TH5018B - Inductive current switching system with resonance conditions - Google Patents

Inductive current switching system with resonance conditions

Info

Publication number
TH5018B
TH5018B TH9101001520A TH9101001520A TH5018B TH 5018 B TH5018 B TH 5018B TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 9101001520 A TH9101001520 A TH 9101001520A TH 5018 B TH5018 B TH 5018B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
inductor
transistor
transistors
trajectory
current
Prior art date
Application number
TH9101001520A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH16122A (en
Inventor
ชีคิท เชง นายเดวิด
มาคานซี นายทาเรค
ศรีจายานธา นายมูธูธานิบร
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH16122A publication Critical patent/TH16122A/en
Publication of TH5018B publication Critical patent/TH5018B/en

Links

Abstract

ตัวเหนี่ยวนำถูกต่อขนานกับตัวเก็บประจุ แหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสองให้กระแสแก่ตัวเหนี่ยวนำในทิศทางตรงข้ามกัน กา รสวิตชิงกระแสรวดเร็วในตัวเหนี่ยวนำถูกกระทำสำเร็จได้การ ปล่อยให้ตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุเกิดเรโรแนท์ในคาบเวลา ระหว่างการป้อนกระแสจากแหล่งกระแสอันดับหนึ่งและสอง The inductor is connected in parallel with the capacitor. The first and second current sources give current to the inductors in opposite directions. Fast current switching in the inductor is accomplished. Let the inductor and capacitor resonate over a period of time. between the input current from the first and second current sources

Claims (6)

1. ระบบของการสวิทซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำประกอบด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง ตัวเก็บประจุตัวหนึ่ง ที่เชื่อมต่อ แบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งที่เชื่อม ต่ออยู่ระหว่างแหล่งจ่ายแรงดันกับต้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่าง แหล่งจ่ายแรงดันกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สามที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างระบายแรงดัน กับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สี่ที่ เชื่อมต่ออยู่ระหว่างทางระบายแรงดันกับด้านที่สองของตัว เหนี่ยวนำ; ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่จะประกอบ เป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งสำหรับจัดให้มีวิถีของ กระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง, และทรานซิสเตอร์ตัวที่ สองกับตัวที่สามจะประกอบเป็นชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง สำหรับจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีทาง ที่สอง; ไดโอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของ กระแสไฟฟ้าวิถีที่หนึ่ง; ไดโอดตัวสองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรม กับวิถีของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุม ทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่ง, ตัว ที่สอง, ตัวที่สาม, และตัวที่สี่, เพื่อจัดให้มีสัญญาณ สถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และจัดให้มี สัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุด ที่สอง กับจัดให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่ หนึ่ง: และอุปกรณ์ประวิงเวลาที่เชื่อมต่ออยู่ระหว่างอุปรณ์ ควบคุมทรานซิสเตอร์ กับชุดของทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่งและ ชุดที่สอง เพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้นระหว่างการสวิตช์ ของทรานซินเตอร์ตัวที่หนึ่งกับตัวที่สี่ของชุดของ ทรานซิสเตอร์ชุดที่หนึ่ง และพื่อจัดให้มีออฟเซตเวลาขึ้น ระหว่างการสวิตซ์ของทรานซิสเตอร์ตัวที่สองกับตัวที่สามของ ชุดของทรานซิสเตอร์ของชุดที่สองเพื่อจะชดเชยปรากฏการณ์แบบ ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะเฮิตร์1. A system of inductive current switching consists of an inductor. One capacitor connected in parallel with the inductor; First transistor connected Connected between the voltage source and the first suppressor of the inductor; The second transistor connected between Voltage source with the second side of the inductor; The third transistor connected during drainage. With the second side of the inductor; The fourth transistor at Connected between the pressure relief and the second side of the inductor; The first and the fourth transistors are assembled. It is a set of transistors to provide a trajectory of current through an inductor, and a transistor that The second and the third make up the second set of transistors. For providing a path of current through a secondary inductor; The first diode connected in series with the trajectory of First path electric current; Two diodes connected in series With the second electric trajectory; Control device A transistor connected to the first, second, third, and fourth transistors, to provide a signal. An on-state to the first set of transistors and an off-state signal to the second set of transistors, and then to the second set of transistors to provide. Off-state signal to the first set of transistors: and the delay device connected between the devices. Transistor control With the first set and the second set of transistors to provide a time offset between switching. Of the first and the fourth transmitter of the series First transistor And to provide a time offset During the switching of the second and third transistor of The second set of transistors to compensate for the Non-linear at frequencies greater than 1 MHz 2. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ในที่นี้ออฟเซตเวลาอยู่ ภายในย่าน 10-20 นาโมวินาที2.The system of claim number 1, here the time offset is within the range of 10-20 Namoseconds. 3. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 1, ยังประกอบเพิ่มเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, โดยที่ตัวเหนี่ยวนำเป็น หัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก3. The system of claim No. 1, also consists of: a magnetic storage device, where the inductor is The converter head of the magnetic storage device. 4. ระบบของการสวิตซ์กระแสไฟฟ้าด้วยตัวเหนี่ยวนำ ประกอบ ด้วยตัวเหนี่ยวนำตัวหนึ่ง : ตัวเก็บประจุตัวหนึ่งที่เชื่อม ต่อแบบขนานกับตัวเหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัด ให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัว เหนี่ยวนำ, ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งจะจัดให้มีวิถีของกระแส ไฟฟ้าผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่หนึ่ง; ทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง ที่เชื่อมต่อกับด้านที่หนึ่งของตัวเหนี่ยวนำ และทางระบาย แรงดัน, ทรานซิสเตอร์ตัวที่สองจะจัดให้มีวิถีของกระแสไฟฟ้า ผ่านตัวเหนี่ยวนำวิถีที่สอง; แหล่งจ่ายแรงดันที่สองที่ เชื่อมต่อกับด้านที่สองของตัวเหนี่ยวนำ; ได โอดตัวที่หนึ่งที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถีของกระแสไฟฟ้า วิถีที่หนึ่งไดโอดตัวที่สองที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับวิถี ของกระแสไฟฟ้าวิถีที่สอง; อุปกรณ์ควบคุมทรานซิสเตอร์ที่ เชื่อมต่อกับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและตัวที่สอง เพื่อจัด ให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งและจัด ให้มีสัญญาณสถานะออฟให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง, และต่อ จากนั้นจัดให้มีสัญญาณสถานะออนให้กับทรานซิสเตอร์ตัวที่สอง และจัดให้มีออฟเซตเวลา ขึ้นระหว่างการสวิตซ์ของ ทรานซิสเตอร์ตัวที่หนึ่งกับทรานซิสเตอร์ตัวที่สองเพื่อที่ จะชดเชยปรากฏการณ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้นที่ความถี่สูงกว่า 1 เมกกะ-เฮิรตซ์4. The system of inductive switching of electricity consists of one inductor: a capacitor welded. Connected in parallel with the inductor, the first transistor is arranged Let there be a path of electric current through the inductor of the first path; The second transistor connected to the one side of the inductor, the first transistor provides a current trajectory. Electricity through the first trajectory inductor; Second transistor Connected to the first side of the inductor and the drain, the second transistor provides a current trajectory. Through the second trajectory inductor; Second voltage source at Connected to the second side of the inductor; The first diode connected in series with the trajectory of the current. The first diode, the second diode connected in series with the trajectory. Of the second trajectory; Transistor control devices that It is connected to the first and second transistors to provide an on-state signal to the first transistor and to Give the second transistor an off-state signal, and then give the second transistor an off-state signal. And provide a time offset Up during the switch of The first transistor and the second transistor so that It compensates for non-linear phenomena at frequencies greater than 1 megahertz. 5. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ในที่ออฟเซตเวลาอยู่ภาย ในย่าน 10-20 นาโนวินาที5. The system of claim No. 4, in which the time offset is within the range 10-20 ns 6. ระบบของข้อถือสิทธิ์ข้อที่ 4, ยังประกอบเพื่อเติมด้วย : อุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก, ในที่นี้ตัวเหนี่ยวนำ เป็นหัวของตัวแปลงของอุปกรณ์หน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก6. The system of claim No. 4, also assembled to add: magnetic storage device, here the inductor It is the head of the converter of the magnetic storage device.
TH9101001520A 1991-10-11 Inductive current switching system with resonance conditions TH5018B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH16122A TH16122A (en) 1995-06-23
TH5018B true TH5018B (en) 1996-01-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8593128B2 (en) Stacked NMOS DC-to-DC power conversion
US5481219A (en) Apparatus and method for generting negative bias for isolated MOSFET gate-drive circuits
US4860189A (en) Full bridge power converter circuit
US9035625B2 (en) Common cascode routing bus for high-efficiency DC-to-DC conversion
US20110148200A1 (en) Over Voltage Protection of a Switching Converter
KR910010809A (en) DC / DC Switching Converter Circuit
US5635867A (en) High performance drive structure for MOSFET power switches
MY127184A (en) Switching power supply apparatus with active clamp circuit
GB1246860A (en) Direct current converter
US20160359481A1 (en) System and Method for a Gate Driver
US7969225B2 (en) Circuit of reducing power loss of switching device
WO1996017424A3 (en) Pre-regulator with protection against voltage ringing on turn-off
WO2004062075A3 (en) Adaptive resonant switching power system
TH5018B (en) Inductive current switching system with resonance conditions
KR970004259A (en) Converter circuit device
US5804925A (en) Modulator for generating high power electric pulses
US12316227B2 (en) ZVS assist snubber for switching converter
TH16122A (en) Inductive current switching system with resonance conditions
KR880013396A (en) Power Supply for Video Equipment
JPS5752230A (en) Driving system of semiconductor
US12368383B2 (en) Isolated DC/DC converter and power electronics system
Santra et al. Performance improvement of DC‐DC converter using L‐D‐based modified GaN‐FET driver
WO2017192059A1 (en) Device for generating a high pulse voltage
US9559684B1 (en) Non linear resonant switch cell
Sarkar et al. Ultrafast Self-Powered Circuit for Gate Driving of Normally On Wide-Bandgap Transistors