TH30702B - Improved garden parallel swivel spin valve senser - Google Patents
Improved garden parallel swivel spin valve senserInfo
- Publication number
- TH30702B TH30702B TH9801003742A TH9801003742A TH30702B TH 30702 B TH30702 B TH 30702B TH 9801003742 A TH9801003742 A TH 9801003742A TH 9801003742 A TH9801003742 A TH 9801003742A TH 30702 B TH30702 B TH 30702B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- aforementioned
- parallel
- thickness
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (05/08/42) ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุดแบบขนานสวนซึ่งมีองค์ประกอบอย่างที่ควรเป็นของ Ni0/Ni-Fe/ Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe/ชั้นครอบ ซึ่งชั้นที่ได้รับการยึดหมุดประกอบด้วยชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นแรกและชั้นที่สองที่ได้รับการแยกจากกันด้วยชั้นเชื่อมต่อขนานสวน ชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติกแรก ยังประกอบด้วยชั้นย่อยยึดหมุดที่เป็น Ni-Fe และชั้นย่อยยึดหมุดที่สองที่เป็น Co ซึ่งชั้นย่อยยึดหมุนแรก ที่เป็น Ni-Fe ได้รับการก่อรูปบนและสัมผัสโดยตรงกับชั้น Ni0 แอนติเฟอร์โรแมกเนติก (AFM) การ เพิ่มเติมชั้นยึดหมุดย่อยแรกที่เป็น Ni-Fe จะแยกชั้นยึดหมุดย่อยที่สองที่เป็น Co จากชั้น Ni0 AFM ทำให้เกิดการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากของสนามการยึดหมุดและการควบคุมโมเมนต์แม่เหล็กของชั้น ยึดหมุดขนานสวนอัดซ้อน ตัวตรวจรู้สปินวาล์วยึดหมุดแบบขนานสวนซึ่งมีองค์ประกอบอย่างที่ควรเป็นของ Ni0/Ni-Fe/ Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe ชั้นครอบซึ่งชั้นที่ได้รับการยึดหมุดประกอบด้วยชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นแรกและชั้นที่สองที่ได้รับการแยกจากกันด้วยชั้นเชื่อมต่อขนานสวน ชั้นยึดหมุดเฟอร์โรแมกเนิตกแรก ยังประกอบด้วยชั้นย่อยยึดหมุดที่เป็น Ni-Fe และชั้นย่อยยึดหมุดที่สองที่เป็น Co ซึ่งชั้นย่อยยึดหมุนแรก ที่เป็นNi-Fe ได้รับการก่อรูปบนและสัมผัสโดยตรงกับชั้ Ni0 แอนติเฟอร์โรแมกเนติก (AFM) การ เพิ่มเติมชั้นยึดหมุดย่อยแรกที่เป็น Ni-Fe จะแยกชั้นยึดหมุดย่อยที่สองที่เป็น Co จากชั้น Ni0 AFM ทำให้เกิดการปรับปรุงให้ดีขึ้นอย่างมากของสนามการยึดหมุดและการควบคุมโมเมนต์แม่เหล็กของชั้น ยึดหมุดขนานสวนอัดซ้อน DC60 (05/08/42) Parallel rivet valve spin sensor with Ni0/Ni-Fe/Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe/Cover layer The pinned layer consists of a ferromagnetic pin retaining layer. The first and second floors are separated by parallel garden connected floors. First ferromagnetic pin It also consists of a Ni-Fe rivet sublayer and a second Co rivet sublayer, where the first Ni-Fe rivet sublayer is formed on and in direct contact with the Ni0 antiferromag layer. Netic (AFM) The addition of the first Ni-Fe sub-pin layer separates the second Co sub-pin layer from the Ni0 layer. The AFM results in substantial improvements in pin-holding field and moment control. floor magnet Fasten the pins parallel to the stacked garden. Parallel rivet valve spin sensor with Ni0/Ni-Fe/Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe composition. The cover layer in which the pinned layer consists of a ferromagnetic pin retaining layer. The first and second floors are separated by parallel garden connected floors. First ferromagnetic pin It also consists of a Ni-Fe rivet sublayer and a second Co rivet sublayer, where the first Ni-Fe rivet sublayer is formed on and is in direct contact with the Ni0 antiferromag layer. Netic (AFM) The addition of the first Ni-Fe sub-pin layer separates the second Co sub-pin layer from the Ni0 layer. The AFM results in substantial improvements in pin-holding field and moment control. floor magnet Fasten the pins parallel to the stacked garden.
Claims (4)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38438A TH38438A (en) | 2000-05-29 |
| TH30702B true TH30702B (en) | 2011-09-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1057627C (en) | Magnetoresistive spin valve sensor having a nonmagnetic back layer | |
| US6411476B1 (en) | Trilayer seed layer structure for spin valve sensor | |
| US6277505B1 (en) | Read sensor with improved thermal stability and manufacturing method therefor | |
| US6262869B1 (en) | Spin valve sensor with encapsulated keeper layer and method of making | |
| US5574605A (en) | Antiferromagnetic exchange coupling in magnetoresistive spin valve sensors | |
| US6407890B1 (en) | Dual spin valve sensor read head with a specular reflector film embedded in each antiparallel (AP) pinned layer next to a spacer layer | |
| US7436638B1 (en) | Ferromagnetic pinning structure including a first section antiferromagnetically coupled to a pinned layer and a second section elongated relative to the first section in a stripe height direction | |
| US6292336B1 (en) | Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient | |
| KR0139307B1 (en) | Spin Valve Magnetoresistive Sensor with Fixed Ferromagnetic Layer and Magnetic Recording System Using the Sensor | |
| JP3197870B2 (en) | Apparatus for reading data, magnetic storage system and method for biasing a spin valve sensor | |
| US6381106B1 (en) | Top spin valve sensor that has a free layer structure with a cobalt iron boron (cofeb) layer | |
| US6636389B2 (en) | GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers | |
| KR100320896B1 (en) | Mr effect element and mr sensor, mr sensing system and magnetic storage system using the same | |
| US9076467B2 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with multilayer reference layer including a crystalline CoFeX layer and a Heusler alloy layer | |
| US20070217088A1 (en) | Method and apparatus for providing magnetostriction control in a freelayer of a magnetic memory device | |
| JPH11509956A (en) | Planar current spin valve type magnetoresistive transducer | |
| US20110026168A1 (en) | CURRENT-PERPENDICULAR-TO-THE-PLANE (CPP) MAGNETORESISTIVE SENSOR WITH CoFeGe FERROMAGNETIC LAYERS AND Ag OR AgCu SPACER LAYER | |
| US20070263327A1 (en) | Gmr sensor having an under-layer treated with nitrogen for increased magnetoresistance | |
| CN102737649A (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (cpp) magnetoresistive (mr) sensor with improved hard magnet biasing structure | |
| US7551409B2 (en) | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic free layer structure | |
| US7177120B2 (en) | Self-pinned spin valve sensor with a high coercivity antiparallel (AP) pinned layer | |
| US20020024778A1 (en) | Spin valve films with improved cap layers | |
| US6501626B1 (en) | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor | |
| US6473278B1 (en) | Giant magnetoresistive sensor with a high resistivity free layer | |
| US7486487B2 (en) | Magneto-resistive element, magnetic head and magnetic storage apparatus |