TH78549A

TH78549A - วิธีการผลิตชุดประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์

Info

Publication number: TH78549A
Application number: TH501003490A
Authority: TH
Inventors: โธมัส บารอน นายเดวิด; ชไนเดอร์ นายไรน์ฮาร์ด; ปีเตอร์ ฮอฟมันน์ นายฮันเนส
Original assignee: นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายบุญมา เตชะวณิช; อาโตเท็ค ด๊อยท์ชแลนด์ จีเอ็มบีเอช
Filing date: 2005-07-28
Publication date: 2006-07-06

Abstract

DC60 ในการสร้างเส้นและที่ว่างที่มีขนาดเล็กมาก (25 ไมครอน ซึ่งทางที่ดีควรจะเป็น 10ไมครอน และควร จะต่ำประมาณ 5 ไมครอน บนชุดประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้ความพยายามที่มีเหตุผลสมควร วิธี การที่นำมาใช้จะประกอบด้วยขั้นตอนของวิธีการต่อไปนี้ a) การจัดให้มีชั้นไดอิเล็กตริก b) การ สร้างโครงสร้างสามมิติในชั้นไดอิเล็กตริกโดยใช้การตัดออกโดยใช้เลเซอร์เพื่อจัดให้มีองค์ประกอบ โครงสร้างหนึ่งอันหรือหลายอันในชั้นซึ่งจะเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยช่องเว้ารองรับส่วนประกอบ และร่องกั้น c) การป้อนของไหลไปยังบริเวณผิวหน้าของชั้นไดอิเล็กตริกที่ถูกเปิดรับแสงใน องค์ประกอบโครงสร้างอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน ซึ่งของไหลจะประกอบด้วยหรือจะผลิตอนุภาค ที่มีสภาพนำหรือโพลิเมอร์ที่มีสภาพนำอยู่ภายใน อย่างใดอย่างหนึ่ง บนผิวหน้า และ d) การสร้าง สภาพโลหะที่บริเวณผิวหน้าอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน ในการสร้างเส้นและที่ว่างที่มีขนาดเล็กมาก (25 มิวm ซึ่งทางที่ดีควรจะเป็น 10 มิวm และควร จะต่ำประมาณ 5 มิวm) บนชุดประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์โดยใช้ความพยายามที่มีเหตุผลสมควร วิธี การที่นำมาใช้จะประกอบด้วยขั้นตอนของวิธีการต่อไปนี้ a) การจัดให้มีชั้นไดอิเล็กตริก b) การ สร้างโครงสร้างสามมิติในชั้นไดอิเล็กตริกโดยใช้การตัดออกโดยใช้เลเซอร์เพื่อจัดให้มีองค์ประกอบ โครงสร้างหนึ่งอันหรือหลายอันในชั้นซึ่งจะเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยช่องเว้ารองรับส่วนประกอบ และร่องกั้น c) การป้อนของไหลไปยังบริเวณผิวหน้าของชั้นไดอิเล็กตริกที่ถูกเปิดรับแสงใน องค์ประกอบโครงสร้างอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน ซึ่งของไหลจะประกอบด้วยหรือจะผลิตอนุภาค ที่มีสภาพนำหรือโพลิเมอร์ที่มีสภาพนำอยู่ภายใน อย่างใดอย่างหนึ่ง บนผิวหน้า และ d) การสร้าง สภาพโลหะที่บริเวณผิวหน้าอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน

Claims

1. วิธีการผลิตชุดประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบด้วยชั้นไดอิเล็กตริกหนึ่งชั้นหรือ หลายชั้น โดยที่ชั้นแต่ละชั้นจะมีโครงสร้างเส้นตัวนำ วิธีการจะประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ a) การจัดให้มีชั้นไดอิเล็กตริก b) การสร้างโครงสร้างสามมิติในชั้นไดอิเล็กตริกโดยใช้การตัดออกโดยใช้เลเซอร์เพื่อจัดให้มี องค์ประกอบโครงสร้างหนึ่งอันหรือหลายอันในชั้นซึ่งจะเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยช่องเว้ารองรับ ส่วนประกอบและร่องกั้น c) การป้อนของไหลไปยังบริเวณผิวหน้าของชั้นไดอิเล็กตริกที่ถูกเปิดรับแสงในองค์ประกอบ โครงสร้างอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน ซึ่งของไหลจะประกอบด้วยหรือจะผลิตอนุภาคที่มีสภาพนำ หรือโพลิเมอร์ที่มีสภาพนำอยู่ภายใน อย่างใดอย่างหนึ่ง บนผิวหน้า และ d) การสร้างสภาพโลหะที่บริเวณผิวหน้าอย่างน้อยที่สุดเป็นบางส่วน

2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่า การป้อนอนุภาคที่มีสภาพนำที่ถูก แขวนลอยในของไหลหรือถูกสร้างจากของไหลในขั้นตอน c) จะถูกดำเนินการโดยใช้เทคนิคการ เขียนตรงหนึ่งวิธีหรือหลายวิธีโดยเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเทคนิคที่ใช้ระบบอิงค์เจ็ท, เทคนิคที่ใช้ ปากกาขนาดเล็กหรือกระบอกฉีดขนาดเล็ก, การพิมพ์ถ่ายโอน, เทคนิคการตัดกลึงและเติม และเทคนิค เลเซอร์ละอองลอย

3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 2 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่า เทคนิคการเขียนตรงจะเป็น เทคนิคการป้อนอนุภาคที่มีสภาพนำ

4. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าวัสดุจำพวก ไดอิเล็กตริกจะถูกยึดประสานกับพาหะ

5. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่า พาหะ จะถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยวัสดุแกนที่มีหลายชั้น, แผ่นโลหะ, ฟิล์มไดอิเล็กตริก และอุปกรณ์ กึ่งตัวนำ

6. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าพาหะ จะถูกกำจัดออกไปจากชั้นไดอิเล็กตริกหลังจากขั้นตอนของวิธีการ c) หรือ d)

7. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าการสร้าง สภาพโลหะในขั้นตอนของวิธีการ d) จะถูกดำเนินการโดยใช้เทคนิคอย่างใดอย่างหนึ่งในบรรดาการ ชุบโลหะที่ไม่ใช้ไฟฟ้าและเทคนิคการชุบโลหะที่ใช้กระบวนการอิเล็กโตรลิซิสเป็นอย่างน้อย

8. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าการสร้าง สภาพโลหะในขั้นตอนของวิธีการ d) จะถูกดำเนินการโดยใช้การชุบเคลือบด้วยทองแดง

9. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าอนุภาคที่มี สภาพนำจะถูกส่งป้อนไปที่หรือโลหะจะถูกพอกสะสมในองค์ประกอบโครงสร้างในระดับที่ว่าองค์ ประกอบโครงสร้างจะถูกเติมด้วยอนุภาคหรือโลหะโดยสมบูรณ์

10. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าโลหะส่วนเกินจะถูกกำจัดออก ไปจากบริเวณผิวหน้าบนชุดประกอบที่อยู่ถัดจากองค์ประกอบโครงสร้างโดยใช้การกัดขึ้นรูป

11. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าส่วน ประกอบอิเล็กทรอนิกส์จะถูกติดตั้งบนหรือถูกสร้างขึ้นในช่องเว้ารองรับส่วนประกอบก่อนขั้นตอน ของวิธีการ c)

12. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าวัสดุจำพวกไดอิเล็กตริก หรือ กาวจะถูกป้อนไปยังช่องเว้ารองรับส่วนประกอบก่อนที่จะติดตั้งส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

13. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 12 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าวัสดุจำพวกไดอิเล็กตริก หรือ กาวจะเป็นของเหลวไธโซโทรปหรือเเป้งเปียก

14. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 12 หรือ 13 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าวัสดุจำพวกไดอิเล็กตริก หรือกาวจะถูกป้อนไปยังช่องเว้ารองรับส่วนประกอบโดยใช้เทคนิคที่ใช้กระบอกฉีดขนาดเล็ก

15. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์จะ ถูกสร้างขึ้นในช่องเว้ารองรับส่วนประกอบโดยใช้เทคนิคการเขียนตรงหนึ่งวิธีหรือหลายวิธี

16. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าส่วน ประกอบอิเล็กทรอนิกส์จะถูกสร้างขึ้นในช่องเว้ารองรับส่วนประกอบโดยใช้การพอกสะสมวัสดุที่ เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยวัสดุที่มีความทนทาน, วัสดุจำพวกไดอิเล็กตริก และวัสดุที่มีคุณสมบัติ เป็นเเม่เหล็กโดยใช้เทคนิคการเขียนตรง

17. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 11 - 16 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าเส้น ตัวต่อจะถูกสร้างขึ้นในช่องเว้ารองรับส่วนประกอบเพื่อทำให้เกิดการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับขั้วต่อของ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

18. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 17 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าเส้นตัวต่อจะถูกสร้างขึ้นโดยใช้ เทคนิคการป้อนอนุภาคที่มีสภาพนำหนึ่งวิธีหรือหลายวิธี

19. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 18 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าเส้นตัวต่อที่ถูกสร้างขึ้นโดย เทคนิคการป้อนอนุภาคที่มีสภาพนำหนึ่งวิธีหรือหลายวิธีจะถูกชุบเคลือบด้วยทองแดง

20. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 11-19 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าช่องเว้า รองรับส่วนประกอบจะถูกห่อหุ้มหลังจากที่ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ได้ถูกติดตั้งหรือถูกสร้างขึ้น และหลังจากที่การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้ากับขั้วต่อของส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ถูกทำขึ้น

21. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 20 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าการห่อหุ้มในถุงหุ้มจะดำเนิน การโดยใช้วัสดุไดอิเล็กตริกที่เป็นของเหลวหรือสารประกอบหล่อ

22. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 21 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าวัสดุไดอิเล็กตริกที่เป็นของเหลว หรือสารประกอบหล่อจะถูกทำให้แข็งตัว

23. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าบริเวณผิว หน้าของวัสดุจำพวกไดอิเล็กตริกที่ถูกเปิดรับแสงในองค์ประกอบโครงสร้างจะถูกปรับสภาพล่วงหน้า โดยใช้การกำจัดรอยเปื้อนในบริเวณด้วยสารเคมีหรือโดยใช้เทคโนโลยีพลาสมาก่อนที่จะสร้างสภาพ โลหะที่บริเวณผิวหน้า

24. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าชั้น ไดอิเล็กตริกเพิ่มเติมอย่างน้อยหนึ่งชั้นจะถูกพอกฉาบบนผิวหน้าของชุดประกอบ

25. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 24 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าชั้นไดอิเล็กตริกเพิ่มเติมจะถูก สร้างขึ้นจากพรีเพกหรือของเหลว

26. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 25 ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าชั้นไดอิเล็กตริกเพิ่มเติมจะถูก สร้างขึ้นจากของเหลว และถูกป้อนไปยังชุดประกอบโดยใช้เทคการเขียนตรงหนึ่งวิธีหรือหลายวิธี

27. วิธีการดังระบุในข้อถือสิทธิ 24 - 26 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่า ชั้น ไดอิเล็กตริกเพิ่มเติมจะมีโครงสร้างแบบสามมิติ และโครงสร้างแบบสามมิติจะถูกเติมด้วยหนึ่งใน บรรดาอนุภาคที่มีสภาพนำและโลหะ เป็นอย่างน้อย

28. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งถูกทำให้มีลักษณะพิเศษที่ว่าชุด ประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์จะเป็น PCB, โมดูลที่มีชิปหลายตัว หรือส่วนรองรับชิป