TH73040A

TH73040A - วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมา

Info

Publication number: TH73040A
Application number: TH401001346A
Authority: TH
Inventors: คูราชิมะ นายฮิเดโอะ; โคบายาชิ นายอากิระ; ยามาดะ นายโคอุจิ; นามิกิ นายทสึเนฮิซะ
Original assignee: นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์; นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date: 2004-04-16
Publication date: 2005-12-01

Abstract

DC60 (07/07/47) วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาได้รับการจัดเตรียมไว้ซึ่งทำให้สามารถก่อรูปชั้น ฟิล์มบางสม่ำเสมอได้ บนพื้นผิวที่จะได้รับการผ่านกรรมวิธีและทำให้สามารถดำ เนินกรรมวิธีได้ใน เวลาสั้น ในวิธีการดำเนินกรรมวิธีไม โครเวฟพลาสมานั้น ไมโครเวฟจะได้รับการนำเข้าไป ในช่อง ดำเนินกรรมวิธีพลาสมา 1 และก๊าซดำเนินกรรม วิธีจะได้รับการถ่ายเทเข้าไปในพลาสมาเพื่อก่อรูป เป็น ชั้นฟิล์มบางบนสสารพื้นฐาน 13 ที่ได้รับการจัดวางไว้ใน ช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมา 13 และ วิธีการดังกล่าวประกอบ ด้วย การประกอบติดสสารพื้นฐาน 13 ไว้โดยมีแกนร่วมกับแกน กลางของ ช่องดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมา 1 การปรับ ตั้งโมดคลื่นนิ่งของไมโครเวฟในช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมา เป็นโมด TE หรือโมด TEM จากส่วนปาก 131 ไปยังส่วน ลำตัว 133 ของสสาร พื้นฐาน และปรับตั้งโมดซึ่งมีทั้งโมด TE และโมด TM ในส่วนก้น 132 ของสสารพื้นฐาน วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาได้รับการจัดเตรียมไว้ซึ่งทำให้สามารถก่อรูปชั้น ฟิล์มบางสม่ำเสมอได้ บนพื้นผิวที่จะได้รับการผ่านกรรมวิธีและทำให้สามารถดำ เนินกรรมวิธีได้ใน เวลาสั้น ในวิธีการดำเนินกรรมวิธีไม โครเวฟพลาสมานั้น ไมโครเวฟจะได้รับการนำเข้าไป ในช่อง ดำเนินกรรมวิธีพลาสมา 1 และก๊าซดำเนินกรรม วิธีจะได้รับการถ่ายเทเข้าไปในพลาสมาเพื่อก่อรูป เป็น ชั้นฟิล์มบางบนสสารพื้นฐาน 13 ที่ได้รับการจัดวางไว้ใน ช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมา 13 และ วิธีการดังกล่าวประกอบ ด้วย การประกอบติดสสารพื้นฐาน 13 ไว้โดยมีแกนร่วมกับแกน กลางของ ช่องดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมา 1 การปรับ ตั้งโมดคลื่นนิ่งของไมโครเวฟในช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมา เป็นโมด TE หรือโมด TEM จากส่วนปาก 131 ไปยังส่วน ลำตัว 133 ของสสาร พื้นฐาน และปรับตั้งโมดซึ่งมีทั้งโมด TE และโมด TM ในส่วนก้น 132 ของสสารพื้นฐาน

Claims

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 19/08/2559 1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาเพื่อนำไมโครเวฟเข้าไปในช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมา และแปลงก๊าซดำเนินกรรมวิธีเป็นพลาสมาเพื่อก่อรูปเป็นชั้นฟิล์มบางบนสสาร พื้นฐานที่ได้รับการจัดวางไว้ในช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมา วิธีการดังก่ลาวมีลักษณะเฉพาะดังนี้ การประกอบติดสสารพื้นฐานไว้โดยมีแกนร่วมกับแกนกลางของช่องดำเนินกรรมวิธี พลาสมา การปรับตั้งโมดคลื่นนิ่งของไมโครเวฟในช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมาเป็นโมด TE หรือ โมด TEM จากส่วนปากไปยังส่วนลำตัวของสสารพื้นฐานและ 2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบด้วย การสอดชิ้นประกอบโลหะป้อนก๊าซดำเนินกรรมวิธีไว้ในสสารพื้นฐานบนแกนกลางของช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมาเพื่อไม่ให้ไปถึงส่วนก้นของสสารพื้นฐาน 3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบด้วย การป้อนไมโครเวฟไปยังช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมาจากพื้นผิวด้านข้างของช่องดำเนินกรรมวิธี พลาสมาที่ตำแหน่งหนึ่งระหว่างส่วนปากและส่วนกันของสสารพื้นฐาน 4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งโมดของ ไมโครเวฟก่อนหน้าการได้รับการนำเข้าไปในช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมาจะได้รับการปรับตั้งไว้ที่ โมด TE และโมด TM 5. วิธีการเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งระดับ สุญญากาศภายในสสารพื้นฐานสูงกว่าระดับสุญญากาศนอกสสารพื้นฐาน ------------------------------------------------------

1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาเพื่อนำไมโครเวฟเข้าไปในช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมา และแปลง ก๊าซดำเนินกรรมวิธีเป็นพลาสมาเพื่อก่อรูปเป็นชั้นฟิล์มบาง บนสสาร พื้นฐานที่ได้รับการจัดวางไว้ในช่องดำเนินกรรม วิธีพลาสมา วิธีการดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะดังนี้ การประกอบติดสสารพื้นฐานไว้โดยมีแกนร่วมกับแกนกลาง ของช่องดำเนินกรรมวิธี พลาสมา การปรับตั้งโมดคลื่นนิ่งของไมโครเวฟในช่องดำเนินกรรม วิธีพลาสมาเป็นโมด TE หรือโมด TEM จากส่วนปากไปยัง ส่วนลำตัวของสสารพื้นฐานและ การปรับตั้งทั้งโมด TE และโมด TM ไว้ในส่วนกันของ สสารพื้นฐานดังกล่าว

2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ซึ่งประกอบด้วย การสอดชิ้นประกอบป้อนก๊าซดำเนิน กรรมวิธีไว้ในสสารพื้นฐานบนแกนกลางของช่องดำเนินกรรม วิธีพลาสมาเพื่อไม่ให้ไปถึงส่วนก้นของสสารพื้นฐาน

3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตาม ข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ซึ่งประกอบ ด้วยการป้อน ไมโครเวฟไปยังช่องดำเนินกรรมวิธีพลาสมาจากพื้น ผิวด้านข้างของช่องดำเนินกรรม วิธีพลาสมาที่ตำแหน่ง หนึ่งระหว่างส่วนปากและส่วนก้นของสสารพื้นฐาน

4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งโมดของไมโคร เวฟก่อนหน้าการได้รับการนำเข้าไปในช่องดำเนิน กรรมวิธีพลาสมาจะได้รับการ ปรับตั้งไว้ที่โมด TE และโมด TM

5. วิธีการดำเนินกรรมวิธีไมโครเวฟพลาสมาตามข้อ ถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งระดับสุญญากาศ ภายในสสารพื้นฐานสูงกว่าระดับสุญญากาศนอกสสาร พื้นฐาน