Claims (5)
1. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำ ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การกำจัดของเสียที่ได้จากการแปรรูปในของไหล โดยให้ของไหลดังกล่าวไหล ผ่านเครื่องกรอง เครื่องกรองดังกล่าวประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดส่วนของของเสียที่ได้จากการ แปรรูปที่ถูกทำให้กำเนิดในขั้นตอนการแปรรูปสารกึ่งตัวนำโดยใช้ของไหล 2. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตำนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้นตอนการแปรรูปสารกึ่ง ตัวนำจะประกอบด้วยขั้นตอนการแปรรูปทางกลสารกึ่งตัวนำโดยใช้ของไหล 3. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 2 ซึ่งขั้นตอนการแปรรูปทางกล สารกึ่งตัวนำจะประกอบด้วยการขัดหรือการฝนโดยใช้ของไหล 4. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งยังคงประกอบด้วยขั้นตอนดัง ต่อไปนี้ การจัดเตรียมเครื่องกรองโดยให้ของไหล ที่มีสารที่แยกออกได้ไหลผ่านเครื่อง กรองที่หนึ่ง และพอกสะสมการที่แยกออกได้บนผิวหน้าเครื่องกรองที่หนึ่งเพื่อสร้างเครื่องกรองที่ สอง และ การกรองสารที่แยกออกได้โดยให้ของไหลไหลผ่านเครื่องกรอง และดังนั้นจึง สามารถกำจัดสารที่แยกออกได้ออกจากของไหล 5. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งขั้นตอนในการจัดเตรียม เครื่องกรองจะประกอบด้วยขั้นตอนดังต่อไปนี้ การผ่านของไหลที่มีสารที่แยกออกได้ไหลผ่านเครื่องกรองที่หนึ่ง และพอกสะสม สารที่แยกออกได้บนผิวหน้าเครื่องกรองที่หนึ่งเพื่อสร้างเครื่องกรองที่สอง ในขณะที่ทำการ หมุนเวียน 6. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งขั้นตอนการกรองดังกล่าวจะ ประกอบด้วยขั้นตอนการกรองของไหล ในขณะที่ทำการดูดโดยผ่านเครื่องกรอง 7. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งยังคงประกอบด้วยขั้นตอน การป้อนแรงภายนอกไปยังผิวหน้าของเครื่องกรอง เพื่อที่ว่าส่วนประกอบของเครื่องกรองที่สอง สามารถเลื่อนได้ 8. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอกดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอนการป้อนแรงภายนอก โดยไม่ต่อเนื่องสม่ำเสมอ 9. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการป้อนกระแสไหลของก๊าซตามแนวผิวหน้าของเครื่อง กรองที่หนึ่ง 1 0. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการป้อนแรง เพื่อทำให้ส่วนที่เป็นส่วนประกอบของ เครื่องกรองที่สองถูกปลดปล่อยออก 1 1. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการควบคุมแรงเพื่อให้ความหนาของเครื่องกรองที่สอง คงที่ 1 2. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งเครื่องกรองดังกล่าวจะถูกจัด วางในทิศทางที่ตั้งฉาก และแรงภายนอกดังกล่าวจะประกอบด้วยแรงยกระดับของฟอง 1 3. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการทำให้เกิความสั่นสะเทือนของกล 1 4. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการให้กำเนิดคลื่นเสียง 1 5. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 7 ซึ่งขั้นตอนการป้อนแรง ภายนอก ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการให้กำเนิดกระแสการไหลของของไหล 1 6.วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งเครื่องกรองที่หนึ่งดังกล่าวมี เครื่องกรองประเภทที่เป็นถุง ซึ่งช่องเผื่อจะถูกสร้าง ซึ่งท่อดูดสำหรับดูดจะถูกแทรกลงในนั้น 1 7. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งเครื่องกรองที่สองดังกล่าวจะ ประกอบด้วย Si 1 8. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งเครื่องกรองที่สองดังกล่าว ส่วนใหญ่จะประกอบด้วย Si ประเภทที่เป็นสะเก็ดขนาดเล็ก 1 9. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้นตอนการแปรรูปสารกึ่ง ตัวนำจะประกอบด้วยขั้นตอนการตัดเป็นก้อน 2 0. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้นตอนการแปรรูปสารกึ่ง ตัวนำจะประกอบด้วยขั้นตอนการขัดแบบกระจกเงา 2 1. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้นตอนการแปรรูปสารกึ่ง ตัวนำจะประกอบด้วยขั้นตอนการฝนด้านหลัง 2 2. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 4 ซึ่งเครื่องกรองที่สองจะ ประกอบด้วยของเสียที่ได้จากการแปรรูปที่มีขนาดแตกต่างกัน 2 3. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งของเสียที่ได้จากการแปรรูป จะประกอบด้วย อนุภาคที่มีขนาดแตกต่างกัน และเครื่องกรองดังกล่าวจะประกอบขึ้นด้วยรูขนาด เล็กซึ่งใหญ่กว่าขนาดที่เล็กที่สุดของอนุภาคและเล็กกว่าขนาดที่ใหญ่ที่สุดของอนุภาค 2 4. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าวของการ กำจัดจะประกอบด้วยขั้นตอนการ หมุนเวียนของไหลเป็นเวลาที่คงที่ตั้งแต่เริ่มการกำจัดของเสียที่ได้ จากการแปรรูป 2 5. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 24 ซึ่งขั้นตอนการหมุนเวียน ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการตรวจจับระดับการรวมตัวของของเสียที่ได้จากการแปรรูปที่ถูก รวมเข้าในของไหลที่ไหลผ่านเครื่องกรอง และการหยุดการหมุนเวียนของไหลที่จุดของเวลาเมื่อ ระดับที่ถูกตรวจจับลดลงต่ำกว่าค่าคงที่ 2 6. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 25 ซึ่งขั้นตอนการหมุนเวียน ดังกล่าว จะประกอบด้วยขั้นตอนการตรวจจับระดับการรวมตัวของสารที่แยกออกได้ที่ถูกรวมเข้า ในของไหลที่ไหลผ่านเครื่องกรอง และการเริ่มการหมุนเวียนของไหลอีกครั้งที่จุดของเวลา เมื่อ ระดับที่ถูกตรวจจับมีค่าเกินค่าคงที่ที่สอง 2 7. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งเครื่องกรองที่หนึ่งดังกล่าวทำ ด้วยโพลิเมอร์ชั้นสูงที่เป็นโพลีโอเลฟิน 2 8. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งเครื่องกรองที่หนึ่งดังกล่าวจะ มีผิวหน้าที่ไม่เรียบ 2 9. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งของเสียที่ได้จากการแปรรูป ดังกล่าวจะประกอบด้วยสารช่วยแปรรูปที่ถูกใช้สำหรับการแปรรูปทางกล 3 0. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งของไหลดังกล่าว จะถูกนำ กลับมาใช้ใหม่หลังจากการกำจัดของเสียที่ได้จากการแปรรูป 31.How to produce semiconductors Which consists of the following steps Elimination of processed wastes in fluids By allowing the said fluid to flow Through a strainer The strainer contains at least a portion of the waste generated from the Processed in semiconductor processing using fluid 2. The semiconductor manufacturing method according to claim 1, where the semiconductor processing step Conductors consist of a semiconductor mechanical processing process using a fluid 3. Method for producing semiconductors according to claim 2, where the mechanical transformation process The semiconductor consists of abrasive or precipitation by means of a fluid. 4. Method for producing semiconductors according to claim 1, which still consists of the following steps: preparation of the filter by means of fluid. Where the separable substance flows through the first filter and forms a separable accumulator on the first filter surface to form a second filter and to filter the separable substance by allowing fluid to flow through the filter. And therefore Able to remove substances that can be separated from the fluid. 5. Method for producing semiconductors according to claim 4, which steps in the preparation The filter consists of the following steps. A fluid with a separable substance passes through the first filter and deposits the separable material onto the first filter surface to form a second filter. During the rotation 6. Method for manufacturing semiconductors according to claim 4, in which the said filtration process will Contains the fluid filtration process During the suction through the filter. 7. Method for manufacturing semiconductors according to claim 4, which still consists of a procedure. External force feeding to the filter surface So that the second filter element Can be shifted. 8. Method for producing semiconductors according to claim 7, in which the process of feeding force It consists of an external force feeding process. 9. Method for manufacturing semiconductors according to claim 7, in which the external force feeding process consists of the process of feeding the gas flow along the surface of the first filter 1 0. Method Manufacture of semiconductors according to claim 7, where the external force feeding process consists of the force feeding process To make the constituent parts of The second strainer is released 1 1. Method for producing semiconductors according to claim 7, in which the external force feeding process consists of a force control step to keep the thickness of the second filter constant 1 2. The method of manufacturing semiconductors in accordance with claim 7, in which such filters will be supplied. Placed in a perpendicular direction And such external forces consist of the lifting force of the bubble 1 3. Method for producing semiconductors according to claim 7, in which the process of entering such external forces consists of the process of causing mechanical vibration 1 4. Method for producing semiconductors according to claim 7, in which the external force feeding procedure consists of a sound wave generation procedure 1 5. The semiconductor manufacturing method according to claim 7, the external force feeding procedure It consists of the flow-flow-flow process 1 6. Methods for producing semiconductors according to claim 4, which the first filter has. Bag type strainer In which an allowance will be created In which a suction hose for suction is inserted into it 1 7. Methods for producing semiconductors according to claim 4, in which the second filter consists of Si 1. 8. Methods for producing semiconductors according to claim 4, which The aforementioned second filter It is mainly composed of small flaky type Si 1 9. Methods for manufacturing semiconductors according to claim 1, in which the semiconductor processing step Conductors are composed of a lump cutting process 2 0. A semiconductor manufacturing method according to claim 1, which semiconductor processing procedures. The conductors are composed of a mirror polishing process 2 1. The semiconductor manufacturing method according to claim 1, where the semiconductor processing step The conductors are composed of 2 rear precipitation procedures 2. A semiconductor manufacturing method according to claim 4, in which the second strainer will Contains processing waste of different sizes. 2. 3. Methods for manufacturing semiconductors according to claim 1, in which the processed waste consists of particles of different sizes. And the strainer is made up of size holes. Smaller than the smallest particle size and smaller than the largest particle size 2. 4. The semiconductor manufacturing method according to claim 1. Elimination consists of a procedure. Circulating fluid is a constant time from the beginning of the disposal of processed waste 2 5. Manufacturing methods for semiconductors according to claim 24, in which the recirculation procedure consists of a recombination level detection procedure. Wastes obtained from processing that are Incorporates into the fluid that flows through the filter And stopping the fluid circulation at the point of time when The detected level falls below constant 2. 6. Methods for manufacturing semiconductors according to claim 25, wherein the recirculation procedure consists of a stage for detecting the degree of recombination of the isolated substance. Integrated In the fluid that flows through the filter And the resumption of fluid recirculation at the point of time when the detected level exceeds the second constant 2. 7. Manufacturing method of semiconductors according to claim 1, which the first filter does. With a high-class polyolefin polymer. 2 8. Method for manufacturing semiconductors according to claim 1, which the first filter will 2 9. Methods for manufacturing semiconductors according to claim 1, which wastes obtained from processing It contains processing aids that are used for mechanical processing 3 0. A semiconductor manufacturing method according to claim 1, in which the said fluid is recycled after removal of the processed waste. 3
1. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งของเสียที่ได้จากการแปรรูป ดังกล่าวจะประกอบด้วย โลหะผสม วัสดุที่แยกออกได้เป็นอินทรีย์และอนินทรีย์ 31. Methods for manufacturing semiconductors in accordance with claim 1, which waste from processing It consists of alloys, materials that are separated into organic and inorganic 3.
2. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งของเสียที่ได้จากการแปรรูป ดังกล่าวจะประกอบด้วย Si, ออกไซด์ของ Si, AI, SiGe วัสดุอินทรีย์ และแก้วอย่างน้อยหนึ่งชนิด 32. Methods for manufacturing semiconductors in accordance with claim 1, which waste from processing They contain Si, Si oxides, AI, SiGe, organic materials. And at least one kind of glass 3
3. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งเครื่องกรองดังกล่าวจะ ประกอบด้วย อย่างน้อยส่วนหนึ่งของของเสียที่ได้จากการแปรรูป ที่เกิดขึ้นในขั้นตอนการแปรรูป สารกึ่งตัวนำโดยใช้ของไหล เมื่อการเฉือนก้อนที่เป็นผลึกให้เป็นในรูปเวเฟอร์ หรือเมื่อการตัดเป็น ก้อน การฝนด้านหลัง หรือการขัดถูเวเฟอร์กึ่งตัวนำ 33. Methods for manufacturing semiconductors pursuant to claim 1, in which the filters contain at least a part of the processed wastes. That occurred in the process of privatization Semiconductor using fluid When cutting a crystalline lump into a wafer Or when cutting into cubes, raining the back Or semiconductor wafer abrasion 3
4. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 ยังคงประกอบด้วยขั้นตอนการ แยกของเสียจากเครื่องกรอง เมื่อถังน้ำดิบที่มีของเสียที่เป็นซิลิคอนของเวฟอร์กึ่งตัวนำไปถึงความ เข้มข้นที่กำหนดไว้ล่วงหน้า 34. The semiconductor manufacturing method according to claim 1 still consists of a procedure for Separate waste from the filter. When the raw water tank with semiconductor waver's silicon waste reaches Pre-set concentration 3
5. วิธีการผลิตอุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 34 ซึ่งของไหลดังกล่าวจะถูกนำ กลับมาใช้ใหม่หลังจากของเสียที่ได้จากการแปรรูปถูกกำจัดจากที่นั่น5. Method of semiconductor manufacturing according to claim 34, in which the said fluid is taken Recycled after processing waste is eliminated from there.