TH27316EX - Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method - Google Patents
Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this methodInfo
- Publication number
- TH27316EX TH27316EX TH9301000854A TH9301000854A TH27316EX TH 27316E X TH27316E X TH 27316EX TH 9301000854 A TH9301000854 A TH 9301000854A TH 9301000854 A TH9301000854 A TH 9301000854A TH 27316E X TH27316E X TH 27316EX
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- plastic
- metal surface
- seep
- semiconductors
- solution
- Prior art date
Links
Abstract
การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการอิเล็กโทรลิติกสำหรับกำจัดครีบพลาสติกนอกแบบ หรือพลาสติกที่ซึมออกจากผิวโลหะของ อุปกรณ์กึ่งตัวนำ และพวกชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่คล้าย คลึงกัน โดยทำการจุ่มแช่ส่วนประกอบดังกล่าวในสารละลายที่มี น้ำที่ประกอบด้วยตัวทำละลายอินทรีย์ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า เกลือนำไฟฟ้า และตัวลดแรงตึงผิว และต่อพวกชิ้นส่วนที่จะทำ ความสะอาดเข้ากับขั้วลบของแหล่งกำเนิดกระแสตรง ซึ่งขั้วบวก ของมันถูกต่อเข้ากับแอโนดในสารละลายเดียวกัน และระหว่าง ป้อนกระแสผ่านสารละลายค่า pH ของฟิล์มของเหลวใกล้กับผิว โลหะที่แคโทดถูกเพิ่มให้ถึงค่าที่ตัวทำละลายทำให้ครีบ พลาสติกนอกแบบ หรือพลาสติกที่ซึมออกอ่อนตัวซึ่งเพียงพอที่ จะ ให้แก๊สไฮโดรเจนที่เกิดขึ้นในเวลาเดียวกันที่แคโทดกำจัด ครีบพลาสติกนอกแบบหรือ พลาสติกที่ซึมออกออกจากผิวโลหะ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับส่วนประกอบของสารละลายที่มี น้ำที่จะใช้กับวิธีการนี้อีกด้วย The invention relates to an electrolytic method for removing extraneous plastic fins. Or plastic that seeps from the metal surface of Semiconductor device And similar electronic components by immersing them in a solution containing Water containing one or more organic solvents, conductive salts and surfactants. And connect the pieces to do Clean to the cathode of the DC source, where its anode is connected to the anode in the same solution and during the feeding through a liquid film pH solution near the surface. The cathode metal is added to the value that the solvent fin Plastic outside Or the leached plastic is weak enough to allow the resulting hydrogen gas to be produced at the same time the cathode is eliminated. Plastic fins or Plastic that seeps away from the metal surface This invention also deals with the components of the solution containing Water to be used with this method as well.
Claims (1)
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH27316EX true TH27316EX (en) | 1997-12-19 |
TH27316A TH27316A (en) | 1997-12-19 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3663379A (en) | Method and electrolytes for anodizing titanium and its alloys | |
DE69939414D1 (en) | ACID OR BASE PRODUCTION PROCESS | |
JPH03207900A (en) | Cleaning of metal part | |
SG52756A1 (en) | Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or blled from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components and the solution composition to be used | |
US5152878A (en) | Method for electrochemical cleaning of metal residue on molybdenum masks | |
US3933615A (en) | Fluid flow stripping and plating system | |
US4781804A (en) | Electrolytic organic mold flash removal | |
EP0190465A2 (en) | Process for electroplating amorphous alloys | |
TH27316EX (en) | Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method | |
TH27316A (en) | Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method | |
US7078340B2 (en) | Metal deposit process | |
US3265599A (en) | Formation of grain boundary photoorienter by electrolytic etching | |
NL8100687A (en) | STAINING ALUMINUM. | |
KR970008416A (en) | Selective copper deposition method | |
US3042593A (en) | Electrochemical method for cleansing semiconductive devices | |
JPH0262959B2 (en) | ||
JPH10296198A (en) | Cleaning method | |
JP4166883B2 (en) | Electrolytic cleaning method for sintered silicon carbide | |
US20050167284A1 (en) | Electrolytic method for photoresist stripping | |
KR100312286B1 (en) | Electrolytic polishing composition for copper or copper alloy substrate and iron-nickel alloy substrate | |
JP5653743B2 (en) | Metal film forming method and apparatus | |
KR101367633B1 (en) | Vacuum bolt for a semi-conductor device and non-electrolysis polishing method thereof | |
US2998362A (en) | Method of selectively electrolytically etching semiconductor silicon materials | |
JPS6173333A (en) | Cleaning device | |
JPH1088398A (en) | Electrolytic silver stripping agent, stripping solution and electrolytic stripping method |