TH21773A - โซลาร์เซลล์หลายชั้นที่มีการป้องกันด้วยไดโอดบายพาส - Google Patents
โซลาร์เซลล์หลายชั้นที่มีการป้องกันด้วยไดโอดบายพาสInfo
- Publication number
- TH21773A TH21773A TH9501003121A TH9501003121A TH21773A TH 21773 A TH21773 A TH 21773A TH 9501003121 A TH9501003121 A TH 9501003121A TH 9501003121 A TH9501003121 A TH 9501003121A TH 21773 A TH21773 A TH 21773A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- bypass diode
- solar cell
- groove
- cell
- multilayer solar
- Prior art date
Links
Abstract
โซลาร์เซลล์หลายชั้นพร้อมด้วยไดโอดบายพาสซึ่งประกอบด้วยกองซ้อนของชั้นกึ่งตัวนำ แบบ พี และแบบ เอ็น สลับ กัน 10,11,12,13,14 ซึ่งได้รับการจัดเพื่อให้ก่อรูปเป็นจุดต่อ เชื่อมแรงดัน พลังแสงเรียงกระแส (rectifying photovoltaic junctions)15,16,17,18 จุดต่อจะได้รับการทำบนชั้นที่อยู่ข้างใต้โดยการใช้องค์ ประกอบสัมผัสใช้งานที่ได้รับการฝัง ซึ่งประกอบด้วยร่องที่มี ความยาวลงมาผ่านชั้นใช้งานทั้งหมด ผนังของแต่ละร่องจะได้รับ การเจือปน 33,34 ด้วยสารเจือปนแบบ เอ็น หรือแบบ พี ขึ้นอยู่กับ ชั้นซึ่งจุดต่อที่สองคล้องกันจะได้รับการเชื่อม ต่อและร่อง ดังกล่าวจะได้รับการเติมเต็มด้วยวัสดุสัมผัสโลหะ 31,32 ไดโอดบายพาสหนึ่งหรือสองตัวจะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยการ เพิ่มระดับการเจือปนที่ด้าน ใดด้านหนึ่ง 10,13 ของส่วนของจุด ต่อเชื่อม 16 หนึ่งจุดหรือมากกว่าของเซลล์ในลักษณะซึ่งการ เกิด อุโมงเชิงกลศาสตร์ควอนตัมจะจัดเตรียมลักษณะพิเศษของไบแอ สกลับทาง โดยการนำจะเกิดขึ้นภาย ใต้สภาวะไบแอสกลับทางที่ กำหนดไว้ก่อนหน้า อย่างเป็นอุดมคติ ระดับการเจือปนในไดโอดบายพาสจะมี ค่า 1018 อะตอม/ซม.3 หรือมากกว่า และพื้นที่จุดต่อ เชื่อมจะมีขนาดเล็ก
Claims (2)
1. โซลาร์เซลล์ที่รวมด้วยขอบเขตกึ่งตัวนำที่ได้รับการเจือปนอย่างน้อยที่สุดสามขอบเขตที่ กำหนดเป็นจุดต่อเชื่อมเรียง กระแสอย่างน้อยที่สุดสองจุดของเซลล์แรงดันพลังแสง อย่างน้อย ที่สุด ส่วนของจุดต่อเชื่อมหนึ่งจุดจะก่อรูปเป็นไดโอดบายพาส ที่มีลักษณะพิเศษของไบแอสที่กลับทางซึ่ง การนำจะเกิดขึ้นภาย ใต้สภาวะไบแอสกลับทางที่กำหนดไว้ก่อนหน้า
2. โซลาร์เซลล์ของข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยที่ส่วนจุดต่อเชื่อมที่ ก่อรูปเป็นไดโอดบายพาสจะได้ รับการก่อรูปขึ้นโดยการจัด เตรียมระดับการเจือปนที่สูงในแต่ละขอบเขตกึ่งตัแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21773A true TH21773A (th) | 1996-11-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY113772A (en) | Multilayer solar cells with bypass diode protection | |
| EP0753205A1 (en) | Multiple layer thin film solar cells with buried contacts | |
| EP0084621B1 (en) | Semiconductor signal conversion device using photon coupling | |
| US5266125A (en) | Interconnected silicon film solar cell array | |
| US4933021A (en) | Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation | |
| US5990415A (en) | Multilayer solar cells with bypass diode protection | |
| US4173496A (en) | Integrated solar cell array | |
| EP0776051A3 (en) | Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell | |
| DE3751133D1 (de) | Sperrschichtphotozelle mit P-I-N Übergängen des heterogenen Typs. | |
| CA2276335A1 (en) | Nitride semiconductor device | |
| JPS6126269A (ja) | 光検出器 | |
| WO2000059045A3 (en) | Multilayer semiconductor structure with phosphide-passivated germanium substrate | |
| CA2109310A1 (en) | Blue-green laser diode | |
| JPS61104678A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| Chappell | The V-groove multijunction solar cell | |
| AU2006242570B2 (en) | Solar cell array with isotype-heterojunction diode | |
| US3812518A (en) | Photodiode with patterned structure | |
| JPH0747878Y2 (ja) | 太陽電池セル | |
| KR920005395A (ko) | 광전장치 | |
| US20120090675A1 (en) | Semiconductor substrate for solar cell and solar cell | |
| FR2390015A1 (th) | ||
| CA1216919A (en) | Inverted, optically enhanced solar cell | |
| TH21773A (th) | โซลาร์เซลล์หลายชั้นที่มีการป้องกันด้วยไดโอดบายพาส | |
| US4021833A (en) | Infrared photodiode | |
| KR20170012607A (ko) | 물리적 절연 없는 다중-셀 디바이스를 위한 방법 및 구조물 |