TH84101A - ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ ที่มีชั้นด้านนอกที่เป็นโพลีเมอร์และกระบวนการสำหรับการผลิตของสิ่งเหล่านี้ - Google Patents

Abstract

DC60 (03/07/49) การประดิษฐ์นี้จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตของตัวเก็บประจุชนิด อิเล็กโตรไลท์ ที่มีความต้านทานแบบอนุกรมชนิดอิควิวาเลนท์ที่ต่ำ และกระแสตกค้างที่ต่ำ , และซึ่งประกอบด้วยอิเล็กโตรไลท์ที่เป็นของแข็งของโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ และชั้นด้านนอก ซึ่งประกอบด้วยโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ที่ถูกประยุกต์ใช้ในรูปแบบของสารกระจายตัว ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ ที่ถูกผลิตโดยกระบวนการนี้ และการใช้ของตัวเก็บประจุชนิด อิเล็กโตรไลท์ดังกล่าวนี้ จะถูกจัดให้มีอีกด้วย การประดิษฐ์นี้จะเกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตของตัวเก็บประจุชนิด อิเล็กโตรไลท์ ที่มีความต้านทานแบบอนุกรมชนิดอิควิวาเลนท์ที่ต่ำ และกระแสตกค้างที่ต่ำ , และซึ่งประกอบด้วยอิเล็กโตรไลท์ที่เป็นของแข็งของโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ และชั้นด้านนอก ซึ่งประกอบด้วยโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ที่ถูกประยุกต์ใช้ในรูปแบบของสารกระจายตัว ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ ที่ถูกผลิตโดยกระบวนการนี้ และการ ใช้ของตัวเก็บประจุชนิด อิเล็กโตรไลท์ดังกล่าวนี้ จะถูกจัดให้มีอีกด้วย

Claims (3)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 03/05/2562 ไม่มีข้อถือสิทธิ ---------- ------01/06/2561------(OCR) หน้า 4 ของจำนวน 4 หน้า 2 0. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ที่ถูกผลิตโดยกระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 2 1. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ซึ่งความหนาของชั้นเฉลี่ยของ ชั้นด้านนอกที่เป็นโพลีเมอร์ คือ 1-100 ไมโครเมตร 2 2. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ซึ่งตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตร- ไลท์มีประจุจำเพาะมากกว่า 10,000 ไมโครคูลอมบ์/กรัม, ที่อยู่บนพื้นฐานของน้ำหนักของลำตัว อิเล็กโทรดที่ถูกปกคลุมด้วยไดอิเล็กทริก 2 3. วงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ------------ 1. กระบวนการสำหรับการผลิตของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ ในที่ซึ่งลำตัวของ ตัวเก็บประจุ (1) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย ลำตัวอิเล็ก โทรดที่เป็นรูพรุน (2) ของวัสดุอิเล็กโทรด , ไดอิเล็กทริก (3) ซึ่งจะปกคลุมพื้นผิวของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ , อิเล็กโตร ไลท์ที่เป็นของแข็ง (4) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วยวัสดุที่เป็นตัวนำไฟฟ้า , ซึ่งจะปกคลุมพื้นผิว ไดอิเล็กทริกอย่างสมบูรณ์ หรือ เป็นบางส่วน , ถูกประยุกต์ใช้ด้วยสารกระจายตัว a) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย อนุภาค b) ของโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำไฟฟ้า ซึ่งประกอบด้วยโพลีอะนิลีนที่อาจเลือกให้ ถูกแทนที่อย่างน้อยหนึ่งชนิด และ/หรือ โพลีไธโอฟีนอย่างน้อยหนึ่งชนิด ที่มีหน่วยที่เกิดซ้ำที่มี สูตรทั่วไป (I) หรือ ที่มีสูตร (II) หรือ หน่วยที่เกิดซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) และ (II) (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ซึ่ง A แสดงถึง อนุมูล C1-C5-แอลคิลีน ที่อาจเลือกให้ถูกแทนที่ , R แสดงถึง อนุมูล C1-C18-แอลคิล ที่อาจเลือกให้ถูกแทนที่ ชนิดเชิงเส้น หรือ ที่มีกิ่ง , อนุมูล C5-C12- ไซโคลแอลคิลที่อาจเลือกให้ถูกแทนที่ , อนุมูล C6-C14 แอริล ที่อาจเลือก ให้ถูกแทนที่ , อนูมุล C7-C18-อะแรลคิล ที่อาจเลือกให้ถูกแทนที่ , อนุมูล C1-C4- ไฮดรอกซีแอลคิล ที่อาจเลือกให้ถูกแทนที่ หรือ อนุมูลไฮดรอกซิล , x แสดงถึง จำนวนเต็มจาก 0 ถึง 8 และ ในกรณี ซึ่งอนุมูล R หลายอนุมูล ถูกทำให้เกิดพันธะกับ A, สิ่งเหล่านี้จะสามารถเหมือนกัน หรือ แตกต่างกัน , และสารประสาน c) และสารช่วยกระจายตัว d), และสำหรับการสร้างขึ้นของชั้นด้านนอกที่เป็น โพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำไฟฟ้า , สารช่วยกระจายตัว d) จะถูกจัดออกอย่างน้อยเป็นบางส่วน และ/หรือ สารประสาน c) จะถูกบ่ม , ซึ่งอนุภาค b) ของโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ในสารกระจายตัว a) จะมี เส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยจาก 70-500 นาโนเมตร 2. การบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งค่า d10 ของการกระจายของเส้นผ่าศูนย์กลาง ของอนุภาค b) ของโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ในสารกระจายตัว a) จะมากกว่า 50 นาโมเมตร และค่า d90 ของการกระจายของเส้นผ่าศูนย์กลางของอนุภาค จะน้อยกว่า 600 นาโมเมตร 3. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่ง โพลีไธโอฟีนในสารกระจายตัว a) คือ โพลี(3,4-เอทธิลีน ไดออกซีไธ โอฟีน) 4. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งสารกระจายตัว a) จะประกอบเพิ่มเติมด้วย แอน ไอออนที่เป็นโพลีเมอร์อย่างน้อยหนึ่งชนิด 5. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งแอน ไอออนที่เป็น โพลีเมอร์ คือ แอน ไอออนของคาร์บอกซิลิก หรือ ซัลโฟนิก แอซิดทีเป็น โพลีเมอร์ 6. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งสารประสาน c) ที่มีอยู่ในสารกระจายตัว a) คือ สารประสานชนิดอินทรีย์ที่เป็น โพลีเมอร์ 7. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งสารประสาน a) จะประกอบด้วย ตัวทำละลายชนิดอินทรีย์, น้ำ หรือ ของผสมของสิ่งเหล่านี้ ในฐานะสารช่วยกระจายตัว d) 8. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งสารประสาน a) จะประกอบเพิ่มเติมด้วย สารเชื่อมขวาง และ/หรือ สารที่ออกฤทธิ์กับพื้นผิว และ/หรือ สารเติมแต่งเพิ่มเติม 9. การบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 8 ซึ่งสารกระจายตัว a) จะประกอบด้วย สารประกอบที่มีหมู่อีเธอร์, แลคโทน, เอไมด์ หรือ แลคแทม, ซัลโฟน, ซัลฟอกไซด์, น้ำตาล, อนุพันธ์ของน้ำตาล, ซูการ์ แอลกอฮอล์, อนุพันธ์ของฟูแรน และ/หรือ ได- หรือ โพลีแอลกอฮอล์, ในฐานะสารเติมแต่งเพิ่มเติม 1 0. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งในกรณีของไดอิเล็กทริกที่ไวต่อ pH , สารกระจายตัว a) จะถูกปรับไปที่ pH เป็น 4-8 1 1. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งวัสดุที่เป็นตัวนำของอิเล็กโตรไลท์ที่เป็น ของแข็ง (4) คือ โพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ 1 2. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 11 ซึ่งโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ที่มีอยู่ใน อิเล็ก โตรไลท์ที่เป็นของแข็ง (4) คือ โพลีไธโอฟีน, โพลีไพร์โรล หรือ โพลีอะนิลีน ซึ่งอาจเลือกให้ถูกแทนที่ 1 3. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 12 ซึ่งโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ที่มีอยู่ใน อิเล็กโตรไลท์ที่เป็นของแข็ง (4) คือ โพลีไธโอฟีน ที่มีหน่วยที่เกิดซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) หรือ ที่มีสูตร (II) หรือ หน่วยที่เกิดซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) และ (II) (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ซึ่งอนุมูล A และ R และดัชนี x จะมีความหมายที่ถูกกำหนดให้ในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 1 4. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 13 ซึ่งโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำ ที่มีอยู่ใน อิเล็กไตรไลท์ที่เป็นของแข็ง คือ โพลี(3,4-เอทธิลีนไดออกซีไธโอฟีน) 1 5. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งอิเล็กไตรไลท์ที่เป็นของแข็งประกอบด้วย แอน ไอออนที่เป็น โมโนเนอร์ 1 6. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดของลำตัวอิเล็กโทรด (2) คือ โลหะวาล์ว หรือ สารประกอบที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เปรียบเทียบได้กับโลหะวาล์ว 1 7. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 16 ซึ่งโลหะวาล์ว หรือ สารประกอบที่มี คุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เปรียบเทียบได้กับโลหะวาล์ว คือ แทนทาลัม , นิโอเบียม, อะลูมินัม, ไทเทเนียม, เซอร์โคเนียม, ฮาฟเนียม , วานาเดียม , อัลลอย หรือ สารประกอบที่มี อย่างน้อยหนึ่งชนิดของ โลหะเหล่านี้ กับธาตุชนิดอื่น หรือ NbO หรือ อัลลอย หรือ สารประกอบของ NbO กับธาต์ชนิดอื่น 1 8. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งไดอิเล็กทริก คือ ออกไซด์ของโลหะวาล์ว หรือ ออกไซด์ของสารประกอบที่คุณสมบัติทาง ไฟฟ้าที่เปรียบเทียบได้กับโลหะวาล์ว 1 9. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งหลังจากการประยุกต์ใช้ของ สารกระจายตัว a) และการสร้างของชั้นด้านนอกที่เป็นโพลีเมอร์ที่เป็นตัวนำไฟฟ้า , ตัวเก็บประจุอาจเลือกให้ถูกจัดให้มีด้านหน้าสัมผัสด้านนอกที่เป็นตัวนำไฟฟ้า (6, 7, 8), ที่อาจเลือกให้ถูกสัมผัส และถูกหุ้ม 2 0. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ ที่ถูกผลิตโดยกระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 2

1. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ซึ่งความหนาของชั้นเฉลี่ย ของชั้นด้านนอกที่เป็น โพลีเมอร์ คือ 1-100 ไม โครเมตร 2

2. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโตรไลท์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ซึ่งตัวเก็บประจุชนิด อิเล็กโตรไลท์ จะมีประจุจำเพาะเป็นมากกว่า 10,000 มิวC/กรัม ที่อยู่บนพื้นฐานของน้ำหนัก ของลำตัวอิเล็ก โทรด ที่ถูกปกคลุมด้วยไดอิเล็กทริก 2

3. วงจรอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งประกอบด้วยตัวเก็บประจุชนิดอิเล็ก โตรไลท์ตาม ข้อถือสิทธิข้อที่ 20