TH41906A3 - ชั้นเริ่มต้นสำหรับชั้นตรึงที่เป็นนิกเกิลออกไซด์สำหรับการเพิ่มความต้านทานแม่เหล็กของตัวตรวจรู้สปินวาล์ว - Google Patents
ชั้นเริ่มต้นสำหรับชั้นตรึงที่เป็นนิกเกิลออกไซด์สำหรับการเพิ่มความต้านทานแม่เหล็กของตัวตรวจรู้สปินวาล์วInfo
- Publication number
- TH41906A3 TH41906A3 TH9901004198A TH9901004198A TH41906A3 TH 41906 A3 TH41906 A3 TH 41906A3 TH 9901004198 A TH9901004198 A TH 9901004198A TH 9901004198 A TH9901004198 A TH 9901004198A TH 41906 A3 TH41906 A3 TH 41906A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- spin valve
- nickel oxide
- magnetic resistance
- increasing
- Prior art date
Links
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 7
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 5
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims 1
- 229940037003 alum Drugs 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (19/01/43) ตัวตรวจรู้สปินวาล์วด้านล่างสุดจะใช้ชั้นเริ่มต้นสำหรับชั้นตรึงแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่ เป็นนิกเกิลออกไซด์ (NiO) เพื่อที่จะเพิ่มความต้านทานแม่เหล็กของตัวตรวจรู้ (dR/R) ตัวตรวจรู้ส ปินวาล์วอาจเป็นสปินวาล์วแบบอย่างง่ายหรือตัว ตรวจรู้สปินวาล์วแบบแอนติพาราเรล (AP) ในรูป ลักษณะอย่างที่ ควรเป็นนั้น ชั้นเริ่มต้นจะเป็นแทนทาลัมออกไซด์ TayOx หรือทองแดง (Cu) ตัวตรวจรู้สปินวาล์วด้านล่างสุดจะใช้ชั้นเริ่มต้นสำหรับชั้นตรึงแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่ เป็นนิกเกิลออกไซด์ (NiO) เพื่อที่จะเพิ่มความต้านทานแม่เหล็กของตัวตรวจรู้ (dR/R) ตัวตรวจรู้ส ปินวาล์วอาจเป็นสปินวาล์วแบบอย่างง่ายหรือตัว ตรวจรู้สปินวาล์วแบบแอนติพาราเรล (AP) ในรูป ลักษณะอย่างที่ ควรเป็นนั้น ชั้นเริ่มต้นจะเป็นแทนทางลัมออกไซด์ TayOx หรือทองแดง (Cu)
Claims (1)
1. ตัวตรวจรู้สปินวาล์วที่มีพื้นผิวรองรับด้วยอากาศ (ABS) ซึ่งรวมถึง ชั้นตรึงแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่เป็นนิกเกิลออกไซด์ (NiO) ชั้นเพิ่มระยะนำไฟฟ้าที่ไม่เป็นแม่เหล็ก ชั้นปลอดเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นเพิ่มระยะจะได้รับการประกบไว้ระหว่าง และเกี่ยวประสาน ระหว่างผิวหน้าของชั้นตรึง และชั้นว่าง ชั้นเริ่มต้นที่เป็นแทนทาลัมออกไซด์หรือทองแดง ชั้นตรึงจะได้รับการประกบไว้ระหว่างชั้นเริ่มต้นและชั้น ที่ได้รับการตรึงโดยมีชั้นเริ่มต้น เกีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH41906A3 true TH41906A3 (th) | 2000-12-18 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1884763B1 (en) | GMR biosensor with enhanced sensivity | |
| US6988414B2 (en) | Sensor device having a magnetostrictive force sensor | |
| TWI295323B (en) | Sensor and method for measuring the areal density of magnetic nanoparticles on a micro-array | |
| EP1720027A4 (en) | MAGNETIC FIELD DETECTOR AND CIRCUIT DETECTION DEVICE, POSITION DETECTION DEVICE AND ROTATION DETECTION DEVICES WITH THE MAGNETIC FIELD DETECTOR | |
| JP6193212B2 (ja) | シングルチップ２軸ブリッジ型磁界センサ | |
| ES2284261T3 (es) | Sensor para hebilla de cinturon de seguridad. | |
| JP5066576B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| US20180074016A1 (en) | Magnetoresistive (mr) sensors employing dual mr devices for differential mr sensing | |
| WO2002052235A3 (en) | Use of multi-layer thin films as stress sensors | |
| EP0826975A3 (en) | Bias-free symmetric dual spin valve giant magnetoresistance transducer | |
| TW200533928A (en) | High sensitivity magnetic built-in current sensor | |
| EP1450177A3 (en) | Magnetoresistive device with exchange-coupled structure having half-metallic ferromagnetic Heusler alloy in the pinned layer | |
| TW200411920A (en) | Biosensor and sensing cell array using the same | |
| MY123416A (en) | Trilayer seed layer structure for spin valve sensor | |
| EP1903624A3 (en) | Tunnel magnetoresistive sensor in which at least part of pinned layer is composed of CoFeB layer and method for manufacturing the tunnel magnetoresistive sensor | |
| US7977937B2 (en) | GMR biosensor with aligned magnetic field | |
| KR20030088355A (ko) | 자기장 검출 센서 | |
| JPH11194161A (ja) | 磁気抵抗式センサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置 | |
| DE69933692D1 (de) | Keimschicht für nickeloxid pinning-schicht zur erhöhung der magnetwiderstand eines spinventilfühlers | |
| WO2004001805A3 (en) | Sensors based on giant planar hall effect in dilute magnetic semiconductors | |
| Hung et al. | Spin-valve planar Hall sensor for single bead detection | |
| EP0690296A3 (en) | Magnetostrictive sensor | |
| RU2008101774A (ru) | Быстродействующий магнитный биодатчик с интегрированным измерением времени поступления | |
| TH41906A3 (th) | ชั้นเริ่มต้นสำหรับชั้นตรึงที่เป็นนิกเกิลออกไซด์สำหรับการเพิ่มความต้านทานแม่เหล็กของตัวตรวจรู้สปินวาล์ว | |
| EP1560231A3 (en) | Magnetic resistance device |