TH79869A - การเพิ่มประสิทธิภาพอุปกรณ์และส่วนประกอบกัมมันต์พลังแสง - Google Patents

การเพิ่มประสิทธิภาพอุปกรณ์และส่วนประกอบกัมมันต์พลังแสง

Info

Publication number
TH79869A
TH79869A TH501005220A TH0501005220A TH79869A TH 79869 A TH79869 A TH 79869A TH 501005220 A TH501005220 A TH 501005220A TH 0501005220 A TH0501005220 A TH 0501005220A TH 79869 A TH79869 A TH 79869A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
photoactive
layer
primary
case
transparent
Prior art date
Application number
TH501005220A
Other languages
English (en)
Inventor
วายเอช ชอว์ คาลวิน
วอลเลส ปาร์ส เจ
เอ ไวท์ฟอร์ด เจฟฟรีย์
งิวเยน ลินห์
ซี สเชอร์ อีริค
พี ไมเซล แอนเดรียส์
Original Assignee
นางสาวสยุมพร สุจินตัย
นาโนซีส
นายธีรพล สุวรรณประทีป
นายมนูญ ช่างชำนิ
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวสยุมพร สุจินตัย, นาโนซีส, นายธีรพล สุวรรณประทีป, นายมนูญ ช่างชำนิ filed Critical นางสาวสยุมพร สุจินตัย
Publication of TH79869A publication Critical patent/TH79869A/th

Links

Abstract

DC60 อุปกรณ์ต่างๆ องค์ประกอบและวิธีการต่างๆสำหรับการผลิตอุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ระบบและองค์ประกอบต่างๆนั้นมีการปรับปรุงการเปลี่ยนพลังงานที่ผ่านการ ปรับปรุงประสิทธิภาพสัมพันธ์กับอุปกรณ์ระบบและองค์ประกอบที่อธิบายก่อนนี้ โดยทั่วไปประ สิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงได้รับโดยการปรับปรุงประสิทธิภาพของการดูดกลืนแสงสู่ส่วน ประกอบกัมมันต์พลังแสง(photoactive component) และการปรับปรุงประสิทธิภาพของการสกัด พลังงานจากส่วนประกอบกัมมันต์ นั้นหนึ่งอย่างหรือทั้งสองอย่าง ดังกล่าว อุปกรณ์ต่างๆ องค์ประกอบและวิธีการต่างๆสำหรับการผลิตอุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ระบบและองค์ประกอบต่างๆนั้นมีการปรับปรุงการเปลี่ยนพลังงานที่ผ่านการ ปรับปรุงประสิทธิภาพสัมพันธ์กับอุปกรณ์ระบบและองค์ประกอบที่อธิบายก่อนนี้ โดยทั่วไปประ สิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงได้รับโดยการปรับปรุงประสิทธิภาพของการดูดกลืนแสงสู่ส่วน ประกอบกัมมันต์พลังแสง(photoactive component) และการปรับปรุงประสิทธิภาพของการสกัด พลังงานจากส่วนประกอบกัมมันต์ นั้นหนึ่งอย่างหรือทั้งสองอย่าง ดังกล่าว

Claims (36)

1. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ประกอบด้วย : ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ประกบระหว่างขั้วไฟฟ้า (elecrode) ลำดับแรก และขั้วไฟฟ้าโปร่งแสง (translucent electode)ลำดับสอง ในกรณีอุปกรณ์นั้นได้รับการกำหนด โครงร่างเพื่อจะให้ความยาวของเส้นทางของแสงที่ผ่านการยืดขยายสำหรับแสงสว่างเข้าสู่ชั้นกัม มันต์พลังแสง (photoactive layer) นั้นทะลุขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (transparent electrode)ลำดับสองดัง กล่าว
2. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 1 ในกรณีพื้นผิวของขั้วไฟฟ้า (electrode) แรกอยู่ในสัมผัสกับชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) และอยู่ในสภาพสะท้อน แสง
3. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 2 ในกรณีพื้นผิวสะท้อนแสงนั้นถูก ทำให้เป็นโครงสร้างเพื่อจะให้แสงสะท้อนโดยตรงที่มุมไม่ตั้งฉากกับระนาบของชั้นกัมมันต์พลัง แสง (photoactive Layer) นั้น
4. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง ประกอบด้วย ขั้วไฟฟ้าโปร่งใสลำดับแรก ชั้นองค์ประกอบกัมมันต์พลังงาน (photoactive composite layer) และ ขั้วไฟฟ้าด้านหลังที่มีพื้นผิวลำดับแรกเป็นอย่างน้อย ในกรณีชั้นองค์ประกอบกัมมันต์พลัง แสง (photoactive composite layer) ถูกตกสะสมบนพื้นผิวลำดับแรกของขั้วไฟฟ้าด้านหลัง และชั้น ขั้วไฟฟ้าโปร่งใส่นั้นได้มีการจัดให้เหนือชั้นองค์ประกอบกัมมันต์พลังแสงดังกล่าว และในกรณี พื้นผิวลำดับแรกของขั้วไฟฟ้าด้านหลัง (back electrode) ดังกล่าวที่มีพื้นผิวสะท้อน ที่จะสะท้อน แสงกลับไปสู่ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ดังกล่าว
5. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 4 ในกรณีพื้นผิวสะท้อนดังกล่าว ประกอบด้วย พื้นผิวสร้างโครงสร้างเพื่อจะสะท้อนแสงกลับไปสู่ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ดังกล่าวที่มุมซึ่งไม่ตั้งฉากกับมิติความหนาของชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer)นั้น
6. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 4 ในกรณีชั้นองค์ประกอบกัมมันต์ พลังแสง (photoative composite layer) ดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดมีประชากรแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) ต่าง ๆ วางอย่างเหมาะสมอยู่ภายในเมทริกซ์ (matrix) หนึ่ง
7. ชั้นอุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 6 ในกรณีชั้นองค์ประกอบองค์ ประกอบกัมมันต์พลังแสง (photoactive composite layer) ประกอบด้วย ประชากรแรกของผลึกนา โน (nanocrystal) และประชากรที่สองของผลึกนาโน (nanocrystal) วางอย่างเหมาะสมอยู่ในเมท ริกซ์ (matrix) ผนึกนาโนลำดับแรกกับผลึกนาโนลำดับสองที่เป็นการแตกต่างจากกันและกัน
8. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 7 ในกรณีประชากรแรกของผลึกนา โน (nanocrystal) และประชากรที่สองของผลึกนาโน (nanocrystal) มีค่าชดเชยช่องแถบพลังงาน แบบ-II (type-II energy band gap offset) สัมพันธ์กันและกัน
9. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 4 ในกรณีเมทริกซ์ (matrix) ดังกล่าว ประกอบด้วย พอลิเมอร์เชิงการนำ (condective polymer) และในกรณีประชากรแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) ต่างๆและพอลิเมอร์เชิงการนำ (conductive polymer) นั้นมีค่าชดเชยช่องแถบพลังงาน แบบ -II (type-II energy band gap offset) สัมพันธ์กันและกัน
10. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง ประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุดชั้นกัมมันต์พลังแสงไม่ต่อเนื่อง (discrete photoactive layer) ลำดับแรกกับ ลำดับสองประกบระหว่างชั้นขั้วไฟฟ้า (elecrode layer) ลำดับแรกกับชั้นขั้วไฟฟ้า (electrode layer) ลำดับสอง อย่างน้อยที่สุดชั้นขอบโปร่งใส (transparent boundary layer)ลำดับแรกแบ่งแยกชั้นกัมมันต์ พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรกดังกล่าวจากชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ที่สอง นั้น ชั้นขอบ (bonudary layer) นั้นส่วนใหญ่เป็นไม่ต่อเนื่องจากแต่ละชั้นของชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer)ลำดับ แรกและชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสองนั้น
11. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 10 ในกรณีชั้นขอบ (boundary layer) ดังกล่าวประกอบด้วยชั้นขั้วไฟฟ้า (eletrode layer) ลำดับสองและลำดับสามคือฉนวนกั้นกัน และกัน ชั้นขั้วไฟฟ้าลำดับสามต่อกันด้วยไฟฟ้าชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรก และชั้นขั้วไฟฟ้าลำดับสี่ต่อกันด้วยไฟฟ้ากับชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสองนั้น
12. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 10 ในกรณีชั้นขอบโปร่งใส ประกอบด้วย ชั้นรวมประจุอีกครั้งเชิงการนำโปร่งใส (transparent conductive charge recombination layer) นั้นถูกต่อแบบไฟฟ้าถึงแต่ละชั้นของชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรก และชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสอง
13. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 10 ในกรณีชั้นขอบดังกล่าว ประกอบด้วยชั้นรวมประจุอีกครั้งเชิงการนำโปร่งใส (transparent conductive charge recombination layer) วางอย่างเหมาะสมใกล้ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรก และชั้นปิดกั้นประจุ (charge blocking layer) วางอย่างเหมาะสมใกล้ชิดกับชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสอง เช่นนั้น ช่องว่างเกิดขึ้นภายในชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรกและชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสองชั้นใดชั้นหนึ่งรวมกับ อิเล็กตรอนเกิดขึ้นภายในชั้นอื่นๆของชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรกกับชั้นกัม มันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสองภายในชั้นการรวมประจุอีกครั้งเชิงการนำ (conductive charge recombination layer)
14. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ประกอบด้วย ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer)ลำดับแรกและลำดับสองตกวางอย่างเหมาะสม ระหว่างขั้วไฟฟ้าลำดับแรกและขั้วไฟฟ้าลำดับสอง ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับ แรกและชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับสองที่แบ่งแยกโดยชั้นรวมอีกครั้ง (recombiantion layer) ในกรณีชั้นรวมอีกครั้ง (recombination layer) นั้นประกอบด้วย วัสดุเชิงการนำ (conductive material) และถูกกำหนดโครงร่างเพื่อจะคัดเลือกและส่วนใหญ่นำอิเล็กตรอน (electron) ต่างๆจาก ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรกถึงชั้นย่อยกัมมันต์พลังแสง (photoactive sublyer) ลำดับสองและไม่นำอิเล็กตรอนสู่ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ลำดับแรกแต่ ไม่นำอิเล็กตรอนจากชั้นย่อยกัมมันต์พลังแสง (photoactive sub layer) ลำดับสองนั้น
15. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ประกอบด้วย ชั้นขั้วไฟฟ้าลำดับแรก ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) วางอย่างเหมาะสมขึ้นอยู่ กับชั้นขั้วไฟฟ้าลำดับแรก และชั้นขั้วไฟฟ้าลำดับสองวางอย่างเหมาะสมบนชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) นั้นแหละ ในกรณีชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ดังกล่าวประกอบด้วยชั้นย่อยลำดับแรก ประกอบด้วยวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) และส่วนใหญ่วัสดุตัวรับไม่มี อิเล็กตรอน (no electron acceptop material) ชั้นย่อยลำดับสองวางอย่างเหมาะสมอยู่บนชั้นย่อย ลำดับแรกนั้นว่าประกอบด้วยส่วนผสมของวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) และ วัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) และชั้นย่อยลำดับสามตกสะสมอยู่บนชั้นย่อย ลำดับสองดังกล่าวนั้นมีวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) และส่วนใหญ่วัสดุตัวให้ ไม่มีอิเล็กตรอน (no electron donor material)
16. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 5 ในกรณีอย่างน้อยที่สุดวัดสุตัวให้ อิเล็กตรอน (electron donor material) กับวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) อย่าง ใดอย่างหนึ่งมีประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน ( nanocrystal)
17. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีอย่างน้อยที่สุดชั้นยอ่ย ใดชั้นย่อยหนึ่งของชั้นย่อยลำดับแรกประกอบด้วยวัสดุตัวให้อิเล็กตรอนเชิงปริมาตร (bulk electron donor material)
18. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีชั้นย่อยลำดับสามนั้น ประกอบด้วย วัสดุตัวรับเชิงปริมาณ (bulk electron acceptor material)
19. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 18 ในกรณีชั้นย่อยลำดับแรก ชั้น ย่อยลำดับสอง และชั้นย่อยลำดับสามอย่างน้อยที่สุดชั้นย่อยใดชั้นย่อยหนึ่งถูกปฏิบัติเพื่อจะป้องกัน การผสมระหว่างกันของชั้นย่อยลำดับแรก ชั้นย่อยลำดับสองและชั้นย่อยลำดับสาม
20. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 18 ในกรณีชั้นย่อย ประกอบด้วย ผลึกนาโน (nanocrystal) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้นย่อย และถูกอบที่จะป้องกันการผสมระหว่างกันกับ ชั้นย่อย (sablayer) อื่นๆ
21. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 20 ในกรณีอย่างน้อยที่สุดชั้นย่อย หนึ่งชั้นย่อย ประกอบด้วย พอลิเมอร์ (polymer) และได้รับการรักษาเพื่อจะป้องกัน การผสม ระหว่างกันกับชั้นย่อยอื่นๆ หลายชั้นย่อย
22. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีอย่างน้อยที่สุดวัสดุใด วัสดุหนึ่งของวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) กับวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) ประกอบด้วย พอลิเมอร์ เชิงการนำ (conductive polymer)
23. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) ประกอบด้วย ประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) ต่าง ๆ และวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) ประกอบด้วย ประชากรลำดับสองของผลึก นาโน (nanocrystal) ในกรณีประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (population of nanocrystal) และ ประชากรลำดับสองของผลึกนาโม (nanocrystal) ต่างๆ มีค่าชดเชยช่องแถบพลังงานแบบ-II (type-II energy band gap) สัมพันธ์กันและกัน
24. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) ดังกล่าวประกอบด้วย ประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) และวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) ดังกล่าวประกอบด้วย พอลิเมอร์เชิงการนำ ลำดับแรก ในกรณีประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) ต่างๆ และพอลิเมอร์เชิงการนำ ลำดับแรกนั้นมีค่าชดเชยช่องแถบพลังงานแบบ-II (type-II energy band gap offset) สัมพันธ์ถึงกัน และกัน
25. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor mateial) ประกอบด้วย พอลิเมอร์เชิงการนำลำดับแรกและวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) ดังกล่าวประกอบด้วย ประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (namocrystal) ในกรณีประชากรลำดับแรกของผลึกนาโน (nanocrystal) และพอลิเมอร์เชิงการนำ (conductive polymer) ลำดับแรกมีค่าชดเชยช่องแถบพลังงานแบบ-II (type-II energy band gap offset) สัมพันธ์ ถึงกันและกัน
26. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 15 ในกรณีวัสดุตัวให้อิเล็กตรอน (electron donor material) ประกอบด้วย พอลิเมอร์เชิงการนำลำดับแรกและวัสดุตัวรับอิเล็กตรอน (electron acceptor material) ประกอบด้วย พอลิเมอร์เชิงการนำลำดับแรก ในกรณีพอลิเมอร์เชิงการ นำลำดับแรก และพอลิเมอร์เชิงการนำลำดับสองมีค่าชดเชยช่องแถบพลังงานแบบ-II (type-II energy band gap offset) สัมพันธ์ถึงกันและกัน
27. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ประกอบด้วย ชั้นขั้วไฟฟ้าด้านหลัง ชั้นขั้วไฟฟ้าด้านบนโปร่งใส และ ชั้นขั้วไฟฟ้าไม่ต่อเนื่อง (discrete photoactive layer) จำนวนมากวางอย่างเหมาะสมระหว่าง ชั้นขั้วไฟฟ้าด้านหลัง (back electrode layer) และชั้นขั้วไฟฟ้าด้านบน (top electrode layer) ในกรณี ชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) จำนวนมากแต่ละชั้นถูกแบ่งแยกจากแต่ละชั้นกัมมันต์พลัง แสง (photoactive layer) อื่นๆ โดยชั้นรวมประจุอีกครั้งประกอบด้วยวัสดุนั้นแตกต่างจากชั้นกัมมันต์ พลังแสง (photoactive layer) ดังกล่าว
28. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 27 ในกรณีชั้นรวมกันอีกครั้ง (recombiantion layer) ประกอบด้วยชั้น โลหะเชิงการนำ (condeuctive metal layer)
29. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงดังกล่าวของข้อถือสิทธิที่ 28 ในกรณีชั้นรวมกันอีกครั้งเพิ่ม เติมด้วยเพดดอท-พีเอสเอส (PEDOT-PSS)
30. วิธีการของการให้อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง (photoactive device) ประกอบด้วย การให้ชั้นขั้วไฟฟ้าด้านหลัง (back electrode layer) ที่มีพื้นผิวลำดับแรก การจัดวางชั้นองค์ประกอบพอลิเมอร์ผลึกนาโน (namocrystal) /เชิงการนำลำดับแรก (first conductive) บนพื้นผิวลำดับแรกนั้น การจัดวางชั้นขั้วไฟฟ้าโปร่งใสเหนือชั้นองค์ประกอบนั้น ในกรณีชั้นขั้วไฟฟ้าโปร่งใส ประกอบด้วยพอลิเมอร์เชิงการนำลำดับสองวางอย่างเหมาะสมในสารตัวทำละลายไม่มีน้ำ (nonaqueous solvent) และ การระเหยสารตัวทำละลายดังกล่าวออกเพื่อให้เหลือชั้นขั้วไฟฟ้าโปร่งใส (transparent electrode layer)
31. วิธีการดังกล่าวของข้อถือสิทธิ 30 ในกรณีพอลิเมอร์เชิงการนำลำดับสองประกอบด้วย เพดดอท (PEDOT) - พีเอสเอส (PSS) และสารตัวทำละลายไม่มีน้ำ (nanoquesus solvent)นั้น คือ แอลกอฮอล์ (alcohol)
32. อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงโปร่งใส (transparent photoactive device) ประกอบด้วย ชั้น ขั้วไฟฟ้าลำดับแรกและลำดับสองนั้นโปร่งใส่กับส่วนหนึ่งของสเปกตรัมแสงซึ่งสามารถมองเห็น ได้ (visible light spectrum) เป็นอย่างน้อย และชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) ในกรณีชั้น กัมมันพลังงาน (photoactive layer) ประกอบด้วยประชากรของผลึกนาโน (nanocrystal) ในฐานะ ส่วนหนึ่งของชั้นกัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) นั้น เป็นอย่างน้อย และเพิ่มเติมในกรณีชั้น กัมมันต์พลังแสง (photoactive layer) นั้น โปร่งใสกับส่วนหนึ่งของสเปกตรัมแสงสามารถมองเห็น ได้ (visible light spectrum)
33. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (electronic device) ประกอบด้วย การแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวประกอบด้วยหน้าต่างสำหรับการมองเห็น และ อุปกรณ์กัมมันต์โปร่งใส (transparent photoactive device) ดังกล่าวของข้อถือสิทธิ 32 จัด วางอย่างเหมาะสมเหนือหน้าต่างการมองเห็นและเป็นการต่อพ่วงด้วยไฟฟ้าเพื่อที่จะให้กระแสไฟ ฟ้าเพื่อการแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์นั้น
34. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ (electronic device) ประกอบด้วย : การแสดงผลอิเล็กตรอน (electronic display) นั้นประกอบด้วย หน้าต่างสำหรับการดู และ อุปกรณ์กัมมันต์พลังแสงโปร่งใส (transparent photoactive device) ดังกล่าวของข้อถือสิทธิ 32 จัดวางอย่างเหมาะสมเหนือหน้าต่างในการมอง และที่เป็นการพ่วงต่ออย่างไฟฟ้ากับการแสดง ผลอิเล็กทรอนิกส์ (electronic display) และ/หรือส่วนประกอบของการแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์ (electronic display) เพื่อว่าให้กระแสไฟฟ้ากับการแสดงผลอิเล็กทอรนิกส์ (electronic display) และ /หรือส่วนประกอบนั้นของการแสดงผลดังกล่าว
35. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวของข้อถือสิทธิ 34 ในกรณีอุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง โปร่งใส (transparent photoactive device) ถูกพ่วงต่ออย่างไฟฟ้ากับป้ายที่ทำการระบุความถี่วิทยุ (radiofrequency) อย่าน้อยที่สุดหนึ่งความถี่หรือมากกว่าเกี่ยวข้องกับการแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์ (electronic display) เพื่อจะส่งถึงการแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์ (electronic display) และ/หรือการได้ รับสารสนเทศจากการแสดงผลอิเล็กทรอนิกส์ นั้น
36. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวของข้อถือสิทธิ 34 ในกรณีอุปกรณ์กัมมันต์พลังแสง โปร่งใส (transparent photoactive device) พ่วงต่ออย่างไฟฟ้ากับแบตเตอรี่ (battery) อย่างน้อยหนึ่ง เครื่องหรือมากกว่าซึ่งเก็บพลังงานที่ถูกเปลี่ยนสำหรับภายหลังหรือการไม่แปรผันการจ่ายของไฟฟ้า ที่จะแสงผลอิเล็กทรอนิกส์ (electronic display) ดังกล่าว
TH501005220A 2005-11-07 การเพิ่มประสิทธิภาพอุปกรณ์และส่วนประกอบกัมมันต์พลังแสง TH79869A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH79869A true TH79869A (th) 2006-09-07

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4451522B2 (ja) 有機及びポリマー発光デバイスの信頼性を向上させるための構造及びその製造方法
EP1573816B1 (en) Method of preparing electrically connected optoelectronic devices
US8227974B2 (en) Light emitting apparatus with an organic electroluminescence cell
US20060112983A1 (en) Photoactive devices and components with enhanced efficiency
EP2765609A1 (en) Organic light emitting diode display apparatus with solar cell and method of manufacturing the same
WO2008136872A3 (en) Structures for low cost, reliable solar modules
EP1630883A3 (en) Molecular photovoltaics
EP1905107B1 (en) Organic based device and method for manufacture thereof
KR102231326B1 (ko) 태양전지-배터리 일체형 디바이스 및 그의 제조방법
JP2016528737A (ja) 高電気感受率層を有する太陽電池モジュール
GB2528476A (en) Roll-to-roll processing of a coated web
US20150380587A1 (en) Solar cell with reduced absorber thickness and reduced back surface recombination
US11696457B2 (en) Solar cell lamination
CN103109377B (zh) 光伏器件及包含其的运输装置
JP6493210B2 (ja) フレキシブル二次電池、電子機器
WO2014208675A1 (ja) フレキシブル二次電池、電子機器
CN102299187A (zh) 可挠性太阳能电池装置
CN111029478A (zh) Oled发光器件及制备方法
JP6179201B2 (ja) 有機薄膜太陽電池の製造方法
KR20110003083A (ko) 유기태양전지의 제조방법 및 유기태양전지
CN104916727A (zh) 太阳能电池及其制作方法、显示模组及显示装置
CN223600276U (zh) 太阳能电池结构和电子设备
KR102152034B1 (ko) 유기태양전지 모듈 및 이의 제조방법
CN223968169U (zh) 钙钛矿太阳能电池和电子设备
CN108196383A (zh) 一种显示面板和显示装置