域。 在金屬圖案480形成於像素區域之中心部的例子中, 如第4圖所示,像素區域具有約百分之四十五的開口率,且 在金屬圖案480形成於鄰近閘極線41〇之區域的例如中,像 200420973 素區域具有約百分之四十八的開口率。 第7A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本發 明典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰近於數 據線的一區域上。第7B圖係顯示偏光軸及液晶之排列方向 5的平面圖,在根據本發明典型具體實施例之LCD裝置中, 該液晶設置在鄰近於數據線的一區域上。 如第7A及第7B圖所示,像素電極44〇與鄰近於數據線 410之第一及第一電極450和460分隔一預定的間距。 鄰近於像素電極440之邊緣的液晶維持在黑色模型狀 10悲7GG,其為當電場沒有施加至此時,液晶垂直地傾斜。當 電%施加至液晶時,液晶72〇與偏光軸71〇傾斜約度。 第8圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之咖 裝置的平面圖。第9圖係顯示如第8圖所示之LCD裝置的橫 截面圖。 15 20 域。
參知第8及第9圖,根據本發明另一典型具體實_^ LCD裳置包括第_基板_,第二基板9⑽,液晶(未顯示) 其具有負型介電常數的各向導性且放人在第—及第二幻 間’以及第—’第二及第三電咖,請和請 =便於部分地覆蓋像素區❹穩定的排舰晶在像素G 第-基板_包括數個閘極線⑽,其延伸於第—方向 列在實質上垂直於第一方向的 =數個與閘極_相交的數據線 ; 冓形中形成在閘極線840與數據線850的相交處。 15 200420973 第-基板800另包括-形成在像素區域的像素電極_。 如第8圖所示,像素區域由問極線84〇中彼此鄰近的兩 條閘極線,及數據線850中彼此鄰近的兩條數據線所限定, 藉此具有V形彎曲在中心部。 5 糾,數據線85G之每—具有對應至像素區域的V形。 在第8圖中,相同的參照數字表示第4圖中的相同元 件,且因此相同元件的詳細描述將省略。 第一電極810鄰近於在數據線85〇中對應至現在狀態 的數據線設置,且具有對應至這些數據線85〇的V形。第二 1〇電極82_近於在數據線㈣帽應至過錄_數據線設 置,且也具有對應至這些數據線85〇的¥形。第一及第一電 極810和820具有V形,且因此第一及第二電極81G和82〇與偏 光膜(未顯示)的偏光軸490呈傾斜45度。 第三電極830包含一些材料,例如金屬材料,如同第 15二電極820,且第—及第二電極⑽和咖形成在 層438下。 緣 第三電極830藉由部分地移除共用電極91〇而形成,且 叹置在第一及第二電極81〇和82〇間。特定地,第三電極幻〇 包括第一開口部,其從第一電極450的彎曲部延伸一預定的 20長度至第-方向且實質上平行於數據線84〇。第三電極㈣ 也包括第二開口部,其從第一開口部的-端延伸至第二方 =,及實質上相對於第二方向的第三方向且與第_開口部 ,斜-預定的坡度,第三電極謂另包括第三開口部,其從 弟二開口部的一端延伸一預定長度至第二電極,且因此第 16 -包極83〇具有ν形。第二開口部實質上平行於數據線請。 像素電極860具有對應至第一及第二電極810和820的 V形。傻去_ ,、電極860形成在閘極-絕緣層438上且部分地重疊 於第—及第二電極810和820。 且 特定地,像素電極440依據從約2至3微米的寬度重疊 於第^ 久弟二電極810和820。在此典型具體實施例中,第 電極810與鄰近於此的數據線850分隔約2微米的第一間 ,,且第二電極820與鄰近於此的數據線420分隔約2微米的 第二間距。 1〇 因此,第一及第二電極810和820具有V形,且與偏光 膜(未顯示)的偏光軸87〇傾斜約45度。 儲存電容器形成在一區域,該區域為像素電極86〇部 分地重疊於第一及第二電極810和820的地方。像素電極86〇 部分地包括第一及第二電極81〇和82〇作為儲存電容器的上 15電極,且第一及第二電極810和820作為儲存電容器的下電 極0 因此,位於第一電極81〇和第三電極830間的間距乃以 及位於第二電極82 0和第三電極8 3 〇間的間距τ 4可減少。 弟一基板900包括設置在第二基板9〇〇及共用電極91〇 20間以便於覆蓋第一及第二電極810和820的光屏蔽層920。光 屏蔽層920具有相同於第一電極81〇之寬度,第二電極82〇之 寬度及第一和第二間距之總合的寬度。特定地,光屏蔽層 920具有約21微米的寬度。 因此’光屏蔽層920的寬度可減少,因為位於第一電 17 極810和數據線850間的第一間距及位於第二電極82〇和數 據線850間的第二間距減少。此外,雖然鄰近於像素電極86〇 之約從2至3微米的區域沒有藉由光屏蔽層920覆蓋,但由於 光屏蔽層920具有適於用來覆蓋第一及第二電極81〇和82〇 的寬度,所以可避免晶體及兩個階段的移動。 第10A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本 發明另一典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰 近於數據線的一區域上。第10B圖係顯示偏光軸及液晶之排 列方向的平面圖’在根據本發明另一典型具體實施例之 LCD裝置中,該液晶設置在鄰近於數據線的一區域上。 如第10A和第10B圖所示,像素電極86〇部分地重疊鄰 近於數據線850的第一及第二電極810和820。 鄰近於像素電極860之邊緣的液晶維持一黑色模型狀 悲’其為當電場沒有施加於此時液晶垂直地排成一直線。 當電場施加至液晶時,液晶1020與偏光軸1〇1〇呈約45度傾 斜。 此後,根據本發明典型具備實施例之LCD裝置的操作 特性將參照伴隨之圖式描述於下文中。 根據如第4至第9圖所顯示之典型具體實施例的L c D 裝置可減少出現在其顯示螢幕上的顯示缺點。 出現在垂直方向之顯示缺點的增加與由數據線重疊 鄰近於數據線之像素電極所產生之耗合歧之變動數值的 增加成比例。 亦即,在第2,第5和第9圖中,例如,當像素電極140,440 200420973 和860漸漸地朝向數據線π〇,420和850移動時,在赵4 仕敌據線 130,420和850後的-2,-1,〇,1和2微米分別地固定至第〜 100,400和800’數據線130,420和850分別地重叠於像专恭 140,440和860以藉此產生耗合電容器。 5 第11圖係顯示LCD裝置及傳統LCD裝置之耦合電容关 之變動數值的曲線圖。 °° 芩照第11圖,第一曲線(a)表示耷傳統LCD裝置中耦八 電容器的變動數值,且第二曲線(b)表示在根據本發明典型 具體實施例之LCD裝置中耦合電容器的變動數值。在此典 型具體實施例中,根據具有TN(扭轉向列)型LCD裝置之輕 合電容器的變動數值相同於第二曲線(b)。 在第11圖中,由第二曲線(b)表示之根據本發明典型具 體實施例之LCD裝置之耦合電容器的變動數值異常地小於 由第一曲線(a)表示之傳統LCD裝置之耦合電容器的變動數 值。因此,其將有助於出現在螢幕上之顯示缺點的減少。 一根據本發明典型具體實施例之p VA型裝置具有代表 v-τ(電壓-傳輸)的陡峭曲線,其大於傳統1^型1^〇裝置。 亦即,由於PVA型LCD裝置具有位於灰階間的電壓間距, 其小於TN型LCD裝置的電壓間距,所以顯示缺點可垂直地 20 出現於上。 第12圖係顯示電壓及傳輸率間關係的曲線圖。在第12 圖中,第一曲線(a)表示位於TN型LCD裝置之電壓及傳輸率 間的關係,且第二曲線(b)表示位於pva型lcd裝置之電壓 及傳輪率間的關係。 19 200420973 如弟12圖所示,PVA型LCD裝置的ν_τ斜率約大於tn 型LCD裝置之V-T斜率的三倍。 因此,當PVA型LCD裝置之耦合電容器的變動數值不 再疋TN型LCD裝置之麵合電谷裔的變動數值的三倍且pva 5型和1^型1^〇裝置具有彼此相同的像素結構時,垂直地出 現在PVA型LCD裝置之顯示螢幕上的顯示缺點的可能比率 實質上相同於TN型LCD裝置。 此外,根據本發明那些典型具體實施例2LCD裝置可 減少光屏蔽層的寬度。此外,其移除用於儲存電容器的金 10屬圖案且增加液晶與偏光膜之偏光軸傾斜約45度的部分, 以致於LCD裝置與傳統LCD裝置比起來可具有較高的傳輸 率。 如第5及第9圖所示,根據本發明典型具體實施例之 LCD裝置包括第一電極45〇和81〇及第二電極46〇和82〇,其 15等與數據線420和85〇間隔約2微米的間距。此外,鄰近於第 一電極450和810及第二電極46〇和82〇之端點從約2至3微米 的區域不需要藉由光屏蔽層520和920覆蓋。因此,光屏蔽 層520和920具有約21微米的寬度。 此外’根據本發明典型具體實施例的LCd裝置包括部 刀地重宜於像素電極86〇的第一及第二電極81〇和92〇,及形 成在重區域上的儲存電容器,藉此移除用於儲存電容器 的個別金屬圖案。 根據傳統的LCD裝置,第二凸出部150b與數據線130 分隔約5·5微米的間距,且光屏蔽層210具有大於如第2圖所 20 200420973 不之第二凸出部150b的寬度,以致於晶體或兩個階段的移 動。亦即,傳統LCD裝置的光屏蔽層210具有約28微米的寬 第13圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之 5 LCD裝置及傳統LCD裝置之開口率的曲線圖。 參妝第13圖,根據本發明另一典型具體實施例的[CD 衣置具有大於傳統LCD裝置之開口率(b)的開口率(a)。 在此典型具體實施例中,當LCD裝置具有約19吋的顯 示尺寸日守,LCD裝置具有開口率大於當lcd裝置具有17忖 10之顯不尺寸的增加部分。這是因為像素孔距感應位於電極 間的間距。 例如在像素孔距大於120微米的例如中,位於電極間 的間距大26微米,即使-個像素區域藉由共用電極被分割 為兩個開口部。因此,用來驅動像素電極之驅動信號的反 15應速率會延遲且LCD裝置的操作效益會降低。因此,在像 素孔距大12G微米的區域中,液晶不會與偏絲傾斜約衫 度’且因此一個像素區域被分割為四個開口部。 在此典型具體實施例中,位於電極間的間距表示位於 第一及第三電極810和830間的間距T3或位於第二及第三電 20極820和830間的間距丁4。此外,在像素孔距為旧的例子 中,位於第一及第三電極81〇和83〇間的間距乃及位於第二 及第三電極820和830間的間距丁4約17 3微米。在 為19忖的例子中,位於第一及第三電極㈣和㈣間的間距 T3及位於第二及第三電極82〇和83〇間的間距以約以微米。 21 200420973 在像素孔距為22吋的例子中,位於第一及第三電極81〇和 830間的間距T3及位於第二及第三電極82〇和83〇間的間距 T4約29微米。 一般而言,在PVA型LCD裝置中,以暗色顯示的晶體 5可出現在次-像素的邊緣,次像素由形成在像素區域上的電 極所分割而成,藉此損害次-像素之邊緣的傳輸率。 第14A圖係顯示傳統LCD裝置之晶體顯現之區域的平 面圖。第14B圖係顯示根據本發明典型具體實施例之乙口^裝 置之晶體顯線之區域的平面圖。第15圖係顯示如第14A圖示 10之傳統LCD裝置之晶體區域的平面圖。第16圖係顯示位於 電極之間距及傳輸率間關係的曲線圖。 如第14A和14B圖所示,根據本發明典型具體實施例之 LCD裝置所出現之晶體的區域約11〇3微米,而傳統1^£)裝 置所出現之晶體的區域約2691微米。亦即,LCD裝置所出 15現之晶體的區域小於傳統LCD裝置所出現之晶體的區域的 一半’藉此增加排列在與偏光膜之偏光軸呈45度之液晶的 比率。 當傳統LCD裝置的偏光軸旋轉在約45度的地方,晶體 出現的區域以白色顯示,如第15圖所示。 20 如第16圖所示,當位於電極間的間距減少時,PVA型 LCD裝置的傳輸率增加。亦即,根據本發明典型具體實施 例之PVA型LCD裝置與傳統LCD裝置比起來有增進的傳輸 率,因此PVA型LCD裝置可減少位於電極間的間距。 如上所述,根據這些典型具體實施例iLCD裝置與傳 22 200420973 統LCD裝置比起來具有增進的反應速度。亦即,根據這些 典型具體實施例之LCD裝置可減少一增加的時間’此時間 為需要產生一施加至TFT43 0之閘極432的閘極-開啟信號’ 直到閘極-開啟信號達到一預定的電壓標準的時間,藉此增 5 進反應速度。 為了增進PVA型LCD裝置的反應速度,兩個階段移動 出現的區域及位於電極間的間距必需減少。 兩個階段移動所出現的區域相同於晶體出現的區 域,如第14A和14B圖所示。因此,根據本發明這些典型具 10 體實施例之LCD裝置所出現之兩個階段移動的區域小於傳 統LCD裝置所出現之兩個階段移動之區域的一半。 此外,根據本發明這些典型具體實施例的LCD裝置與 傳統L C D裝置比起來可減少位於電極間的間距。 第17圖係顯示電極之間距及反應時間之關係的曲線 15 圖。 在第17圖中,第一曲線(a),第二曲線(b)及第三曲線 分別地代表閘極-開啟信號減少的時間,閘極-開啟信號增加 的時間及閘極•開啟信號減少和增加之時間的總合。 如第17圖所示,當位於電極間的間距減少,反應時間 20 即增加時間也減少。 如前所述’根據本發明這些典型具體實施例之LCD裝 置的數據線具有V形且電極與偏光膜的偏光轴傾斜約45 度。此外’形成在像素區域的像素電極與電極分隔或部分 地重疊於電極。 23 200420973 因此,由於數據線和像素電極,耦合電容器的變動數 值可減少,藉此避免垂直出現在顯示螢幕上的顯示缺點。 在根據本發明這些典型具體實施例的LCD裝置中,位 於數據線及鄰近於數據線之兩側設置的電極間的間距減 5少。此外,當電場供應至液晶時,設置在鄰近於像素電極 之端點約從2至3微米之區域的液晶與偏光膜的偏光軸傾斜 約45度。因此,光屏蔽層不需要覆蓋鄰近於數據線之兩側 設置的電極,以致於光屏蔽層的寬度可減少且Lcd裝置的 傳輸率增加。 10 除此之外,由於電極及像素電極彼此重疊,根據本發 明這些典型具體實施例的LCD裝置可移除用於儲存電容器 的金屬圖案,藉此增加傳輸率。 此外,根據本發明這些典型具體實施例的LCD裝置可 減少出現在像素電極之端點上的晶體的區域,因為電極與 15 偏光膜的偏光軸傾斜約45度,藉此增加傳輸率。 此外,在根據本發明這些典型具體實施例的LCD裝置 中,兩個階段移動所出現的區域及位於電極間的間距減 少’以致於增加的時間減少且反應時間增加。 惟以上所述者,僅為本發明之典型實施例而已,當不 20能以此限定本發明實施之範圍,即大凡依本發明申請專利 範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修飾,皆 應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 C圖式簡單說明3 24 200420973 第1圖係顯示傳統PVA型LCD裝置的平面示意圖 第2圖係顯示沿著第1圖所示之傳統p VA型L c D裝置之 線B_B’的橫截面圖; 第3A圖係顯示液晶之傾斜方向的示意平面圖,該液晶 5 位於鄰近於如第1圖所示之傳統LCD裝置之數據線的區域; 第3B圖係顯示偏光軸及液晶之傾斜方向的示意平面 圖’該液晶位於鄰近於如第1圖所示之傳統LCD裝置之數據 線的區域; 第4圖係顯示根據本發明典型具體實施例之L C D裝置 10 的平面圖; 第5圖係顯示沿著如第4圖所示之LCD裝置之線C-C, 的橫截面圖; 第6圖係顯示如第4圖所示之本發明另一典型具體實 施例之金屬圖案的平面圖; 15 第7A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本發 明典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰近於數 據線的一區域上; 第7B圖係顯示偏光軸及液晶之排列方向的平面圖’在 根據本發明典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在 20 鄰近於數據線的一區域上; 第8圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之LCD 裝置的平面圖; 第9圖係顯示如第8圖所示之LCD裝置的橫截面圖; 第10A圖係顯示液晶之排列方向的平面圖,在根據本 25 200420973 發明另一典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶設置在鄰 近於數據線的一區域上; 第10B圖係顯示偏光軸及液晶之排列方向的平面圖, 在根據本發明另一典型具體實施例之LCD裝置中,該液晶 5 設置在鄰近於數據線的一區域上; 第11圖係顯示LCD裝置及傳統LCD裝置之耦合電容器 之變動數值的曲線圖; 第12圖係顯示電壓及傳輸率間關係的曲線圖; 第13圖係顯示根據本發明另一典型具體實施例之 10 LCD裝置及傳統LCD裝置之開口率的曲線圖; 第14A圖係顯示傳統LCD裝置之晶體顯現之區域的平 面圖; 第14 B圖係顯示根據本發明典型具體實施例之L C D裝 置之晶體顯線之區域的平面圖; 15 第15圖係顯示如第14A圖示之傳統LCD裝置之晶體區 域的平面圖; 第16圖係顯示位於電極之間距及傳輸率間關係的曲 線圖; 第17圖係顯示位於電極之間距及反應時間間關係的 20 曲線圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 100 第一基板 102 閘極絕緣層 110 TFT 120 閘極線 26 200420973 130 數據線 140 像素電極 150 第一電極 150a 第一凸出部 150b 第二凸出部 160 第二電極 170 第三電極 200 第二基板 210 光屏蔽層 220 共用電極 300 黑色模型狀態 310 偏光轴 400 第一基板 410 閘極線 420 數據線 430 TFT 432 閘極 434 源極 436 沒極 438 閘極-絕緣層 440 像素電極 450 第一電極 460 第二電極 470 第三電極 480 金屬圖案 490 偏光轴 500 第二基板 510 共用電極 520 光屏蔽層 700 黑色模型狀態 710 偏光轴 720 液晶 800 第一基板 810 第一電極 820 第二電極 830 第三電極 840 閘極線 850 數據線 27 200420973 860 像素電極 870 偏光軸 900 第二基板 910 共用電極 920 光屏蔽層 1010 偏光車由 1020 液晶 28

Claims (1)

  1. 200420973 拾、申請專利範圍: 1·一種液晶顯示裝置,其包含: 一第一基板; * —第二基板,其具有數個延伸在第-方向且排列在實 二上:直於该弟一方向之第二方向的閘極線,數個與閘極 、’目又的數據線’數個具有由祕線及數據線所界定的V :=象素區域,被形成在像素區域中且鄰近於—數據線且 ίο 第有=的第4極’該數據線在像素區財係對應於該 $極被形成於上的現雜素區域,被 中且鄰近於-數據線且具有V形的第二電極,該數象= 像素區域中#對庫於# Μ 據線在 區域, “二電極獅纽上的先前像素 液晶,其被放入在第一及第二基板間; 15 Μ-光發射單元,其設在第三基板下方且用來供 第一及第二基板;及 ^ 一偏光膜,其具有用來可選擇性地傳輸光的偏光軸, 該偏光膜分別地設置在第-基板的頂表面及第二基板的 底表面上。 20 2八如申請專利範圍第丨項之液晶顯示裝置,其中該液晶包 含負型介電常數的各向導性。 3从如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該第一及 第二電極與偏光軸傾斜#度。 I如申請專利範圍第!項之液晶顯示裝置,其中該第一基 板包含: 1 29 200420973 一光屏蔽層,其形成在第一基板上且具有相同於第 一電極在第二方向之寬度,第二電極在第二方向之寬度及 位於第一及第二電極間之間距的總合寬度,以便於覆蓋第 一及第二電極; 5 一共用電極,其形成在光屏蔽層上; 其中該共用電極包括第三電極部,其具有從第一電 極之彎曲部以一預定的長度延伸至第一方向的第一開口 部,從第一開口部之端點延伸至第二方向及實質上相對於 第二方向之第三方向且與第一開口部傾斜一預定斜度的 10 第二開口部,以及從第二開口部之端點以一預定長度延伸 至第二電極的第三開口部,第三電極部具有Y形且藉由部 分地移除共用電極來形成。 5.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該像素電 極與第一及第二電極間隔一第一間距。 15 6.如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置,其中該第一間 距為2微米至3微米。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該像素電 極部分地重疊於第一及第二電極。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置,其中位於像素 20 電極及第一和第二電極間的重疊寬度為2至3微米。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中該第二基 板另包含用於儲存電容器的金屬圖案。 10. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置,其中該金屬圖 案鄰近於第一及第二電極形成或設置在具有V形及預定 30 200420973 見度之像素區域的彎曲部上。 喰和1:,執圍第1項之液晶顯示裝置,其中位於數據 1極間的第二間距及位於數據線和第二電極間 的弟三間距為2微米。 12·種液晶顯示裝置,其包含·· 一第一基板; ^ 一弟二基板,其具有數個延伸在第一方向且排列在實 、 ;第方向之苐一方向的閘極線,數個數據 ίο 線’其與閘極線相交,數個像素區域,其具有由閘極線 及數據線所限定的V形,具有V形的第一電極,其形成在 像素區域上且鄰近於數據線,該數據線在第_電極形成 於上的像素區域中對應於現存像素區域,以便於部分地 覆蓋像素區域,具有V形的第二電極,其形成在像素區域 15 上且鄰近於數據線,該數據線在像素區域中對應於先前 像素區域,以便於部分地覆蓋像素區域,以及像素電極, 其形成在像素區域上且第一和第二電極分隔一第_間 距; 液晶,其放入在第一及第二基板間; 一光發射單元,其設置在弟一基板下且用來供應光至 第一及第二基板;及 一偏光膜,其具有用來玎擇地傳輸光的偏光軸,該偏 光犋分別地設置在第一基板的頂表面及第二基板的底表 面上。 13·如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置,其中該 31 200420973 液晶包含負型介電常數的各向導性,且第一及第二電極 與偏光軸傾斜45度。 14. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置,其中第 一基板包含: 5 一光屏蔽層,其形成在第一基板上且具有相同於第 一電極在第二方向之寬度,第二電極在第二方向之寬度 及位於第一及第二電極間之間距的總合寬度,俾以覆蓋 第一及第二電極; 一共用電極,其形成在光屏蔽層上; 10 其中該共用電極包括第三電極部,其具有從第一電 極之彎曲部以一預定的長度延伸至第一方向的第一開口 部,從第一開口部之端點延伸至第二方向及實質上相對 於第二方向之第三方向且與第一開口部傾斜一預定斜度 的第二開口部,以及從第二開口部之端點以一預定長度 15 延伸至第二電極的第三開口部,第三電極部具有Y形且 藉由部分地移除共用電極來形成。 15. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置,其中該 第二基板另包含一用於儲存電容器的金屬圖案,該金屬 圖案從第一電極的彎曲部延伸至第二電極的彎曲部,且 20 鄰近於第一及第二電極的端點形成或設置在具有V形和 預定寬度之像素區域的彎曲部上。 16. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置,其中該 第一間距為2至3微米。 17. —種液晶顯示裝置,其包含: 32 200420973 一第一基板; 質上:弟二基第板’其包括數個延伸在第-方向且排列在實 線,其與閘方^之第二方向的閘極線,數個數據 ^ 泉相父,及數個像素區域,1且右aμ托 線及數據線所心β具有由閘極 在像素區域上且鄰Γ v形的第—電極,其形成 且一近於數據線,該數據線在第一電極形 地舜H像素區域巾對應於現存像素11域,以便於部分 ^素區域’具有V形的第二電極,其形成在像素區 ίο 15 二且㉝近於數據線,魏據線在像素區域巾對應於先 則像素區域’以便於部分地覆蓋像素區域,以及像素電 極’其部分地重疊於第_及第二電極; 液晶,其放入在第一及第二基板間; 光發射單元,其設置在第二基板下且用來供應光至 第一及第二基板;以及 一偏光膜,其具有用來可擇地傳輸光的偏光軸,該 偏光膜分別地設置在第—基板的頂表面及第二基板的底 表面上0 18.如申請專利範圍第17項所述之液晶顯示裝置,其中該 液晶包含負型介電常數的各向導性,且第一及第二電極與 2〇 偏光軸傾斜45度。 19·如申請專利範圍第17項所述之液晶顯示裝置,其中該 第一基板包含; 一光屏蔽層,其形成在第一基板上且具有相同於第 一電極在第二方向之寬度,第二電極在第二方向之寬度 33 200420973 及位於第一及第二電極間之間距的總合的寬度,以便於 覆蓋第一及第二電極;以及 一共用電極,其形成在光屏蔽層上; 其中該共用電極包括第三電極部,其具有從第一電 5 極之彎曲部以一預定的長度延伸至第一方向的第一開口
    部,從第一開口部之端點延伸至第二方向及實質上相對於 第二方向之第三方向且與數據線傾斜一預定斜度的第二開 口部,以及從第二開口部之端點以一預定長度延伸至第二 電極的第三開口部,第三電極部具有Y形且藉由部分地移除 10 共用電極來形成。 20.如申請專利範圍第17項所述之液晶顯示裝置,其中位 於像素電極及第一和第二電極間之重疊寬度為2至3微米。 34
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