Claims (31)
1. วิธีการในการทำโครงสร้างจุลภาค ซึ่งประกอบด้วย: การพอกสะสมวัสดุล่อบนชั้นฐานรอง; การปลูกผลึกท่อนาโนจาก วัสดุล่อ; การพอกสะสม วัสดุโครงสร้างจุลภาค; และการแกะลอกชั้น ฐานรองเพื่อปลดปล่อยโครงสร้างจุลภาค1. Methods for creating microstructures include: deposition of attractant material on a substrate layer; growth of nanotube crystals from the attractant material; deposition of the microstructure material; and delamination of the substrate layer to release the microstructure.
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วยการจัดรูปทรง ของวัสดุโครงสร้างจุลภาคก่อนการ ปลดปล่อยโครงสร้างจุลภาค2. The method under Claim 1, which involves shaping the microstructure material prior to the release of the microstructure.
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 โดยที่วัสดุโครงสร้าง จุลภาคประกอบด้วยตัวใดตัวหนึ่ง วัสดุต่อไปนี้คือ โพลีเมอร์ วัสดุไดอิเล็กทริก โลหะ และโพลีซิลิคอน3. Methods under claim 1 or 2 where the microstructure material consists of one of the following materials: polymers, dielectric materials, metals, and polysilicon.
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่ชั้น ฐานรองทำขึ้นจากตัวใดตัวหนึ่ง ดังต่อไปนี้คือ ซิลิคอน แก้ว ควอตซ์ เซรามิก และพลาสติก4. A method under one of the preceding claims where the substrate is made of one of the following materials: silicon, glass, quartz, ceramic, and plastic.
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่ วัสดุล่อประกอบด้วยชั้นสลับกันของวัสดุ นำหน้าที่หนึ่ง และ ที่สอง5. A method pursuant to one of the above claims, where the lure material consists of alternating layers of the first and second leading materials.
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 5 โดยที่วัสดุนำหน้าที่หนึ่ง ประกอบด้วยวัสดุฟูลเลอรีน และวัสดุนำ หน้าที่สองประกอบด้วย วัสดุที่ไวต่อสนาม6. The method under claim 5, where the primary conducting material consists of a fullerene material and the secondary conducting material consists of a field-sensitive material.
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่วัสดุฟูลเลอรีน ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไปนี้ คือ คาร์บอน60 และ คาร์บอน 82 และวัสดุที่ไวต่อสนามประกอบด้วยตัวใดตัวหนึ่ง จากวัดุต่อไปนี้คือ Ni, Co, Fe, และ Mo7. Method according to claim 6, where the fullerene material consists of one of the following materials: carbon-60 and carbon-82, and the field-sensitive material consists of one of the following materials: Ni, Co, Fe, and Mo.
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 7 โดยที่วัสดุฟูลเลอรีน ประกอบ ด้วย คาร์บอน 60 และวัสดุที่ไวต่อ สนามประกอบด้วยนิเกิล8. Method according to claim 7, where the fullerene material consists of carbon 60 and the field-sensitive material consists of nickel.
9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ ปลูกผลึกท่อนาโน ประกอกด้วย: การ ให้ความร้อนแก่ชั้นฐานรอง ในสภาวะสุญญากาศ และการป้อนสนามให้แก่ชั้นฐานรอง9. A method under one of the preceding claims where nanotube crystal growth consists of: heating the substrate in a vacuum and applying a field to the substrate.
10. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 โดยที่สภาวะสุญญากาศ ประกอบ ด้วย ออกซิเจน ที่ความดัน มากกว่า 10-5 mbar10. The method under claim 9, where a vacuum is maintained with oxygen at a pressure greater than 10⁻⁵ mbar.
11. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 หรือ 10 โดยที่การให้ความ ร้อนประกอบด้วย การยกอุณหภูมิของ ชั้นฐานรองไปที่ค่า ระหว่าง 900 ํC ถึง 1000 ํC11. The method under claim 9 or 10 where heating involves raising the temperature of the base layer to between 900°C and 1000°C.
12. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ สนามที่ป้อนให้ประกอบด้วย สนาม แม่เหล็ก12. Any one of the methods under claims 9 through 11, where the applied field consists of a magnetic field.
13. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 12 โดยที่สนามแม่เหล็กถูกป้อน ในทิศทางตั้นฉากกับ พื้นผิวของชั้น ฐานรอง13. Method according to claim 12, where a magnetic field is applied in a direction perpendicular to the surface of the substrate layer.
14. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 13 โดยที่สนามแม่เหล็กมีค่ามาก กว่า หรือเท่ากับ 50 Gauss14. The method under claim 13 where the magnetic field is greater than or equal to 50 Gauss.
15. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่ สนามที่ป้อนให้ประกอบด้วยสนาม ไฟฟ้า15. Any one of the claims 9 through 11, where the applied field consists of an electric field.
16. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 14 โดยที่สนามไฟฟ้าถูกป้อนใน ทิศทางตั้งฉากกับพื้นผิวของชั้น ฐานรอง16. The method under claim 14, where an electric field is applied in a direction perpendicular to the surface of the substrate.
17. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ แกะลอกประกอบด้วย การพอก สะสมชั้นสละทิ้งบนพี้นผิวของชั้น ฐานรอง ก่อนการพอกสะสมวัสดุคานยื่น; และการแช่ชั้นสละทิ้ง ใน อิเล็กทรอไลต์ หลังจากการพอกสะสมวัสดุโครงสร้างจุลภาค17. The method under one of the foregoing claims where the delamination consists of the deposition of a slag layer on the substrate surface prior to the deposition of cantilever material; and the immersion of the slag layer in electrolyte after the deposition of microstructure material.
18. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ชั้นสละทิ้งประกอบ ด้วย ชั้นย่อยแอโนด และชั้นย่อย แคโทด18. The procedure under claim 17, whereby the abandoned layer consists of the anode sublayer and the cathode sublayer.
19. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 18 โดยที่ชั้นย่อยแอโนด ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไป นี้คือ AI, Zn, Cr, Fe, และ Co และชั้นย่อยแคโทค ประกอบด้วย โลหะมีสกุล19. The method according to claim 18, where the anode sublayer consists of one of the following materials: Al, Zn, Cr, Fe, and Co, and the cathode sublayer consists of a noble metal.
20. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 19 โดยที่ชั้นย่อยแคโทด ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งจากวัสดุต่อไป นี้คือ Au, Pd, Pt, Ag, และ Cu20. The method according to claim 19, where the cathode sublayer consists of one of the following materials: Au, Pd, Pt, Ag, and Cu.
21. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น โดยที่การ พอกสะสมวัสดุล่อ ประกอบด้วย: การพอกสะสมชั้นต้านทานแสงบน ชั้นฐานรอง; การทำช่องเปิดในชั้นต้านทานแสง; การกำบังชั้น ฐาน รองด้วยชั้นต้านทานแสงเพื่อคุมให้วัสดุล่ออยู่ที่ ตำแหน่งบนชั้นฐานรอง ที่ถูกกำหนดโดยช่องเปิด; และการกำจัด ชั้นต้านทานแสงเพื่อกำจัดวัสดุล่อส่วนเกิน21. A method under one of the preceding claims where the accumulation of attractant material consists of: accumulation of a light-resistant layer on the substrate; creation of openings in the light-resistant layer; shielding the substrate with a light-resistant layer to control the attractant material at a position on the substrate determined by the openings; and removal of the light-resistant layer to remove excess attractant material.
22. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 21 โดยที่วิธีการทำช่องเปิด ประกอบด้วย การกัดด้านล่างของชั้น ต้านทานเพื้อสร้างโพรงขึ้น ในชั้นต้านทาน22. The method under claim 21, whereby the opening method involves biting the underside of the resistance layer to create a void within the resistance layer.
23. วิธีการตามข้อถือสิทธิก่อนข้อ 21 ข้อใดข้อหนึ่งซึ่ง ประกอบด้วยการทำภาพส่วนปลายใน ชั้นฐานรอง เพื่อสร้างแบบหล่อ สำหรับรับวัสดุโครงสร้างจุลภาค23. Any method under any of the claims prior to Clause 21, which involves creating an end image in the base layer to form a form for receiving the microstructure material.
24. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 23 โดยที่การทำภาพส่วนปลาย ประกอบด้วย: การพอกสะสมชั้น ต้านทานแสงบนชั้นฐานรอง; การทำ ช่องเปิดในชั้นต้านทานแสง; และการกัดด้านล่างของชั้นฐานรอง ใต้ชั้นต้านทานแสงเพื่อสร้างภาพส่วนปลาย24. The method under claim 23, whereby the apical imaging process consists of: deposition of a photoresist layer on the substrate; creation of openings in the photoresist layer; and etching of the underside of the substrate beneath the photoresist layer to create the apical imaging process.
25. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 24 โดยที่การพอกสะสมของวัสดุ ประกอบด้วย: การกำบังชั้น ฐานรองด้วยชั้นต้านทาน เพื่อกำหนด ตำแหน่งของวัสดุล่อในมุมยอดของภาพส่วนปลาย; และการ กำจัด ชั้นต้านทานเพื่อกำจัดวัสดุล่อส่วนเกิน25. The method under claim 24, whereby the accumulation of the material consists of: masking the base layer with a resistance layer to define the position of the lure material at the apex of the apical image; and removing the resistance layer to eliminate excess lure material.
26. โครงสร้างจุลภาคซึ่งประกอบด้วย ส่วนตัวเรือน และท่อนา โนที่ฝังตัวอยู่ในส่วนตัวเรือน26. The microstructure consists of the case and nanotubes embedded within the case.
27. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 โดยที่ส่วนตัวเรือน ประกอบด้วย คานยื่นและท่อ นาโนฝังตัวอยู่ใน และยื่นออกไปใน แนวด้านข้างจากปลายข้างหนึ่งของคาน27. The microstructure according to claim 26, where the housing consists of a cantilever beam and nanotubes embedded in and extending laterally from one end of the beam.
28. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 หรือ 27 โดยที่ส่วน ตัวเรือนประกอบด้วย ส่วนปลาย ที่ยื่นออกไปทางด้านข้าง และ ท่อนาโนฝังตัวอยู่ใน และยื่นออกไปจากมุมยอดของส่วนปลาย28. Microstructure according to claim 26 or 27, where the body consists of a terminal apex that extends laterally and nanotubes embedded in and extending from the apex apex.
29. โครงสร้างจุลภาคตามข้อถือสิทธิ 27 ถึง 28 ข้อใดข้อ หนึ่ง โดยที่ส่วนตัวเรือน ประกอบ ด้วยตัวใดตัวหนึ่งของวัสดุ ต่อไปนี้คือ โพลีเมอร์ วัสดุใดอิเล็กทริก โลหะ และโพลี ซิลิคอน29. A microstructure according to any one of claims 27 or 28 where the housing is composed of one of the following materials: polymer, any dielectric material, metal, and polysilicon.
30. ตัวตรวจรับทางกลจุลภาค ซึ่งประกอบด้วย โครงสร้าง จุลภาคตามข้อถือสิทธิ 26 ถึง 29 ข้อใดข้อหนึ่ง30. A micro-mechanical detector comprising a microstructure as described in any one of claims 26 through 29.
31. อุปกรณ์เก็บข้อมูล ซึ่งประกอบด้วย แถวลำดับของตัวตรวจ รับตามข้อถือสิทธิ 30 สำหรับ อ่าน หรือเขียนข้อมูลลงบนพื้น ผิวเก็บข้อมูล31. Data storage device, consisting of an array of detectors conforming to claim 30 for reading or writing data to the storage surface.