TH78474B - diamond - Google Patents
diamondInfo
- Publication number
- TH78474B TH78474B TH501005778A TH0501005778A TH78474B TH 78474 B TH78474 B TH 78474B TH 501005778 A TH501005778 A TH 501005778A TH 0501005778 A TH0501005778 A TH 0501005778A TH 78474 B TH78474 B TH 78474B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- origin
- mark
- diamond
- source gas
- detected
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 abstract 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
Abstract
วิธีการของการนำเครื่องหมายของจุดกำเนิด ดังเช่น เครื่องหมายตราสินค้า หรือลายชื้บ่ง เข้ามาร่วมในวัสดุเพชรผนึกเดียวแบบซีวีดีจะรวมถึงขั้นตอนของการจัดเตรียมให้มีซับสเทรทเพชร การจัดเตรียมให้มีแก๊สต้นกำเนิด การทำให้แก๊สต้นกำเนิดแตกตัว ด้วยเหตุนี้ จะยอมให้เกิดการเติบโต ของเพชรชนิดชั้นโฮโมเอพิแทกซี และการนำใส่สารเจือในลักษณะควบคุมเข้าในแก๊สต้นกำเนิดนี้ เพื่อที่จะผลิตเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งในวัสดุเพชรสังเคราะห์นี้ สารเจือนี้จะได้รับ การคัดเลือกขึ้นมา ในลักษณะที่ว่า เครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งนี้ไม่สามารถตรวจหาได้ อย่างง่ายหรือไม่ส่งผลกระทบกับคุณภาพที่กำหนดรู้ของวัสดุเพชรภายใต้ภาวะการมองดูปกติ แต่ซึ่งเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งจะตรวจหาได้หรือตรวจหาได้แบบเรนเดอร์ภายใต้ภาวะ ที่ทำให้เป็นลักษณะพิเศษจำเพาะ ดังเช่น เมื่อไดรับการเผยรับแสงหรือการแผ่รังสีที่มีความยาวคลื่น จำเพาะสำหรับเป็นตัวอย่าง การตรวจหาของเครื่องหมายของจุดกำเนิดหรือลายชี้บ่งนี้อาจเป็นการ ตรวจหาทางสายตา หรือการตรวจหาด้วยการใช้วิชาการเครื่องเมือเชิงแสงจำเพาะสำหรับเป็นตัวอย่าง A method of introducing an origin mark, such as a brand mark Or pattern indicating Participating in a single CVD diamond seal material includes a process of preparing a diamond substrate. Provision to contain the source gas Breaking down the source gas thus allows it to grow. Of homoepthoxy grade diamonds And introducing dopants in a controlled manner into this source gas In order to produce the mark of origin or indentation in this synthetic diamond material. This dopant will receive Selection In such a way that This mark of origin or indication cannot be detected. Does it easily affect the known quality of diamond materials under normal viewing conditions? But where the mark of the origin or the indication pattern can be detected or can be detected as a render under That makes it a specific effect, for example, when exposure to light or radiation at a wavelength. Specific for example Detection of this point of origin or indication may be Visual detection Or detection by using specific optical science as a sample
Claims (1)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH78474B true TH78474B (en) | 2006-07-06 |
| TH78474A TH78474A (en) | 2006-07-06 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE407100T1 (en) | METHOD FOR INSERTING A MARKER INTO A CVD DIAMOND | |
| US20070036921A1 (en) | Diamond | |
| Blossfeld et al. | Quantitative imaging of rhizosphere pH and CO2 dynamics with planar optodes | |
| GB0704516D0 (en) | Diamond | |
| JP5539968B2 (en) | Super tough single crystal boron doped diamond | |
| Zhao et al. | Raman spectra and photoluminescence properties of In-doped ZnO nanostructures | |
| CA2607202A1 (en) | High colour diamond layer | |
| Willems et al. | Optical study of defects in thick undoped CVD synthetic diamond layers | |
| GB2486794A (en) | Dislocation engineering in single crystal synthetic diamond material | |
| DE07017348T1 (en) | Epitaxial silicon wafer and manufacturing method therefor | |
| CN101248210B (en) | High colour diamond | |
| Weyher et al. | Revealing extended defects in HVPE-grown GaN | |
| Rohbeck et al. | Effects of thermal treatment on the mechanical integrity of silicon carbide in HTR fuel up to 2200 C | |
| Zaitsev et al. | Luminescence of brown CVD diamond: 468 nm luminescence center | |
| Yarnell | The many facets of man-made diamonds | |
| Ehrentraut et al. | Next-generation hydrothermal ZnO crystals | |
| TH78474B (en) | diamond | |
| GB2562551A (en) | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition | |
| Wadoski et al. | Compositional evolution of tourmaline-supergroup minerals from granitic pegmatites in the Larsemann Hills, East Antarctica | |
| TH78474A (en) | diamond | |
| Hofmann et al. | Silicon doping of HVPE GaN bulk-crystals avoiding tensile strain generation | |
| Willems et al. | Exploring the Origin and Nature of Luminescent Regions in CVD Synthetic Diamond. | |
| RU2382122C2 (en) | Method of embedding mark into diamond, obtained through chemical deposition | |
| Sørensen et al. | Coupled trace element mobilisation and strain softening in quartz during retrograde fluid infiltration in dry granulite protoliths | |
| Zaccaro et al. | Origin of crazing in deuterated KDP crystals |