TH73934A - High density direct current ion source - Google Patents
High density direct current ion sourceInfo
- Publication number
- TH73934A TH73934A TH401000463A TH0401000463A TH73934A TH 73934 A TH73934 A TH 73934A TH 401000463 A TH401000463 A TH 401000463A TH 0401000463 A TH0401000463 A TH 0401000463A TH 73934 A TH73934 A TH 73934A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ion
- ions
- produce
- mbar
- ion source
- Prior art date
Links
Abstract
------24/03/2563------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้าบทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออนกระแสตรง อยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่าอุณหภูมิห้อง (ประมาณ 27 องศาเซลเซียส) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออนชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบหล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย (ก) อุปกรณ์ สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่น แหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ (ข) แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง สำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (AvalancheMultiplication) (ค) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะสามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง(Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเทพลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ (ง) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10 -4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า ------------ DC60 (25/02/48) สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสุญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10ยกกำลัง-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า สิ่งประดิษฐ์นี้มีวัตถุประสงค์เพื่อต้องการสร้างลำไอออนที่มีขนาดไอออน กระแสตรงต่อพื้นที่ (Current Density) สูง โดยมีกำลังวัตต์ที่ใช้ผลิตไอออน กระแสตรงอยู่ในระดับต่ำกว่า 50 วัตต์ และอนุภาคไอออนที่ผลิตขึ้นจะมีอุณหภูมิสูงกว่า อุณหภูมิห้อง ( ประมาณ 27 องศาเซลเซียส ) เพียงเล็กน้อย โดยแหล่งกำเนิดไอออน ชนิดใหม่นี้ไม่จำเป็นต้องมีสนามแม่เหล็กอยู่ภายในระบบ และไม่จำเป็นต้องมีระบบ หล่อเย็นมาช่วยระบายความร้อน แหล่งกำเนิดไอออนกระแสตรงที่ประดิษฐ์ขึ้น ประกอบด้วย 1) อุปกรณ์สำหรับกระตุ้นให้เกิดพลาสมาภายในห้องพลาสมา (Plasma Chamber) เช่นแหล่งกำเนิดคลื่นไมโครเวฟความถี่ 2.45 จิกะเฮิรตซ์ 2) แรงดันไฟฟ้า กระแสตรงสำหรับก่อให้เกิดกลไกการสร้างอนุภาคนำไฟฟ้า (อิเล็กตรอนและไอออน) อย่างทวีคูณ (Avalanche Multiplication) 3) ขั้วไฟฟ้าคาโทด (Cathode) ที่จะ สามารถผลิตอิเล็กตรอนตัวที่สอง (Secondary Electron) จากการชนและถ่ายเท พลังงานของไอออน และสึกหรอน้อยจากการชน (bombardment) ของไอออน และ 4) ระบบสูญญากาศสำหรับทำความดันต่ำอยู่ในระดับ 10-4 มิลลิบาร์ (mbar) หรือต่ำกว่า ------ 24/03/2020 ------ (OCR) page 1 of number 1 page invention summary. The objective of this invention is to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage that is used to produce DC ions. It is below 50W and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). The new ion source does not require a magnetic field within the system. And there is no need for a cooling system to help cooling The fabricated DC ion source consists of (a) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave wave source (b) DC voltage. For causing mechanisms for generating conductive particles (Electrons and ions) (AvalancheMultiplication) (c) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) by colliding and transferring the energy of the ions. And less wear from collisions (bombardment) of ions and (d) low pressure vacuum system 10 -4 mbar (mbar) or lower ------------ DC60 (25/02/48) Artifact The purpose of this is to create an ion beam with ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions The bombardment of the ions and 4) a low-pressure vacuum system is 10 to the -4 millibars (mbar) or lower. This invention is intended to create an ion beam with an ion size. DC per area (Current Density) is high with wattage used to produce ions. The direct current is below 50 watts, and the ion particles produced are slightly higher than room temperature (about 27 ° C). By ion source The new type does not require a magnetic field within the system. And do not need a system Coolant to help cooling The fabricated DC ion source consists of 1) a device for stimulating the plasma inside a plasma chamber, such as a 2.45 gigahertz microwave source; 2) a DC voltage for the formation of a conducting particle generation mechanism. (Electrons and ions) that multiply (Avalanche Multiplication) 3) Cathode electrodes that can produce a second electron (Secondary Electron) from collision and transfer. Ion energy And less wear from collisions (bombardment) of ions and 4) low pressure vacuum systems 10-4 mbar (mbar) or lower.
Claims (1)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH73934A true TH73934A (en) | 2005-12-22 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105655217B (en) | A kind of magnetron sputtering metal source of aluminum ion of rf bias power supply | |
US4447732A (en) | Ion source | |
US5198677A (en) | Production of N+ ions from a multicusp ion beam apparatus | |
KR20080063988A (en) | Etching apparatus using neutral beam | |
RU2007115079A (en) | SMALL THROUGH ROCKET ENGINE FOR SPACE AIRCRAFT | |
JP2013527970A (en) | Compact plasma source for high density wide ribbon ion beam generation | |
Zolotukhin et al. | Generation of uniform electron beam plasma in a dielectric flask at fore-vacuum pressures | |
WO2004114358A3 (en) | Thin magnetron structures for plasma generation in ion implantation systems | |
Haworth et al. | Improved electrostatic design for MILO cathodes | |
US7579578B2 (en) | Advanced multipurpose pseudospark switch having a hollow cathode with a planar spiral electrode and an aperture | |
JP3758520B2 (en) | Ion beam irradiation apparatus and related method | |
KR20180088464A (en) | Temperature controlled ion source | |
TW591683B (en) | Ion source | |
US20030196602A1 (en) | Method and apparatus for neutralization of ion beam using AC ion source | |
JP2006511921A (en) | Magnet assembly for sputter ion pump | |
Keller et al. | Ion-source and low-energy beam-transport issues with the front-end systems for the spallation neutron source | |
TH73934A (en) | High density direct current ion source | |
JP2011003425A (en) | Ion pump | |
CN108231514B (en) | Ion implanter and method of implanting ions into semiconductor substrate | |
Oguri et al. | Development of a H− ion source for the high intensity proton linac at Japan Atomic Energy Research Institute | |
Ma et al. | Design of a hollow-beam electron optics system with control focus electrodes | |
RU2035789C1 (en) | Process of generation of beam of accelerated particles in technological vacuum chamber | |
RU191379U1 (en) | Vacuum source of neutrals with a cooled cathode | |
CN111902904B (en) | Ion source and foil liner | |
JP2000090844A (en) | Ion source |