TH60316A - เลเซอร์และมอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าที่ปรับค่าได้ - Google Patents
เลเซอร์และมอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าที่ปรับค่าได้Info
- Publication number
- TH60316A TH60316A TH201002731A TH0201002731A TH60316A TH 60316 A TH60316 A TH 60316A TH 201002731 A TH201002731 A TH 201002731A TH 0201002731 A TH0201002731 A TH 0201002731A TH 60316 A TH60316 A TH 60316A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- laser
- modulator
- absorption modulator
- electric
- electric absorption
- Prior art date
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (20/08/45) มอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะถูกปรับค่าได้พร้อมกับเลเซอร์ การปรับค่ามอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้า จะทำให้ค่าที่คลาดเคลื่อนออก จากค่าที่ปรับไว้ที่เหมาะสมจะมีอยู่คงที่ โดยที่แม้ว่า เลเซอร์จะถูกปรับค่า ไปหลายสิบ nm ก็ตาม วิธีการหนึ่งในการ ปรับค่ามอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าก็คือการให้ความร้อนแก่ มอ ดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้า อุปกรณ์เลเซอร์กึ่งตัวนำจะมีเลเซอร์ กึ่งตัวนำอยู่บนซับสเตรท เลเซอร์กึ่งตัว นำจะสร้างแสงเอาท์ พุทที่ปรับค่าได้ตลอดย่านของการปรับค่าระหว่างความยาวคลื่น ที่หนึ่งและ ความยาวคลื่นที่สอง มอดูเลเตอร์ดูซับไฟฟ้าจะมี ติดตั้งเพื่อปรับระดับแสงที่ได้จากเลเซอร์กึ่งตัวนำ อุณหภูมิใช้งานของมอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะถูกปรับค่าได้ เพื่อที่จะรักษาค่าคลาดเคลื่อนจากค่าที่ ปรับไว้ให้อยู่คง ที่ตลอดส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของย่านที่ทำการปรับ ค่านั้น มอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะถูกปรับค่าได้พร้อมกับเลเซอร์ การปรับค่ามอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้า จะทำให้ค่าที่คลาดเคลื่อนออก จากค่าที่ปรับไว้ที่เหมาะสมจะมีอยู่คงที่ โดยที่แม้ว่า เลเซอร์จะถูกปรับค่า ไปหลายสิบ nm ก็ตาม วิธีการหนึ่งในการ ปรับค่ามอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าก็คือการให้ความร้อนแก่ มอ ดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้า อุปกรณ์เลเซอร์กึ่งตัวนำจะมีเลเซอร์ กึ่งตัวนำอยู่บนซับสเตรท เลเซอร์กึ่งตัว นำจะสร้างแสงเอาท์ พุทที่ปรับค่าได้ตลอดย่านของการปรับค่าระหว่างความยาวคลื่น ที่หนึ่งและ ความยาวคลื่นที่สอง มอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะมี ติดตั้งเพื่อปรับระดับแสงที่ได้จากเลเซอร์กึ่งตัวนำ อุณหภูมิใช้งานของมอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะถูกปรับค่าได้ เพื่อที่จะรักษาค่าคลาดเคลื่อนจากค่าที่ ปรับไว้ให้อยู่คง ที่ตลอดส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของย่านที่ทำการปรับ ค่านั้น
Claims (1)
1. อุปกรณ์เลเซอร์กึ่งตัวนำที่ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรท เลเซอร์กึ่งตวนำที่มีอยู่บนซับสเตรทและใช้สร้างแสงเอาท์พุท ที่ปรับค่าได้ตลอดย่านของการ ปรับค่าระหว่างความยาวคลื่นที่ หนึ่งและความยาวคลื่นที่สอง; มอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าติดตั้งเพื่อใช้ปรับระดับแสงเอาท์ พุทที่สร้างขึ้นโดยเลเซอร์กึ่งตัวนำ และอุณหภูมิใช้งานของมอ ดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าจะถูกปรับค่าได้ เพื่อที่จะทำให้ค่า ที่คลาดเคลื่อนจาก ค่าที่ปรับไว้คงที่ตลอดช่วงใดช่วงหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุดของย่านที่ใช้ปรับค่าดังแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH60316A true TH60316A (th) | 2004-01-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tavakoli et al. | Adjustable high-power-LED solar simulator with extended spectrum in UV region | |
| US5073698A (en) | Method for selectively heating a film on a substrate | |
| US4399345A (en) | Laser trimming of circuit elements on semiconductive substrates | |
| RU2003137773A (ru) | Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления | |
| ATE356440T1 (de) | Photovoltaisches modul mit einstellbarem kühlkörper und herstellungsverfahren | |
| WO2002050875A3 (en) | Heating configuration for use in thermal processing chambers | |
| ATE535009T1 (de) | Hocheffiziente halbleiter-lichtquelle sowie verfahren zu deren verwendung und herstellung | |
| EP0106477A3 (en) | Process for manufacturing semiconductor devices comprising an electrochemical-etching step | |
| CA2130669A1 (en) | Method and apparatus for stabilizing laser diode energy output | |
| EP1353232A3 (en) | Mirror device, mirror adjustment method, exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method | |
| TW200511887A (en) | Method for forming patterned conductive film, electro-optical device, and electronic equipment | |
| TW201447273A (zh) | 用於檢測多晶矽層的方法 | |
| RU2009101115A (ru) | Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных | |
| TH60316A (th) | เลเซอร์และมอดูเลเตอร์ดูดซับไฟฟ้าที่ปรับค่าได้ | |
| WO2003023915A3 (en) | Tunable electro-absorption modulator and tunable laser | |
| CN113764310B (zh) | 一种用于改善cmos晶圆浅结工艺的激光退火设备 | |
| RU2002119616A (ru) | Полупроводниковый диод для инфракрасного диапазона спектра | |
| JP5371220B2 (ja) | 結晶化方法および結晶化装置 | |
| CN101675533B (zh) | 包括具有传导点的层的光电模块 | |
| Sizer et al. | Point source heating effects in multiple quantum well modulators | |
| JPS56126914A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR101563495B1 (ko) | 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치 및 이를 이용한 태양전지 측정 장치 | |
| JP2000124488A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| CN116660707A (zh) | 基于连续/纳秒脉冲组合激光的激光辐照加强方法及系统 | |
| CN115454168A (zh) | 一种激光器温度控制系统的软启动方法 |