TH64545B - Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass - Google Patents
Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glassInfo
- Publication number
- TH64545B TH64545B TH1201004893A TH1201004893A TH64545B TH 64545 B TH64545 B TH 64545B TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 64545 B TH64545 B TH 64545B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- film
- chromium
- nickel
- layer
- glass
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (32/09/55) การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating (CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Double patterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch (LELE) ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมาก ทำให้ง่ายต่อการควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้ การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating(CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Doublepatterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch(LELE)ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมากทำ ให้ง่ายต่การควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้DC60 (32/09/55) This invention focuses on fabricating a chromium/nickel multi-film thickness mask (Cr/Ni MFT-Mask) to create three-dimensional microstructures with multiple etching depths by varying the thickness of the nickel/chromium film with a constant composition ratio. This can be applied to create three-dimensional concentric chirped grating (CCG) differential lens gratings, replacing the double patterning technique of litho-etch-litho-etch (LELE) with positional shifting during the second irradiation step, which may involve positional errors during wafer-to-wafer process control. Furthermore, it offers lower manufacturing costs than grayscale lithography masks (GSL) and increases the number of three-dimensional structure levels. Beyond the use of multi-layer chromium/nickel film (Cr MFT-Mask) microforming, this invention simplifies quality control of microforms by eliminating the need for ultra-thin film layers. This invention focuses on creating a chromium/nickel multi-layer film thickness mask (Cr/Ni MFT-Mask) capable of producing three-dimensional microstructures with multiple etching depths. This is achieved by varying the thickness of the nickel/chromium film with a constant composition ratio. Furthermore, it can be applied to create three-dimensional concentric chirped grating (CCG) structures, replacing the double-patterning Litho-Etch-Litho-Etch (LELE) technique combined with wafer-to-wafer positioning errors during the second irradiation step. Moreover, it offers lower manufacturing costs compared to conventional methods. Grayscale lithography masks (GSLs) increase the number of three-dimensional structure levels compared to multi-layer chromium film (Cr MFT-Masks) without requiring very thin film layers, making quality control of the prototype glass easier.
Claims (7)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH128450A TH128450A (en) | 2013-10-16 |
| TH64545B true TH64545B (en) | 2018-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5558327B2 (en) | Pattern forming method, semiconductor device manufacturing method, and template manufacturing method | |
| KR101333899B1 (en) | Multi-gray scale photomask, manufacturing method of multi-gray scale photomask, pattern transfer method, and manufacturing method of thin film transistor | |
| CN101436528A (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| US8951698B2 (en) | Method for forming pattern and method for producing original lithography mask | |
| JP6441162B2 (en) | Template substrate, template substrate manufacturing method, pattern forming method | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| US9170480B2 (en) | Reflective extreme ultraviolet mask and method of forming a pattern using the same | |
| TWI501024B (en) | Lithography mask and method for fabricating the same | |
| US8545969B2 (en) | Pattern-formed substrate, pattern-forming method, and die | |
| US7901848B2 (en) | Method of fabricating a photomask using self assembly molecule | |
| WO2016114455A1 (en) | Photolithography method | |
| TH128450A (en) | Prototype glass with multiple film thicknesses of chromium and nickel types And how to create such prototype glass | |
| US20110059402A1 (en) | Exposure method | |
| JP6015140B2 (en) | Nanoimprint mold and manufacturing method thereof | |
| US9017903B2 (en) | Mask overlay control | |
| JP2018157093A (en) | Manufacturing method of template and template base metal | |
| US20120214103A1 (en) | Method for fabricating semiconductor devices with fine patterns | |
| FR2894691B1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING LITHOGRAPHIC MASK IN REFLECTION AND MASK DERIVED FROM THE PROCESS | |
| DE102012107757A1 (en) | Method for producing a lithographic mask | |
| KR20090006703A (en) | High aspect ratio microstructure manufacturing method | |
| US20080160429A1 (en) | Method for manufacturing a photomask | |
| KR100930388B1 (en) | Pattern formation method of semiconductor device | |
| JP2006305800A (en) | Mold for molding and method for producing resin molded body | |
| JP6638493B2 (en) | Method of manufacturing template having multi-stage structure | |
| US7910268B2 (en) | Method for fabricating fine pattern in photomask |