TH27316EX - Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method - Google Patents

Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method

Info

Publication number
TH27316EX
TH27316EX TH9301000854A TH9301000854A TH27316EX TH 27316E X TH27316E X TH 27316EX TH 9301000854 A TH9301000854 A TH 9301000854A TH 9301000854 A TH9301000854 A TH 9301000854A TH 27316E X TH27316E X TH 27316EX
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
plastic
metal surface
seep
semiconductors
solution
Prior art date
Application number
TH9301000854A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH27316A (en
Inventor
นาย แวน เดอร์ เฮรจเดน นาย เฮนริคัสโจแฮนเนส
Original Assignee
มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี
Filing date
Publication date
Application filed by มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี filed Critical มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี มีโค อีควิปเม้นท์ เอ็นจิเนียร์ส บีวี
Publication of TH27316EX publication Critical patent/TH27316EX/en
Publication of TH27316A publication Critical patent/TH27316A/en

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการอิเล็กโทรลิติกสำหรับกำจัดครีบพลาสติกนอกแบบ หรือพลาสติกที่ซึมออกจากผิวโลหะของ อุปกรณ์กึ่งตัวนำ และพวกชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่คล้าย คลึงกัน โดยทำการจุ่มแช่ส่วนประกอบดังกล่าวในสารละลายที่มี น้ำที่ประกอบด้วยตัวทำละลายอินทรีย์ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า เกลือนำไฟฟ้า และตัวลดแรงตึงผิว และต่อพวกชิ้นส่วนที่จะทำ ความสะอาดเข้ากับขั้วลบของแหล่งกำเนิดกระแสตรง ซึ่งขั้วบวก ของมันถูกต่อเข้ากับแอโนดในสารละลายเดียวกัน และระหว่าง ป้อนกระแสผ่านสารละลายค่า pH ของฟิล์มของเหลวใกล้กับผิว โลหะที่แคโทดถูกเพิ่มให้ถึงค่าที่ตัวทำละลายทำให้ครีบ พลาสติกนอกแบบ หรือพลาสติกที่ซึมออกอ่อนตัวซึ่งเพียงพอที่ จะ ให้แก๊สไฮโดรเจนที่เกิดขึ้นในเวลาเดียวกันที่แคโทดกำจัด ครีบพลาสติกนอกแบบหรือ พลาสติกที่ซึมออกออกจากผิวโลหะ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับส่วนประกอบของสารละลายที่มี น้ำที่จะใช้กับวิธีการนี้อีกด้วย The invention relates to an electrolytic method for removing extraneous plastic fins. Or plastic that seeps from the metal surface of Semiconductor device And similar electronic components by immersing them in a solution containing Water containing one or more organic solvents, conductive salts and surfactants. And connect the pieces to do Clean to the cathode of the DC source, where its anode is connected to the anode in the same solution and during the feeding through a liquid film pH solution near the surface. The cathode metal is added to the value that the solvent fin Plastic outside Or the leached plastic is weak enough to allow the resulting hydrogen gas to be produced at the same time the cathode is eliminated. Plastic fins or Plastic that seeps away from the metal surface This invention also deals with the components of the solution containing Water to be used with this method as well.

Claims (1)

1. วิธีการอิเล็กโทรลิติกสำหรับกำจัดครีบพลาสติกนอกแบบหรือพลาสติกที่ซึมออกจากผิวโลหะของพวกอุปกรณ์กึ่งตัวนำและ พวกชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่คล้ายคลึงกัน โดยทำการจุ่มแช่ พวกชิ้นส่วนดังกล่าวในสารละลายที่มีน้ำที่มีตัวทำละลาย อินทรีย์ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า พวกเกลือนำไฟฟ้า และตัวลดแรง ตึงผิว และต่อพวกชิ้นส่วนที่จะทำความสะอาดเข้ากับขั้วลบของ แหล่งกำเนิดกระแสตรง ซึ่งขั้วบวกของมันถูกต่อเข้ากับอิเล็ก โทรดต้านกลับในสารละลายเดียวกัน ซึ่งมีลักษณะที่ว่าระหว่าง เร่งกระแสผ่านสารละลาย ค่า pH ของฟิล์มของเหลวใกล้กับผิว1. an electrolytic method for removing plastic or plastic particles that seep from the metal surface of semiconductors and They are similar electronic components. By doing soaking Those parts in aqueous solution with a solvent One or more types of organic They are conductive salts and surfactants and connect the parts to be cleaned to the negative electrode of DC source In which its anode is connected to the electrode Trode back in the same solution Which looks like that between Accelerate the current through the solution, the pH value of the liquid film close to the surface.
TH9301000854A 1993-05-20 Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method TH27316A (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH27316EX true TH27316EX (en) 1997-12-19
TH27316A TH27316A (en) 1997-12-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3663379A (en) Method and electrolytes for anodizing titanium and its alloys
DE69939414D1 (en) ACID OR BASE PRODUCTION PROCESS
JPH03207900A (en) Cleaning of metal part
SG52756A1 (en) Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or blled from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components and the solution composition to be used
US5152878A (en) Method for electrochemical cleaning of metal residue on molybdenum masks
US3933615A (en) Fluid flow stripping and plating system
US4781804A (en) Electrolytic organic mold flash removal
EP0190465A2 (en) Process for electroplating amorphous alloys
TH27316EX (en) Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method
TH27316A (en) Electrolytic method for removing plastic outer fins Or plastics that seep from the metal surface of their semiconductors Or the pieces Similar electronics And the melted ginger ingredient used with this method
US7078340B2 (en) Metal deposit process
US3265599A (en) Formation of grain boundary photoorienter by electrolytic etching
NL8100687A (en) STAINING ALUMINUM.
KR970008416A (en) Selective copper deposition method
US3042593A (en) Electrochemical method for cleansing semiconductive devices
JPH0262959B2 (en)
JPH10296198A (en) Cleaning method
JP4166883B2 (en) Electrolytic cleaning method for sintered silicon carbide
US20050167284A1 (en) Electrolytic method for photoresist stripping
KR100312286B1 (en) Electrolytic polishing composition for copper or copper alloy substrate and iron-nickel alloy substrate
JP5653743B2 (en) Metal film forming method and apparatus
KR101367633B1 (en) Vacuum bolt for a semi-conductor device and non-electrolysis polishing method thereof
US2998362A (en) Method of selectively electrolytically etching semiconductor silicon materials
JPS6173333A (en) Cleaning device
JPH1088398A (en) Electrolytic silver stripping agent, stripping solution and electrolytic stripping method