Claims (2)
1.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปร่างของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นของฝาครอบนั้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิทรูปกล่องที่บรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว อิเล็กโทรดขั้วต่อที่จัดไว้ที่ปลายทั้งสองของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และยื่นไปสู่และเหนือผนังด้านข้างของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งจัดวางไว้ภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวโดยที่มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และมีการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อมต่อที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในสภาพเอียง และได้รับการสร้างขึ้นมาในสัณฐานเพื่อการเพิ่มพื้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและอิเล็กโทรดขั้วต่อให้มากขึ้น 2.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดซิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนในรูปของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉาก ฝาครอบปิดสนิทคั่นฉนวนที่เปิดออกที่ด้านก้นของฝาครอบนั้นสำหรับการก่อรูปโพรงปิดผนึกสนิทรูปกล่องที่บรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาร่วมกับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว อิเล็กโทรดขั้วต่อที่จัดไว้ที่ปลายทั้งสองในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และยื่นไปสู่และเหนือผนังด้านข้างของโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว ลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุแต่ละคู่ และใน อิเล็กโทรดปล่อยประจุจำนวนสองถึงห้าคู่ซึ่งจัดวางไว้ภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวโดยที่มีการก่อรูปแก๊สปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุแต่ละคู่ และมีการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อที่สอดคล้องกัน และ พื้นผิวเชื่อมต่อที่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในสภาพเอียง และได้รับการสร้างขึ้นมาในสัณฐานเพื่อการเพิ่มขึ้นที่เชื่อมต่อสำหรับการเชื่อมต่อระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุและอิเล็กโทรดขั้วต่อให้มากขึ้น 3.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปดังในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งตรงกันข้ามกันบนซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และประกอบรวมต่อไปอีกด้วย ฝาครอบปิดสนิทที่มีส่วนโดยรอบของฝาครอบนั้นที่ยืดด้วยสารยึดติดเข้ากับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในสภาพที่ให้มีการปิดล้อมที่ว่างเหนืออิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวโดยฝาครอบปิดสนิทดังกล่าว ที่ซึ่งอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว แต่ละชิ้นมีส่วนปลายด้านนอก ณ บริเวณที่ฝาครอบปิดสนิทดังกล่าวและซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการยึดติดเข้าด้วยกันด้วยสารยึดติด และ ส่วนปลายด้านนอกดังกล่าวมีความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่าความต้านทานไฟฟ้าของส่วนด้านในของอิเล็กโทรดปล่อยประจุที่อยู่ใกล้ชิดกับช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวโดยตรง 4.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั้นฉนวนในรูปร่างของแผ่นสี่เหลี่ยมหน้าตัดสี่เหลี่ยมมุมฉากที่มีโพรงที่ยื่นผ่านซับสเทรทคั่ฉนวนดังกล่าว คู่ของอิเล็กโทรดขั้วต่อซึ่งจัดวางไว้บนปลายแต่ละข้างของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการปิดโพรงดังกล่าวดดยอิเล็กโทรดขั้นต่อดังกล่าว โพรงปิดผนึกสนิทซึ่งปิดล้อม โดยซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าวและซึ่งได้รับการบรรจุด้วยแก๊สปล่อยประจุ และ คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายใน โพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าว และ บนพื้นผิวด้านในพื้นผิวหนึ่งของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้มีการก่อรูปช่องว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรปล่อยประจุดังกล่าว โดยที่อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว ได้รับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าวที่สอดคล้องกัน ที่ซึ่งอิเล็กโทรดรีเลย์สำรหับการรีเลย์การปล่อยประจุแบบอาร์กได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในโพรงปิดผนึกสนิทดังกล่าวและบนพื้นผิวด้านในอีกพื้นผิวหนึ่งของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่มีการกันแยกอิเล็กโทรดรีเลย์ดังกล่าวจากอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวและอิเล็กโทรดขั้วต่อดังกล่าว 5.ตัวดูดกลือเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งส่วนปลายด้านในระหว่างปลายของอิเล็กโทรดรีเลย์และอิเล็กโทรดขั้วต่อของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการตัดออกเข้าทางด้านในเป็นบางส่วน 6.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งมีช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวจำนวนหนึ่ง 7. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งมีช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าวจำนวนหนึ่ง 8. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวนทนความร้อน คู่ของอิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนซับสเทรทคั่นฉนวนทนความรัอนดังกล่าวในลักษณะที่ทำให้มีการก่อรูปช่องว่างขนาดเล็กขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว และ ฝาครอบปิดสนิทซึ่งเชื่อมต่อด้วยสารยึดติดเข้ากับซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในลักษณะที่ให้ช่องว่างขนาดเล็กดังกล่าวได้รับการปิดล้อมในที่ว่างปิดผนึกสนิทที่ก่อรูปขึ้นมาโดยฝาครอบปิดสนิทดังกล่าว ที่ซึ่งชั้นคั่นฉนวนรูปแถบที่มีความทนร้อนอย่างน้อยที่สุดต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาระหว่างซับสเทรทคั้นฉนวนดังกล่าว และ อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าว 9. ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปของข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่งชั้นคั่นฉนวนทนความร้อนดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และ อิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนทนความร้อนดังกล่าว 1 0.วิธีการของการผลิตตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปประกอบด้วยขั้นตอนของ การก่อรูปชั้นคั่นฉนวนรูปแถบขึ้นมาบนพื้นผิวซับสเทรทที่แบนราบของซับสเทรทคั่นฉนวนทนความร้อน โดยชั้นคั่นฉนวนดังกล่าวมีความทนความร้อนต่ำกว่าความทนความร้อนของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว การก่อรูปฟิล์มนำไฟฟ้าที่มีรูปร่างเป็นแถบเหมือนกันกับชั้นคั่นฉนวนรูปแถบดังกล่าวขึ้นมาบนชั้นคั่นฉนวนรูปแถบดังกล่าวที่มีความทนความร้อนต่ำเพื่อให้เป็นโครงสร้างแบบหลายชั้น และ การตัดฟิล์มนำไฟฟ้าดังกล่าวพร้อมด้วยชั้นคั่นฉนวนดังกล่าวที่มีความทนความร้อนต่ำในทิศทางที่ตั้งฉากกับทิศทางตามยาวโดยอาศัยการตัดด้วยเลเซอร์ออกเป็นสองส่วนซึ่งทำหน้าที่เป็นคู่ของ อิเล็กโทรดปล่อยประจุที่เว้นระยะห่างจากกันโดยช่องว่างขนาดเล็ก 11.Chip type serge absorber integrated with The substrates separates the insulation in the shape of a rectangular sheet with a rectangular cross-section. The sealed cover separates the insulator that is opened at the bottom of the cover for the formation of a sealed cavity, filled with a gas-discharge gas discharge, in conjunction with the insulator substrate. The terminal electrode provided at both ends of the cavity is completely sealed. And extending to and above the lateral walls of the cavity, completely sealed. A pair of discharge electrodes, which are placed within such a sealed cavity whereby a discharge gap is formed between the discharging electrodes. And there is an electrical connection to the corresponding terminal electrode and the connecting surface that has been formed in an inclined state. They are morphologically made to increase the connection area for the connection between the discharge electrode and the terminal electrode. 2.Zip type serge absorber integrated Insulating substrates in the form of rectangular sheets with a rectangular cross-section. The sealed cover separates the insulation that is opened at the bottom of the cover for the formation of a sealed cavity, filled with a discharge gas in conjunction with the insulator substrate. The terminal electrodes arranged at both ends in such a sealed cavity. And extending to and above the lateral walls of the cavity, completely sealed. The manner in which a discharge gap is formed between each pair of discharging electrodes and in two to five pairs of discharge electrodes placed within such a sealed cavity whereby It forms a discharge gas between each pair of charge-discharge electrodes. And there is an electrical connection to the corresponding terminal electrode and the connecting surface that has been formed in an inclined state. And it has been made in morphology to increase the connection for the connection between the discharge electrode and the more terminal electrode. 3. Chip-type surge absorbers, as in claim 1 or 2, where such discharge electrodes are formed at opposite positions on the insulating substrates in such a way that Which allows the formation of a discharge gap between the electrodes And continue to assemble as well The enclosed cover with the surrounding part of the cover is stretched with a bonding agent to the insulating substrate in a condition that is enclosed by the space above the discharge electrode by the cap. The cover is completely closed. Where the electrode emits such charge Each has an outer end at the area where the cover is sealed, and the insulating substrate is bonded together by a adhesive, and the outer end has a lower electrical resistance. The electrical resistance of the inner part of the discharge electrode located directly close to the aforementioned discharge gap. 4.Chip type serge absorber integrated The substrates are insulated in the shape of a rectangular sheet with a rectangular cross-section with a cavity protruding through the insulating substrate. A pair of terminal electrodes, which are placed on each end of the substrates, separate such insulators in such a way that the cavity is closed by such a step-up electrode. A completely sealed cavity that encloses With substrates separating the said insulation And such electrodes and which are filled with a discharge gas and a pair of discharge electrodes which have been formed inside Such a sealed cavity and on the inner surface of one of the substrates separates the insulator in such a way that a charge gap is formed between the electrolyte. Where the electrode discharges such charge Have been electrically connected to the corresponding terminal electrode. Where the arc-discharge relay electrode is formed inside the sealed cavity and on the other inner surface of the insulating substrate. Such relay electrodes are separated from the said discharge electrodes and the such terminal electrodes. 5. Chip-type surge absorber according to claim 4, where the inner end between the tip of the relay electrode and the insulating substrate terminal electrode is cut. Partially out of the way 6. Chip-type serge absorber according to claim 5, where there is a number of such a discharge gap 7. Chip-type serge absorber according to claim 4, where there is such a discharge gap. Number one 8. A chip type surge absorber consisting of Insulation substrate, heat resistant A pair of discharge electrodes, which are formed on the insulating substrates, in such a way that small gaps are formed between the discharge electrodes. And the sealed cover, which is connected by a binder, to the insulating substrate in such a way that such small gaps are enclosed in the hermetically formed space. With the cover sealed as such Where the strip-shaped insulation separator layer with at least the heat resistance of the insulating substrate is formed between the insulating substrates. It is formed between the insulating substrate and the discharge electrode. 9. Chip-type surge absorber of claim 8, where the insulating separator layer has been It is formed on the flat substrate surface of the insulating substrate, and the discharge electrode is formed on the insulating separator. 1 0 The method of manufacturing a chip type serge absorber consists of the process of Formation of the insulating separator, forming strips on the flat substrates of the heat-resistant insulating substrates. The insulation separator layer has a lower heat resistance than the heat resistance of the insulating substrate. The formation of a strip-shaped conductive film like that of the insulating separator layer is formed on the insulating separator layer with low heat resistance to provide a multi-layer structure and cutting of the conductive film. The power, along with the insulating separator layer, has a low resistance to heat in the direction perpendicular to the longitudinal direction by means of laser cutting into two halves that act as a pair of The discharge electrodes are spaced apart by a small gap 1.
1.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปที่ประกอบรวมด้วย ซับสเทรทคั่นฉนวน อิเล็กโทรดปล่อยประจุซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งตรงกันขัามกันบนซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวในสภาพที่ให้มีการก่อรูปช่อง ว่างปล่อยประจุขึ้นมาระหว่างอิเล็กโทรดปล่อยประจุ และ ชั้นไดอิเล็กทริกที่จัดวางไว้ระหว่างซับสเทรทคั้นฉนวนดังกล่าว และอิเล็กโทรดปล่อยประจุดังกล่าวแต่ละชิ้น ที่ซึ่งชิ้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวมีค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสัมพัทธ์มากกว่าค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสัมพัทธ์ของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าว และ อย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวแต่ละชิ้นจะเผยออกในช่องว่างปล่อยประจุดังกล่าว 11.Chip type serge absorber integrated with Insulation substrate A discharge electrode, which has been formed at the opposite position on the insulating substrate in the condition of cavity formation. A free charge is released between the discharging electrode and the dielectric layer placed between the insulating substrate. And each such piece of discharge electrode Where the dielectric piece has a relative dielectric constant greater than the relative dielectric constant of the insulating substrate and at least part of the dielectric layer. Each of these triggers is revealed in the said discharge gap 1.
2.ตัวดูดกลืนเสิร์จแบบชนิดชิปของข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวทำมาจากวัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กทริคสัมพัทธ์มากกว่าค่าคงที่ได้อิเล็กทริกสัมพัทธ์ของซับสเทรทคั่นฉนวนดังกล่าวอยู่อย่างน้อยที่สุด 2 เท่า2. Chip-type surge absorber of claim 11, where the dielectric layer is made from a material with a relative dielectric constant greater than the relative dielectric constant of The substrate separates the said insulation at least twice.