TH5018B - ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์ - Google Patents
ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์Info
- Publication number
- TH5018B TH5018B TH9101001520A TH9101001520A TH5018B TH 5018 B TH5018 B TH 5018B TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 5018 B TH5018 B TH 5018B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- inductor
- transistor
- transistors
- trajectory
- current
- Prior art date
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 title claims 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 2
Abstract
ตัวเหนี่ยวนำถูกต่อขนานกับตัวเก็บประจุ แหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสองให้กระแสแก่ตัวเหนี่ยวนำในทิศทางตรงข้ามกัน กา รสวิตชิงกระแสรวดเร็วในตัวเหนี่ยวนำถูกกระทำสำเร็จได้การ ปล่อยให้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุเกิดเรโรแนท์ในคาบเวลา ระหว่างการป้อนกระแสจากแหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสอง
Claims (6)
1. ระบบของการสวิทซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำประกอบด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง ตัวเก็บประจุตัวหนึ่ง ที่เชื่อมต่อ แบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งที่เชื่อม ต่ออยู่ระหว่างแหล่งจ่ายแรงดันกับต้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่าง แหล่งจ่ายแรงดันกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สามที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างระบายแรงดัน กับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สี่ที่ เชื่อมต่ออยู่ระหว่างทางระบายแรงดันกับด้านที่สองของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่จะประกอบ เป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งสำหรับจัดให้มีวิถีของ กระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง, และทรานซิสเตอร์ตัวที่ สองกับตัวที่สามจะประกอบเป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง สำหรับจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีทาง ที่สอง; ไดโอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของ กระแสไฟฟ้าวิถีที่หนึ่ง; ไดโอดตัวสองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรม กับวิถีของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุม ทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่ง, ตัว ที่สอง, ตัวที่สาม, และตัวที่สี่, เพื่อจัดให้มีสัญญาณ สถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และจัดให้มี สัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุด ที่สอง กับจัดให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่ หนึ่ง: และอุปกรณ์ประวิงเวลาที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างอุปรณ์ ควบคุมทรานซิสเตอร์ กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งและ ชุดที่สอง เพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้นระหว่างการสวิตช์ ของทรานซินเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่ของชุดของ ทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้น ระหว่างการสวิตซ์ของทรานซิสเตอร์ตัวที่สองกับตัวที่สามของ ชุดของทรานซิสเตอร์ของชุดที่สองเพื่อจะชดเชยปรากฏการณ์แบบ ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะเฮิตร์
2. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ในที่นี้ออฟเซตเวลาอยู่ ภายในย่าน 10-20 นาโมวินาที
3. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, โดยที่ตัวเหนี่ยวนำเป็น หัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก
4. ระบบของการสวิตซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำ ประกอบ ด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง : ตัวเก็บประจุตัวหนึ่งที่เชื่อม ต่อแบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัด ให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัดให้มีวิถีของกระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง ที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัวเหนี่ยวนำ และทางระบาย แรงดัน, ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองจะจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้า ผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่สอง; แหล่งจ่ายแรงดันที่สองที่ เชื่อมต่อกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ได โอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของกระแสไฟฟ้า วิถีที่หนึ่งไดโอดตัวที่สองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถี ของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุมทรานซิสเตอร์ที่ เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและตัวที่สอง เพื่อจัด ให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและจัด ให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง และจัดให้มีออฟเซตเวลา ขึ้นระหว่างการสวิตซ์ของ ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับทรานซิสเตอร์ตัวที่สองเพื่อที่ จะชดเชยปรากฏการณ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะ-เฮิรตซ์
5. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ในที่ออฟเซตเวลาอยู่ภาย ในย่าน 10-20 นาโนวินาที
6. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ยังประกอบเพื่อเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, ในที่นี้ตัวเหนี่ยวนำ เป็นหัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH16122A TH16122A (th) | 1995-06-23 |
| TH5018B true TH5018B (th) | 1996-01-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8233250B2 (en) | Over voltage protection of switching converter | |
| US8593128B2 (en) | Stacked NMOS DC-to-DC power conversion | |
| US5481219A (en) | Apparatus and method for generting negative bias for isolated MOSFET gate-drive circuits | |
| US4860189A (en) | Full bridge power converter circuit | |
| US9035625B2 (en) | Common cascode routing bus for high-efficiency DC-to-DC conversion | |
| KR910010809A (ko) | 직류/직류스위칭 변환기 회로 | |
| US9948289B2 (en) | System and method for a gate driver | |
| US5635867A (en) | High performance drive structure for MOSFET power switches | |
| MY127184A (en) | Switching power supply apparatus with active clamp circuit | |
| GB1246860A (en) | Direct current converter | |
| US7969225B2 (en) | Circuit of reducing power loss of switching device | |
| WO1996017424A3 (en) | Pre-regulator with protection against voltage ringing on turn-off | |
| WO2004062075A3 (en) | Adaptive resonant switching power system | |
| TH5018B (th) | ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์ | |
| KR970004259A (ko) | 컨버터 회로 장치 | |
| US5804925A (en) | Modulator for generating high power electric pulses | |
| US12316227B2 (en) | ZVS assist snubber for switching converter | |
| TH16122A (th) | ระบบสวิตช์กระแสเหนี่ยวนำด้วยภาวะเรโซแนนซ์ | |
| KR880013396A (ko) | 비디오 장치용 전원장치 | |
| JPS5752230A (en) | Driving system of semiconductor | |
| US20240313658A1 (en) | Isolated DC/DC Converter and Power Electronics System | |
| KR20140013123A (ko) | 스너버 회로를 포함하는 전기 회로 | |
| WO2017192059A1 (ru) | Устройство для получения высоковольтного импульсного напряжения | |
| US9559684B1 (en) | Non linear resonant switch cell | |
| Sarkar et al. | Ultrafast Self-Powered Circuit for Gate Driving of Normally On Wide-Bandgap Transistors |