TH73934A - High density direct current ion source - Google Patents

High density direct current ion source

Info

Publication number
TH73934A
TH73934A TH401000463A TH0401000463A TH73934A TH 73934 A TH73934 A TH 73934A TH 401000463 A TH401000463 A TH 401000463A TH 0401000463 A TH0401000463 A TH 0401000463A TH 73934 A TH73934 A TH 73934A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
ion
ions
produce
mbar
ion source
Prior art date
Application number
TH401000463A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ตันตราภรณ์ นายวิโรจน์
กิจสัมพันธ์ นายสุรวุฒิ
Original Assignee
นายมงคล แก้วมหา
Filing date
Publication date
Application filed by นายมงคล แก้วมหา filed Critical นายมงคล แก้วมหา
Publication of TH73934A publication Critical patent/TH73934A/en

Links

Abstract

------24/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออนกระแสตรง อยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่าอุณหภูมิห้อง (ประมาณ 27 องศาเซลเซียส) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออนชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบหล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย (ก) อุปกรณ์ สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่น แหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ (ข) แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง สำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (AvalancheMultiplication) (ค) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะสามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง(Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเทพลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ (ง) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10 -4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า ------------ DC60 (25/02/48) สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10ยกกำลัง-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสูญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า ------ 24/03/2020 ------ (OCR) page 1 of number 1 page invention summary. The objective of this invention is to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage that is used to produce DC ions. It is below 50W and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). The new ion source does not require a magnetic field within the system. And there is no need for a cooling system to help cooling The fabricated DC ion source consists of (a) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave wave source (b) DC voltage. For causing mechanisms for generating conductive particles (Electrons and ions) (AvalancheMultiplication) (c) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) by colliding and transferring the energy of the ions. And less wear from collisions (bombardment) of ions and (d) low pressure vacuum system 10 -4 mbar (mbar) or lower ------------ DC60 (25/02/48) Artifact The purpose of this is to create an ion beam with ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions The bombardment of the ions and 4) a low-pressure vacuum system is 10 to the -4 millibars (mbar) or lower. This invention is intended to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions (bombardment) of ions and 4) low pressure vacuum systems 10-4 mbar (mbar) or lower.

Claims (1)

: ------24/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออนกระแสตรง อยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่าอุณหภูมิห้อง (ประมาณ 27 องศาเซลเซียส) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออนชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบหล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย (ก) อุปกรณ์ สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่น แหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ (ข) แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง สำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (AvalancheMultiplication) (ค) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะสามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง(Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเทพลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ (ง) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10 -4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า ------------ DC60 (25/02/48) สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10ยกกำลัง-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสูญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่าข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------24/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 4 หน้าข้อถือสิทธิ: ------ 24/03/2020 ------ (OCR) Page 1 of number 1 page Invention summary. The objective of this invention is to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage that is used to produce DC ions. It is below 50W and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). The new ion source does not require a magnetic field within the system. And there is no need for a cooling system to help cooling The fabricated DC ion source consists of (a) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave wave source (b) DC voltage. For causing mechanisms for generating conductive particles (Electrons and ions) (AvalancheMultiplication) (c) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) by colliding and transferring the energy of the ions. And less wear from collisions (bombardment) of ions and (d) low pressure vacuum system 10 -4 mbar (mbar) or lower ------------ DC60 (25/02/48) Artifact The purpose of this is to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions The bombardment of the ions and 4) a low-pressure vacuum system is 10 to the -4 millibars (mbar) or lower. This invention is intended to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions (bombardment) of ions and 4) low pressure vacuum systems 10-4 mbar (mbar) or lower. (Section one) which will appear on the advertisement page: ------ 24/03/2020 ------ (OCR) Page 1 of 4 pages. 1. แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงความหนาแน่นสูง ประกอบด้วยส่วนต่างๆ ดังต่อไปนี้ ห้องสุญญากาศสำหรับทำให้ความดันต่ำในระดับ 10 -4 มิลลิบาร์หรือต่ำกว่า และ ห้องพลาสมา มีลักษณะเป็นหลอดที่สร้างขึ้นจากวัสดุที่ไม่นำไฟฟ้า(Electrically Non-Conductive tube) ประกอบด้วย - อุปกรณ์เชื่อมต่อระหว่างห้องพลาสมาและขั้วไฟฟ้าเพื่อป้องกันการรั่วซึมของก๊าซ แท็ก :1.High density DC ion source It consists of the following parts: a vacuum chamber for low pressure levels 10 -4 mbar or lower, and the plasma chamber is a tube made of electrically non-conductive material. Non-Conductive tube) consists of - a connection device between the plasma chamber and the electrodes to prevent gas leakage.
TH401000463A 2004-02-12 High density direct current ion source TH73934A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH73934A true TH73934A (en) 2005-12-22

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105655217B (en) A kind of magnetron sputtering metal source of aluminum ion of rf bias power supply
US4447732A (en) Ion source
US5198677A (en) Production of N+ ions from a multicusp ion beam apparatus
KR20080063988A (en) Etching apparatus using neutral beam
RU2007115079A (en) SMALL THROUGH ROCKET ENGINE FOR SPACE AIRCRAFT
JP2013527970A (en) Compact plasma source for high density wide ribbon ion beam generation
Zolotukhin et al. Generation of uniform electron beam plasma in a dielectric flask at fore-vacuum pressures
WO2004114358A3 (en) Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems
Haworth et al. Improved electrostatic design for MILO cathodes
US7579578B2 (en) Advanced multipurpose pseudospark switch having a hollow cathode with a planar spiral electrode and an aperture
JP3758520B2 (en) Ion beam irradiation apparatus and related method
KR20180088464A (en) Temperature controlled ion source
TW591683B (en) Ion source
US20030196602A1 (en) Method and apparatus for neutralization of ion beam using AC ion source
JP2006511921A (en) Magnet assembly for sputter ion pump
Keller et al. Ion-source and low-energy beam-transport issues with the front-end systems for the spallation neutron source
TH73934A (en) High density direct current ion source
JP2011003425A (en) Ion pump
CN108231514B (en) Ion implanter and method of implanting ions into semiconductor substrate
Oguri et al. Development of a H− ion source for the high intensity proton linac at Japan Atomic Energy Research Institute
Ma et al. Design of a hollow-beam electron optics system with control focus electrodes
RU2035789C1 (en) Process of generation of beam of accelerated particles in technological vacuum chamber
RU191379U1 (en) Vacuum source of neutrals with a cooled cathode
CN111902904B (en) Ion source and foil liner
JP2000090844A (en) Ion source