TH32728A - สเลอร์รี่ที่ใช้ขัดทางเคมีซึ่งรวมถึงสารเสริมฟลูออไรด์ - Google Patents

สเลอร์รี่ที่ใช้ขัดทางเคมีซึ่งรวมถึงสารเสริมฟลูออไรด์

Info

Publication number
TH32728A
TH32728A TH9701002200A TH9701002200A TH32728A TH 32728 A TH32728 A TH 32728A TH 9701002200 A TH9701002200 A TH 9701002200A TH 9701002200 A TH9701002200 A TH 9701002200A TH 32728 A TH32728 A TH 32728A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
slurry
fluoride
chemical
abrasive
Prior art date
Application number
TH9701002200A
Other languages
English (en)
Inventor
ซี สเทินซ์ นายคริสโตเฟอร์
แอล มูลเลอร์ นายเบิร์น
เฮช วอลเดอร์ส นายแม็ก
เอ ลูคาริลลิ นายไมเคิล
Original Assignee
คาบ๊อท ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ คอร์ปอเรชั่น
นางสาวสยุมพร สุจินตัย
นายธเนศ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by คาบ๊อท ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ คอร์ปอเรชั่น, นางสาวสยุมพร สุจินตัย, นายธเนศ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical คาบ๊อท ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ คอร์ปอเรชั่น
Publication of TH32728A publication Critical patent/TH32728A/th

Links

Abstract

DC60 (18/08/41) สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีซึ่งประกอบด้วยสารออกซิไดซิ่ง, สารเสริมที่มี ฟลูออไรด์ และสารขัดถู และวิธีสำหรับใช้ สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีที่มีสารเสริมฟลูออไรด์นี้ ขัด เอาทัง สเทนและติตะเนียมออกจากวัสดุ สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีซึ่งประกอบด้วยสารออกซิไดซิ่ง,สารเสริมที่มีฟลูออโรด์ และสารขัดถู และวิธีสำหรับใช้ สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีที่มีสารเสริมฟลูออโรด์นี้ขัด เอาทัง สเทนและดิตะเนียมออกจากวัสดุ

Claims (40)

1. สเลอรี่น้ำที่ใช้ขัดทางเคมี ซึ่งประกอบด้วย(a) สารออกซิไดซิ่ง (b) สารขัดถู และ (c) สารเสริมที่มีฟลูออไรด์
2. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1 รวมถึง ประมาณ 0.01 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของสารเสริมที่มีฟลู ออไรด์
3. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่สาร เสริมฟลูออไรด์ ที่เลือกมาจากกรดที่มีฟลุออไรด์, เกลือฟลู ออไรด์, และของผสมต่าง ๆ ของสารดังกล่าว
4. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 3, โดยที่ สารเสริมฟลูออไรด์ ที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย กรด ไฮโดรฟลูออกริค, กรดฟลูออโรซิลิซิค, กรดฟลูออบอริค, กรดฟลุ ออทิทานิค, และของผสมต่าง ๆ ของสารเหล่านี้
5. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 4, ดดยที่ กรดที่มีฟลูออไรด์ ที่อยุ่ในสเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีนั้นมี จำนวนประมาณระหว่าง 0.01 ถึงประมาณ 1.0% โดยน้ำหนัก
6. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 3, โดยที่ สารเสริมฟลูออไรด์ เป็นเกลือฟลูออไรด์ที่เลือกมาจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วย แอมโมเนียมฟลูออไรด์, โพแตสเซียมฟลูออไรด์, แอมโมเนียมไฮโดรเจนไดฟลูออไรด์, โพแตสเซียมไฮโดรเจนไดฟลูออ ไรด์, และสารเหล่านี้ผสมกัน
7. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 6, โดยที่ เกลือฟลูออไรด์ ที่อยู่ในสเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีนั้นมี จำนวนประมาณระหว่าง 0.2 ถึงประมาณ 1.0% โดยน้ำหนัก
8. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีถือสิทธิที่ 1, โดยที่สารออก ซิไดซิ่งนั้นเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเกลือเหล็ก, เกลือโพแตสเซียม, เกลือแอมโมเนียม, เกลือกควอเทอแนรี่ แอมโมเนียม, เกลือฟอสโฟเนียม, เปอร์ออกไซด์, คลอเรท, เปอร์ ออกไซด์, คลอเรท, เปอร์คลอเรท, ไนเตรท, เปอร์แมงกาเนต, เปอร์ซัลเฟต, และสารเหล่านี้ผสมกัน
9. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 8, โดยที่ สารออกซิไดชิ่งนั้นป็นเฟอร์ริคไนเตรท
10. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 9, ที่มี ค่าความเป็นกรด/ต่าง (pH) ประมาณ 1.5 ถึงประมาณ 3.0
11. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, ที่มี ค่าความเป็นกรด/ต่าง (pH) ประมาณ 1.0 ถึงประมาณ 5.0
12. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารเสริมฟลูออไรด์เป็นกรดไฮโดรฟลูออริค
13. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 12, โดยที่ กรดไฮโดรฟลูออริคที่ใช้ในสเลอรี่ในจำนวนประมาณระหว่าง 0.01 ถึงประมาณ 0.3% โดยน้ำหนัก
14. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารขัดถูเป็นโลหะออกไซด์
15. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 14, โดยที่ สารขัดถูเป็นโลหะออกไซด์เลือกมาจากกลุ่มที่รวมถึงอะลูมินา, ซีเรีย, เยอร์มาเนีย, ซิลิกา, ติตะเนียม, และของผสมต่าง ๆ ของสารเหล่านี้
16. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารขัดถูเป็นสารละลายแขวนลอยน้ำของโลหะออกไซด์
17. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารขัดถูเป็นอะลูมินา
18. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 17, โดย ที่อะลูมินาเป็นฟูมด์ (fumed) อะลูมินา
19. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารขัดถูประกอบด้วยอนุภาคละเอียดของโลหะออกไซด์
20. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 19, โดยที่ อนุภาคละเอียดของโลหะออกไซด์เป็นตะกอน ซึ่งประกอบด้วยตะกอน ของฟลูมด์ซิลิการ หรือฟูมด์อะลูมินา
21. สเลอรี่ที่ใช้ข้ดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, รวมถึง สารลดแรงตึงผิว
22. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, รวมถึง สารประกอบที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วยกรดอินทรีย์ ต่าง ๆ เกลือของกรออินทรีย์ต่าง ๆ และสารดังกล่าวผสมกัน
23. สเลอรี่ที่ใช้ขัดเคมีของข้อถือสิทธิที่ 1, รวมถึงสาร ประกอบที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบไปด้วย กรดอนินทรีย์ต่าง ๆ เกลืออนิทรีย์ต่าง ๆ และของผสมต่าง ๆ ของสารดังกล่าว
24. สเลอรี่น้ำที่ใช้ข้ดทางเคมีสำหรับการขัดวัสดถุ (substrate) รวมถึงตะเนียมและทังสเทนซึ่ง ประกอบด้วย ประมาณ 1 ถึงประมาณ 7% โดยน้ำหนักของเฟอร์ริคไนเตรท; ประมาณ 1 ถึงประมาณ 12% โดยน้ำหนักของ อะลูมินา และ ประมาณ 0.01 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของสารเสริมฟลูออ ไรด์
25. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 24, โดยที่ สารเสริมฟลูออไรด์เลือกมาจากกรดที่มีฟลูออไรด์, เกลือฟลูออ ไรด์, และของผสมต่าง ๆของสารเหล่านี้
26. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 24, โดยที่ สารเสริมฟลูออไรด์ประกอบด้วยอย่างน้อยกรดที่มีฟลูออไรด์ หนึ่งชนิดและอย่างน้อยเกลือฟลุออไรด์หนึ่งชนิด โดยที่สเลอ รี่ที่ใช้ขัดทางเคมีมีค่างความเป็นกรด/ด่าง (pH) ประมาณ ระหว่าง 1.5 ถึงประมาณ 3.0
27. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 24, โดย ที่อะลูมินานั้นเป็นสารละลายแขวนลอยในน้ำของอะลูมินา
28. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 24, โดย ที่อะลูมินานั้นเป็นฟูมด์ (fumed) อะลูมินา
29. สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีของข้อถือสิทธิที่ 24, ที่มี การเลือกขัดเฉพาะของทังสเทนต่อติตะเนียม (W:Ti) เป็นประมาณ 3:1 ถึงประมาณ 1:2
30. วิธีสำหรับการขัดวัสดุรวมถึงชั่นที่ยึดติดของติตะ เนียมซึ่งประกอบด้วย (a) การผสมเข้าด้วยกัน, สารออกซิไดชิ่ง, สารเสริมฟลูออ ไรด์และสารขัดถูเพื่อให้การขัดทางเคมีที่มีค่า pH ประมาณ 5.0 (b) การใช้งานสเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมีไปกับวัสดุ และ (c) การเอาออกอย่างน้อยส่วนของชั้นยึดติดติตะเนียมโดยการ นำเอาแผ่นขัดมาสัมผัสกับวัสดุและเคลื่อนไหวแผ่นขัดให้ สัมพันธ์กับวัสดุ
31. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 30, โดยที่สเลอรี่ที่ใช้ขัดทาง เคมีถูกนำไปใส่ในแผ่นขัดก่อนที่จะวางให้แผ่นขัดสัมผัสกับ วัสดุ
32. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 30, โดยที่สารออกซิไดซิ่งและ สารเสริมฟลูออไรด์ถูกทำให้อยู่ในสารละลายในน้ำในภาชนะแรก และสารละลายแขงวนลอยในน้ำของสารขัดถูถูกทำให้อยุ่ในภาชนะ ที่สอง และโดยที่ส่วนของส่วนประกอบของภาชนะแรกถูกรวมเข้า กับอย่างน้อยส่วนประกอบของภาชนะที่สองเพื่อให้ได้สเลอรี่ น้ำที่ใช้ขัดทางเคมี ซึ่งประกอบด้วยระหว่างประมาณ 1 ถึง ประมาณ 7% โดยน้ำหนักของสารออกซิไดซิ่ง ระหว่างประมาณ 1 ถึง ประมาณ 6% โดยน้ำหนักของสารขัดถูก, และระหว่างประมาณ 0.01 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของสารเสริมฟลุออไรด์ต่อการ ใช้สเลอรี่ไปกับแผ่นขัด
33. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 32, โดยที่สารเสริมฟลูออไรด์ เป็นกรดที่มีฟลูออไรด์นั้นเลือกมรจากกลุ่มที่ประกอบด้วยกรด ไอโดรฟลูออริค, กรดฟลุออโรซิลิซิค, และสารเหล่านี้ผสมกัน,
34. วิธีของ้อถือสิทธิที่ 33, โดยที่สารเสริมฟลูออไรด์ เป็นกรดไฮโดรฟลูออริค
35. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 34, โดยที่กรดไฮโดรฟลุออริคในส เลอรี่มีจำนวนประมาณ 0.05 ถึงประมาณ 0.3% โดยน้ำหนัก
36. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 32, โดยที่สารเสริมฟลูออไรด์ เป็นเกลือฟลูออไรด์ที่เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย แอมโมเนียมฟลูออไรด์, โพแตสเซียมฟลูออไรด์, แอมโมเนียม ไฮโดรเจนไดฟลูออไรดื, และของผสมต่าง ๆ ของสารเหล่านี้
37. วิธีของข้อถือสิทธิที่ 36, โดยที่เกลือฟลูออไรด์เป็น โพแตสเซียมฟลูออไรด์ในจำนวนประมาณ 0.2 ถึงประมาณ 1.0% โดย น้ำหนัก
38. วิธีสำหรับการขัดวัสดุซึ่งรวมถึงชั้นยึดติดของติตะ เนียมและชั้นของทังสเทนซึ่งประกอบด้วย (a) การผสมกัน, เฟอร์ริคไนเตรท, อะลูมินา, และกรดไฮโดรฟลุ อริคกับน้ำดีไอออไนช์เพื่อให้ได้สเลอรี่ที่ใช้ขัดทางเคมี ซึ่งประกอบด้วยประมาณ 1 ถึงประมาณ 7% โดยน้ำหนักของเฟอร์ ริคไนเตรท, ประมาณ 1 ถึงประมาณ 6% โดยน้ำหนักของเฟอร์ริคไน เทตรท, ประมาณ 1 ถึงประมาณ 6% โดยน้ำหนักของอะลูมินา, ประมาณ 0.1 ถึงประมาณ 0.3% โดยน้ำหนักของกรดไฮโดรฟลูออริค โดยที่ได้สเลอรี่ที่ใชขัดทางทางเคมีที่มีค่า pH ระหว่าง ประมาณ 1.5 ถึงประมาณ 2.5 และมีการเลือกขัดเฉพาะของทังสเทน ต่อติดตะเนียม (W:Ti) ระหว่างประมาณ 3:1 ถึงประมาณ 1:2 (b) การใช้สเลอรี่ที่ใช้ข้ดทางเคมีไปกับวัสดุ และ (c) การเอาออกอย่างน้อยส่วนของชั่นยึดติดติตะอเนียมและ ส่วนของชั่นทังสเทนโดยการนำเอาแผ่นขัด มาสัมผัสกับวัสดุ และเคื่อนไหวแผ่นขัดให้สัมพันธ์กับวัสดุ
39. ระบบบรรจุแบบหลากหลายสำหรับการเตรียมสเลอรี่ที่ใช้ขัด ทางเคมี ซึ่งประกอบด้วย (a) ภาชนะแรกซึ่งประกอบด้วยสารละลายในน้ำของสารขัดถูด และ (b) ภาชนะที่สองซึ่งประกอบด้วยสารออกซิไดซิ่งและสาร เสริมฟลูออไรด์
40. ภาชนะที่ประกอบด้วยสารออกซิไดซิ่งและสารเสริมฟลูออ ไรด์ (ข้อถือสิทธิ 40 ข้อ, 5 หน้า, - รูป)
TH9701002200A 1997-06-05 สเลอร์รี่ที่ใช้ขัดทางเคมีซึ่งรวมถึงสารเสริมฟลูออไรด์ TH32728A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH32728A true TH32728A (th) 1999-03-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1067986A5 (th)
ID17160A (id) Aditif fluorida yang mengandung bubur pemoles mekanis-kimia dan metode penggunaan bahan tersebut
ES2248831T3 (es) Suspension para el pulido quimico-mecanico de sustratos de cobre.
JP3507628B2 (ja) 化学的機械研磨用研磨組成物
EP3210238B1 (en) Cobalt polishing accelerators
TWI261063B (en) Polishing composition for metal CMP
EP1432773B1 (en) Rare earth salt oxidizer based cmp method
US20080315153A1 (en) Polishing fluids and methods for cmp
US20080277378A1 (en) Method for Chemical-Mechanical Planarization of Copper
JPH1121546A5 (th)
TW200804579A (en) Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
JPS63130787A (ja) 金属表面清浄化組成物および清浄化方法
KR910003065A (ko) 금속 표면 연마용 조성물 및 연마 방법
JP2017539077A (ja) コバルトディッシング制御剤
CN101679808A (zh) 包含氧化铈、页硅酸盐和氨基酸的分散体
AU566258B2 (en) Liquid detergent containing water soluble salts
EP4038155A1 (en) Low dishing copper chemical mechanical planarization
JP2009530853A (ja) 金属の除去速度を制御するためのハロゲン化物アニオン
WO2021200149A1 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
EP1069168B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
JP2020068378A5 (th)
TWI462981B (zh) 金屬鈍化之化學機械拋光組合物及方法
JPH06313164A (ja) 研磨用組成物
US4576730A (en) Method and composition for cleaning and protecting metal
CN103214972A (zh) 用于使表面平坦化的组合物及方法