TH56907A -
The process for producing an evaporation source.
- Google Patents
The process for producing an evaporation source.
Info
Publication number
TH56907A
TH56907ATH0101004661ATH0101004661ATH56907ATH 56907 ATH56907 ATH 56907ATH 0101004661 ATH0101004661 ATH 0101004661ATH 0101004661 ATH0101004661 ATH 0101004661ATH 56907 ATH56907 ATH 56907A
DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับ การตกเคลือบโดยใช้ไอทางกายภาพ แหล่งกำเนิดการระเหยนี้จะประกอบรวมด้วยเป้าเพื่อการฉาบ ด้วยโลหะจริงที่มีส่วนประกอบอะลูมิเนียมและส่วนประกอบต่อไปหนึ่งส่วนประกอบหรือ มากกว่า รวมทั้งแผ่นรองหลังที่ทำขึ้นมาจากวัสดุซึ่งมีสภาพนำความร้อนที่ดีกว่าเป้านี้ ตามการประดิษฐ์นี้จะกดแผ่นรองหลังที่ทำขึ้นมาจากวัสดุตั้งต้นชนิดผงพร้อมด้วย ส่วนประกอบชนิดผงของเป้าเพื่อการฉาบด้วยโลหะ ให้เป็นส่วนที่เป็นผงแบบประกบและจากนั้นจึง ขึ้นรูป การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับ การตกเคลือบโดยใช้ไอทางกายภาพ แหล่งกำเนิดการระเหยนี้จะประกอบรวมด้วยเป้าเพื่อการฉาบ ด้วยโลหะจริงที่มีส่วนประกอบอะลูมิเนียมและส่วนประกอบต่อไปหนึ่งส่วนประกอบหรือ มากกว่า รวมทั้งแผ่นรองหลังที่ทำขึ้นมาจากวัสดุซึ่งมีสภาพนำความร้อนที่ดีกว่าเป้านี้ ตามการประดิษฐ์นี้จะกดแผ่นรองหลังที่ทำขึ้นมาจากวัสดุตั้งต้นชนิดผงพร้อมด้วย ส่วนประกอบชนิดผงของเป้าเพื่อการฉาบด้วยโลหะ ให้เป็นส่วนที่เป็นผงแบบประกบและจากนั้นจึง ขึ้นรูปDC60 This invention describes a process for the fabrication of an evaporation source for physical vapor deposition coating. This evaporation source comprises a target for metal deposition containing an aluminum component and one or more subsequent components, as well as a backing made of a material with better thermal conductivity than the target. According to this invention, the backing made of powdered substrate material is pressed together with the powdered components of the metal deposition target to form a powdered bonded structure, and then molded.
Claims (8)
1. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพที่ประกอบด้วยเป้าซึ่งโดยเพิ่มเติมขึ้นมาจากส่วนประกอบต่อไปหนึ่งส่วนประกอบหรือ มากกว่าแล้วจะรวมถึงส่วนประกอบอะลูมิเนียม และแผ่นรองหลังอีกด้วยที่เชื่อมต่อกับเป้าและทำมา จากวัสดุที่มีสภาพนำความร้อนที่ดีกว่าเป้านั้น โดยเป้าได้รับการผลิตขึ้นมาโดยการกดเย็นของผสม ของส่วนประกอบเฉพาะรายที่เป็นผง และโดยการขึ้นรูปในลำดับต่อมาที่อุณหภูมิต่ำกว่า จุดหลอมเหลวของส่วนประกอบเฉพาะรายนั้นโดยให้มีการไหลจนกระทั้งได้มาซึ่งความหนาแน่นที่ ค่าอย่างน้อยที่สุดเป็น 98% ของความหนาแน่นทางทฤษฎี ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่า แผ่นรองหลังได้รับการขึ้นรูปแบบกดขึ้นมาในทำนองเดียวกันจากวัตถุดิบที่เป็นผงอย่างต่อ กันกับส่วนประกอบของเป้าในส่วนที่เป็นผงที่ทำเป็นชั้นไว้เหนือกันและกันและได้รับการขึ้นรูปใน ลำดับต่อมา1. The process for producing a vapor deposition evaporation source for coatings using a physical method consists of a target, which, in addition to one or more components, includes an aluminum component and a backing plate connected to the target and made from a material with better thermal conductivity than the target. The target is produced by cold pressing of a mixture of specific powder components and subsequently molded at temperatures below the melting point of the specific component, allowing it to flow until a density of at least 98% of its theoretical density is achieved. A unique characteristic is that the backing plate is similarly pressed and molded from powdered material, continuously layered with the target component, and subsequently formed.2. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าเป้าประกอบด้วยอะลูมิเนียมอย่างน้อยที่สุด 15 เปอร์เซ็นต์โดยอะตอม2. A process for the production of a physical vapor deposition source for coatings under claim 1, characterized by the target containing at least 15 percent aluminum by atom.3. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่เป้าประกอบด้วยไทเทเนียม 85 เปอร์เซ็นต์โดย อะตอม โดยเป็นส่วนประกอบทุติยภูมิ3. The process for producing a physical vapor deposition source for coatings under claim 2 is characterized by the target being composed of 85 percent titanium by atoms as a secondary component.4. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าได้ใช้อะลูมิเนียมเป็นวัสดุ สำหรับแผ่นรองหน้า4. A process for the production of a physical vapor deposition evaporation source for coatings under any one of Reputations 1 through 3, which is characterized by the use of aluminum as the backing material.5. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าได้ทำการขึ้นรูปให้เป็นผล โดยการทุบขึ้นรูปโดยการใช้เครื่องกดแบบทุบขึ้นรูป5. A process for the production of a physical vapor deposition evaporation source for coatings under any one of the claims 1 through 4, which is characterized by the resulting form being achieved by hammering using a hammering press.6. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าได้ทำการขึ้นรูปให้เป็นผลโดยการทุบขึ้นรูป โดยการใช้เครื่องกดแบบทุบขึ้นรูปที่อุณหภูมิระหว่าง 400 องศาเซลเซียส และ 450 องศาเซลเซียส6. The process for producing the physical vapor deposition evaporation source for coatings under claim 3 is characterized by its being formed by hammering using a hammering press at temperatures between 400°C and 450°C.7. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตำเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าได้ทำการขึ้นรูปให้เป็นผล โดยการขึ้นรูปแบบอัดรีด7. A process for the production of an evaporation source for glaze application using physical vapor deposition under any one of the claims 1 through 4, characterized by the forming of the resulting material by extrusion.8. กระบวนการสำหรับการผลิตแหล่งกำเนิดการระเหยสำหรับการตกเคลือบโดยใช้ไอทาง กายภาพตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่าได้ทำการขึ้นรูปให้เป็นผลโดยการขึ้นรูปแบบ อัดรีดที่อุณหภูมิระหว่าง 400 องศาเซลเซียส และ 450 องศาเซลเซียส8. The process for producing a physical vapor deposition evaporator for coatings under claim 3 is characterized by its being formed by extrusion at temperatures between 400°C and 450°C.
TH0101004661A2001-11-16
The process for producing an evaporation source.
TH56907A
(en)