TH66025B - Optical component - Google Patents

Optical component

Info

Publication number
TH66025B
TH66025B TH1401006793A TH1401006793A TH66025B TH 66025 B TH66025 B TH 66025B TH 1401006793 A TH1401006793 A TH 1401006793A TH 1401006793 A TH1401006793 A TH 1401006793A TH 66025 B TH66025 B TH 66025B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
optical
wavelength
thin film
aluminum oxide
reflection rate
Prior art date
Application number
TH1401006793A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH145894A (en
Inventor
ยามาชิตะ นายเทรุโอะ
คาวากิชิ นายชูอิชิโระ
Original Assignee
นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร
นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์ นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร นางสาววรรษิกา ฟักมีทอง
นางสาววรรษิกา ฟักมีทอง
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร, นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์, นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์ นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร นางสาววรรษิกา ฟักมีทอง, นางสาววรรษิกา ฟักมีทอง filed Critical นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร
Publication of TH145894A publication Critical patent/TH145894A/en
Publication of TH66025B publication Critical patent/TH66025B/en

Links

Abstract

DC60 (12/11/57) องค์ประกอบเชิงแสง (1) ซึ่งประกอบไปด้วยฟิล์มบางเชิงแสง (20) โดยที่ฟิล์มบางเชิง แสง (20) มีอลูมิเนียมออกไซด์เป็นส่วนประกอบหลัก มีชั้นอลูมิเนียมออกไซด์ซึ่งมีค่าสัมประสิทธิ์ ของฟิล์มบางเชิงแสง (x) ที่กำหนดโดยความหนาของฟิล์มเชิงแสง (nd) และความยาวคลื่นกลาง (แลมดา0) ในช่วง 0.010 ขึ้นไป ไม่เกิน 2.00 และที่ความยาวคลื่นเดียวกันของแถบความยาวคลื่นกลาง นั้น จะมีปริมาณการชิพท์ของอัตราการสะท้อนที่ 1 ในขณะอุณหภูมิปกติ (R1) และอัตราการ สะท้อนที่ 2 ในขณะให้ความร้อน (R2) ไม่เกิน 0.50% DC60 (12/11/57) The optical component (1) consists of a photosensitive thin film (20), where the optical thin film (20) contains aluminum oxide as the main component. There is an aluminum oxide layer which has a coefficient of of the optical thin film (x) determined by the optical film thickness (nd) and the central wavelength (lamda0) in the range of 0.010 and above, not more than 2.00, and at the same wavelength of the central wavelength band, the amount of The shift of reflection rate 1 at normal temperature (R1) and reflection rate 2 at heating (R2) does not exceed 0.50%.

Claims (2)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไขใหม่ 25/8/2560 1.องค์ประกอบเชิงแสงที่ประกอบไปด้วยฟิมล์บางเชิงแสง ที่ซึ่ง ฟิล์มบางเชิงแสงดังกล่าวมีอลูมิเนียมออกไซด์เป็นส่วนประกอบหลัก มีชั้นอลูมิเนียม ออกไซด์ซึ่งมีค่าสัมประสิทธิ์ของฟิล์มบางเชิงแสงที่กำหนดโดยความหนาของฟิล์มเชิงแสงและ ความยาวคลื่นกลางในช่วง 0.010 ขึ้นไป ไม่เกิน 2.00 และที่ความยาวคลื่นเดียวกันของแถบ ความยาวคลื่นกลางนั้น และเป็นฟิล์มบางชั้นเดียวที่ประกอบด้วยชั้นอลูมิเนียมออกไซด์ดังกล่าว ในช่วงความยาวคลื่นของแสงเดียวกันของบริเวณความยาวคลื่น 400 nm ขึ้นไป ไม่เกิน 700 nm อัตราการสะท้อนที่ 1 ที่อุณหภูมิปกติกับอัตราการสะท้อนที่ 2 ที่อุณหภูมิให้ความร้อนที่ สามารถกำจัดน้ำของชั้นอลูมิเนียมออกไซด์ดังกล่าว มีค่าการชิพท์สูงสุดไม่เกิน 0.10% ------------------------------------------------------------------------------------------------ (เดิม) 9 มิถุนายน 2560Disclaimer (all) which will not appear on the announcement page: Revised 25/8/2017 1. Optical elements consisting of an optical thin film where such optical thin films are aluminum. Aluminum oxide is the main component. There is an aluminum layer. Oxide, which has an optical thin film coefficient determined by the optical film thickness and Medium wavelength in the range 0.010 and above not more than 2.00, and at the same wavelength of the band That medium wavelength And is a single thin film composed of such layers of aluminum oxide At the same wavelength of 400 nm, the wavelength of 400 nm or more does not exceed 700 nm, the reflection rate 1 at normal temperature and the reflection rate 2 at the heating temperature at It can remove the water of the aluminum oxide layer. Have a maximum chiping value not more than 0.10% ---------------------------------------- -------------------------------------------------- ------ (Old) June 9, 2017 1.องค์ประกอบเชิงแสงที่ประกอบไปด้วยฟิมล์บสงเชิงแสง ที่ซึ่ง ฟิล์มบางเชิงแสงดังกล่าวมีอลูมิเนียมออกไซด์เป็นส่วนประกอบหลัก มีชั้นอลูมิเนียม ออกไซด์ซึ่งมีค่าสัมประสิทธิ์ของฟิล์มบางเชิงแสงที่กำหนดโดยความหนาของฟิล์มเชิงแสงและ ความยาวคลื่นกลางในช่วง 0.010 ขึ้นไป ไม่เกิน1. Optical elements composed of optical film, where the optical thin films contain aluminum oxide as the main component. There is an aluminum layer. Oxide, which has an optical thin film coefficient determined by the optical film thickness and Medium wavelength in the range 0.010 and above, not more than 2.00 และที่ความยาวคลื่นเดียวกันของแถบ ความยาวคลื่นกลางนั้น และเป็นฟิล์มบางชั้นเดียวที่ประกอบด้วยชั้นอลูมิเนียมออกไซด์ดังกล่าว ในช่วงความยาวคลื่นของแสงเดียวกันของบริเวณความยาวคลื่น 400 nm ขึ้นไป ไม่เกิน 700 nm อัตราการสะท้อนที่ 1 ที่อุณหภูมิปกติกับอัตราการสะท้อนที่ 2 ที่อุณหภูมิให้ความร้อนที่ สามารถกำจัดน้ำของชั้นอลูมิเนียมออกไซด์ดังกล่าว มีการชิพท์ไม่เกิน 0.10%2.00 and at the same wavelength of the band That medium wavelength And is a single thin film composed of such layers of aluminum oxide At the same wavelength of 400 nm, the wavelength of 400 nm or more does not exceed 700 nm, the reflection rate 1 at normal temperature and the reflection rate 2 at the heating temperature at It can remove the water of the aluminum oxide layer. The chip is not more than 0.10%.
TH1401006793A 2013-05-15 Optical component TH66025B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH145894A TH145894A (en) 2016-03-04
TH66025B true TH66025B (en) 2018-11-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105511004B (en) Wavelength selecting filter and light irradiation device
JP2016048296A5 (en) Optical element, optical system, and optical device having antireflection film
EP4478120A3 (en) High contrast optical film and devices including the same
MX379332B (en) SUBSTRATE PROVIDED WITH A STACK THAT HAS THERMAL PROPERTIES.
MX381029B (en) TRANSPARENT LAYERED ELEMENT.
ES2515665A2 (en) Reflection layer system for solar applications and method for the production thereof
MX383872B (en) MATERIAL PROVIDED WITH A BATTERY THAT HAS THERMAL PROPERTIES.
JP2017191933A5 (en) Method for manufacturing semiconductor device and display device
EA201592165A1 (en) PROTECTIVE FILM, REFLECTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING PROTECTIVE FILM
SG10201806936XA (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
MX374442B (en) SUBSTRATE THAT HAS A MULTILAYER WITH THERMAL PROPERTIES AND AN ABSORPTION LAYER.
PH12016501801B1 (en) Substrate having a stack with thermal properties
JP2016119454A5 (en)
AR096746A1 (en) MULTIPLE LAYERS COEXTRUSED FILM WITH PROPYLENE BASED POLYMER AND ETHYLENE BASED POLYMER
SG11201908105VA (en) Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device
JP2016054168A5 (en)
ATE534147T1 (en) PHOTODETECTOR ELEMENT
TW201613758A (en) Laminate film, electrode substrate film, and manufacturing method therefor
CN103383474A (en) Ultraviolet transmission component and light source device
WO2017216592A3 (en) Antireflection film and its use on a substrate
JP2014072192A5 (en)
TH66025B (en) Optical component
JP2017067807A5 (en)
TH145894A (en) Optical component
MX359910B (en) Improved designs for integrated computational elements.