TH5018B - ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์ - Google Patents

ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์

Info

Publication number
TH5018B
TH5018B TH9101001520A TH9101001520A TH5018B TH 5018 B TH5018 B TH 5018B TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 5018 B TH5018 B TH 5018B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
inductor
transistor
transistors
trajectory
current
Prior art date
Application number
TH9101001520A
Other languages
English (en)
Other versions
TH16122A (th
Inventor
ชีคิท เชง นายเดวิด
มาคานซี นายทาเรค
ศรีจายานธา นายมูธูธานิบร
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH16122A publication Critical patent/TH16122A/th
Publication of TH5018B publication Critical patent/TH5018B/th

Links

Abstract

ตัวเหนี่ยวนำถูกต่อขนานกับตัวเก็บประจุ แหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสองให้กระแสแก่ตัวเหนี่ยวนำในทิศทางตรงข้ามกัน กา รสวิตชิงกระแสรวดเร็วในตัวเหนี่ยวนำถูกกระทำสำเร็จได้การ ปล่อยให้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุเกิดเรโรแนท์ในคาบเวลา ระหว่างการป้อนกระแสจากแหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสอง

Claims (6)

1. ระบบของการสวิทซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำประกอบด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง ตัวเก็บประจุตัวหนึ่ง ที่เชื่อมต่อ แบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งที่เชื่อม ต่ออยู่ระหว่างแหล่งจ่ายแรงดันกับต้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่าง แหล่งจ่ายแรงดันกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สามที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างระบายแรงดัน กับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สี่ที่ เชื่อมต่ออยู่ระหว่างทางระบายแรงดันกับด้านที่สองของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่จะประกอบ เป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งสำหรับจัดให้มีวิถีของ กระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง, และทรานซิสเตอร์ตัวที่ สองกับตัวที่สามจะประกอบเป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง สำหรับจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีทาง ที่สอง; ไดโอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของ กระแสไฟฟ้าวิถีที่หนึ่ง; ไดโอดตัวสองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรม กับวิถีของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุม ทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่ง, ตัว ที่สอง, ตัวที่สาม, และตัวที่สี่, เพื่อจัดให้มีสัญญาณ สถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และจัดให้มี สัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุด ที่สอง กับจัดให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่ หนึ่ง: และอุปกรณ์ประวิงเวลาที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างอุปรณ์ ควบคุมทรานซิสเตอร์ กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งและ ชุดที่สอง เพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้นระหว่างการสวิตช์ ของทรานซินเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่ของชุดของ ทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้น ระหว่างการสวิตซ์ของทรานซิสเตอร์ตัวที่สองกับตัวที่สามของ ชุดของทรานซิสเตอร์ของชุดที่สองเพื่อจะชดเชยปรากฏการณ์แบบ ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะเฮิตร์
2. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ในที่นี้ออฟเซตเวลาอยู่ ภายในย่าน 10-20 นาโมวินาที
3. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, โดยที่ตัวเหนี่ยวนำเป็น หัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก
4. ระบบของการสวิตซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำ ประกอบ ด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง : ตัวเก็บประจุตัวหนึ่งที่เชื่อม ต่อแบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัด ให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัดให้มีวิถีของกระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง ที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัวเหนี่ยวนำ และทางระบาย แรงดัน, ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองจะจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้า ผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่สอง; แหล่งจ่ายแรงดันที่สองที่ เชื่อมต่อกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ได โอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของกระแสไฟฟ้า วิถีที่หนึ่งไดโอดตัวที่สองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถี ของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุมทรานซิสเตอร์ที่ เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและตัวที่สอง เพื่อจัด ให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและจัด ให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง และจัดให้มีออฟเซตเวลา ขึ้นระหว่างการสวิตซ์ของ ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับทรานซิสเตอร์ตัวที่สองเพื่อที่ จะชดเชยปรากฏการณ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะ-เฮิรตซ์
5. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ในที่ออฟเซตเวลาอยู่ภาย ในย่าน 10-20 นาโนวินาที
6. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ยังประกอบเพื่อเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, ในที่นี้ตัวเหนี่ยวนำ เป็นหัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก
TH9101001520A 1991-10-11 ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์ TH5018B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH16122A TH16122A (th) 1995-06-23
TH5018B true TH5018B (th) 1996-01-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8233250B2 (en) Over voltage protection of switching converter
US8593128B2 (en) Stacked NMOS DC-to-DC power conversion
US5481219A (en) Apparatus and method for generting negative bias for isolated MOSFET gate-drive circuits
US4860189A (en) Full bridge power converter circuit
US9035625B2 (en) Common cascode routing bus for high-efficiency DC-to-DC conversion
KR910010809A (ko) 직류/직류스위칭 변환기 회로
US9948289B2 (en) System and method for a gate driver
US5635867A (en) High performance drive structure for MOSFET power switches
MY127184A (en) Switching power supply apparatus with active clamp circuit
GB1246860A (en) Direct current converter
US7969225B2 (en) Circuit of reducing power loss of switching device
WO1996017424A3 (en) Pre-regulator with protection against voltage ringing on turn-off
WO2004062075A3 (en) Adaptive resonant switching power system
TH5018B (th) ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์
KR970004259A (ko) 컨버터 회로 장치
US5804925A (en) Modulator for generating high power electric pulses
US12316227B2 (en) ZVS assist snubber for switching converter
TH16122A (th) ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์
KR880013396A (ko) 비디오 장치용 전원장치
JPS5752230A (en) Driving system of semiconductor
US20240313658A1 (en) Isolated DC/DC Converter and Power Electronics System
KR20140013123A (ko) 스너버 회로를 포함하는 전기 회로
WO2017192059A1 (ru) Устройство для получения высоковольтного импульсного напряжения
US9559684B1 (en) Non linear resonant switch cell
Sarkar et al. Ultrafast Self-Powered Circuit for Gate Driving of Normally On Wide-Bandgap Transistors