Claims (2)
1. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงประกอบด้วย ; แหล่งจ่าย DC หม้อแปลงรั่วไหลที่ถูกต่อกับจุดต่อกับจุดต่อบวกของแหล่ง จ่าย DC ดังกล่าว, ตัวเก็บประจุที่สองที่ถูกต่ออนุกรมกับขด ลวดปฐมภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าว, อุปกรณ์สวิตซิงที่ สองที่ถูกต่อกับจุดต่อบวกของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว, ตัวเก็บ ประจุที่หนึ่งที่ถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สองดัง กล่าว, อุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งที่ถูกต่ออนุกรมกับ อุปกรณ์สวิตซิงที่สองดังกล่าวและยังถูกต่อกับ จุดต่อลบแหล่ง จ่าย DC ดังกล่าว, ส่วนการขับสำหัรบการขับอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งและ อุปกรณ์สวิตซิงที่สองดัง กล่าว, ส่วนการเรียงกระ แสที่ถูกต่อกับขดลวดทุตติยภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าว และ แมกนีตรอนที่ถูกต่อกับส่วนการเรียงกระแสดังกล่าว 2. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่ตัวเก็บประจุที่สอง จะถูก จัดให้มี ด้วยค่าความจุ ไฟฟ้ามากเพื่อทำการควบคุมผลออกผ่านความกว้างพัลส์ 3. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่ ความสัมพันธ์ร่วมระหว่างค่าความจุไฟฟ้า C2 ของ ตัวเก็บประจุที่สอง, ค่าความเหนี่ยว นำขดลวดปฐมภูมิ L1 ของ หม้อแปลงรั่วไหล ความถี่เรโซแนนซ์ fr ที่ถูกกำหนดให้ fR = 1 / (2 x (ไพ) x (สูตร) (L1 x C2)) และความถี่การทำงาน fo ของส่วนการขับตรงกับ 2.45 < (สูตร) (L1 x C2) < 3.55 1.38 < fo / fR < 4 4. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 เป็นแบบที่วงจรอนุกรมที่ถูก ประกอบด้วยตัวเก็บประจุที่หนึ่ง, ตัวเก็บประจุที่สองและหม้อแปลงรั่วไหลจะกำหนดแบบใดแบบ หนึ่ง ของโครงสร้างดังต่อไปนี้, (1) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองและวงจร อนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐมภูมิ ของหม้อแปลงรั่วไหลจะถูกต่อ ขนานกับอุปกรณ์สวิตซิงที่สอง (2) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่หนึ่งและวงจร อนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐม ภูมิจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองดังกล่าว (3) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่หนึ่งและวง จรอนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองและขดลวดปฐม ภูมิจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิต ซิงที่หนึ่งดังกล่าว หรือ (4) ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิตซิง ที่สองดังกล่าวและวง จรอนุกรมของตัวเก็บประจุที่สองดังกล่าว และขดลวดปฐมภูมิดังกล่าวถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สวิต ซิงที่หนึ่ง 5. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 อนุพัทธ์ แหล่งจ่าย DC จากแหล่งจ่ายกำลังทาง การค้า 200 V - 240 V โดยที่ยิ่งความต่างศักย์ของ แหล่งจ่ายกำลังในเชิงพาณิชย์ สูงขึ้น ค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุที่สองยิ่งมากขึ้น ในขณะที่ค่า คงที่ของหม้อแปลงรั่วไหลที่เกี่ยวข้องกับการเหนี่ยวนำขดลวดปฐมภูมิ, การเหนียวนำขดลวดทุติย ภูมิ และสัมประสิทธิการจับคู่ของขดลวดปฐมภูมิ และทุติยภูมิจะยังคงเหมือนเดิม 6. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ประกอบ ด้วยแหล่งจ่าย DC ซึ่งอนุพัทธ์มาจากแหล่งจ่ายกำลังเชิงพาณิชย์ที่ถูกเรียงกระแส ซึ่งส่วนการตรวจ จับความต่างศักย์ของแหล่งจ่าย DC และส่วนการมอดูแลเลตความกว้างพัลส์ซึ่งจะใช้ผลออกของส่วน การตรวจจับความต่างศักย์เป็นสัญญาณพื้นฐานม โดยที่ สัญญาณจากส่วนการมอดูเลตความกว้างพัลส์ถูกส่งไปยังส่วนการขับ และส่วนการ ขับดังกล่าวได้ขับอุปกรณ์สวิตซิงตามสัญญาณดังกล่าว 7. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 6 เป็นแบบที่ส่วนการมอดูเลต ความกว้างพัลส์จะถูกจัดให้มีพร้อม กับการทำงานการจำกัดสำหรับการตั้งต่าจำกัดบนของการ ทำงาน 8. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 ประกอบ ด้วยแหล่งจ่าย DC ซึ่งอนุพัทธ์มาจากแหล่งจ่ายกำลังเชิงพาณิชย์ที่ถูกเรียงกระแส ซึ่งส่วนการตรวจ จับความต่างศักย์สำหรับการตรวจจับความต่างศักย์ของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว และส่วนการมอดู แลเลตความถี่ออกของส่วนการตรวจจับความต่างศักย์ดังกล่าวเป็นสัญญาณพื้นฐาน, โดยที่ สัญญาณจากส่วนการมอดูเลตความกว้างพัลส์ถูกส่งไปยังส่วนการขับ และส่วนการ ขับดังกล่าวได้ขับอุปกรณ์สวิตซิงตามสัญญาณดังกล่าว 9. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 8 เป็นแบบที่ส่วนการมอดูเลต ความถี่จะถูกจัดให้มีพร้อมด้วยการ ทำงานการจำกัดสำหรับการตั้งค่าจำกัดล่างของความถี่ 1 0. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 8 ประกอบต่อมาด้วยส่วนการตั้ง ความถี่ เริ่มต้นสำหรับการให้ การมอดูเลตความถี่ ณ ช่วงเริ่มต้นเพื่อแสดงการควบคุม ณ ความถี่ที่ถูก ตรึงไว้ 1 1. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 10 เป็นแบบที่การมอดูเลตความถี่ จะถูกจ่ายทันทีที่แมกนีตรอน เริ่มต้นทำงาน 1 2. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 6 หรือ 8 เป็นแบบที่ผลออกแมก นีตรอนจะถูกควบคุมผ่านทั้งการมอ ดูเลตความกว้างพัลส์และการมอดูเลตความถี่ด้วยการจัดลำดับ ที่ถูก ให้บนการควบคุมผลออกผ่านการมอดูเลตความกว้างพัลส์ไป ยังการควบคุมผลออกผ่านการมอดูเลต ความถี่ 1 3. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งของข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 เป็นแบบที่ ตัวต้านทานที่หนึ่งและตัวต้าน ที่สองที่ถูกต่ออนุกรมกันจะถูกต่อขนานกับแหล่งจ่าย DC ดัง กล่าว และ จุดต่อของตัวต้านทานที่หนึ่งและตัวต้านทานที่สองจะถูกต่อ กับจุดต่อ ของอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งดังกล่าวและอุปกรณ์สวิตซิงที่สองดังกล่าว 1 4. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบด้วยแหล่งจ่าย DC ที่ถูกสร้างด้วยส่วนการเรียงกระแส และตัวกรองที่ประกอบด้วยตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุที่สาม สำหรับการทำให้ผลออกของส่วนการเรียงกระแสเรียบ ซึ่งประกอบ ต่อมาด้วยตัวดูด กลืนกระแสไฟฟ้าที่รุนรงที่ปลายจุดออกของตัวกรองดังกล่าว 1 5. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบ้ดวยแหล่งจ่าย DC ที่ประกอบด้วยส่วนการเรียงกระแสและ ตัวกรองที่ประกอบ้ดวยตัวเหนี่ยวนำและตัวเก็บประจุ สำหรับทำ ให้ผลออกของส่วนการเรียงกระแสเรียบ ซึ่งยังประกอบต่อมาด้วยตัว ดูดกลืนกระแสไฟ ฟ้าที่รุนแรงที่ถูกต่อขนานกับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำดังกล่าว 1 6. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 รวมทั้งส่วนการตรวจจับความ ต่างศักย์และส่วนควบคุมการหยุดเป็นแบบที่ ส่วนการตรวจจับความต่างศักย์ดังกล่าวได้ตรวจจับความต่างศักย์ที่จุดต่อของขดลวดปฐม ภูมิของหม้อแปลงรั่วไหลดังกล่าวและตัวเก็บประจุที่สองดังกล่าวที่ถูกต่อ อนุกรมและ ส่งสัญญาณ ไปยังส่วนควบคุมการหยุด ซึ่งส่วนควบคุม การหยุดจะหยุดส่วนการขับตามสัญญาณนั้น 1 7. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 16 เป็นแบบที่ส่วนการตรวจจับ ความต่างศักย์ดังกล่าวตรวจจับความต่างศักย์ออก ของตัวเก็บประจุดังกล่าวของแหล่งจ่าย DC ดัง กล่าว 1 8. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 16 เป็นแบบที่ส่วนการตรวจจับ ความต่างศักย์ดังกล่าวได้ตรวจจับความต่างศักย์ที่จะถูกใช้ บนอุปกรณ์สวิตซิงที่หนึ่งดังกล่าว 1 9. อุปกรณ์การทำความร้อนความถี่สูงของข้อถือสิทธิที่ 1 ที่รวมต่อมาถึงวงจรอนุกรม ของตัวต้านทานที่สามและตัวต้านทาน ที่สี่ที่ถูกจัดให้มีระหว่างจุดต่อของหม้อแปลงรั่วไหลดัง กล่าวและ ตัวเก็บประจุที่สองและจุดต่อลบของแหล่งจ่าย DC ดังกล่าว 2 0. อุปกรณ์การทำความร้อน ความถี่สูงที่กล่าวในข้อถือสิทธิที่ 19 ประกอบต่อมาด้วยตัว เปรียบเทียบที่ถูกต่อกับต้านทานที่สี่โดยที่ตัวเปรียบเทียบ ดังกล่าวจะเปรียบเทียบความต่าง ศักย์ของตัวต้านทานที่สี่ดังกล่าวกับค่าอ้างอิงและ ควบคุมส่วนการขับดังกล่าว 21. High frequency heating equipment consists of; The DC supply transformer is leaking connected to the positive connection of the said DC supply, a second capacitor connected in series to the coil. The primary wire of the transformer leaks such, the switching device at The second switching device is connected to the positive connection of the DC supply, the first capacitor connected in parallel to the second switching device, the first switching device connected in series with. The second switching device and is also connected to The negative connection of such DC supply, the drive part for driving the first switching device and The second such switching device, the sorting part The show connected to the secondary winding of the said leakage transformer and the magnetron connected to the rectifying section 2. The high frequency heating device of claim 1 is a type with a capacitor. The second will be provided with the capacitance value. 3. The high frequency heating device of claim 1 is a type where the correlation between the capacitance C2 of the second capacitor, the inductance Lead the primary winding L1 of the transformer leaking. The resonant frequency fr is assigned to fR = 1 / (2 x (pi) x (formula) (L1 x C2)) and the working frequency fo of the drive segment corresponds to 2.45 < (Formula) (L1 x C2) <3.55 1.38 < fo / fR < 4 4. High frequency heating device of claim 1 is the type that the serial circuit is The first capacitor, the second capacitor, and the leakage transformer are defined in one of the following constructions, (1) the first capacitor is connected in parallel with the switching device. Second and cycle Series of the second capacitor and the primary winding Of transformer leakage will be connected In parallel with the second switching device (2), the first capacitor is connected in parallel with the switching device. First and cycle The series of the second capacitor and the primary winding The landscape is connected in parallel with the switching device. The second (3) capacitor one is connected in parallel with the switching device. The first and the circle The series rode of the second capacitor and the primary winding. The landscape is connected in parallel with the switch device. As mentioned above, or (4) the first capacitor is connected in parallel with the switching device. The second and the circle The series of such secondary capacitors And the primary winding is connected in parallel with the first switching device. 5. The high frequency heating device mentioned in one of the claims 1 to 4 is the DC supply from the commercial power supply. 200 V - 240 V, where the greater the potential difference of The higher the commercial power supply, the greater the secondary capacitance of the secondary capacitor, while the transformer leakage constants are associated with the primary winding inductance, the secondary winding inductance and Primary coil matching coefficient 6. The high frequency heating equipment mentioned in one of claims 1 through 4 consists of a DC supply which is derivative from a rectified commercial power supply. In which the examination Capture the DC supply voltage difference and the pulse width modulation segment, which takes the output of the section. The voltage detection is a fundamental signal where the signal from the pulse width modulation segment is sent to the driving segment and the driving segment drives the switching device according to the signal 7. . The high-frequency heating device of claim 6 is the modulation section. Pulse width will be provided with 8. The high-frequency heating device mentioned in one of claims 1 through 4 consists of a DC supply which is derivative from a commercial power supply. Rectify In which the examination Capture the potential difference for the voltage detection of the aforementioned DC source and for the modulation section. The output frequency of the aforementioned voltage sensing section is a fundamental signal, where the signal from the pulse width modulation segment is sent to the driving section and the said drive section drives the Swiss device. According to the aforementioned signal 9. The high frequency heating device of claim 8 is a type that the modulation part. The frequency will be provided along with the Operate the limit for the lower limit setting of the frequency 1 0. The high-frequency heating device of claim 8 consists of a section for setting the default frequency for providing. Initial frequency modulation to show control at pinned frequency 1 1. The high frequency heating device of claim 10 is the type that the frequency modulation Will be paid as soon as the magnetron Start work 1 2. High frequency heating equipment of claim 6 or 8 is a magnetized design. The nitron is controlled through both modulation Pulse width modulation and frequency modulation with sequences given on the output control through pulse width modulation to The output is controlled through frequency modulation 1 3. The high-frequency heating device mentioned in one of claims 1 to 4 is a type where the first resistor and the resistor. The second resistor in series is connected in parallel to the aforementioned DC supply, and the connections of the first and second resistor are connected to the junction of the first switching device and the first resistor. 1 4. The high frequency heating device of claim 1 consists of a DC supply built with a rectifier section. And a filter consisting of an inductor and a third capacitor For smoothing the output of the rectification section, which is subsequently equipped with a suction Swallow the strong current at the outlet end of the filter. 1 5. The high frequency heating device of claim 1 consists of a DC supply consisting of a rectifier section and a A filter incorporated with an inductor and a capacitor to smooth the output of the rectifier section. Which also consists of the following Absorb electricity 1 6. The high-frequency heating device of claim 1, including the high-frequency heating device, is connected in parallel with the semiconductor device. Different potential and the stopping control is a The potential difference detects the potential difference at the junction of the primary winding. The landscape of the transformer leaks, and such a second capacitor is connected in series and sends a signal to the control stop. Which control part Stopping stops the driving portion of that signal. 1 7. The high frequency heating device of claim 16 is the type that the sensing section. Such a potential difference detects the potential difference. Of such capacitors of such DC supply 1 8. The high frequency heating device of claim 16 is the type that the sensing part. That potential difference detects the potential difference to be used. On the first switching device 1 9. The high-frequency heating device of claim 1, which is subsequently included in the serial circuit Of the third resistor and the resistor A fourth is provided between the connection of the leaking transformer and the second capacitor and the negative connection of the aforementioned DC supply 2 0. Heating device. The high frequencies mentioned in claim 19 consist of the following. The comparator is connected to the fourth resistance where the comparator Such will compare the differences. The potential of the said fourth resistor to the reference value and Control the driving section 2
1. อุปกรณ์การทำความร้อนความ ถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 4 โดยที่ แหล่งจ่าย DC ประกอบด้วยอุปกรณ์ป้องกันการล้มที่ถูกจัดให้อยู่ที่ขาของส่วนประกอบวงจรที่ถูก ติดตั้งบนแผงพิมพ์ลายวงจร โดยมีจุดประสงค์เพื่อการป้องกันส่วนประกอบของวงจรจากการล้มลง และสัมผัสกับส่วนประกอบวงจรอื่นที่มีความต่างศักย์ต่างกัน 21.Heating equipment The high frequency is described in one of claims 1 to 4 where the DC supply consists of a fall protection device located at the pin of the circuit component. Installed on a printed circuit board It is intended to protect circuit components from falling. And contact with other circuit components with different voltages 2
2. อุปกรณ์การทำความร้อนความ ถี่สูงที่กล่าวในหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 21 เป็นแบบที่หนึ่งใน ส่วนประกอบของวงจรที่ประกอบขึ้นถูกใช้สำหรับการป้องกันการล้มด้วยเช่นเดียวกัน2.Heating equipment The high frequency mentioned in one of claim 21 is type one in The assembled circuit components are also used for fall protection.