TH30702B - ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุนแบบขนานสวนที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น - Google Patents
ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุนแบบขนานสวนที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นInfo
- Publication number
- TH30702B TH30702B TH9801003742A TH9801003742A TH30702B TH 30702 B TH30702 B TH 30702B TH 9801003742 A TH9801003742 A TH 9801003742A TH 9801003742 A TH9801003742 A TH 9801003742A TH 30702 B TH30702 B TH 30702B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- aforementioned
- parallel
- thickness
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (05/08/42) ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุดแบบขนานสวนซึ่งมีองค์ประกอบอย่างที่ควรเป็นของ Ni0/Ni-Fe/ Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe/ชั้นครอบ ซึ่งชั้นที่ได้รับการยึดหมุดประกอบด้วยชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นแรกและชั้นที่สองที่ได้รับการแยกจากกันด้วยชั้นเชื่อมต่อขนานสวน ชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติกแรก ยังประกอบด้วยชั้นย่อยยึดหมุดที่เป็น Ni-Fe และชั้นย่อยยึดหมุดที่สองที่เป็น Co ซึ่งชั้นย่อยยึดหมุนแรก ที่เป็น Ni-Fe ได้รับการก่อรูปบนและสัมผัสโดยตรงกับชั้น Ni0 แอนติเฟอร์โรแมกเนติก (AFM) การ เพิ่มเติมชั้นยึดหมุดย่อยแรกที่เป็น Ni-Fe จะแยกชั้นยึดหมุดย่อยที่สองที่เป็น Co จากชั้น Ni0 AFM ทำให้เกิดการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากของสนามการยึดหมุดและการควบคุมโมเมนต์แม่เหล็กของชั้น ยึดหมุดขนานสวนอัดซ้อน ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุดแบบขนานสวนซึ่งมีองค์ประกอบอย่างที่ควรเป็นของ Ni0/Ni-Fe/ Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe ชั้นครอบซึ่งชั้นที่ได้รับการยึดหมุดประกอบด้วยชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นแรกและชั้นที่สองที่ได้รับการแยกจากกันด้วยชั้นเชื่อมต่อขนานสวน ชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนิตกแรก ยังประกอบด้วยชั้นย่อยยึดหมุดที่เป็น Ni-Fe และชั้นย่อยยึดหมุดที่สองที่เป็น Co ซึ่งชั้นย่อยยึดหมุนแรก ที่เป็นNi-Fe ได้รับการก่อรูปบนและสัมผัสโดยตรงกับชั้ Ni0 แอนติเฟอร์โรแมกเนติก (AFM) การ เพิ่มเติมชั้นยึดหมุดย่อยแรกที่เป็น Ni-Fe จะแยกชั้นยึดหมุดย่อยที่สองที่เป็น Co จากชั้น Ni0 AFM ทำให้เกิดการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากของสนามการยึดหมุดและการควบคุมโมเมนต์แม่เหล็กของชั้น ยึดหมุดขนานสวนอัดซ้อน
Claims (4)
1. ตัวตรวจรู้สปินวาล์วเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็ก ดังที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 10โดยที่ ส่วนผสม Ni-Fe ของชั้นย่อยแรกที่กล่าวมาแล้ว เป็น Ni ประมาณ 81% และ Fe ประมาณ 19 % 1
2. ตัวตรวจรู้สปินวาล์วเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็ก ดังที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 10 โดยที่ ควมหนาของชั้น Ni-Fe ของชั้นย่อยเฟอร์โรแมกเนติกแรกที่กล่าวมาแล้ว อยู่ ในช่วงขนาดประมาณ 2-30 อังสตรอม 1
3. ตัวตรวจรู้สปินวาล์วเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็ก ดังที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 8 โดยที่ ความหนาของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกแรกมากกว่าความหนาของชั้นเฟอร์โรแมก เนติกที่สอง 1
4. ตัวตรวจรู้สปินวาล์วเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็ก ดังที่ระบุไว้ในข้อถือ สิทธิที่ 8 โดยที่ ความหนาของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกแรกน้อยกว่าความหนาของชั้นเฟอร์โรแมก เนติกที่สอง
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38438A TH38438A (th) | 2000-05-29 |
| TH30702B true TH30702B (th) | 2011-09-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1057627C (zh) | 带有非磁性背层的磁致电阻自旋阀传感器 | |
| US6411476B1 (en) | Trilayer seed layer structure for spin valve sensor | |
| US6277505B1 (en) | Read sensor with improved thermal stability and manufacturing method therefor | |
| US6262869B1 (en) | Spin valve sensor with encapsulated keeper layer and method of making | |
| US5574605A (en) | Antiferromagnetic exchange coupling in magnetoresistive spin valve sensors | |
| US6407890B1 (en) | Dual spin valve sensor read head with a specular reflector film embedded in each antiparallel (AP) pinned layer next to a spacer layer | |
| US7436638B1 (en) | Ferromagnetic pinning structure including a first section antiferromagnetically coupled to a pinned layer and a second section elongated relative to the first section in a stripe height direction | |
| US6292336B1 (en) | Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient | |
| KR0139307B1 (ko) | 고정 강자성체층을 갖는 스핀밸브 자기전기저항성 센서와 이 센서를 사용하는 자기기록시스템 | |
| JP3197870B2 (ja) | データを読み取る装置、磁気記憶システムおよびスピンバルブ・センサにバイアスを与える方法 | |
| US6381106B1 (en) | Top spin valve sensor that has a free layer structure with a cobalt iron boron (cofeb) layer | |
| US6636389B2 (en) | GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers | |
| KR100320896B1 (ko) | Mr 효과 소자 및 mr 센서, 이를 이용한 mr 감지 시스템및 자기 기억 시스템 | |
| US9076467B2 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with multilayer reference layer including a crystalline CoFeX layer and a Heusler alloy layer | |
| US20070217088A1 (en) | Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device | |
| JPH11509956A (ja) | 面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ | |
| US20110026168A1 (en) | CURRENT-PERPENDICULAR-TO-THE-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH CoFeGe FERROMAGNETIC LAYERS AND Ag OR AgCu SPACER LAYER | |
| US20070263327A1 (en) | Gmr sensor having an under-layer treated with nitrogen for increased magnetoresistance | |
| CN102737649A (zh) | 磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头 | |
| US7551409B2 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic free layer structure | |
| US7177120B2 (en) | Self-pinned spin valve sensor with a high coercivity antiparallel (AP) pinned layer | |
| US20020024778A1 (en) | Spin valve films with improved cap layers | |
| US6501626B1 (en) | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor | |
| US6473278B1 (en) | Giant magnetoresistive sensor with a high resistivity free layer | |
| US7486487B2 (en) | Magneto-resistive element, magnetic head and magnetic storage apparatus |