TH78474B - เพชร - Google Patents

เพชร

Info

Publication number
TH78474B
TH78474B TH501005778A TH0501005778A TH78474B TH 78474 B TH78474 B TH 78474B TH 501005778 A TH501005778 A TH 501005778A TH 0501005778 A TH0501005778 A TH 0501005778A TH 78474 B TH78474 B TH 78474B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
origin
mark
diamond
source gas
detected
Prior art date
Application number
TH501005778A
Other languages
English (en)
Other versions
TH78474A (th
Inventor
เจมส์ ทวิทเชน และคณะ นายดาเนียล
Original Assignee
เอลิเม็นท์ ซิกซ์ ลิมิเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by เอลิเม็นท์ ซิกซ์ ลิมิเต็ด filed Critical เอลิเม็นท์ ซิกซ์ ลิมิเต็ด
Publication of TH78474A publication Critical patent/TH78474A/th
Publication of TH78474B publication Critical patent/TH78474B/th

Links

Abstract

วิธีการของการนำเครื่องหมายของจุดกำเนิด ดังเช่น เครื่องหมายตราสินค้า หรือลายชื้บ่ง เข้ามาร่วมในวัสดุเพชรผนึกเดียวแบบซีวีดีจะรวมถึงขั้นตอนของการจัดเตรียมให้มีซับสเทรทเพชร การจัดเตรียมให้มีแก๊สต้นกำเนิด การทำให้แก๊สต้นกำเนิดแตกตัว ด้วยเหตุนี้ จะยอมให้เกิดการเติบโต ของเพชรชนิดชั้นโฮโมเอพิแทกซี และการนำใส่สารเจือในลักษณะควบคุมเข้าในแก๊สต้นกำเนิดนี้ เพื่อที่จะผลิตเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งในวัสดุเพชรสังเคราะห์นี้ สารเจือนี้จะได้รับ การคัดเลือกขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า เครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งนี้ไม่สามารถตรวจหาได้ อย่างง่ายหรือไม่ส่งผลกระทบกับคุณภาพที่กำหนดรู้ของวัสดุเพชรภายใต้ภาวะการมองดูปกติ แต่ซึ่งเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งจะตรวจหาได้หรือตรวจหาได้แบบเรนเดอร์ภายใต้ภาวะ ที่ทำให้เป็นลักษณะพิเศษจำเพาะ ดังเช่น เมื่อไดรับการเผยรับแสงหรือการแผ่รังสีที่มีความยาวคลื่น จำเพาะสำหรับเป็นตัวอย่าง การตรวจหาของเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งนี้อาจเป็นการ ตรวจหาทางสายตา หรือการตรวจหาด้วยการใช้วิชาการเครื่องเมือเชิงแสงจำเพาะสำหรับเป็นตัวอย่าง

Claims (1)

1. วิธีการของการนำเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งเข้ามาร่วมในวัสดุเพชร ผลึกเดียวแบบซีวีดี ซึ่งรวมถึงขั้นตอนของการจัดเตรียมให้มีซับสเทรทเพชร การจัดเตรียมให้มี แก๊สต้นกำเนิด การทำให้แก๊สต้นกำเนิดนี้แตกตัว ด้วยเหตุนี้ จะยอมให้เกิดการเติบโตของเพชรชนิด ชั้นโฮโมเอพิแทกซี และการนำใส่สารเจือทางเคมีหนึ่งชนิดหรือมากกว่านั้นในลักษณะควบคุมเข้าใน กรรมวิธีการสังเคราะห์นี้ เพื่อที่จะผลิตเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งในวัสดุเพชรสังเคราะห์ นี้ ซึ่งจะคัดเลือกสารเจือนี้ ในลักษณะที่ว่า เครื่องหม
TH501005778A 2005-12-08 เพชร TH78474B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH78474A TH78474A (th) 2006-07-06
TH78474B true TH78474B (th) 2006-07-06

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE407100T1 (de) Verfahren zum einbringen einer markierung in einen cvd-diamanten
US20070036921A1 (en) Diamond
Frijia et al. Strontium isotope stratigraphy in the upper Cenomanian shallow-water carbonates of the southern Apennines: Short-term perturbations of marine 87Sr/86Sr during the oceanic anoxic event 2
GB0704516D0 (en) Diamond
JP5539968B2 (ja) 超靭性の単結晶ホウ素ドープダイヤモンド
MY174359A (en) Single crystal cvd synthetic diamond material
Balthasar et al. Relic aragonite from Ordovician–Silurian brachiopods: implications for the evolution of calcification
CA2607202A1 (en) High colour diamond layer
Willems et al. Optical study of defects in thick undoped CVD synthetic diamond layers
DE07017348T1 (de) Epitaktischer Siliciumwafer und Herstellungsverfahren dafür
Weyher et al. Revealing extended defects in HVPE-grown GaN
Soares et al. Bright room-temperature green luminescence from YSZ: Tb3+
Zaitsev et al. Luminescence of brown CVD diamond: 468 nm luminescence center
Yarnell The many facets of man-made diamonds
McLaughlin et al. Seasonal patterns in aragonite saturation state on the southern California continental shelf
TH78474B (th) เพชร
GB2562551A (en) Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
TH78474A (th) เพชร
Lipatov et al. Photoluminescence and optical transmission of diamond and its imitators
Wadoski et al. Compositional evolution of tourmaline-supergroup minerals from granitic pegmatites in the Larsemann Hills, East Antarctica
Khokhryakov et al. The dislocation structure of diamond crystals grown on seeds in the Mg-C system
Hofmann et al. Silicon doping of HVPE GaN bulk-crystals avoiding tensile strain generation
Willems et al. Exploring the Origin and Nature of Luminescent Regions in CVD Synthetic Diamond.
RU2006124654A (ru) Способ встраивания метки в алмаз, полученный методом химического осаждения
Martineau et al. De Beers consumer confidence technical research and diamond verification instruments