TH41422A3 - Disk drive unit with integrated circuit for reducing thermal unevenness using a tunnel joint detector. - Google Patents

Disk drive unit with integrated circuit for reducing thermal unevenness using a tunnel joint detector.

Info

Publication number
TH41422A3
TH41422A3 TH9901003981A TH9901003981A TH41422A3 TH 41422 A3 TH41422 A3 TH 41422A3 TH 9901003981 A TH9901003981 A TH 9901003981A TH 9901003981 A TH9901003981 A TH 9901003981A TH 41422 A3 TH41422 A3 TH 41422A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mtj
overlay
class
aforementioned
referred
Prior art date
Application number
TH9901003981A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH35222C3 (en
Inventor
ซิงห์ กิลล์ นายฮาร์ดายัล
Original Assignee
นายธเนศ เปเรร่า
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางวรนุช เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายธเนศ เปเรร่า, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางวรนุช เปเรร่า filed Critical นายธเนศ เปเรร่า
Publication of TH41422A3 publication Critical patent/TH41422A3/en
Publication of TH35222C3 publication Critical patent/TH35222C3/en

Links

Abstract

DC60 (16/12/42) หน่วยขับดิสก์ที่มีตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่มีชุดวางซ้อน MTJ จำนวนสองชุด ที่อยู่ระหว่างชีลด์ที่หนึ่งและที่สองและอิเล็กโทรดร่วมที่ได้รับการจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ สองชุดดังกล่าว กระแสสำหรับตรวจรู้ที่หนี่งถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งโดยชีลด์ที่หนึ่ง และอิเล็กโทรดร่วมและกระแสสำหรับตรวจรู้ที่สองถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่สองโดยชิลด์ ที่สองและอิเล็กโทรดร่วม ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงของชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งและที่สองได้รับการยึดติดในลักษณะที่ตั้งฉากกับ ABS และขนานแบบสวนทางซึ่งกันและ กันเพื่อที่ว่าสัญญาณที่มีการต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกซึ่งมา จากแผ่นดิสก์โดยชุดวางซ้อนของ MTJ ที่หนึ่งจะมีเฟสแตกต่างออกไป 180 องศาเซลเซียส เมื่อเทียบกับสัญญาณที่มี การต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกที่เหมือนกันโดยชุดวางซ้อน ของ MTJ ที่สอง แรงดันที่ได้รับการพัฒนาขึ้นบนชุดวางซ้อน MTJ ทั้งสองชุด (แรงดันซึ่งเป็นผลจาก การปรากฏขึ้นของความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนและแรงดันซึ่งเป็นผลจากการที่มีฟิลด์ของข้อมูล) ถูกปล่อยไปยังอินพุตต่าง ๆ ของวงจรขยายผลต่างสำหรับการขจัดสัญญาณความไม่เรียบเนื่องจาก ความร้อนออกไปเป็นอย่างมาก หน่วยขับดิสก์ที่มีตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่มีชุดวางซ้อน MTJ จำนวนสองชุด ที่อยู่ระหว่างซีลด์ที่หนึ่งและที่สองและอิเล็กโทรดร่วมที่ได้รับการจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ สองชุดดังกล่าว กระแสสำหรับตรวจรู้ที่หนี่งถูกจัดเตรียมให้กับชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งโดยซีลด์ที่หนึ่ง และอิเล็กโทรดร่วมและกระแสสำหรับตรวจรู้ที่สองถูกจัดเตรียมให้กบชุดวางว้อน MTJ ที่สองโดยซีลด์ ที่สองและอิเล็กโทรดร่วม ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงของชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งและที่สองได้รับการยึดติดในลักษณะที่ตั้งฉากกับ ABS และขนานแบบสวนทางซึ่งกันและ กันเพื่อที่ว่าสัญญาณที่มีการต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกซึ่งมา จากแผ่นดิสก์โดยชุดวางซ้อนของ MTJ ที่หนึ่งจะมีเฟสแตกต่างออกไป 180ํ เมื่อเทียบกับสํญญาณที่มี การต้านทานด้วยแม่เหล็กซึ่งถูกสร้างขึ้นด้วยสาเหตุจากสนามภายนอกที่เหมือนกันโดยชุดวางซ้อน ของ MTJ ที่สอง แรงดันที่ได้รับการพัฒนาขึ้นบนชุดวางซ้อน MTJ ทั้งสองชุด (แรงดันซึ่งเป็นผลจาก การปรากฏขึ้นของความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนและแรงดันซึ่งเป็นผลจากการที่มีฟิลด์ของข้อมูล) ถูกปล่อยไปยังอินพุตต่าง ๆ ของวงจรขยายผลต่างสำหรับการขจัดสัญญาณความไม่เรียบเนื่องจาก ความร้อนออกไปเป็นอย่างมาก DC60 (16/12/42) Disk drive unit with magnetic tunnel junction detector (MTJ) with two MTJ overlays located between the first and second shield and the common electrode. That has been provided between these two MTJ overlay sets. One detection stream is provided to the first MTJ overlay by the first shield. And the common electrode and a second detection current were provided for the second MTJ overlay by the shield. Second and common electrode The direction of magnetism of the fixed tiers of the first and second MTJ stacking is fixed in a way that is perpendicular to the ABS and counter-parallel, and So that the magnetic resistance signal is generated due to the external field which From the disc, the MTJ stacking set one has a phase difference 180 ° C compared to the signal with Magnetic resistance, which is generated due to the same external field by the second MTJ stack, the pressure was developed on the two MTJ overlays (the pressure resulting from The presence of thermal and voltage unevenness resulting from the presence of a field of data) is released to the various inputs of the differential amplifier for eliminating the uneven signal due The heat went out a lot. A disk drive unit with a magnetic tunnel junction detector (MTJ) with two MTJ overlays located between the first and second seals and a shared electrode provided between them. Overlay the two such MTJs. One detection stream was provided to the first MTJ overlay set by the first seal. And the common electrode and a second detection current were provided to the second MTJ heat sink frog by Seals. Second and common electrode The direction of magnetism of the fixed tiers of the first and second MTJ stacking is fixed in a way that is perpendicular to the ABS and counter-parallel, and So that the magnetic resistance signal is generated due to the external field which From the disc, the MTJ stacking set one has a phase difference of 180 ํ compared to the existing signal. Magnetic resistance, which is generated due to the same external field by the second MTJ stack, the pressure was developed on the two MTJ overlays (the pressure resulting from The presence of thermal and voltage unevenness resulting from the presence of a field of data) is released to the various inputs of the differential amplifier for eliminating the uneven signal due The heat went out a lot.

Claims (7)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTF) ซึ่งประกอบด้วย - ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรีงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำรหับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว 2. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่ถูกตรึงดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 3. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่เป็นอิสระดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 4. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ดัง กล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 5. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับขั้น AFM1 ดังกล่าวถูกเลือกจาก กลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe และ Ir-Mn 6. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ระดับขั้น AFM2 ดังกล่าวถูกเลือกจาก กลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Mn, Pt-Mn และ Pt-pd-Mn 7. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก ทองคำ (Au) 8. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวถูกเลือก จากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 9. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้น ที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของอำนาจแม่ เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 1 0. ระบบของหน่วยขับดิสก์ที่ประกอบด้วย - แผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก - ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับตรวจรู้ข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว โดยที่ตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวประกอบด้วย ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระ ดังกล่าวและระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็น แม่เหล็กเฟอร์โรเพื่อตรีงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระ ดังกล่าวและระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็น แม่เหล็กเฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับ ตรวจรู้ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับ ตรวจรู้ที่สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ตัวขับเร้าสำหรับเคลื่อนตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวไปบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก เพื่อที่ตัวตรวจรู้ MTJ อาจเข้าถึงบริเวณหลายแห่งที่แตกต่างกันของข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว และ - ช่องสำหรับบันทึกที่ได้รับกาเชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้ากับตัวตรวจรู้ MTJ เพื่อตรวจจับการ เปลี่ยนแปลงต่าง ๆ ของความต้านทานของตัวตรวจรู้ MTJ ซึ่งถูกทำให้เกิดขึ้นโดยการหมุนของแกน อำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สัมพันธ์กับอำจาจแม่เหล็กที่ถูกยึดติด ของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงโดยตอบสนองต่อสนามแม่เหล็กจากข้อมุลที่ได้รับการบันทึกไว้ในลักษณะ ของแม่เหล็ก 1 1. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่ถูกตรึงดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 1 2. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่เป็นอิสระดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 1 3. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้น อุโมงค์ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 1 4. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับขั้น AFM1 ดังกล่าวถูก เลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe และ Ir-Mn 1 5. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ระดับขั้น AFM2 ดังกล่าวถูก เลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Mn, Pt-Mn และ Pt-pd-Mn 1 6. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำ ขึ้นจากทองคำ (Au) 1 7. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 1 8. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ทางของอำนาจแม่เหล็กของ ระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของ อำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 1 9. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ช่องบันทึกดังกล่าวในลำดับต่อ ไป จะประกอบด้วยวงจรผลต่างที่มีขั้วต่ออินพุตที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกต่อเข้ากับชุดวางซ้อน MTJ 1 และ เข้ากับชุดวางซ้อน MTJ2 เพื่อการตรวจจับและชดเชยการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในชุดวางซ้อน MTJ1 และ MTJ2 โดยตอบสนองต่อปรากฏการณ์ความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนในระหว่างการอ่าน ข้อมูลในระบบของหน่วยขับดิสก์ดังกล่าว 2 0. ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ซึ่งประกอบด้วย - ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับชั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะขนานแบบสวนทาง (AP) ที่ได้รับการซ้อนชั้น โดยที่ ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะ AP ดังกล่าวประกอบด้วยระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่หนึ่ง (FM1), ระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สอง และระดับชั้นสำหรับเชื่อมต่อในลักษณะขนานแบบ สวนทางกัน (APC) ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าวและระดับชั้นย่อย FM2 ดัง กล่าว ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ด้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวเพื่อ ตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้ยย่อย FM2 ดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึ่งดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว 2 1. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้นย่อย FM1 และ FM2 ดังกล่าว ถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 2 2. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้น APC ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก รูทีเนียม (Ru) 2 3. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับชั้นต่าง ๆ ที่เป็นอิสระดังกล่าวถูก เลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 2 4. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 2 5. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ระดับขั้น AFM1 และ AFM2 ดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe, Ni-Mn, lr-Mn, Pt-Mn และ Pt-Pd-Mn 2 6. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก ทองคำ (Au) 2 7. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าวถูกเลือก จากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ AI-Fe-Si 2 8. ตัวตรวจรู้ MTJ ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของระดับ ชั้นย่อย FM1 ในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของอำนาจ แม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 2 9. ระบบของหน่วยขับดิสก์ที่ประกอบด้วย - แผ่นดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก - ตัวตรวจรู้รอยต่อของอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับตรวจรู้ข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผ่นดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว โดยที่ตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวประกอบด้วย ชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่ง (MTJ1) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักษณะขนานแบบสวนทาง (AP) ที่ได้รับการซ้อนนั้น โดยที่ ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งมีลักณะ AP ดังกล่าวประกอบด้วยระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่หนึ่ง (FM1), ระดับชั้นย่อยที่เป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สอง และระดับชั้นสำหรับเชื่อมต่อในลักษณะขนานแบบ สวนทางกัน (APC) ซึ่งถูกกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าวและระดับชั้นย่อย FM2 ดัง กล่าว ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นย่อย FM1 ดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM1) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวเพื่อ ตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นย่อย FM2 ดังกล่าวไว้ - ชุดวางซ้อน MTJ ที่สอง (MTJ2) โดยที่ชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวมี ระดับขั้นที่เป็นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โร ระดับชั้นของสิ่งขวางกั้นอุโมงค์ซึ่งถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างระดับชั้นที่เป็นอิสระดังกล่าว และระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าว และ ระดับชั้นที่ต้านแม่เหล็กเฟอร์โร (AFM2) ซึ่งสัมผัสกับระดับชั้นที่ถูกตรึงซึ่งเป็นแม่เหล็ก เฟอร์โรเพื่อตรึงอำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงดังกล่าวไว้ - อิเล็กโทรดร่วมซึงถูกจัดเตรียมไว้ระหว่างชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวและชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ซิลด์ที่หนึ่ง (S1) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ ที่หนึ่งให้กับชุดวางซ้อน MTJ1 ดังกล่าว และ - ซิลด์ที่สอง (S2) ซึ่งสัมผัสกับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าวเพื่อจัดเตรียมกระแสสำหรับตรวจรู้ที่ สองให้กับชุดวางซ้อน MTJ2 ดังกล่าว - ตัวขับเร้าสำหรับเคลื่อนตัวตรวจรู้ MTJ ดังกล่าวไปบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกด้วยแม่เหล็ก เพื่อที่ตัวตรวจรู้ MTJ อาจเข้าถึงบริเวณหลายแห่งที่แตกต่างกันของข้อมูลที่ได้รับการบันทึกไว้ใน ลักษณะของแม่เหล็กบนแผนดิสก์สำหรับบันทึกดังกล่าว และ - ช่องสำหรับบันทึกที่ได้รับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของเขากับตัวตรวจรู้ MTJ เพื่อตรวจจับการ เปลี่ยนแปลงต่างๆ ของความต้านทานของตัวตรวจรู้ MTJ ซึ่งถูกทำให้เกิดขึ้นโดยการหมุนของแกน อำนาจแม่เหล็กของบรรดาระดับชั้นอิสระซึ่งเป็นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สัมพันธ์กับอำจาจแม่เหล็กที่ถูกยึดติด ของบรรดาระดับชั้นที่ถูกตรึงโดยตอบสนองต่อสนามแม่เหล็กจากข้อมุลที่ได้รับการบันทึกไว้ในลักษณะ ของแม่เหล็ก 3 0. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับชั้น FM1 และ FM2 ดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 3Disclaimer (all) which will not appear on the announcement page: 1. Magnetic Tunnel Joint Detector (MTF), which consists of - First MTJ Overlay (MTJ1), whereby MTJ1 overlay. There is a degree of independence which is a ferromagnetic magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between the independent tunnels. And the aforementioned immobilized class and the ferrous-resistant class (AFM1), which is in contact with the magnetized class Ferro to determine the magnetism of the aforementioned hierarchy - the second MTJ overlay set (MTJ2), where the MTJ2 stack has an independent tier, which is a ferromagnetic magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between the independent tunnels. And the aforementioned immobilized class and the ferrous-resistant class (AFM2), which is in contact with the magnetized class Ferro to hold the magnetism of the immobilized tier - a common electrode provided between the aforementioned MTJ1 stack and the MTJ2 overlay - 1st seal (S1), which Experience the aforementioned MTJ1 overlay kit to provide a sensing flow. First to the aforementioned MTJ1 overlay and a second -silide (S2), which touches the MTJ2 overlay to provide a probe current at Two to the aforementioned MTJ2 overlay. 2. The MTJ detector, as mentioned in claim 1, where different tiers are That was crucified Choose from a wide variety of materials Contains Ni-Fe and Ni-Fe / Co 3. MTJ detector as discussed in claim 1 where different levels That being such an independent was Choose from a wide variety of materials Containing Ni-Fe and Ni-Fe / Co 4. MTJ detectors referred to in claim 1, where all levels of tunnel barrier are It is made up of Al2O3 5. The MTJ Identifier referred to in Claim 1, where the AFM1 level is selected from. Group of various materials It consists of Mn-Fe and Ir-Mn 6. The MTJ detector referred to in claim 1, where the AFM2 level is selected from. Group of various materials Consisting of Ni-Mn, Pt-Mn and Pt-pd-Mn 7. The MTJ detector referred to in claim 1, with the common electrode being made of gold (Au) 8. The MTJ identifier referred to in claim 1, where the first and second seals are selected. From various groups of materials Contains Ni-Fe and Ai-Fe-Si 9. The MTJ detector referred to in claim 1, where the direction of the magnetic power of the class The pinned in the MTJ series one overlay is in a counter to the direction of parent power. The steel of the riveted tier in the second MTJ overlay set 1 0. The disk drive system consists of - magnetic recording discs - magnetic tunnel junction detector (MTJ) for detecting the data that is magnetically recorded. Has been recorded in The magnets on the recording discs. Where such MTJ detector consists of a first MTJ overlay (MTJ1), where such MTJ1 overlay has an independent step, which is a ferromagnetic magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between independent tiers. And the immobilized class and the ferromagnetic resistance class (AFM1), which is in contact with the immobilized class, which is A ferromagnetic magnet to determine the magnetism of the aforementioned hierarchy, the second MTJ stack (MTJ2), where the MTJ2 stacker has an independent step that is a ferrous magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between independent tiers. And such immobilized class and the ferromagnetic resistance class (AFM2) in contact with the immobilized class, which is Ferrous magnet to hold the magnetism of the immobilized class. The common electrode is provided between the MTJ1 overlay and the MTJ2 overlay. The first (S1), which is in contact with the said MTJ1 overlay, provides current for First, identify the MTJ1 overlay and the second (S2) which is in contact with the MTJ2 overlay to provide current for the MTJ1 overlay. A second detection is given to the MTJ2 overlay unit - the actuator for moving the MTJ detector onto the magnetic recording disc. So that the MTJ could reach a number of different regions of the information that were recorded in the And the magnetic field on the recording disc; and - the recording hole is electrically connected to the MTJ detector to detect the presence of the magnetic field. Various changes in the resistance of the MTJ detector, which are made by rotation of the axis. The magnetism of the free class, which is a ferromagnetic magnet, is related to a bonded magnet. Of those immobilized tiers in response to magnetic fields from data recorded in a magnetic manner 1 1. The disk drive system referred to in claim 10, where the different grades are recorded in a magnetic field. The pinned loudly. It was selected from a group of materials. Consisting of Ni-Fe and Ni-Fe / Co 1. 2. Disk drive system as described in claim 10, where the levels are independent as It was chosen from a material group consisting of Ni-Fe and Ni-Fe / Co 1. 3. The disk drive system referred to in Clause 10, where all the levels of the barrier were to be The tunnel is made up of Al2O3 1. 4. The disk drive system referred to in claim 10, where the AFM1 tier is chosen from a different material group. It consists of Mn-Fe and Ir-Mn 1. 5. Disk drive system referred to in claim 10, where the AFM2 tier is selected from a different material group. It consists of Ni-Mn, Pt-Mn and Pt-pd-Mn 1. 6. The disk drive system referred to in Claim 10, where the common electrode is made of gold (Au). 1 7. Disk drive system referred to in claim 10, where the first and second seals are Are selected from various groups of materials It consists of Ni-Fe and Ai-Fe-Si 1. 8. The system of the disk drive unit referred to in claim 10, whereby the way of magnetism of The tiers that are fixed in the first MTJ overlay are parallel to the direction of the Magnetism of the riveted tier in the aforementioned MTJ second stack: 1. 9. The system of the disk drive as described in Claim 10, where the record slot in the following sequence contains a difference circuit. It has the first and second input terminals that are connected to the MTJ 1 overlay and to the MTJ2 overlay for detecting and compensating for resistance changes in the MTJ1 and MTJ2 overlays in response to the phenomenon of thermal shock. Not smooth due to heat during reading The disk drive system information 2 0. Magnetic tunnel junction detector (MTJ) consisting of - First MTJ Overlay (MTJ1), where the MTJ1 overlay has an independent layer that Is a ferromagnetic magnet The immobilized hierarchical parallel-parallel (AP) tiers, where the immobilized hierarchy having such AP characteristics consists of a ferromagnetic first (FM1) subclass. Second ferromagnetic sub-layer And the counter-parallel connection (APC) tiers, which were provided between the aforementioned FM1 subclasses and the FM2 subclasses. That is such an independent And the aforementioned FM1 subclasses and the ferrous magnet (AFM1) classes exposed to the aforementioned FM2 subclasses to Immobilize the magnetism of the aforementioned FM2 sub-level - the second MTJ overlay (MTJ2), where the MTJ2 stack has an independent step that is a ferromagnetic magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between the independent tunnels. And the aforementioned immobilized class and the ferrous-resistant class (AFM2), which is in contact with the magnetized class Ferro to hold the magnetism of the aforementioned tier - a common electrode provided between the aforementioned MTJ1 stack and MTJ2 overlay - the first (S1 ) Which is in contact with the aforementioned MTJ1 overlay to provide a detection current. First to the aforementioned MTJ1 overlay and a second -silide (S2), which touches the MTJ2 overlay to provide a probe current at Second to the aforementioned MTJ2 overlay 2 1. The MTJ detector, as referred to in claim 20, where the aforementioned FM1 and FM2 subclasses are selected from the material group. Contains Ni-Fe and Ni-Fe / Co 2. 2. The MTJ detector referred to in claim 20, where the APC class is made from ruthenium (Ru) 2. 3. MTJ locator. As mentioned in claim 20, where such independent tiers are Choose from a wide variety of materials Contains Ni-Fe and Ni-Fe / Co 2. 4. MTJ detectors referred to in claim 20, where all levels of tunnel barriers are intercepted. It is made up of Al2O3 2 5. The MTJ senser referred to in claim 20, where the AFM1 and AFM2 levels are selected from the various material groups containing Mn-Fe, Ni-Mn. , lr-Mn, Pt-Mn and Pt-Pd-Mn 2 6. The MTJ detector referred to in claim 20, where the common electrode is made of gold (Au) 2 7. The MTJ checker referred to in claim 20 with the first and second seals selected. From various groups of materials 8. The MTJ detector, referred to in claim 20, where the direction of magnetism of sub-class FM1 in the aforementioned MTJ overlay is characterized by the presence of Ni-Fe and AI-Fe-Si 2. In parallel with the direction of power 2 9. Disc drive system consisting of - magnetic recording discs - magnetic tunnel junction detector (MTJ) for detecting the data that is magnetically recorded. Has been recorded in The magnets on the recording discs. Where such MTJ detector consists of a first MTJ overlay (MTJ1), where such MTJ1 overlay has an independent step, which is a ferromagnetic magnet. The impeded hierarchy with a parallel counterpart (AP) is that the immobilized hierarchy having such AP characteristics consists of a ferromagnetic first (FM1) subclass, Second ferromagnetic class The tunnel barrier layer, which is provided between the FM1 subclasses and the FM2 subclasses, is the tunnel barrier layer provided between the FM1 subclasses. Such independent class And the aforementioned FM1 subclasses and the ferromagnetic resistant class (AFM1) exposed to the said FM2 subclass for Immobilize the magnetism of the aforementioned FM2 subclass - The second MTJ stack (MTJ2), where the MTJ2 stack has an independent step that is a ferrous magnet. The pinned class which is a ferromagnetic magnet. The tunnels hierarchy provided between the independent tunnels. And the aforementioned immobilized class and the ferrous-resistant class (AFM2), which is in contact with the magnetized class Ferro to hold the magnetism of the aforementioned class - a common electrode provided between the aforementioned MTJ1 stack and MTJ2 overlay - 1st (S1), which Experience the aforementioned MTJ1 overlay set to provide the sensing flow. First to the aforementioned MTJ1 overlay and a second -silide (S2), which touches the MTJ2 overlay to provide a probe current at Two to the aforementioned MTJ2 overlay - a actuator for moving the aforementioned MTJ detector onto a magnetic recording disk plot. So that the MTJ could reach a number of different regions of the information that were recorded in the The magnetic nature of the disk for such recordings and - the recording compartment has been electrically connected to the MTJ detector to detect the presence of the magnetic field. Various changes Of resistance of the MTJ detector, which is produced by the rotation of the axis The magnetism of the free class, which is a ferromagnetic magnet, is related to a bonded magnet. Of those immobilized classes in response to magnetic fields from the recorded data as a magnet 3 0. The disk drive system, referred to in claim 29 where class FM1 And the aforementioned FM2 was chosen from a range of materials Containing Ni-Fe and Ni-Fe / Co 3 1. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับชั้นต่างๆ ที่เป็นอิสระดัง กล่าวถูกเลือกมาจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ni-Fe/Co 31. The system of the disk drive as referred to in Claim 29, where different tiers That is free. It was selected from a group of materials. Containing Ni-Fe and Ni-Fe / Co 3 2. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่บรรดาระดับชั้นของสิ่งขวางกั้น อุโมงค์ดังกล่าวถูกทำขึ้นจาก Al2O3 32. The system of disk drive units referred to in claim 29 where all levels of the barrier The tunnel was made out of Al2O3 3. 3. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ระดับขั้น AFM1 และ AFM2 ดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่าง ๆ ที่ประกอบด้วย Mn-Fe, Ni-Mn, lr-Mn, Pt-Mn และ Pt-Pd-Mn 33. The disk drive system referred to in claim 29, where the AFM1 and AFM2 ranks are selected from a group of materials containing Mn-Fe, Ni-Mn, lr-Mn, Pt-. Mn and Pt-Pd-Mn 3 4. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่อิเล็กโทรดร่วมดังกล่าวถูกทำ ขึ้นจากทองคำ (Au) 34. The disk drive system, referred to in claim 29, where the common electrode is made of gold (Au) 3. 5. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ซีลด์ที่หนึ่งและที่สองดังกล่าว ถูกเลือกจากกลุ่มของวัสดุต่างๆ ที่ประกอบด้วย Ni-Fe และ Ai-Fe-Si 35. Disk drive system referred to in claim 29, where the first and second seals are Are selected from various groups of materials Containing Ni-Fe and Ai-Fe-Si 3 6. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ทิศทางของอำนาจแม่เหล็กของ ระดับชั้นย่อย FM1 ในชุดวางซ้อน MTJ ที่หนึ่งดังกล่าวมีลักษณะที่ขนานแบบสวนทางกับทิศทางของ อำนาจแม่เหล็กของระดับชั้นที่ถูกตรึงในชุดวางซ้อน MTJ ที่สองดังกล่าว 36. The system of disk drive units referred to in claim 29, where the direction of magnetism of the The sub-tier FM1 in the first MTJ overlay is parallel to the direction of the The magnetism of the pinned tier in the aforementioned MTJ stack 3. 7. ระบบของหน่วยขับดิสก์ตามที่กล่าวถึงในข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่ช่องบันทึกดังกล่าวในลำดับต่อ ไป จะประกอบด้วยวงจรผลต่างที่มีขั้วต่ออินพุตที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกต่อเข้ากับชุดวางซ้อน MTJ1 และ เข้ากับชุดวางซ้อน MTJ2 เพื่อการตรวจจับและชดเชยการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในชุดวางซ้อน MTJ1 และ MTJ2 โดยตอบสนองต่อปรากฏการณ์ความไม่เรียบเนื่องจากความร้อนในระหว่างการอ่าน ข้อมูลในระบบของหน่วยขับดิสก์ดังกล่าว7. The disk drive system, referred to in claim 29, where the following record slots contain a differential circuit with the first and second input connectors attached to the stack. MTJ1 and attached to the MTJ2 overlay for detecting and compensating impedance changes in the MTJ1 and MTJ2 overlays in response to the thermal unevenness phenomenon during reading. Information in the system of the said disk drive.
TH9901003981A 1999-10-26 Disk drive unit with integrated circuit for reducing thermal unevenness using a tunnel joint detector. TH35222C3 (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH41422A3 true TH41422A3 (en) 2000-11-24
TH35222C3 TH35222C3 (en) 2013-03-07

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69919391D1 (en) DISC OPERATION DISK DRIVE FOR THERMAL LEVELS USING A MAGNETIC TUNNEL LIMIT SENSOR
EP0484474B1 (en) Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification
US6429640B1 (en) GMR high current, wide dynamic range sensor
MY116052A (en) Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor
US4949039A (en) Magnetic field sensor with ferromagnetic thin layers having magnetically antiparallel polarized components
KR100336733B1 (en) Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors
US3887944A (en) Method for eliminating part of magnetic crosstalk in magnetoresistive sensors
KR970017217A (en) Double and low resistance sensor using double spin valve sensor
CA1212996A (en) Magnetic sensor
JP3638522B2 (en) Shielded magnetoresistive head with charge clamp
US20010013776A1 (en) Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material of a spin tunnel junction
TW200306431A (en) A magnetic field detection sensor
US7151654B1 (en) TMR head structure with conductive shunt
JPH1196515A (en) GMR magnetic sensor, manufacturing method thereof, and magnetic head
KR100631355B1 (en) Magnetic sensors, magnetic heads, hard disk devices, and disk array devices
TH41422A3 (en) Disk drive unit with integrated circuit for reducing thermal unevenness using a tunnel joint detector.
TH35222C3 (en) Disk drive unit with integrated circuit for reducing thermal unevenness using a tunnel joint detector.
US20060028748A1 (en) Storage system using superparamagnetic particles
MXPA05003435A (en) Read-only magnetic memory device mrom.
TWI292907B (en) Storage system using electromagnetic array
JPH06111251A (en) Magnetic sensor
JP3067484B2 (en) Magnetic position and rotation detection element
JPH04344383A (en) Magnetic thin film memory and its reading method
JPS58154680A (en) Magnetic sensor
JPH1074309A (en) Magnetic head having semiconductor magnetic field detector arranged under head gap