TH52754B - เพชรสังเคราะห์ที่มีคุณภาพผลึกสูง - Google Patents

Abstract

DC60 (12/03/50) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียวที่ซึ่งความหนาแน่นของ ข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ได้รับการทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดยโทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ ที่น้อยกว่า 400/ตารางเซนติเมตร บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ตารางเซนติเมตร การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องต่อไปอีกกับ วิธีการสำหรับการผลิตวัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียวตามข้อถือสิทธิข้อใดๆ ที่กล่าวถึงแล้ว ก่อนหน้านี้ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการคัดเลือกซับสเทรทซึ่งใช้เลี้ยงเพชรแบบซีวีดี ชนิดผลึกเดียวบนนั้น ที่ซึ่งซับสเทรทนี้จะมีลักษณะเฉพาะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งลักษณะเฉพาะ ที่เป็นความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ได้รับการทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดย โทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 400/ตารางเซนติเมตร บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ตารางเซนติเมตร ไอโซทรอปี เชิงแสงที่น้อยกว่า 1x10ยกกำลัง-5 บนปริมาตรซึ่งมากกว่า 0.1 ลูกบาศก์เมตร และความกว้างเส้นโค้งร็อกกิงแบบใช้ รังสีเอกซ์ของเอฟดับเบิลยูเอชเอ็มสำหรับการสะท้อน (004) ที่น้อยกว่า 20 อาร์กพิลิปดา การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียวที่ซึ่งความหนาแน่นของ ข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ได้รับการทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดยโทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ ที่น้อยกว่า 400/ซม.2 บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ซม.2 การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องต่อไปอีกกับ วิธีการสำหรับการผลิตวัสดุเพชรแบบซีวิดีชนิดผลึกเดียวตามข้อถือสิทธิข้อใดๆ ที่กล่าวถึงแล้ว ก่อนหน้านี้ ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการคัดเลือกซับสเทรทซึ่งใช้เลี้ยงเพชรแบบซีวีดี ชนิดผลึกเดียวบนนั้น ที่ซึ่งซับสเทรทนี้จะมีลักษณะเฉพาะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งลักษณะเฉพาะ ที่เป็ฯความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ได้รับการทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดย โทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 400/ซม.2 บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ซม.2 ไอโซทรอปี เชิงแสงที่น้อยกว่า 1x10-5 บนปริมาตรซึ่งมากกว่า 0.1 ซม.3 และความกว้างเส้นโค้งร็อกกิงแบบใช้ รังสีเอกซ์ของเอฟดับเบิลยูเอชเอ็มสำหรับการสะท้อน (004) ที่น้อยกว่า 20 อาร์กพิลิปดา

Claims (3)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1.วิธีการของการผลิตวัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียว ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การคัดเลือกจากซับสเทรทของเพชรชนิดผลึกเดียวซึ่งใช้เลี้ยงเพชรแบบซีวีดีชนิดปลึกเดียวบนนั้น ที่ซึ่ง ซับสเทรทของเพชรชนิดผลึกเดียวนี้จะมีลักษณะเฉพาะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งอย่างของลักษณะเฉพาะต่อ ไปนี้ a.ความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดยโทโพกราฟี แบบใช้รังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 400/ตารางเซนติเมตร บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ตาราง เซนติเมตร b.ไอโซทรอปีเชิงแสงที่น้อยกว่า 1x10-5 บนปริมาตรที่มากกว่า 0.1 ลูกบาศก์มิลลิเมตร และ c.ความกว้างเส้นโค้งร็อกกิงแบบใช้รังสีเอกซ์ของเอฟดับเบิลยูเอชเอ็มสำหรับการสะท้อน (004)ที่น้อยกว่า 20 อาร์กพิลิปดา วิธีการยังคงประกอบรวมด้วยการควบคุมความเข้มข้นของไนโตรเจนเพื่อการผลิตเพชรแบบ ซีวีดีชนิดผลึกเดียวที่มีความเข้มข้นของไนโตรเจนในของแข็งน้อยกว่า 0.1 พีพีเอ็ม และ ความหนา แน่นของข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดยโทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ที่ น้อยกว่า 400/ตารางเซนติเมตร บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.014 ตารางเซนติเมตร 2. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีต่อไปอีกด้วยไอโซทรอปีเชิงแสงที่น้อยกว่า 1x10-5 บน ปริมาตรที่มากกว่า 0.1 มม.3 3. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งในนั้น เส้นโค้งร็อกกิงแบบใช้ รังสีเอกซ์สำหรับการสะท้อน (004) มีความกว้างแถบความถี่เต็มที่ ณ ความสูงครึ่งหนึ่งของค่าสูงสุด (เอฟดับเบิลยูเอชเอ็ม) ที่น้อยกว่า 10 อาร์กพิลิปดา 4. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมีความหนาแน่นของข้อบกพร่อง ชนิดจุดที่ได้รับการควบคุม 5. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิดจุดทั้งหมด จะน้อยกว่า 10000 พีพีเอ็ม 6. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของไนโตรเจน จะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 7. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของโบรอนจะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 8. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของโบรอนจะมากกว่า 1x1018 อะตอม/ซม.3 9. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิคอนจะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 1 0. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของซัลเฟอร์จะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 1 1. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของซัลเฟอร์จะมากกว่า 1x1018 อะตอม/ซม.3 1 2. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของฟอสฟอรัส จะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 1 3. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 หรือ 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความเข้มข้นของฟอสฟอรัส จะมากกว่า 1x1018 อะตอม/ซม.3 1 4. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิด จุดซึ่งมีต้นกำเนิดมาจากสารเจือปนหรือสารเจือ ซึ่งนอกเหนือไปจากไนโตรเจน โบรอน ซิลิคอน ซัลเฟอร์ ฟอสฟอรัส และไฮโดรเจนนั้น จะน้อยกว่า 10 พีพีเอ็ม 1 5. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งสภาพสม่ำเสมอของความเข้มข้นของ ข้อบกพร่องชนิดจุดใดๆ ซึ่งประกอบรวมด้วยไนโตรเจน โบรอน ซิลิคอน ซัลเฟอร์ หรือฟอสฟอรัส นั้นจะเป็นไป ในลักษณะที่ว่า เมื่อทำการวัดอย่างน้อยที่สุด 5 ครั้ง ณ ตำแหน่งที่ตั้งแตกต่างกันบน พื้นผิวซึ่งอยู่ภายใน 5 ํ ที่จะเป็นแนวตั้งฉากกับทิศทางการเติบโตนั้น ค่าเดียวใดๆ ซึ่งทำการวัดจะเป็น ค่าที่อยู่ภายใน +_ 75% ของค่าเฉลี่ยของค่าที่ทำการวัดนี้ 1 6. วัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียวซึ่งมีความหนามากกว่า 0.2 มม. ที่ซึ่งเส้นโค้งร็อกกิง แบบใช้รังสีเอกซ์สำหรับการสะท้อน (004) จะมีความกว้างแถบความถี่เต็มที่ ณ ความสูงครึ่งหนึ่งของ ค่าสูงสุด (เอฟดับเบิลยูเอชเอ็ม) ที่น้อยกว่า 10 อาร์กพิลิปดาบนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 1 มม. x 1 มม. 1 7. วิธีการของการผลิตวัสดุเพชรแบบซีวีดีชนิดผลึกเดียวตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการคัดเลือกซับสเทรทซึ่งใช้เลี้ยงเพชรแบบซีวีดีชนิด ผลึกเดียวบนนั้น ที่ซึ่งซับสเทรทนี้จะมีลักษณะเฉพาะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งอย่างของลักษณะเฉพาะ ต่อไปนี้ : a ความหนาแน่นของข้อบกพร่องชนิดขยายตามที่ทำให้แสดงลักษณะเฉพาะโดย โทโพกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ที่น้อยกว่า 400 ซม.2 บนพื้นที่ซึ่งมากกว่า 0.0141 ซม.2; b ไอโซทรอปีเชิงแสงที่น้อยกว่า 1x10-5 บนปริมาตรที่มากกว่า 0.1 มม.3; และ c ความกว้างเส้นโค้งร็อกกิงแบบใช้รังสีเอกซ์ของเอฟดับเบิลยูเอชเอ็มสำหรับ การสะท้อน (004) ที่น้อยกว่า 20 อาร์กพิลิปดา 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้อย่างควรเลือกใช้จะมีความยาวขอบ ของระนาบซึ่งเรียงผิดพลาดที่น้อยกว่า 1000 ซม. ซึ่งขนานอย่างเป็นสำคัญกับพื้นผิวของซํบสเทรทซึ่ง ได้รับการใช้สำหรับการเติบโตต่อ ซม.2 ของพื้นผิวของซับสเทรทนี้ตามที่ทำการวัดโดยโทโพกราฟี แบบใช้รังสีเอกซ์ 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้จะมีความยาวขอบของระนาบซึ่ง เรียงผิดพลาดที่เท่ากับ 0 ซม. ซึ่งขนานอย่างเป็นสำคัญกับพื้นผิวของซับสเทรทซึ่งได้รับการใช้สำหรับ การเติบโตต่อ ซม.2 ของพื้นผิวของซับสเทรทนี้ตามที่ทำการวัดโดยโทกราฟีแบบใช้รังสีเอกซ์ 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้เป็นเพชรชนิด lb 2

1. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้เป็นเพชรชนิด lla 2

2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้เป็นเพชรแบบ ความร้อนสูง-ความดันสูง (เอชพีเอชที) 2

3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งในนั้น ซับสเทรทนี้เป็นเพชรแบบ ซีวีดี