Claims (17)
1.สารผสมที่ใช้ในการขัดประกอบด้วยซิลิกาในรูปของไอ,สารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิกและน้ำ, ที่มีค่าการนำ ไฟฟ้าจำเพาะตั้งแต่ 100 ถึง 5,500 us/cm1. The abrasive mixture consists of silica in vapor form, basic potassium compounds, and water, with specific electrical conductivity ranging from 100 to 5,500 us/cm.
2.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ ซึ่งสารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิกถูกเลือกมาจากหมู่ ที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์, ฟอสเฟต,ไพโรฟอสเฟต,ฟอส ไฟต์, คาร์บอเนต, ซิลิเกต, บอเรต, ไฮโปคลอไรด์,ไฮ โปโบรไมต์ และคาร์บอกซีเลต2. Abrasive mixtures that comply with Reservation 1, whereby a basic potassium compound is selected from a group consisting of hydroxide, phosphate, pyrophosphate, phosphite, carbonate, silicate, borate, hypochlorite, hypobromite, and carboxylate.
3.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง มีพื้นฐานอยู่บนปริมาณทั้งหมดของสารผสมที่ใช้ในการ จัด สารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิก จะอยู่ในปริมาณ ตั้งแต่ 0.01 ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก3. Abrasive mixtures that comply with Reservation 1 or 2, based on the total amount of the mixture used, shall contain basic potassium compounds in amounts ranging from 0.01 to 0.5% by weight.
4.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่ประกอบด้วยซิลิกาในรูปของไอ สารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจนและน้ำ, ที่มีค่าการนำไฟ ฟ้าจำเพาะตั้งแต่ 100 ถึง 1,500 us/cm4. Abrasive mixtures containing silica in vapor form, basic compounds with nitrogen and water, and specific electrical conductivity ranging from 100 to 1,500 us/cm.
5.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 4 ที่ซึ่ง สารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจนที่ถูกเลือกจากหมู่ที่ประ กอบด้วยแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, แอมโมเนียมฟอส เฟต, แอมโมเนียม คาร์บอเนต, แอมโมเนียม ซิลิเกต, แอมโมเนียม บอเรต, แอมโมเนียม ไฮโปโบรไมต์ และสารประกอบอะมีน5. Abrasive mixtures conforming to Reservation 4, in which selected nitrogen-containing basic compounds from groups containing ammonium hydroxide, ammonium phosphate, ammonium carbonate, ammonium silicate, ammonium borate, ammonium hypobromite, and amine compounds.
6.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งมีพื้นฐานอยู่บนปริมาณทั้งหมดของสารผสมที่ใช้ใน การขัด สารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจนอยู่ในปริมาณตั้ง แต่ 0.01 ถึง 1% โดยน้ำหนัก6. Abrasive mixtures that comply with Reservation 4 or 5, based on the total amount of abrasive mixture used; basic compounds containing nitrogen in amounts from 0.01 to 1% by weight.
7.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อ ถือสิทธิ 1 ถึง 6 ที่ซึ่งซิลิกาในรูปของไอ มีขนาดอนุภาค เริ่มแรกเฉลี่ยตั้งแต่ 5 ถึง 80 nm7. An abrasive mixture that satisfies one of the claims 1 through 6, in which silica in vapor form has an initial average particle size ranging from 5 to 80 nm.
8.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่ประกอบด้วยซิลิกาแบบคอลอยด์ และน้ำ, ที่ซึ่งมีค่าการนำไฟฟ้าจำเพาะตั้งแต่ 30 ถึง 5,000 us/cm8. Abrasive mixtures consisting of colloidal silica and water, with specific electrical conductivity ranging from 30 to 5,000 us/cm.
9.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 8 ซึ่งมี สารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิกอยู่ด้วย9. An abrasive mixture that complies with claim 8 and contains a basic potassium compound.
10.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 9 ที่ ซึ่งสารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิกที่ถูกเลือกจากหมู่ ที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์,ฟอสเฟต, ไพโรฟอสเฟต, ฟอสไฟด์,คาร์บอเนต, ซิลิเกต, บอเรต, ไฮโปคลอไรด์ ไฮโปโบรไมด์ และ คาร์บอกซีเลต10. Abrasive mixtures that comply with Reservation 9, in which a basic potassium compound selected from a group containing hydroxide, phosphate, pyrophosphate, phosphide, carbonate, silicate, borate, hypochlorite, hypobromide, and carboxylate.
11.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 9 หรือ 10, ที่ซึ่ง, มีพื้นฐานอยู่บนปริมาณรวมทั้งหมดของสารผสม ที่ใช้ในการขัด, สารประกอบโพแทสเซียมแบบเบสิก อยู่ในปริมาณอย่างมากที่สุด 1.5% โดยน้ำหนัก11. Abrasive mixtures that comply with Reservation 9 or 10, where, based on the total amount of all abrasive mixtures, basic potassium compounds are present in a maximum amount of 1.5% by weight.
12.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่ประกอบด้วยซิลิกาแบบคอล ลอยด์, สารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจนอยู่และน้ำ, ที่ ซึ่งมีค่าการนำไฟฟ้าจำเพาะตั้งแต่ 30 ถึง 1,500 us/ cm12. Abrasive mixtures consisting of colloidal silica, a basic nitrogen-containing compound, and water, with specific electrical conductivity ranging from 30 to 1,500 us/cm.
13.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 12, ที่ซึ่งสารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจนอยู่ที่ถูกเลือกมาจาก หมู่ที่ประกอบด้วยแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, แอมโม เนียม, ฟอสเฟต, แอมโมเนียม คาร์บอเนต, แอมโม เนียมซิลิเกต, แอมโมเนียม บอเรต, แอมโมเนียม ไฮโปคลอไรต์, แอมโมเนียมไฮโปรไมต์, แอมโม เนียมคาร์บอกซิเลต, และสารประกอบอะมีน13. Abrasive mixtures conforming to claim 12, in which nitrogen-containing basic compounds are selected from groups consisting of ammonium hydroxide, ammonium phosphate, ammonium carbonate, ammonium silicate, ammonium borate, ammonium hypochlorite, ammonium hypomite, ammonium carboxylate, and amine compounds.
14.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อถือสิทธิ 12 หรือ 13 ที่ซึ่ง มีพื้นฐานอยู่บนปริมาณรวมทั้งหมดของ สารผสมที่ใช้ในการขัด สารประกอบเบสิกที่มีไนโตรเจน อยู่ในปริมาณตั้งแต่ 0.01 ถึง 0.5% โดยน้ำหนัก14. Abrasive mixtures that comply with claims 12 or 13, based on the total amount of basic compounds in the abrasive mixture containing nitrogen in an amount from 0.01 to 0.5% by weight.
15.สารผสมที่ใช้ในการขัดที่เป็นไปตามข้อใดข้อหนึ่งของ ข้อถือสิทธิ 8 ถึง 14 ที่ซึ่งซิลิกาแบบคอลลอยด์ที่ขนาดอนุ ภาคเริ่มแรกเฉลี่ยตั้งแต่ 5 ถึง 200 mm15. An abrasive mixture that satisfies any of the claims 8 through 14, in which colloidal silica with an average initial particle size of 5 to 200 mm is used.
16.การใช้สารผสมที่ใช้ในการขัดตามที่ได้อธิบายไว้ใน ข้อถือสิทธิ 1,4,8 หรือ 12 เป็นสารผสมที่ใช้สำหรับ การขัดฟิล์มซิลิกอน ไดออกไซด์16. The use of abrasive mixtures as described in Claims 1, 4, 8, or 12 is for the purpose of abrasiveizing silicon dioxide films.
17.วิธีการในการขัดฟิล์มซิลิกอนไดออกไซด์, ที่ซึ่งสาร ผสมที่ใช้ในการขัดตามที่ได้อธิบายไว้ในข้อถือสิทธิ 1,4 8 หรือ 12 จะถูกใช้เป็นสารผสมในการขัดฟิล์มซิลิกอนได ออกไซด์ (ข้อถือสิทธิ 17 ข้อ , - รูป )17. Methods for polishing silicon dioxide films, whereby the polishing compounds described in Claims 1, 4, 8 or 12 shall be used as polishing compounds for silicon dioxide films (Claim 17, - Figure).