TH64545B - Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass - Google Patents

Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass

Info

Publication number
TH64545B
TH64545B TH1201004893A TH1201004893A TH64545B TH 64545 B TH64545 B TH 64545B TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 64545 B TH64545 B TH 64545B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
film
chromium
nickel
layer
glass
Prior art date
Application number
TH1201004893A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH128450A (en
Inventor
บุญเรือง นางสกุลกานต์
จันต๊ะวงศ์ นายจิรวัฒน์
หรูอนันต์ นายชาญเดช
อัตถิ นายนิธิ
เจียมศักดิ์ศิริ นายวุฒินันท์
โพธิ์ใย นายอัมพร
Original Assignee
นางสาวน้ำฝน โอวศิริกุล
นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล นายชาญชัย นีรพัฒนกุล นางสาวน้ำฝน โอวศิริกุล
นายชาญชัย นีรพัฒนกุล
สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวน้ำฝน โอวศิริกุล, นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล, นางสาวอรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล นายชาญชัย นีรพัฒนกุล นางสาวน้ำฝน โอวศิริกุล, นายชาญชัย นีรพัฒนกุล, สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ filed Critical นางสาวน้ำฝน โอวศิริกุล
Publication of TH128450A publication Critical patent/TH128450A/en
Publication of TH64545B publication Critical patent/TH64545B/en

Links

Abstract

DC60 (32/09/55) การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating (CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Double patterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch (LELE) ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมาก ทำให้ง่ายต่อการควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้ การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating(CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Doublepatterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch(LELE)ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมากทำ ให้ง่ายต่การควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้DC60 (32/09/55) This invention focuses on fabricating a chromium/nickel multi-film thickness mask (Cr/Ni MFT-Mask) to create three-dimensional microstructures with multiple etching depths by varying the thickness of the nickel/chromium film with a constant composition ratio. This can be applied to create three-dimensional concentric chirped grating (CCG) differential lens gratings, replacing the double patterning technique of litho-etch-litho-etch (LELE) with positional shifting during the second irradiation step, which may involve positional errors during wafer-to-wafer process control. Furthermore, it offers lower manufacturing costs than grayscale lithography masks (GSL) and increases the number of three-dimensional structure levels. Beyond the use of multi-layer chromium/nickel film (Cr MFT-Mask) microforming, this invention simplifies quality control of microforms by eliminating the need for ultra-thin film layers. This invention focuses on creating a chromium/nickel multi-layer film thickness mask (Cr/Ni MFT-Mask) capable of producing three-dimensional microstructures with multiple etching depths. This is achieved by varying the thickness of the nickel/chromium film with a constant composition ratio. Furthermore, it can be applied to create three-dimensional concentric chirped grating (CCG) structures, replacing the double-patterning Litho-Etch-Litho-Etch (LELE) technique combined with wafer-to-wafer positioning errors during the second irradiation step. Moreover, it offers lower manufacturing costs compared to conventional methods. Grayscale lithography masks (GSLs) increase the number of three-dimensional structure levels compared to multi-layer chromium film (Cr MFT-Masks) without requiring very thin film layers, making quality control of the prototype glass easier.

Claims (7)

1.กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับ ประกอบด้วย -ฐานรงอโปร่งแสงกึ่งนำไฟฟ้า -ชั้นฟิล์มโครเมียมที่เคลือบอยู่บนฐานรองโปร่งแสง -ชั้นฟิล์มนิกเกิลที่มีบางส่วนเคลือบอยู่บนชั้นฟิล์มโครเมียม และมีบางส่วนของชั้นฟิล์มนิกเกิลเคลือบอยู่ บนฐานรองโปร่งแสงกึ่งนำไฟฟ้า1.Prototype glass with multiple film thicknesses consisting of - a translucent, semi-conductive base - A layer of chromium film coated on the transparent base - A thin layer of nickel film coated on the chromium film. And there are some parts of the nickel film covered. On a semi-conductive translucent base 2. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มโครเมียมมีความหนา ที่น้อยกว่า 100 นาโนเมตร2.Primary glass with multiple film thicknesses according to claim 1 or 2, where the chromium film thickness is less than 100 nm. 3. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มนิกเกิลมีความ หนาที่น้อยกว่า 50 นาโนเมตร3. Prototype glass with various film thicknesses according to claim 1 or 2, where the nickel film layer is Thick that is less than 50 nm. 4. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งฐานโปร่งแสงทำมาจากแก้ว หรือควอทช์ หรือวัสดุโปร่งแสงชนิดอื่นๆ4. Prototype glass of various film thicknesses according to claim 1 or 2, where the translucent base is made of glass or quartz or other transparent material. 5. วิธีสร้างกระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดชนิดโครเมียมและนิกเกิล ประกอบด้วย ขั้นตอน ก. การจัดให้มีฐานของกึ่งนำไฟฟ้าที่มีชั้นฟิล์มโครเมียมเคลือบอยู่บนฐานรอง ข. การจัดให้มีชั้นฟิล์มนำยาไวแสงเคลือบอยู่บนชั้นฟิล์มโครเมียมในขั้นตอน ก. ค. การฉายแสงลงบนชั้นฟิลืมน้ำยาไวแสงโดยกระบวนการโฟโตลิโทรการฟี (Photolithography) และ ล้างลาย ( Develop) ง. การกัดชั้นฟิล์มโครเมียมในส่วนที่ไม่มีขั้นน้ำยาไวแสงปกคลุมและลอกชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงส่วนที่ เหลือภายหลังการกัดออก จ. การเคลือบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงลงยนฐานรองกึ่งตัวนำไฟฟ้าและชั้นฟิล์มโครเมียมในขั้นตอน ง. ฉ. การฉาบแสงลงบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงโดยกระบวนการโฟโตลิโทรการฟี (Photolithographv) และล้าง ลาย (Develop) โดยตำแหน่งการฉายแสงนั้นเป็นคนละตำแหน่งกับการฉายแสงในขั้นตอน ค. ช. การเคลือบฟิล์มนิกเกิลลงบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ฐานรองกึ่งนำไฟฟ้า และโครเมียม ซ. การลอกชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงของชิ้นงานที่ผ่านขั้นตอน ช.5. Method for constructing prototype glass with chromium and nickel multi-layer film thickness consists of steps a. Arrangement of a semi-conductive base with a chromium film coated on the substrate b. The photosensitive film is coated on the chromium film in the July process, the light is irradiated onto the photoresist layer by the photolytic process. (Photolithography) and clearing (Develop) d. Etching of the chromium film in the part without the photosensitive step, cover and peel the part of the photosensitive film layer. The residue after the etching e. The coating of the photosensitive film on the semiconductor substrate and the chromium film in step D f. The light is applied to the photosensitive film by the photolytic process. Feed (Photolithographv) and clear pattern (Develop) where the exposure is different from the exposure in the NC process, the nickel film is coated on a layer of the photosensitive film. Semi-conductive and chromium substrate h. Removing the photosensitive film layer of the workpiece through the process 6. วิธีสร้างกระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดโครเมียมและนิกเกิลตามข้อถือสิทธิ 5 ที่ ซึ่งการเคลือบฟิล์มนิกเกิลเคลือบด้วยเทคนิคการระเหิดโดยใช้ลำอิเล็กตรอน (Electron-beam evaporation)6. Method for creating prototype glass with multi-layer film thickness of chromium and nickel type according to claim 5, where nickel film coating is coated by electron beam sublimation technique. (Electron-beam evaporation) 7. กระจกต้นแบบที่สร้างด้วยวิธีการในข้อถือสิทธิ 5 หรือ 67. Prototype mirror created by means of Clause 5 or 6.
TH1201004893A 2012-09-21 Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass TH64545B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH128450A TH128450A (en) 2013-10-16
TH64545B true TH64545B (en) 2018-08-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5558327B2 (en) Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method, and template manufacturing method
KR101333899B1 (en) Multi-gray scale photomask, manufacturing method of multi-gray scale photomask, pattern transfer method, and manufacturing method of thin film transistor
CN101436528A (en) Method for fabricating semiconductor device
US8951698B2 (en) Method for forming pattern and method for producing original lithography mask
JP6441162B2 (en) Template substrate, template substrate manufacturing method, pattern forming method
US6455227B1 (en) Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof
US9170480B2 (en) Reflective extreme ultraviolet mask and method of forming a pattern using the same
TWI501024B (en) Lithography mask and method for fabricating the same
US8545969B2 (en) Pattern-formed substrate, pattern-forming method, and die
US7901848B2 (en) Method of fabricating a photomask using self assembly molecule
WO2016114455A1 (en) Photolithography method
TH128450A (en) Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass
US20110059402A1 (en) Exposure method
JP6015140B2 (en) Nanoimprint mold and manufacturing method thereof
US9017903B2 (en) Mask overlay control
JP2018157093A (en) Manufacturing method of template and template base metal
US20120214103A1 (en) Method for fabricating semiconductor devices with fine patterns
FR2894691B1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING LITHOGRAPHIC MASK IN REFLECTION AND MASK DERIVED FROM THE PROCESS
DE102012107757A1 (en) Method for producing a lithographic mask
KR20090006703A (en) High aspect ratio microstructure manufacturing method
US20080160429A1 (en) Method for manufacturing a photomask
KR100930388B1 (en) Pattern formation method of semiconductor device
JP2006305800A (en) Mold for molding and method for producing resin molded body
JP6638493B2 (en) Method of manufacturing template having multi-stage structure
US7910268B2 (en) Method for fabricating fine pattern in photomask