TH45336B - The sensor reads a magnetic field based on the extraordinary hall phenomenon. - Google Patents

The sensor reads a magnetic field based on the extraordinary hall phenomenon.

Info

Publication number
TH45336B
TH45336B TH701000778A TH0701000778A TH45336B TH 45336 B TH45336 B TH 45336B TH 701000778 A TH701000778 A TH 701000778A TH 0701000778 A TH0701000778 A TH 0701000778A TH 45336 B TH45336 B TH 45336B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
ferromagnetic
voltage
linked
current
layer
Prior art date
Application number
TH701000778A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH88148A (en
Inventor
วิลเลียม โควิงตัน นายมาร์ก
ฟรานซิส แอมบรอส นายโธมัส
อัลเลน ซีกเลอร์ นายไมเคิล
โจ นายฮัว
Original Assignee
นายธเนศ เปเรร่า
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางวรนุช เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายธเนศ เปเรร่า, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางวรนุช เปเรร่า filed Critical นายธเนศ เปเรร่า
Publication of TH88148A publication Critical patent/TH88148A/en
Publication of TH45336B publication Critical patent/TH45336B/en

Links

Abstract

DC60 ตัวรับรู้สนามแม่เหล็กประกอบด้วยแท่งโลหะที่ได้รับการเชื่อมโยงกับซับสเตรด สาย กระแสได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อจัดเตรียมกระแสให้กับแท่งเฟร์โรแมกเนติก สายแรงดันไฟฟ้า ได้รับการเชื่อมโยงกับแท่งเฟร์โรแมกเนติกเพื่อรับรู้แรงดันไฟฟ้าของฮอลล์เหนี่ยวนำในที่นี้ ตัวรับรู้สนามแม่เหล็กประกอบด้วยแท่งโลหะที่ได้รับการเชื่อมโยงกับซับสเตรด สาย กระแสได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อจัดเตรียมกระแสให้กับแท่งเฟร์โรแมกเนติก สายแรงดันไฟฟ้า ได้รับการเชื่อมโยงกับแท่งเฟร์โรแมกเนติกเพื่อรับรู้แรงดันไฟฟ้าของฮอลล์เหนี่ยวนำในที่นี้ The DC60 magnetic senser consists of a metal rod that has been linked to a substrate. Voltage line It has been linked with a ferromagnetic rod to sense the Hall induced voltage here. The magnetic senser consists of a metal rod that is linked to a substrate. The current line is optimized to provide current to the ferromagnetic rod. Voltage line It has been linked with a ferromagnetic rod to sense the Hall induced voltage here.

Claims (1)

1. อุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรต ส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติกโลหะที่ได้รับการเชื่อมโยงกับซับสเตรต ส่วนประกอบดัง กล่าวประกอบด้วยวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่งและวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่สองที่แตกต่างจากวัสดุ เฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่ง สายนำกระแสที่หนึ่งและที่สองที่ได้รับการเชื่อมโยงกับวัสดุเฟร์โรแมกเนติก และ สายนำแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่งและที่สองที่ได้รับการเชื่อมโยงกับส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติก 2. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยชั้นเพิ่มระยะไม่เป็นแม่เหล็กที่ได้ รับการวางตำแหน่งไว้ระหว่างวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่งและวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่สอง 3. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสายนำแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่งและสายนำแรงดันไฟ ฟ้าที่สองแต่ละส่วนมีส่วนสภาพต้านทานต่ำและส่วนสภาพต้านทานสูง ซึ่งส่วนสภาพต้านทานสูง อยู่ติดกับส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติก 4. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสายนำกระแสที่หนึ่งและสายนำกระแสที่สองได้ รับการปรับให้เหมาะเพื่อจัดเตรียมกระแสให้กับส่วนประกอบเฟร์โรเแมกเนติกและซึ่งสายนำแรงดัน ไฟฟ้าที่หนึ่งและสายนำแรงดันไฟฟ้าที่สองได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อรับรู้แรงดันไฟฟ้าในส่วน ประกอบเฟร์โรแมกเนติก 5. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งทิศทางหนึ่งของกระแสตั้งฉากกับส่วนประกอบ หนึ่งของการทำแม่เหล็กที่ได้รับการเหนี่ยวนำภายในส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติกโดยสนามแม่ เหล็กและซึ่งกระแสเหนี่ยวนำแรงดันไฟฟ้าในทิศทางตั้งฉากซึ่งกันและกันกับทิศทางของกระแส และส่วนประกอบของการทำแม่เหล็ก 6. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติกประกอบด้วยอย่าง น้อยที่สุดสองสิ่งของ เหล็ก โคบอลท์ นิกเกิล แพลตินั่ม โบรอน บิสมัทและธาตุแรร์เอิร์ธ 7. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่งมีความต้านทาน ของฮอลล์ตรงข้ามเทียบกับเส้นสนามมากกว่าวัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่สอง 8. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 สายนำกระแสมีส่วนประกอบไบแอสเพื่อไบแอสส่วน ประกอบเฟร์โรแมกเนติก 9. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสายนำแรงดันไฟฟ้ามีส่วนประกอบไบแอสเพื่อไบ แอสส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติก 1 0. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสายนำกระแสที่หนึ่งและที่สองแต่ละส่วนมีส่วน สภาพต้านทานสูงและส่วนสภาพต้านทานต่ำ ซึ่งส่วนสภาพต้านทานสูงอยู่ติดกับส่วนประกอบเฟร์ โรแมกเนติก 1 1. อุปกรณ์ซึ่งประกอบด้วย ส่วนลำตัวที่มีพื้นผิวรองรับ แท่งเฟร์โรแมกเนติกโลหะที่ได้รับการเชื่อมโยงกับส่วนลำตัว สายนำกระแสที่หนึ่งและที่สองซึ่งได้รับการเชื่อมโยงกับส่วนลำตัวและได้รับการปรับให้ เหมาะเพื่อจัดเตรียมกระแสให้กับแท่งเฟร์โรแมกเนติก และ สายนำแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่งและสายนำแรงดันไฟฟ้าที่สองที่ได้รับการเชื่อมโยงกับส่วนลำ ตัวและได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อรับรู้แรงดันไฟฟ้าในแท่งเฟร์โรแมกเนติก ซึ่งสายนำแรงดันไฟ ฟ้าที่หนึ่งและสายนำแรงดันไฟฟ้าที่สองมีส่วนสภาพต้านทานต่ำและส่วนสภาพต้านทานสูงที่อยู่ ติดกับส่วนประกอบเฟร์โรแมกเนติก 1 2. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งสายนำกระแสที่หนึ่งและสายนำกระแสที่สองแต่ ละส่วนมีส่วนสภาพต้านทานต่ำและส่วนสภาพต้านทานสูงที่อยู่ติดกับส่วนประกอบเฟร์โรแมก เนติก 1 3. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งทิศทางหนึ่งของกระแสตั้งฉากกับส่วนประกอบ หนึ่งของการทำแม่เหล็กที่ได้รับการเหนี่ยวนำภายในแท่งเฟร์โรแมกเนติกโดยสนามแม่เหล็ก ซึ่ง กระแสเหนี่ยวนำแรงดันไฟฟ้าในทิศทางตั้งฉากซึ่งกันและกันกับทิศทางของกระแสและส่วน ประกอบของการทำแม่เหล็ก 1 4. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งแท่งเฟร์โรแมกเนติกประกอบด้วยชั้นเฟร์โรแมก เนติกที่หนึ่งและชั้นเฟร์โรแมกเนติกที่สอง ชั้นเฟร์โรแมกเนติกที่สองมีวัสดุที่แตกต่างจากชั้นเฟร์โร แมกเนติกที่หนึ่ง 1 5. อุปกรณ์ของข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งแท่งเฟร์โรแมกเนติกประกอบด้วยแอนไอโซโทร ปีแม่เหล็กตั้งฉากเทียบกับสายนำกระแสและแรงดันไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วน 1 6. ระบบเก็บข้อมูล ซึ่งประกอบด้วย เวเฟอร์ทที่มีชั้นเฟร์โรแมกเนติกโลหะและชั้นด้านใต้ที่นุ่ม ซับสเตรตที่ได้รับการวางตำแหน่งไว้เหนือเวเฟอร์และมีระนาบรองรับที่หันเข้าหาเวเฟอร์ ตัวทรานดิวส์เชอร์ที่ได้รับการเชื่อมโยงกับซับสเตรตและได้รับการปรับให้เหมาะเพื่อป้อน สนามแม่เหล็กให้กับเวเฟอร์ แหล่งกำลังที่ได้รับการเชื่อมโยงกับชั้นเฟร์โรแมกเนติกเพื่อจัดเตรียมกระแสให้ ตัวรับรู้ที่ได้รับการเชื่อมโยงกับชั้นแฟร์โรแมกเนติกเพื่อรับรู้แรงดันไฟฟ้าที่ได้รับการ เหนี่ยวนำโดยสนามแม่เหล็กที่ได้รับการป้อนโดยตัวทรานส์ดิวเชอร์ 1 7. ระบบเก็บข้อมูลของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งแหล่งกำกลังมีสายนำกระแสที่หนึ่งและ สายนำกระแสที่สองที่ได้รับการเชื่อมโยงกับชั้นเฟร์โรแมกเนติก 1 8. ระบบเก็บข้อมูลของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งตัวรับรู้มีสายนำแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่งและ สายนำแรงดันไฟฟ้าที่สองที่ได้รับการเชื่อมโยงกับชั้นเฟร์โรแมกเนติก 1 9. ระบบเก็บข้อมูลของข้อถือสิทธิข้อ 16 ยังประกอบด้วยชั้นฉนวนที่ได้รับการวาง ตำแหน่งระหว่างชั้นเฟร์โรแมกเนติกและชั้นด้านใต้ที่นุ่ม 2 0. ระบบเก็บข้อมูลของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งชั้นเฟร์โรแมกเนติกประกอบด้วยวัสดุ เฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่งและวัสดุเฟร์โมแมกเนติกที่สอง วัสดุเฟร์โรแมกเนติกที่สองแตกต่างจากวัสดุ เฟร์โรแมกเนติกที่หนึ่งดังกล่าว 21. A device consisting of a metal ferromagnetic component substrate that has been linked to the substrate. Loud components It consists of the first ferromagnetic material and the second ferromagnetic material that is different from the material. Ferromagnetic I First and second current-conducting wires that have been linked to ferromagnetic material and first and second voltage-conducting wires that have been linked with ferromagnetic components. Of claim 1, which also contains a non-magnetic additive layer obtained Positioned between the first ferromagnetic material and the second ferromagnetic material 3. The device of claim 1, in which the first and the first ferromagnetic material. Each second blue has a low resistance section and a high resistance section. Which the high resistance It is adjacent to the ferromagnetic component 4. Device of claim 1, in which the first and second conductors can Optimized to provide current to ferromagnetic components and voltage leads. The first and second voltage leads are optimized to sense the voltage on the section. Ferromagnetic assembly 5. The device of claim 4, in which one direction of the current is perpendicular to the component. One of the magnetization is induced within the ferromagnetic component by the mother field. Iron and where the current induces voltages in the direction perpendicular to the direction of the current. And magnetic components 6. Device of claim 1, in which the ferromagnetic component consists of The least two of the iron, cobalt, nickel, platinum, boron, bismuth and rare earth elements 7. The device of claim No. 1, in which the first ferromagnetic material is resistant. Of the opposite hall with respect to the field line rather than the second ferromagnetic material. 8. The device of claim 1, the conductive line has a bias component to bias. FERROMATIC ASSEMBLY 9. Device of Clause 1 in which voltage leads have bias to bias. Asperomagnetic components 1 0. Device of claim 1, in which the first and second conductors each contribute High resistance and low resistance parts Which the high resistance part is attached to the ferromagnetic component 1 1. Equipment which consists of The fuselage with support surfaces Ferromagnetic metal rod that has been linked to the body part. The first and second conductors, which have been linked to the body sections and adjusted to It is suitable to provide current for the ferromagnetic rods and the first voltage conductors and the second voltage leads that have been linked to the trunk section. And is optimized to sense the voltage in the ferromagnetic rod. Which wires carry voltage The first and second voltage leads have low resistivity and high resistivity sections. Next to the ferromagnetic component 1 2. The device of claim 11, in which the first and second conductors, but Each has a low-resistivity and a high-resistivity segment adjacent to the ferromagnetic component 1 3. Device of claim 11 in which one direction of the current is perpendicular to the component. One of the magnetization is induced inside a ferromagnetic rod by a magnetic field in which the current induces a voltage in a direction perpendicular to the direction of the current and its section. Composition of magnetism 1 4. Device of claim 11, in which the ferromagnetic rod consists of a ferromac layer. The first and the second ferromagnetic class The second ferromagnetic layer has a different material from the ferromagnetic layer. 1st Magnetic 1 5. The device of claim 11, in which the ferromagnetic rod consists of anisotropes. The magnetic year is at least one perpendicular to the current and voltage leads, part 1 6. Data acquisition system. Which consists of Wafers with a ferromagnetic metal layer and a soft substrate. A substrate that is positioned over the wafer and has a support plane facing the wafer. Transducers that are associated with the substrate and are optimized to feed Magnetic field to the wafer A power source that has been linked to the ferromagnetic layer to provide the current. A receiver that has been linked to the ferromagnetic layer to sense the received voltage. Induced by a magnetic field fed by a transducer 1 7. Data acquisition system of Clause 16 in which the source has a first conductor and A second conductor that has been linked to the ferromagnetic layer 1. 8. Data acquisition system of Clause 16 in which the receiver has a first voltage lead and The second voltage leads linked to the ferromagnetic layer 1 9. The retention system of Clause 16 also consists of an insulated layer that has been placed. Location between the ferromagnetic layer and the soft substrate 2 0. Clause 16 Clause 16 in which the ferromagnetic layer consists of material Ferromagnetic I and ferromagnetic materials I, II. The second ferromagnetic material is different from the material. Ferromagnetic one such one 2 1. ระบบเก็บข้อมูลของข้อถือสิทธิข้อ 16 ยังประกอบด้วยส่วนประกอบไบแอสเพื่อ ไบแอสชั้นเฟร์โรแมกเนติก1. The Clause 16 Collection System also contains bias components to Ferro magnetic bias
TH701000778A 2007-02-20 The sensor reads a magnetic field based on the extraordinary hall phenomenon. TH45336B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH88148A TH88148A (en) 2008-01-10
TH45336B true TH45336B (en) 2015-07-28

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gudoshnikov et al. Highly sensitive magnetometer based on the off‐diagonal GMI effect in Co‐rich glass‐coated microwire
Huang et al. Transport magnetic proximity effects in platinum
KR101901829B1 (en) Methods and apparatus for magnetic sensor having integrated coil
Tannous et al. Giant magneto-impedance and its applications
CN107533114A (en) Magnetic field sensor with increased field scope
CN105190340B (en) Magnetic field sensor device
ATE502310T1 (en) EXTRAORDINARY MAGNETORESISTANCE AT ROOM TEMPERATURE IN INHOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS WITH SMALL BAND GAP
WO2009078296A1 (en) Magnetic sensor
Chun et al. Breakdown of the lattice polaron picture in La 0.7 Ca 0.3 MnO 3 single crystals
WO2006114561A3 (en) True amplitude transient electromagnetic system response measurement
EP3045927A1 (en) Mlu based magnetic sensor having improved programmability and sensitivity
Lopes et al. MgO magnetic tunnel junction electrical current sensor with integrated Ru thermal sensor
TH45336B (en) The sensor reads a magnetic field based on the extraordinary hall phenomenon.
TH88148A (en) The sensor reads a magnetic field based on the extraordinary hall phenomenon.
CN103988086A (en) Device and method for sensing current
DE102011086034A1 (en) Semiconductor device
Boll et al. Sensors, Magnetic Sensors
Shimizu et al. An observational constraint on the strength of the toroidal magnetic field at the CMB by time variation of submarine cable voltages
Hu et al. Large anomalous Nernst angle in Co 2 MnGa thin film
RU2601281C1 (en) Magnetoresistive current sensor
RU2553740C1 (en) Method for improvement of sensitivity parameter of magnetoresistive sensors
Wongjom et al. Investigation of the spin Seebeck effect and anomalous Nernst effect in a bulk carbon material
CN201886140U (en) Magnetic Induction Measuring Device Based on Colossal Magnetoresistance Effect
Bajpai et al. Measurement of Carrier Concentration and Mobility of Charge Carriers of Different Materials (ge, au, al and cu) using “Hall Effect”
Kim et al. Design and Development of Magnetic Sensor Using a Soft Magnetic Amorphous Wire