Claims (11)
1. กระบวนการผลิตสิ่งของจัดรูปทรงไทเทเนียมซิลิแกไลต์ ซึ่งไทเทเนียมซิลิแกไลต์มี โครงสร้างผนึกแบบ MFI หรือ MEL โดย : a) การเตรียมมวลสังเคราะห์ที่บรรจุแหล่ง SiO2, แหล่ง TiO2, เตตรา -n- พรอพิลแอมมอเนียม ไฮดรอกไซด์ หรือเตตรา -n- บิวทิลแอมมอเนียม ไฮดรอกไซด์เป็นสารประอบเทมเพลต และน้ำ, b) การตกผลึกเจลสังเคราะห์ภายใต้สภาวะไฮโดรเทอร์มอล, c) การทำไทเทเนียมซิลิแกไลต์จากขั้นตอน b) ให้แห้งที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิการ เสื่อมสภาพของสารประกอบเทมเพลต, d) การเตรียมมวลก่อรูปได้ที่บรรจุผลผลิตจากขั้นตอน c), สารยึดจับที่เลือกจากสารประกอบ ใด ๆ จากซิลิกอน, แอลูมินัม, โบรอน, ฟอสฟอรัส, เซอร์คอเนียม และ/ หรือ ไทเเทเนียม และสารสร้างเพสต์, e) การสร้างมวลจากขั้นตอน d) ไปเป็นสิ่งของจัดรูปทรงสีเขียว, f) อาจเลือกทำให้แห้ง, และ g) การเผาสิ่งของจัดรูปทรงสีเขียวให้เป็นเถ้า (calcination)1. The process of manufacturing formable titanium silicate objects, which have an MFI or MEL crystal structure, involves: a) preparation of a synthetic mass containing a source SiO2, a source TiO2, tetra-n-propylammonium hydroxide, or tetra-n-butylammonium hydroxide as a template compound and water; b) crystallization of the synthetic gel under hydrothermal conditions; c) drying the titanium silicate from step b) at a temperature below the degradation temperature of the template compound; d) preparation of the formable mass containing the product from step c), a binder of choice from any silicon, aluminum, boron, phosphorus, zirconium, and/or titanium compounds, and a paste; e) formation of the mass from step d) into green formable objects; f) drying may be optional; and g) calcination of the green formable object to ash.
2. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่อาจเลือกทำสารแขวนลอยผลึกขึ้นตอน b) ให้เป็นกลาง แยกวัสดุของแข็ง โดยการใช้กระบวนการแยกของแข็ง-ของเหลว และหลังจากนั้นทำวัสดุ ดังกล่าวให้แห้งตามขั้นตอน c)2. The process under claim 1 may involve neutralizing the crystalline suspension in step b), separating the solid material using a solid-liquid separation process, and then drying the material in step c).
3. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ทำสารแขวนลอยผลึกจากขั้นตอน b) ให้แห้ง อย่างโดยตรงตามขั้นตอน c) โดยไม่ได้ทำการแยกวัสดุของแข็งก่อนหน้านี้3. The process under claim 1 involves directly drying the crystalline suspension from step b) in step c) without prior separation of the solid material.
4. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 3 โดยที่ทำสารแขวนลอยไทเทเนียมซิลิแกไลต์จาก ขั้นตอน b) ให้เข้มข้นโดยการกลั่นองค์ประกอบระเหยง่ายออก และ/หรือ โดยการเติมไทเทเนียม ซิลิแกไลต์ที่ไม่ได้ถูกเผา4. The process under claim 3 involves concentrating the titanium silicate suspension from step b) by distillation of volatile components and/or by adding uncalcined titanium silicate.
5. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 4 โดยที่ปริมาณของแข็งของสารแขวนลอยไทเทเนียม ซิลิแกไลต์ก่อนขั้นตอนทำให้แห้ง c) อยู่ที่อย่างน้อยที่สุด 50% โดยน้ำหนัก5. The process according to claim 4, where the solid content of the titanium silicate suspension before step c) is at least 50% by weight.
6. กระบวนการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่แอเควียสมีเดียมที่อาจ เลือกประกอบด้วยตัวทำละลายอินทรีย์ที่ผสมกับน้ำได้ที่ถูกใช้เป็นสารสร้างเพสต์6. A process pursuant to one of the prior claims where an auxiliary medium, possibly selected, contains a water-mimicking organic solvent used as a paste-forming agent.
7. กระบวนการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่อุณหภูมิการทำให้แห้ง ในขั้นตอน c) อยู่ภายในพิสัย 50 องศาเซลเซียสถึงอย่างน้อยกว่า 400 องศาเซลเซียส7. The process under one of the preceding claims, where the drying temperature in step c) is within the range of 50°C to at least 400°C.
8. กระบวนการสำหรับการผลิตสิ่งขงอจัดรูปทรงไทเทเนียมซิลิแกไลต์ ซึ่งไทเทเนียม ซิลิแกไลต์มีโครงสร้างผลึกแบบ MFI หรือ MEL โดย : a) การเตรียมเจลสังเคราะห์ที่บรรจุแหล่ง SiO2,แหล่งTiO2, เตตรา-n- พรอพิลแอมมอเนียม ไฮดรอกไซด์ หรือเตตรา -n- บิวทิลแอมมอเนียมไฮดรอกไซด์เป็นสารประกอบเทมเพลต และน้ำ , b) การตกผลึกเจลสังเคราะห์ภายใต้สภาวะไฮโดรเทอร์มอล, c) การทำสารแขวนลอยผลึกจากขั้นตอน b)ให้เข้มข้น, d) การเตรียมมวลก่อรูปได้ที่บรรจุผลผลิตจากขั้นตอน c) และสารยึดจับที่เลือกจาก สารประกอบของซิลิกอน, แอลูมิเนียม, โบรอน, ฟอสฟอรัส, เซอร์คอเนียม และ/หรือ ไทเทเนียม e) การสร้างมวลจากขั้นตอน d) ไปเป็นสิ่งของจัดรูปทรงสีเขียว, f) อาจเลือกทำให้แห้ง, และ g) การเผาสิ่งของจัดรูปทรงสีเขียวให้เป็นเถ้า8. The process for fabricating titanium silicate shapers, where titanium silicate has an MFI or MEL crystal structure, involves: a) preparation of a synthetic gel containing a SiO2 source, a TiO2 source, tetra-n-propylammonium hydroxide, or tetra-n-butylammonium hydroxide as a template compound and water; b) crystallization of the synthetic gel under hydrothermal conditions; c) concentration of the suspension from step b); d) preparation of a moldable mass containing the product from step c) and a binder selected from silicon, aluminum, boron, phosphorus, zirconium, and/or titanium compounds; e) fabrication of the mass from step d) into green shapers; f) optional drying; and g) calcination of the green shapers to ash.
9. กระบวนการตามข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ปริมาณของแข็งของสารแขวนลอยไทเทเนียม ซิลิแกไลต์หลังจากการทำให้เข้มข้นในขั้นตอน c) คือ 10-50 % โดยน้ำหนัก9. The process according to claim 8, where the solid content of the titanium silicate suspension after concentration in step c) is 10-50% by weight.
10. กระบวนการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่เลือกสารยึดจับจาก แอลูมิเนียมออกไซด์, ซิลิกอนออกไซด์, สารประกอบซิลิกอนที่ไฮโดรไลซ์ได้ และไฮโดรไลเซต บางส่วนหรือทั้งหมดของสารเหล่านั้น, สารประกอบโบรอน, สารประกอบฟอสฟอรัส, แร่เคลย์ และของผสมของสารเหล่านั้น10. A process pursuant to any of the preceding claims, in which a binder is selected from aluminum oxide, silicon oxide, hydrolyzable silicon compounds and some or all of those hydrolysates, boron compounds, phosphorus compounds, clay minerals and mixtures thereof.
11. กระบวนการตามข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยที่เผาสิ่งของจัดรูปทรง สีเขียวให้เป็นเถ้าที่อุณหภูมิตั้งแต่ 400 องศาเซลเซียส ถึง 1000 องศาเซลเซียส ที่นิยมคือ ตั้งแต่ 500 องศาเซลเซียส ถึง 750 องศาเซลเซียส11. A process pursuant to one of the preceding claims, involving the incineration of a shaped, green object to ash at temperatures ranging from 400°C to 1000°C, with the most common being from 500°C to 750°C.