DC60 (17/11/42) การประดิษฐ์ปัจจุบันจัดหาเรซินต้านทานความร้อนดีเลิศในทุนคุณลักษณะทางความร้อน, คุณลักษณะทางไฟฟ้า, คุณลักษณะทางกายภาพ และคุณลักษณะทางกล ในการใช้สำหรับสารกึ่งตัวนำ นั่นคือ, การประดิษฐ์ปัจจุบันจัดหาสารเริ่มต้นโพลิเบนซอกซาโซลแทนโดยสูตรทั่วไปดังต่อไปนี้ ( A) และโพลิเบนซอกซาโซลเรซิน แทนโดยสูตรทั่วไป ( D ) ( สูตรเคมี ) (A) ( สูตรเคมี ) (D) ในสูตรข้างต้น ( A) และ (d),n แทนเลขจำนวนเต็มจาก 2-1000 และ X แทนโครงสร้างถูกเลือก จากหมู่แทนโดยสูตรต่อไปนี้ ( B ) : ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) และ ( สูตรเคมี ). (B) ในสูตรข้างต้น (B), โดย Y แทนโครงสร้างถูกเลือกจากหมู่แทนโดยสูตรดังต่อไปนี้ (C), และ ไฮโดรเจนอะตอมบนวงเบนซีนในโครงสร้างเหล่านี้อาจมีหมู่แทนที่กับอย่างน้อยที่สุดหนึ่งหมู่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งมีหมู่เมธิล, หมู่เอธิล, หมู่โพรพิล, หมู่ไอโซโพรพิล, หมู่บิวทิล, หมู่ไอโซบิวทิล, หมู่ t-บิวทิล, ฟลูออรีนอะตอมและหมู่ไตรฟลูออโรเมธิล : ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , ( สูตรเคมี ) , และ ( สูตรเคมี ) . (C) การประดิษฐ์ปัจจุบันจัดหาเรซินต้านทานความร้อนดีเลิศในทุนคุณลักษณะทางความร้อน, คุณลักษณะทางไฟฟ้า, คุณลักษณะทางกายภาพ และคุณลักษณะทางกล ในการใช้สำหรับสารกึ่งตัวนำ นั่นคือ, การประดิษฐ์ปัจจุบันจัดหาสารเริ่มต้นโพลิเบนซอกซาโซลแทนโดยสูตรทั่วไปดังต่อไปนี้ ( A) และโพลิเบนซอกซาโซลเรซิน แทนโดยสูตรทั่วไป ( D ) ( สูตรเคมี ) (A) ในสูตรข้างต้น ( A) และ (d),n แทนเลขจำนวนเต็มจาก 2-1000 และ X แทนโครงสร้างถูกเลือก จากหมู่แทนโดยสูตรต่อไปนี้ ( B ) : และ ( สูตรเคมี ) (B) ในสูตรข้างต้น (B), โดย Y แทนโครงสร้างถูกเลือกจากหมู่แทนโดยสูตรดังต่อไปนี้ (C), และ ไฮโดรเจนอะตอมบนวงเบนซีนในโครงสร้างเหล่านี้อาจมีหมู่แทนที่กับอย่างน้อยที่สุดหนึ่งหมู่ถูกเลือก จากหมู่ซึ่งมีหมู่เมธิล, หมู่เอธิล, หมู่โพรพิล, หมู่ไอโซโพรพิล, หมู่บิวทิล, หมู่ไอโซบิวทิล, หมู่ t-บิวทิล, ฟลูออรีนอะตอมและหมู่ไตรฟลูออโรเมธิล : ( สูตรเคมี ) . และ (C)DC60 (17/11/42) The present invention provides a heat-resistant resin of excellent quality in terms of thermal, electrical, physical and mechanical properties for use in semiconductors. That is, the present invention provides a polybenzoxazole starting material represented by the following general formula (A) and a polybenzoxazole resin represented by the following general formula (D). (Chemical formula) (A) (Chemical formula) (D) In the above formulas (A) and (d), n represents an integer from 2–1000 and X represents a structure chosen from the substituents by the following formula (B): (Chemical formula), (Chemical formula), and (Chemical formula). (B) In the above formula (B), Y represents a structure chosen from the substituents by the following formula (C), and the hydrogen atoms on the benzene ring in these structures may have at least one substituent with the chosen substituent. From the groups which contain methyl groups, ethyl groups, propyl groups, isopropyl groups, butyl groups, isobutyl groups, t-butyl groups, fluorine atoms and trifluoromethyl groups: (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), (chemical formula), and (chemical formula). (C) The present invention provides a heat-resistant resin of excellent quality in terms of thermal properties, electrical properties, physical properties and mechanical properties for use in semiconductors, i.e., the present invention provides a polybenzoxazole starting material represented by the following general formula (A) and a polybenzoxazole resin represented by the general formula (D). (chemical formula) (A) In the above formulas (A) and (d), n represents an integer from 2–1000 and X represents the structure chosen. From the substituents represented by the following formulas (B): and (chemical formula) (B). In the above formulas (B), where Y represents the structure chosen from the substituents represented by the following formulas (C), and the hydrogen atom on the benzene ring in these structures may have at least one substituent chosen from the substituents which include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, fluorine atoms and trifluoromethyl groups: (chemical formula). and (C).