TH61004A - โครงสร้างจุลภาค - Google Patents

Abstract

DC60 (13/03/46) มีการบรรยายเกี่ยวกับวิธีการในการทำโครงสร้างจุลภาค วิธีการดังกล่าวประกอบด้วย: การพอกสะสมวัสดุล่อบนชั้นฐานรอง; การปลูกผลึกท่อนาโนจากวัสดุล่อ; การพอกสะสมวัสดุโครง สร้าง จุลภาคบนชั้นฐานรองเพื่อฝังท่อนาโน ในวัสดุโครงสร้าง จุลภาค; และการแกะลอกชั้นฐานรอง เพื่อปลดปล่อยโครงสร้าง จุลภาค โครงสร้างจุลภาคที่เกิดขึ้นประกอบด้วย ส่วนตัวเรือน และท่อนาโน ที่ฝังตัวอยู่ในส่วนตัวเรือน มีการบรรยายเกี่ยวกับวิธีการในการทำโครงสร้างจุลภาค วิธีการดังกล่าวประกอบด้วย: การพอกสะสมวัสดุล่อบนชั้นฐานรอง; การปลูกผลึกท่อนาโนจากวัสดุล่อ; การพอกสะสมวัสดุโครง สร้าง จุลภาคบนชั้นฐานรองเพื่อฝังท่อนาโน ในวัสดุโครงสร้าง จุลภาค; และการแกะลอกชั้นฐานรอง เพื่อปลดปล่อยโครงสร้าง จุลภาค โครงสร้างจุลภาคที่เกิดขึ้นประกอบด้วย ส่วนตัวเรือน และท่อนาโน ที่ฝังตัวอยู่ในส่วนตัวเรือน

Claims (31)

1. วิธีการในการทำโครงสร้างจุลภาค ซึ่งประกอบด้วย: การพอกสะสมวัสดุล่อบนชั้นฐานรอง; การปลูกผลึกท่อนาโนจาก วัสดุล่อ; การพอกสะสม วัสดุโครงสร้างจุลภาค; และการแกะลอกชั้น ฐานรองเพื่อปลดปล่อยโครงสร้างจุลภาค

2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วยการจัดรูปทรง ของวัสดุโครงสร้างจุลภาคก่อนการ ปลดปล่อยโครงสร้างจุลภาค

3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 โดยที่วัสดุโครงสร้าง จุลภาคประกอบด้วยตัวใดตัวหนึ่ง วัสดุต่อไปนี้คือ โพลีเมอร์ วัสดุไดอิเล็กทริก โลหะ และโพลีซิลิคอน

4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่ชั้น ฐานรองทำขึ้นจากตัวใดตัวหนึ่ง ดังต่อไปนี้คือ ซิลิคอน แก้ว ควอตซ์ เซรามิก และพลาสติก

5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่ วัสดุล่อประกอบด้วยชั้นสลับกันของวัสดุ นำหน้าที่หนึ่ง และ ที่สอง

6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 5 โดยที่วัสดุนำหน้าที่หนึ่ง ประกอบด้วยวัสดุฟูลเลอรีน และวัสดุนำ หน้าที่สองประกอบด้วย วัสดุที่ไวต่อสนาม

7. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่วัสดุฟูลเลอรีน ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไปนี้ คือ คาร์บอน60 และ คาร์บอน 82 และวัสดุที่ไวต่อสนามประกอบด้วยตัวใดตัวหนึ่ง จากวัดุต่อไปนี้คือ Ni, Co, Fe, และ Mo

8. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 7 โดยที่วัสดุฟูลเลอรีน ประกอบ ด้วย คาร์บอน 60 และวัสดุที่ไวต่อ สนามประกอบด้วยนิเกิล

9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ ปลูกผลึกท่อนาโน ประกอกด้วย: การ ให้ความร้อนแก่ชั้นฐานรอง ในสภาวะสุญญากาศ และการป้อนสนามให้แก่ชั้นฐานรอง

10. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 โดยที่สภาวะสุญญากาศ ประกอบ ด้วย ออกซิเจน ที่ความดัน มากกว่า 10-5 mbar

11. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 หรือ 10 โดยที่การให้ความ ร้อนประกอบด้วย การยกอุณหภูมิของ ชั้นฐานรองไปที่ค่า ระหว่าง 900 ํC ถึง 1000 ํC

12. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ สนามที่ป้อนให้ประกอบด้วย สนาม แม่เหล็ก

13. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 12 โดยที่สนามแม่เหล็กถูกป้อน ในทิศทางตั้นฉากกับ พื้นผิวของชั้น ฐานรอง

14. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 13 โดยที่สนามแม่เหล็กมีค่ามาก กว่า หรือเท่ากับ 50 Gauss

15. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ สนามที่ป้อนให้ประกอบด้วยสนาม ไฟฟ้า

16. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่สนามไฟฟ้าถูกป้อนใน ทิศทางตั้งฉากกับพื้นผิวของชั้น ฐานรอง

17. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ แกะลอกประกอบด้วย การพอก สะสมชั้นสละทิ้งบนพี้นผิวของชั้น ฐานรอง ก่อนการพอกสะสมวัสดุคานยื่น; และการแช่ชั้นสละทิ้ง ใน อิเล็กทรอไลต์ หลังจากการพอกสะสมวัสดุโครงสร้างจุลภาค

18. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ชั้นสละทิ้งประกอบ ด้วย ชั้นย่อยแอโนด และชั้นย่อย แคโทด

19. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 18 โดยที่ชั้นย่อยแอโนด ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไป นี้คือ AI, Zn, Cr, Fe, และ Co และชั้นย่อยแคโทค ประกอบด้วย โลหะมีสกุล

20. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 19 โดยที่ชั้นย่อยแคโทด ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไป นี้คือ Au, Pd, Pt, Ag, และ Cu

21. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ พอกสะสมวัสดุล่อ ประกอบด้วย: การพอกสะสมชั้นต้านทานแสงบน ชั้นฐานรอง; การทำช่องเปิดในชั้นต้านทานแสง; การกำบังชั้น ฐาน รองด้วยชั้นต้านทานแสงเพื่อคุมให้วัสดุล่ออยู่ที่ ตำแหน่งบนชั้นฐานรอง ที่ถูกกำหนดโดยช่องเปิด; และการกำจัด ชั้นต้านทานแสงเพื่อกำจัดวัสดุล่อส่วนเกิน

22. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 21 โดยที่วิธีการทำช่องเปิด ประกอบด้วย การกัดด้านล่างของชั้น ต้านทานเพื้อสร้างโพรงขึ้น ในชั้นต้านทาน

23. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนข้อ 21 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่ง ประกอบด้วยการทำภาพส่วนปลายใน ชั้นฐานรอง เพื่อสร้างแบบหล่อ สำหรับรับวัสดุโครงสร้างจุลภาค

24. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 23 โดยที่การทำภาพส่วนปลาย ประกอบด้วย: การพอกสะสมชั้น ต้านทานแสงบนชั้นฐานรอง; การทำ ช่องเปิดในชั้นต้านทานแสง; และการกัดด้านล่างของชั้นฐานรอง ใต้ชั้นต้านทานแสงเพื่อสร้างภาพส่วนปลาย

25. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 24 โดยที่การพอกสะสมของวัสดุ ประกอบด้วย: การกำบังชั้น ฐานรองด้วยชั้นต้านทาน เพื่อกำหนด ตำแหน่งของวัสดุล่อในมุมยอดของภาพส่วนปลาย; และการ กำจัด ชั้นต้านทานเพื่อกำจัดวัสดุล่อส่วนเกิน

26. โครงสร้างจุลภาคซึ่งประกอบด้วย ส่วนตัวเรือน และท่อนา โนที่ฝังตัวอยู่ในส่วนตัวเรือน

27. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 โดยที่ส่วนตัวเรือน ประกอบด้วย คานยื่นและท่อ นาโนฝังตัวอยู่ใน และยื่นออกไปใน แนวด้านข้างจากปลายข้างหนึ่งของคาน

28. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 หรือ 27 โดยที่ส่วน ตัวเรือนประกอบด้วย ส่วนปลาย ที่ยื่นออกไปทางด้านข้าง และ ท่อนาโนฝังตัวอยู่ใน และยื่นออกไปจากมุมยอดของส่วนปลาย

29. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 27 ถึง 28 ข้อใดข้อ หนึ่ง โดยที่ส่วนตัวเรือน ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งของวัสดุ ต่อไปนี้คือ โพลีเมอร์ วัสดุใดอิเล็กทริก โลหะ และโพลี ซิลิคอน

30. ตัวตรวจรับทางกลจุลภาค ซึ่งประกอบด้วย โครงสร้าง จุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 ถึง 29 ข้อใดข้อหนึ่ง

31. อุปกรณ์เก็บข้อมูล ซึ่งประกอบด้วย แถวลำดับของตัวตรวจ รับตามข้อถือสิทธิ 30 สำหรับ อ่าน หรือเขียนข้อมูลลงบนพื้น ผิวเก็บข้อมูล