TH65964B - วิธีการสำหรับการผลิตซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรมที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents

Abstract

DC60 (13/09/54) ซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรมที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ ที่มีช่อง , ร่อง หรือ ขั้น จะถูกผลิตขึ้นโดยการทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของ ซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ ที่มีไบร์ฟิงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็นไม่เกิน 3 นาโนเมตร ต่อเซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน เพื่อสร้างช่อง , ร่อง หรือ ขั้น , และการกำจัดความเค้นตกค้าง เนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักร

Claims (5)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :------15/12/2560------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 4 หน้า ข้อถือสิทธิ 1. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปซับสเตรทกระจกควอตซ์ไปเป็นซับสเตรทของกลุ่มหนึ่งที่ประกอบด้วย โฟโตมาสค์, ส่วนประกอบเครื่องมือของการเผย , เรติเคิล และส่วนประกอบนาโนอิมพรินห์, การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน , การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื้อสร้างช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ , และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ของพื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร เพื่อกำจัดขั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงานในพื้นผิวที่ถูก ทำงานด้วยเครื่องจักร 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดของพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้างของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น เพื่อการขัดขึ้นเงา โดยส่วนของ การทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัส กับพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้าง ภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็นอิสระ 3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา , เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบ และซับสเตรท จะถูกทำให้เคลื่อนที่ในลักษณะสัมพันธ์กันในลักษณะที่ส่วนของ การทำงานอาจจะเคลื่อนไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้นในซับสเตรท 4.วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ,เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบจะถูกทำให้หมุนไปรอบช่อง หรือ แท่นที่ใช้ยึดซับสเตรทจะถูกทำให้หมุน ในลักษณะที่ส่วนของการทำงานอาจจะเคลื่อนไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ในซับสเตรท 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดช่อง, ร่อง หรือ ขั้น เพื่อขัดขึ้นเงาโดยส่วนของการทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ หน้า 2 ของจำนวน 4 หน้า ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัสกับช่อง , ร่อง หรือ ขั้นภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็น อิสระในช่วงของ 1 ถึง 1,000,000 Pa 6. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา , เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบ หรือ แท่นที่ใช้ยึดซับสเตรท จะถูกทำให้เคลื่อนไปตามอย่างน้อยหนึ่งแกนแนวตรง ในลักษณะที่ส่วนของการทำงานอาจจะเคลื่อนไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ในซับสเตรท 7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดของพื้นผิวต้านล่างและพื้นผิวต้านข้างของช่อง,ร่องหรือขั้นเพื่อขัดขึ้นเงาโดยส่วนของ การทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัส พร้อมกันกับพื้นผิวต้านล่าง และด้านข้างพร้อมกัน ภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็นอิสระ 8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งซับสเตรทบนพื้นผิวต้านหน้าของมัน จะมีความเรียบเป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร และความขนานกันเป็นไม่เกิน 10 ไมโครเมตร , และซับสเตรทบนพื้นผิว ของมันจะฝานการเปลี่ยนแปลง\'ของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร และการเปลี่ยนแปลงของ ความขนานกันเป็นไม่เกิน 0.3 ไมโครเมตร ก่อนและหลังจากการสร้างขึ้นของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น 9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งพื้นผิวต้านล่าง และพื้นผิวต้านข้างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมีความหยาบของพื้นผิว Ra เป็นไม่เกิน 1 นาโนเมตร หลังจากการขัดแบบการขัดขึ้นเงาเพื่อกำจัด ขั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงาน 1 0. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ ะ การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดลังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน , การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื่อสร้างช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ , และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการกัดแบบเปียกของ ซับสเตรทกระจกด้วยสารละลายของการกัดกระจก เพื่อกำจัดขั้นที่ไต้รับผลกระทบจากการทำงานใน พื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร หน้า 3 ของจำนวน 4 หน้า 1 1. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งสารละลายของการกัดกระจก คือ สารละลาย ชนิดเอเควียสที่มีไฮโดรฟลูออริกแอซิด หรือ ฟลูออไรด์ 1 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งซับสเตรทบนพื้นผิวด้านหน้าของมัน จะมีความเรียบ เป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร และความขนานกันเป็นไม่เกิน 10 ไมโครเมตร , และซับสเตรทบน พื้นผิวของมันจะผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร และ การเปลี่ยนแปลงของความขนานกันเป็นไม่เกิน 0.3 ไมโครเมตร ก่อนและหลังจากการสร้างขึ้นของ ช่อง , ร่อง หรือ ขั้น 1 3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งซับสเตรทกระจกจะถูกใช้ในฐานะเป็นโฟโตมาสค์, ส่วนประกอบเครื่องมือของการเผย, เรติเคิลและแบบชนิดนาโนอิมพรินท์ 1 4. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ ะ การขึ้นรูปซับสเตรทกระจกควอตซ์ไปเป็นซับสเตรทของส่วนประกอบนาโนอิมพรินห์, การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดลังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน , การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื่อสร้างช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ , และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ของพื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร เพื่อกำจัดขั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงานในพื้นผิวที่ถูก ทำงานด้วยเครื่องจักร, ซึ่งพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมีความหยาบของพื้นผิวเป็นไม่เกิน 0.5 นาโนเมตร หลังจากการขัดแบบการขัดขึ้นเงาเพื่อกำจัดขั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงาน, พื้นผิวด้านหน้าของซับสเตรกระจกจะผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเริยบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร ก่อน และหลังจากการทำงานของช่อง, ร่อง หรือ ขั้นในซับสเตรทกระจก, และ พื้นผิวด้านหลังของซับสเตรกระจกที่ไม่นับรวมบริเวณของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะผ่าน การเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร ก่อน และหลังจากการทำงานของช่อง, ร่อง หรือ ขั้นในซับสเตรกระจก หน้า 4 ของจำนวน 4 หน้า 1 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 14 ซึ่งพื้นผิวด้านหน้าของซับสเตรทกระจกจะมีความเรียบ เป็น 0.01 ถึง 0.3 ไมโครเมตร, พื้นผิวด้านหลังของซับสเตรทกระจกที่ไม่นับรวมบริเวณของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมี ความเรียบเป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร, พื้นผิวด้านล่างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น ซึ่งถูกขัดเพื่อขัดขึ้นเงาจะมีความเรียบเป็น 0.01 ถึง 10 ไมโครเมตร และความขนานกันเป็นไม่เกิน 50 ไมโครเมตร ------------ วันที่แก้ไข 12/11/58 1. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การขึ้นรูปซับสเตรทกระจกควอตซ์ไปเป็นซับสเตรทของกลุ่มที่ประกอบด้วย โฟโตมาสต์, ส่วนประกอบเครื่องมือของการเผย, เรติเคิล และส่วนประกอบนาโนอิมพริมท์, การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน, การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื่อสร้างช่อง, ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ของพื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร เพื่อกำจัดชั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงานในพื้นผิวที่ถูก ทำงานด้วยเครื่องจักร 2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดของพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้างของช่อง , ร่อง หรือ ชั้น เพื่อการขัดเงาขึ้นเงา โดยส่วนของ การทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัส กับพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้าง ภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็นอิสระ 3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ,เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบ และซับสเตรท จะถูกทำให้เคลื่อนที่ในลักษณะสัมพันธ์กันในลักษณะที่ส่วนของ การทำงานอาจจะเคลื่อนไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้นตอนในซับสเตรท 4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา , เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบจะถูกทำให้หมุนไปรอบช่อง หรือ แท่นที่ใช้ยึดซับสเตรทจะถูกทำให้หมุน ในลักษณะที่ส่วนของการทำงานอาจจะเคลื่อนไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ในซับสเตรท 5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดช่อง, ร่อง หรือ ขั้น เพื่อขัดขึ้นเงาโดยส่วนของการทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัสกับช่อง , ร่อง หรือ ขั้นภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็น อิสระในช่วงของ 1 ถึง 1,000,000 Pa 6. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ซึ่งในขั้นตอนของการขัดแบบการขัดขึ้นเงา , เครื่องมือของ การขัดที่หมุนรอบ หรือ แท่นที่ใช้ยึดซับสเตรท จะถูกทำให้เคลื่อนไปตามอย่างน้อยหนึ่งแกนแนวตรง ในลักษณะที่ส่วนของการทำงานอาจจะเคลื่อนที่ไปตามโปรไฟล์ของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น ในซับสเตรท 7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งขั้นตอนของการขัดแบบการขัดเงาจะรวมเข้าไว้ด้วย การขัดของพื้นผิวด้านล่าง หรือ พื้นผิวด้านข้างของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น เพื่อขัดขึ้นเงาโดยส่วนของ การทำงานของเครื่องมือของการขัดที่หมุนรอบ ขณะที่รักษาส่วนของการทำงานไว้ในการสัมผัส พร้อมกันกับพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้างพร้อมกัน ภายใต้แรงกดที่คงที่ที่เป็นอิสระ 8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งซับสเตรทบนพื้นผิวด้านหน้าของมัน จะมีความเรียบเป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร และความขนานกันเป็นไม่เกิน 10 ไมโครเมตร , และซับสเตรทบนพื้นผิว ของมันจะผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร และการเปลี่ยนแปลงของ ความขนานกันเป็นไม่เกิน 0.3 ไมโครเมตร ก่อนและหลังจากการสร้างขึ้นของช่อง , ร่อง หรือ ขั้น 9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งพื้นผิวด้านล่าง และพื้นผิวด้านข้างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมีความหยาบของพื้นผิว Ra เป็นไม่เกิน 1 นาโนเมตร หลังจากการขัดแบบการขัดขึ้นเงาเพื่อกำจัด ชั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงาน 1 0. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน, การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื่อสร้างช่อง, ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการกัดแบบเปียกของ ซับสเตรทกระจกด้วยสารละลายของการกัดกระจก เพื่อกำจัดชั้นที่ได้รับผลกระทบจากการทำงานใน พื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร 1

1. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งสารละลายของการกัดกระจก คือ สารละลาย ชนิดเอเควียสที่มีไฮโดรฟลูออริกแอซิด หรือ ฟลูออไรด์ 1

2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งซับสเตรทบนพื้นผิวด้านหน้าของมัน จะมีความเรียบ เป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร และความขนานกันเป็นไม่เกิน 10 ไมโครเมตร , และซับสเตรทบน พื้นผิวของมันจะผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร และ การเปลี่ยนแปลงของความขนานกันเป็นไม่เกิน 0.3 ไมโครเมตร ก่อนและหลังจากการสร้างขึ้นของ ช่อง , ร่อง หรือ ขั้น 1

3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ซึ่งซับสเตรทกระจกจะถูกใช้ในฐานะเป็นโฟโตมาสค์, ส่วนประกอบเครื่องมือของการเผย , เรติเคิล และแบบชนิดนาโนอิมพรินท์ 1

4. วิธีการสำหรับการผลิตของซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่ใช้ในอุตสาหกรรม ที่เกี่ยวกับอิเล็กทรอนิกส์ที่มีช่อง, ร่อง หรือ ขั้น , ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ: การขึ้นรูปซับสเตรทกระจกควอตซ์ไปเป็นซับสเตรทของส่วนประกอบนาโนอิมพริมท์, การจัดให้มีซับสเตรทกระจกควอตซ์ชนิดสังเคราะห์ที่มีไบร์ฟริงเกนซ์ที่มากที่สุดเป็น ไม่เกิน 3 นาโนเมตร/เซนติเมตร ในทั้งหมดของมัน, การทำงานด้วยเครื่องจักรของอย่างน้อยหนึ่งพื้นผิวของซับสเตรท เพื่อสร้างช่อง, ร่อง หรือ ขั้น ขึ้นในที่นี้ และ การกำจัดความเค้นตกค้างเนื่องจากการทำงานด้วยเครื่องจักรโดยการขัดแบบการขัดขึ้นเงา ของพื้นผิวที่ถูกทำงานด้วยเครื่องจักร เพื่อกำจัดชั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงานในพื้นผิวที่ถูก ทำงานด้วยเครื่องจักร, ซึ่งพื้นผิวด้านล่าง และด้านข้างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมีความหยาบของพื้นผิวเป็นไม่เกิน 0.5 นาโนเมตร หลังจากการขัดแบบการขัดเงาเพื่อกำจัดขั้นที่ถูกส่งผลกระทบจากการทำงาน, พื้นผิวด้านหน้าของซับสเตรทกระจกจะผ่านการเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร ก่อน และหลังจากการทำงานของช่อง, ร่อง หรือ ขั้นในซับสเตรทกระจก, และ พื้นผิวด้านหลังของซับสเตรทกระจกที่ไม่นับรวมบริเวณของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะผ่าน การเปลี่ยนแปลงของความเรียบเป็นไม่เกิน 0.1 ไมโครเมตร ก่อน และหลังจากการทำงานของช่อง, ร่อง หรือ ขั้นในซับสเตรทกระจก 1

5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อที่ 14 ซึ่งพื้นผิวด้านหน้าของซับสเตรทกระจกจะมีความเรียบ เป็น 0.01 ถึง 0.3 ไมโครเมตร, พื้นผิวด้านหลังของซับสเตรทกระจกที่ไม่นับรวมบริเวณของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น จะมี ความเรียบเป็น 0.01 ถึง 0.5 ไมโครเมตร, พื้นผิวด้านล่างของช่อง, ร่อง หรือ ขั้น ซึ่งถูกขัดเพื่อขัดขึ้นเงาจะมีความเรียบเป็น 0.01 ถึง 10 ไมโครเมตร และความขนานไม่เกิน 50 ไมโครเมตร --------------------------------------------------