TH64590A - สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์ - Google Patents
สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์Info
- Publication number
- TH64590A TH64590A TH301002082A TH0301002082A TH64590A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A TH 301002082 A TH301002082 A TH 301002082A TH 0301002082 A TH0301002082 A TH 0301002082A TH 64590 A TH64590 A TH 64590A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- organic solvents
- oxidizing agents
- cleaning
- containing oxidizing
- Prior art date
Links
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title abstract 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title abstract 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 claims 1
- -1 sulfolines Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N selinone Chemical compound C1=CC(OCC=C(C)C)=CC=C1C1OC2=CC(O)=CC(O)=C2C(=O)C1 GYSDUVRPSWKYDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000009867 copper metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (02/09/46) สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทรอนิกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ สารผสมสำหรับทำความสะอาดซึ่งเหมาะสำหรับทำความสะอาดโครงสร้างไมโคร- อิเล็กทริกที่มีซิลิคอนไดออกไซด์, ไดอิเล็กทริก ชนิด K ต่ำหรือ K สูง และการทำให้เป็นโลหะด้วย ทองแดง หรืออลูมิเนียมซึ่งมีสารออกซิไดซ์กับตัวทำละลายอินทรีย์ที่ มีขั้วซึ่งเลือกมาจากเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิดอิ่มตัว, และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบชนิด อื่น ๆ
Claims (1)
1. สารผสมสำหรับทำความสะอาดที่ใช้ทำความสะอาดโฟโต้รีซิสท์ และสารตกค้างจาก ชิ้นงานไมโครอิเล็กทรอนิก, สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดดังกล่าวประกอบรวมด้วย: สารออกซิไดซ์; ตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีขั้วซึ่งเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยเอไมด์, ซัลโฟน, ซัลโฟลีน, ซีลีโนน และแอลกอฮอล์ชนิด อิ่มตัว; และอาจเลือกใช้ส่วนประกอบต่าง ๆ ต่อไปนี้หนึ่งชนิดหรือมาก กว่า: กรด; แอลคาไลน์เบส; ตัวทำละลายร่วมที่ยับยั้งการกัดกร่อน; แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64590A true TH64590A (th) | 2004-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003104900A3 (en) | Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents | |
| MY142745A (en) | Microelectronic cleaning and arc remover compositions | |
| ATE367460T1 (de) | 1,3-dicarbonylverbindungen enthaltende halbleiterstrippzusammensetzung | |
| ATE420941T1 (de) | Chemische spülzusammensetzung | |
| US6492311B2 (en) | Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process | |
| US6821352B2 (en) | Compositions for removing etching residue and use thereof | |
| US9957469B2 (en) | Copper corrosion inhibition system | |
| EP3040409B1 (en) | Stripping compositions having high wn/w etching selectivity | |
| US7718009B2 (en) | Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface | |
| WO2002004233A8 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| US20060122085A1 (en) | Compositions and methods for high-efficiency cleaning of semiconductor wafers | |
| KR100705416B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2004047980A5 (ja) | 微細構造体の洗浄方法 | |
| WO2007120259A3 (en) | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices | |
| EP1576072A4 (en) | Aqueous phosphoric acid composition for cleaning semi-conductor devices | |
| JP2005529363A5 (th) | ||
| AU2003284932A1 (en) | Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for ashed and unashed aluminum post-etch residue removal | |
| JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| KR101691850B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | |
| SG152961A1 (en) | Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| JP4463054B2 (ja) | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
| CN102334069A (zh) | 基于多用途酸性有机溶剂的微电子清洗组合物 | |
| KR102173490B1 (ko) | 비-수성 텅스텐 상용성 금속 질화물 선택적 에칭제 및 세정제 | |
| TH64590A (th) | สารผสมสำหรับทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกที่มีสารออกซิไดซ์ และตัวทำละลายอินทรีย์ | |
| CN101201557A (zh) | 清洗厚膜光刻胶的清洗剂 |