TH64590A - สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์ - Google Patents
สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์Info
- Publication number
- TH64590A TH64590A TH301002082A TH0301002082A TH64590A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A TH 301002082 A TH301002082 A TH 301002082A TH 0301002082 A TH0301002082 A TH 0301002082A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- organic solvents
- oxidizing agents
- cleaning
- containing oxidizing
- Prior art date
Links
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title abstract 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 claims 1
- -1 sulfolines Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N selinone Chemical compound C1=CC(OCC=C(C)C)=CC=C1C1OC2=CC(O)=CC(O)=C2C(=O)C1 GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000009867 copper metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (02/09/46) สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทรอนิกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทริกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ
Claims (1)
1. สารผสมสำหรับทำความสะอาดที่ใช้ทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจาก ชิ้นงานไมโครอิเล็กทรอนิก, สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดดังกล่าวประกอบรวมด้วย: สารออกซิไดซ์; ตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิด อิ่มตัว; และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบต่าง ๆ ต่อไปนี้หนึ่งชนิดหรือมาก กว่า: กรด; แอลคาไลน์เบส; ตัวทำละลายร่วมที่ยับยั้งการกัดกร่อน; แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64590A true TH64590A (th) | 2004-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003104900A3 (en) | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents | |
| BR0311830A (pt) | Composições removedoras de arco e de limpeza de microeletrÈnicos | |
| KR100386137B1 (ko) | 에틸렌디아민사초산 또는 그의 암모늄염 반도체 공정 잔류물 제거 조성물 및 방법 | |
| ATE367460T1 (de) | 1,3-dicarbonylverbindungen enthaltende halbleiterstrippzusammensetzung | |
| ATE420941T1 (de) | Chemische spülzusammensetzung | |
| US6821352B2 (en) | Compositions for removing etching residue and use thereof | |
| US9957469B2 (en) | Copper corrosion inhibition system | |
| EP3040409B1 (en) | Stripping compositions having high wn/w etching selectivity | |
| ATE405621T1 (de) | Aufüberkritischem kohlenstoffdioxid beruhende formulierung für die entfernung von gegebenenfalls veraschten aluminiumresten nach dem ätzen | |
| WO2002004233A8 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| US20060042651A1 (en) | Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface | |
| KR100705416B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| EP1576072A4 (en) | Aqueous phosphoric acid composition for cleaning semi-conductor devices | |
| JPH06266119A (ja) | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤 | |
| MY130394A (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
| CN107121901A (zh) | 一种富水基清洗液组合物 | |
| JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| SG152961A1 (en) | Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| CN102334069A (zh) | 基于多用途酸性有机溶剂的微电子清洗组合物 | |
| KR102173490B1 (ko) | 비-수성 텅스텐 상용성 금속 질화물 선택적 에칭제 및 세정제 | |
| TH64590A (th) | สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์ | |
| US20100173251A1 (en) | Photoresist residue removal composition | |
| JP4666515B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| TW201730326A (zh) | 具有優異基材相容性及卓越浴穩定性之經酸性半水性氟化物活化的抗反射塗層清潔劑 | |
| Rużyłło | Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing VIII: Proceedings of the International Symposium |