TH21620A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH21620A TH21620A TH9501000904A TH9501000904A TH21620A TH 21620 A TH21620 A TH 21620A TH 9501000904 A TH9501000904 A TH 9501000904A TH 9501000904 A TH9501000904 A TH 9501000904A TH 21620 A TH21620 A TH 21620A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- ferromagnetic
- physical contact
- antiferromagnetic material
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract 26
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 17
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 17
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims abstract 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 claims 1
- 230000001754 anti-pyretic effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002221 antipyretic Substances 0.000 claims 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
Abstract
ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน (SV) ที่ปรับปรุงให้ดีขึ้นจะมีชั้นจะมีชั้นของเฟอร์โพรแมกเนติกของมันที่เป็นอิสระในรูปของบริเวณที่ว่องไวตรงกลางที่มีขอบที่กำหนดขึ้นและบริเวณปลายที่แนบชิดและติดต่อกับขอบของบริเวณที่ว่องไวตรงกลาง ชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเมติก อย่างที่เลือกใช้เป็นโลหะเจือของนิเกิล-แมงกานีส (Ni-Mn)จะให้ก่อรูปอยู่บนและในลักษณะสัมผัสกับวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกในบริเวณปลายสำหรับการเชื่อมต่อแบบสับเปลี่ยนกับบริเวณปลาย เพื่อจัดให้มีการไบแอสอำนาจแม่เหล็กของมันตามแนวยาว ชั้นของเฟอร์โรแมกเมติกที่ถูกยึดตรึงในชิ้นส่วนแบบ SV จะได้รับการยึดตรึงโดยการเชื่อมต่อแบบสับเปลี่ยนกับชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่แตกต่างกัน,อย่างที่เลือกใช้เป็นโลหะ เจือของเหล็ก-แมงกานีส วัสดุเช่นนี้มีอุณหภูมิที่แตกต่างจากอุณหภูมินีลของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกบนบริเวณปลายกระบวนการสำหรับการสร้างชิ้นส่วนแบบ SV ประกอบด้วยการให้ความร้อนไปถึงอุณหภูมิที่กำหนดไว้ก่อนแล้วซึ่งแตกต่างกันในกรณีที่มีการประยุกต์ใช้สนามแม่เหล็กเพื่อจัดทิศทางอำนาจแม่เหล็กของชั้นอิสระและชิ้นที่ถูกยึดตรึงให้อยู่ในทิศทางที่เหมาะสม ชิ้นส่วนแบบ SV สามารถจะให้เป็นตัวรับรู้สำหรับอ่านข้อมูลในระบบสำหรับการบันทึกแบบแม่ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน (SV) ที่ปรับปรุงให้ดีขึ้นจะมีชั้นจะมีชั้นของเฟอร์โพรแมกเนติกของมันที่เป็นอิสระในรูปของบริเวณที่ว่องไวตรงกลางที่มีขอบที่กำหนดขึ้นและบริเวณปลายที่แนบชิดและติดต่อกับขอบของบริเวณที่ว่องไวตรงกลาง ชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเมติก อย่างที่เลือกใช้เป็นโลหะเจือของนิเกิล-แมงกานีสจะให้ก่อรูปอยู่บนและในลักษณะสัมผัสกับวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกในบริเวณปลายสำหรับการเชื่อมต่อแบบสับเปลี่ยนกับบริเวณปลาย เพื่อจัดให้มีการไบแอสอำนาจแม่เหล็กของมันตามแนวยาว ชั้นของเฟอร์โรแมกเมติกที่ถูกยึดตรึงในชิ้นส่วนแบบ SV จะได้รับการยึดตรึงโดยการเชื่อมต่อแบบสับเปลี่ยนกับชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่แตกต่างกัน,อย่างที่เลือกใช้เป็นโลหะ เจือของเหล็ก-แมงกานีส วัสดุเช่นนี้มีอุณหภูมิที่แตกต่างจากอุณหภูมินีลของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกบนบริเวณปลายกระบวนการสำหรับการสร้างชิ้นส่วนแบบ SV ประกอบด้วยการให้ความร้อนไปถึงอุณหภูมิที่กำหนดไว้ก่อนแล้วซึ่งแตกต่างกันในกรณีที่มีการประยุกต์ใช้สนามแม่เหล็กเพื่อจัดทิศทางอำนาจแม่เหล็กของชั้นอิสระและชิ้นที่ถูกยึดตรึงให้อยู่ในทิศทางที่เหมาะสม ชิ้นส่วนแบบ SV สามารถจะให้เป็นตัวรับรู้สำหรับอ่านข้อมูลในระบบสำหรับการบันทึกแบบแม่เหล็ก
Claims (9)
1. ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน ประกอบด้วย : ฐานรอง; โครงสร้างที่เป็นชั้นไวงานตรงกลางที่ก่อรูปไว้บนฐานรอง และประกอบด้วย: ชั้นอิสระที่เป็นวัสดุเฟอร์โรแมกเมติกบริเวณไวงานตรงกลางซึ่งมีการจัดทิศทางอำนาจแม่เหล็กในกรณีที่ไม่มีการประยุกต์ใช้สนามแม่เหล็ก ชั้นเสริมความหนาที่เป็นโลหะซึ่งไม่เป็นแม่เหล็กที่วางชิดและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกอิสระ, ชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึงที่วางชิดและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายกับชั้นเสริมความหนาและมีอำนาจแม่เหล็กที่จัดทิศทางทำมุมขนาดหนึ่งกับอำนาจแม่เหล็กของบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกอิสระ, และชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบชนิดที่หนึ่งที่ก่อรูปไว้ชิดและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึงเพื่อทำการยึดตรึงอำนาจแม่เหล็กของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึง, บริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระ, ชั้นเสริมความหนา, ชั้นที่ถูกยึดตรึง, และชั้นวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่หนึ่งซึ่งมีความกว้างเท่ากันและขอบด้านข้างร่วมกัน; และ โครงสร้างที่เป็นชั้นของบริเวณปลายสำหรับการไบแอสตามยาวที่ก่อรูปไว้บนฐานรองซึ่งค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับขอบด้านข้างของโครงสร้างที่เป็นชั้นไวงานตรงกลางและประกอบด้วย: ชั้นของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลายซึ่งค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับขอบด้านข้างของบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระ และชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบชนิดที่สองซึ่งมีองค์ประกอบแตกต่างจากองค์ประกอบของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกชนิดแบบที่หนึ่งกล่าวมาแล้ว และจะให้ก่อรูปอยู่บนและในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับชั้นของเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลายที่กล่าวมาแล้วสำหรับการไบแอสแบบสับเปลี่ยนอำนาจแม่เหล็กตามแนวยาวในชั้นเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลาย
2. ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่สองจะให้ก่อรูปขึ้นจากโลหะผสมซึ่งประกอบด้วยนิเกิลกับแมงกานีส
3. ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 2 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่หนึ่งจะให้ก่อรูปขึ้นจากโลหะผสมซึ่งประกอบด้วยนิเกิลกับแมงกานีส
4. ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่สองจะค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทิศทางกายภาพกับของด้านข้างของบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระ
5. ชิ้นส่วนซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุนตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกในบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระมีองค์ประกอบแตกต่างจากองค์ประกอบของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกในชั้นของเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลาย
6. ระบบของหน่วยกับข้อมูลแม่เหล็ก จะประกอบด้วย : ตัวกลางหน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็กซึ่งมีร่องกลุ่มหนึ่งเพื่อทำการบันทึกข้อมูล; ตัวแปลงแบบแม่เหล็กที่ทำให้คงสภาพที่อยู่ใกล้กับตัวกลางหน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็กในระหว่างการเคลื่อนที่สัมพันธ์ระหว่างตัวแปลงแม่เหล็กกับตัวกลางหน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็ก,ตัวแปลงแบบแม่เหล็กประกอบด้วยตัวรับรู้ซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน ซึ่งประกอบด้วย (a)ฐานรอง; (b) โครงสร้างที่เป็นชั้นไวงานตรงกลางที่ก่อรูปไว้บนฐานรองและประกอบด้วยชั้นอิสระของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณไวงานตรงกลางซึ่งมีการจัดทิศทางของอำนาจแม่เหล็กในกรณีที่ไม่มีการประยุกต์ใช้สนามแม่เหล็ก, ชั้นเสริมความหนาที่เป็นโลหะซึ่งไม่เป็นแม่เหล็กอยู่ชิดและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกอิสระ, ชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึงอยู่ชิดและในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับช้นเสริมความหนาและมีอำนาจแม่เหล็กที่จัดทิศทางให้ทำมุมขนาดหนึ่งกับอำนาจแม่เหล็กของบริเวณไวตรงกลางของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกอิสระ และชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบชนิดที่หนึ่งที่ก่อรูปไว้ชิดและในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึงเพื่อทำการยึดตรึงอำนาจแม่เหล็กของชั้นเฟอร์โรแมกเนติกที่ถูกยึดตรึง, บริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระ, ชั้นเสริมความหนา, ชีนที่ถูกยึดตรึงและชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่หนึ่งซึ่งมีความกว้างเท่ากับและขอบด้านข้างร่วมกัน และ (c) โครงสร้างที่เป็นชั้นของบริเวณปลายสำหรับการไบแอสตามแนวยาวที่ก่อรูปไว้บนฐานรองซึ่งค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับขอบด้านข้างของโครงสร้างที่เป็นชั้นไวงานตรงกลางและประกอบด้วยชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลายซึ่งค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับขอบด้านข้างของบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระและชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบชนิดที่สองซึ่งมีองค์ประกอบแตกต่างจากองค์ประกอบของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบชนิดที่หนึ่งที่กล่าวมาแล้ว และให้ก่อรูปอยู่บนและในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับชั้นของเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลายที่กล่าวมาแล้วเพื่อการไบแอสแบบสับเปลี่ยนอำนาจแม่เหล็กตามแนวยาวในชั้นของวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกบริเวณปลาย; และ อุปกรณ์ที่เชื่อมต่อกับตัวรับรู้ซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กเพื่อทำการตรวจหาการเปลี่ยนแปลงความต้านทานในตัวรับรู้ซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็กตอบสนองกับสนามแม่เหล็กซึ่งแทนบิตข้อมูลที่บันทึกไว้ในตัวหน่วยกลางหน่วยเก็บข้อมูลแม่เหล็กที่ดักจับไว้โดยตัวรับรู้ซึ่งเปลี่ยนแปลงความต้านทานด้วยแม่เหล็ก
7. ระบบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่สองจะให้ก่อรูปจากโลหะผสมซึ่งประกอบด้วยนิเกิลกับแมงกานีส
8. ระบบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ในที่นี้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกจะค้ำยันและอยู่ในลักษณะสัมผัสทางกายภาพกับขอบด้านข้างของบริเวณไวงานตรงกลางของชั้นอิสระ
9. ระบบตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ในที่นี้องค์ประกอบของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกในบริเวณไวงานตรงกลางจะแตกต่างจากองค์ประกอบของวัสดุเฟอร์โรแมกเนติกในชั้นของเฟอร์โรแมกเนติกที่ปลาย
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH21620A true TH21620A (th) | 1996-11-05 |
| TH7796B TH7796B (th) | 1998-03-05 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tumanski | Thin film magnetoresistive sensors | |
| US6844202B2 (en) | High efficiency magnetic sensor for magnetic particles | |
| MY113475A (en) | Spin valve magnetoresistive sensor with free layer exchange biasing, process for making the sensor, and magnetic recording system using the sensor | |
| KR0175984B1 (ko) | 스핀 밸브 자기저항 소자, 스핀 밸브 자기저항 센서, 자기저장 시스템 및 자기기록 디스크 드라이브 | |
| US7248045B2 (en) | Magnetic sensing device, method of forming the same, magnetic sensor, and ammeter | |
| KR960705187A (ko) | 자기저항성 선형 변위센서, 각 변위센서 및, 가변저항 | |
| JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| CN1062425A (zh) | 基于自旋阀效应的磁致电阻传感器 | |
| MY110737A (en) | Current biased magnetoresistive spin valve sensor | |
| JPH01119913A (ja) | 磁気読取り変換器 | |
| EP1589594B1 (en) | Cpp-type giant magnetoresistance effect element and magnetic component and magnetic device using it | |
| JP2002353535A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ | |
| JP4756868B2 (ja) | 検出方法 | |
| US7204013B2 (en) | Method of manufacturing a magnetoresistive sensor | |
| Djamal | Development of sensors based on giant magnetoresistance material | |
| JP2933841B2 (ja) | 情報記録媒体、情報記録・再生方法および情報記録・再生装置 | |
| TH21620A (th) | ||
| US7651871B2 (en) | Device for forming magnetic well for nanoparticles | |
| Brückl et al. | Magnetoresistive logic and biochip | |
| EP0763748A3 (en) | Magnetoresistive element having large low field magnetoresistance | |
| US5754516A (en) | Microstylus recording device covered by a magnetoresistive multilayer | |
| KR960706064A (ko) | 자기신호 검출장치(magnetic signal detection apparatus) | |
| JPH07297465A (ja) | 絶縁ピン留め層を備えた巨大磁気抵抗センサ | |
| JPS6040197B2 (ja) | 磁電変換装置 | |
| JPH0448175B2 (th) |