Claims (9)
1. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การทำให้พื้นผิวของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน. ดังนั้นจึงขจัดอะตอม ไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดยวิธี การสะสมไอทางเคมี (CVD) และการกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มโลหะดังกล่าวโดยการใช้ วัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเป็นมาสก์ 2. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การสร้างฟิล์มสารกึ่งตัวนำบนวัสดุฐานรองซึ่งมีพื้นผิวกั้นฉนวน การทำให้พื้นผิวของฟิล์มสารกึ่งตัวนำดังกล่าวได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็คตรอน , ดังนั้นจึงขจัดอะตอม ไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดย วิธีการสะสมไอทางเคมี (CVD) และ การกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการและพื้นผิวของพื้นผิวกั้นฉนวนดังกล่าวซึ่งอยู่ใต้ฟิล์มโลหะ ดังกล่าวโดยใช้บริเวณที่ต้องการเป็นมาสก์ 3. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่การกระทำต่อพื้นผิว ดังกล่าวถูกกระทำโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก 4. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูก สร้างโดยการสะสมไอทางเคมีที่ดำเนินการโดยการใช้สารประกอบโลหะออร์แกนิคเป็นวัตถุดิบ 5. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูก สร้างโดยการสะสมไอทางเคมีโดยใช้อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 6. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่การกัดกร่อนดังกล่าวคือ การกัดกร่อนแบบแอนไอโซโทรปิค 7. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ฟิล์มโลหะดังกล่าว ถูกสร้างโดยการสะสมไอทางเคมีโดยใช้ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 8. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่การกัดกร่อนทำให้เกิดร่องที่บริเวณที่ต้องการ ของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำ 9. วิธีการสร้างแบบรูปซึ่งประกอบรวมด้วย การสะสมฟิล์มบางบนวัสดุฐานรองที่ยอมให้แสงผ่าน การทำให้พื้นผิวของฟิล์มบางดังกล่าวได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้อะตอม ไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวของฟิล์มบางดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน, ดังนั้นจึงขจัดอะตอมไฮโดรเจนที่ให้ไปยังบริเวณที่ต้องการ การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบนบริเวณที่ไม่ถูกฉายรังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการโดยวิธี การสะสมไอทางเคมี(CVD) การกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มบางดังกล่าวโดยการใช้ฟิล์มโลหะดังกล่าวเป็นมาสก์ และการเปลี่ยนแปลงฟิล์มบางดังกล่าวไปเป็นฟิล์มโปร่งใสโดยการออกซิเดชั่น 1 0. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวจะถูกขจัดออกหลังจาก เสร็จสิ้นการกัดกร่อนบริเวณที่ต้องการของฟิล์มบางดังกล่าว 1 1. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่วัสดุฐานรองที่ยอมให้แสงผ่านดังกล่าว ประกอบรวมด้วยควอทซ์ 1 2. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยซิลิคอนเป็น ส่วนใหญ่ 1 3. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวประกอบด้วยอลูมินัมเป็น ส่วนใหญ่ 1 4. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีที่ถูกดำเนินการโดยใช้สารประกอบโลหะออร์แกนิก 1 5. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีโดยใช้อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 1 6. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มโลหะดังกล่าวถูกสร้างโดยการสะสมไอ ทางเคมีโดยใช้ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 1 7. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่การกระทำต่อพื้นผิวดังกล่าวประกอบรวม ด้วยขั้นตอนการล้างซึ่งใช้แก็สซึ่งมีอะตอมฟลูออรีนหรือสารละลายเอเควียสของกรดไฮโดรฟลูออริก, ขั้นตอนการล้างซึ่งใช้น้ำบริสุทธิ์, และขั้นตอนการทำให้แห้ง 1 8. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มกรองแสงอย่างบางดังกล่าวประกอบ รวมด้วยฟิล์มจำนวนหนึ่ง 1 9. วิธีการสร้างแบบรูปตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ฟิล์มกรองแสงอย่างบางดังกล่าวประกอบ รวมด้วยฟิล์มจำนวนหนึ่ง,ฟิล์มชั้นบนสุดของฟิล์มดังกล่าวประกอบด้วยซิลิคอนเป็นส่วนใหญ่ 2 0. วิธีการของการประกอบสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วยการประกอบสร้าง อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโดยการใช้วิธีการสร้างแบบรูปดังที่ได้บรรยายในข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ ข้อที่ 1,2 หรือ 9 21. a method for creating a pattern, which includes The surface treatment of the semiconductor substrate has been applied to the surface for the dosing. Hydrogen atom Irradiation of a desired area of such a surface with an electron beam. Therefore eliminating atoms Hydrogen to the desired area Transmission of the substrate material into the atmosphere Selection of metal film on non-irradiated areas other than the desired area by means of Chemical vapor deposition (CVD) and desired area corrosion of the metal film by the use of The aforementioned semiconductor substrate material is a mask 2. A method for creating a pattern, which includes Creating a semiconductor film on the substrate with an insulating barrier surface. The surface treatment of such semiconductor films has been applied to the surface for giving Hydrogen atom Irradiation of the desired area of the surface with an electron beam, thus removing atoms Hydrogen to the desired area Transmission of the substrate material into the atmosphere Selection of metal film on non-irradiated areas other than those required by Chemical vapor deposition (CVD) method and corrosion of the required area and surface of the insulating barrier substrate located under the metal film. Using the desired area as a mask 3. A method for creating a pattern according to claim 1 or 2, one of which acts on the surface. Such action was done using hydrofluoric acid. 4. Method for forming a pattern according to claim 1 or 2, any one of the above metal films was It was created by chemical vapor deposition performed by using organic metal compounds as raw materials. 5. A pattern formation method according to claim 1 or 2, any one of the above metal films is applied. It is formed by chemical vapor deposition using alkyl aluminum hydride 6. Method for forming a pattern according to claim 1 or 2, one of the above corrosions is Anisotropic corrosion 7. Method for creating a pattern according to claim 1 or 2, any one of the above metal films It was formed by chemical vapor deposition using dimethyl aluminum hydride. 8. A pattern formation method according to claim 1 where corrosion caused furrows at the desired area. Of the semiconductor substrate 9. A method for creating a pattern, which includes Thin film deposition on a substrate that allows light to pass through. The surface treatment of such a thin film is performed on the surface for hydrogen atomization, irradiated the desired area of such surface of the thin film with an electron beam, thus eliminating the given hydrogen atoms to Desired area Transmission of the substrate material into the atmosphere Selection of metal film on non-irradiated areas other than the desired area by means of Chemical Vapor Deposition (CVD) Corrosion to the desired area of such a thin film by the use of such a metal film as a mask. And the transformation of such thin films to transparent films by oxidation 1 0. Method for forming a pattern according to claim 9 where such metal film is removed after Finish corrosion on the desired area of the thin film 1 1. Method for creating a pattern according to claim 9, where the substrate material that allows light to pass through the substrate. Including quartz 1. 2. Method of pattern formation according to claim 9, where the metal film is mainly composed of silicon 1 3. Method of pattern formation according to claim 9 at the aforementioned metal film. It consists mainly of aluminum. 1 4. Method of forming a pattern according to claim 9, where such a metal film is formed by vapor deposition. The chemistry was carried out using organic metal compounds. 1. 5. Method for forming a pattern according to claim 9, where such metal films were formed by vapor deposition. Chemically using alkyl aluminum hydride 1 6. Method for forming a pattern according to claim 9, where such metal films are formed by vapor deposition. Chemically using dimethyl aluminum hydride 1 7. Method for forming a pattern according to claim 9, where action on such surfaces is included. With a washing process using a gas containing fluorine atoms or hydrofluoric acid aquias solution, a rinsing process using pure water, and a drying step 1 8. Method of formation Form according to claim No. 9 that some of the aforementioned optical film Including a number of films 1 9. Method for creating a pattern according to claim No. 9 that some of the aforementioned optical film Combined with a number of films, the top layer of the film consists mainly of silicon. 2 0. Methods of assembly of semiconductor devices, which are assembled by fabrication. A semiconductor device, using the model construction method described in either of the clauses 1,2 or 9 2.
1. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ซึ่งประกอบรวมด้วย การทำให้พื้นผิวของวัสดุฐานรองสารกึ่งตัวนำได้รับการกระทำต่อพื้นผิวสำหรับการให้ อะตอมไฮโดรเจน การฉายรังสีบริเวณที่ต้องการของพื้นผิวดังกล่าวด้วยลำอิเล็กตรอน การส่งวัสดุฐานรองดังกล่าวไปสู่บรรยากาศ การเลือกสร้างฟิล์มโลหะบางที่มีความหนา 0.09 ถึง 0.5 ไมโครเมตรบนบริเวณที่ไม่ถูกฉาย รังสีนอกเหนือจากบริเวณที่ต้องการ และ การทำให้ฟิล์มโลหะบางดังกล่าวผ่านการออกซิเดชั่นเพื่อเปลี่ยนมันเป็นฟิล์มบางที่ยอมให้ แสงผ่าน 21. Methods of photomask preparation, which include The surface treatment of the semiconductor substrate has been applied to the surface for the dosing. Hydrogen atom Irradiation of the desired area of the surface with the electron beam. Transmission of the substrate material into the atmosphere Selection to create a thin metal film with a thickness of 0.09 to 0.5 μm on the unshaded area. Radiation beyond the desired area and the oxidation of the thin metal film to transform it into a thin film that allows light to pass through 2
2. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่การกระทำต่อพื้นผิวดังกล่าว ถูกกระทำโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก 22. Method of photomask preparation according to claim 21, where action on such surface It was treated using hydrofluoric acid 2.
3. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางดังกล่าว ประกอบ รวมด้วย อลูมินัม 23. Method of photomask preparation according to claim 21, where the thin film consists of aluminum 2.
4. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่วัสดุฐานรองดังกล่าวคือวัสดุ ฐานรองที่ยอมให้แสงผ่านที่มีฟิล์มกรองแสงที่ถูกสร้างบนพื้นผิวของมัน 24. Method of photomask preparation according to claim 21, where the substrate material is material. A base that allows light to pass through with a tint film created on its surface.
5. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางดังกล่าวถูกสร้างโดย การสะสมไอทางเคมี 25. Method of photomask preparation according to claim 21, where such thin films are produced by Chemical vapor deposition 2
6. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 25 ที่การสะสมไอทางเคมีดังกล่าว ถูกดำเนินการโดยการใช้สารประกอบ โลหะออร์แกนิกเป็นวัตถุดิบ 26. Method of photomask preparation according to claim 25 at such chemical vapor deposition. Was performed using the compound Organic metal as raw material 2
7. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 26 ที่สารประกอบโลหะออร์แกนิก ดังกล่าวประกอบรวมด้วย อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ 27. Method of photomask preparation according to claim 26 at organic metal compounds. Such includes Alkyl Aluminum Hydride 2
8. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 27 ที่ไดเมธิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ อัลคิลอลูมิเนียมไฮไดรด์ ดังกล่าว 28. Method of photomask preparation according to claim 27 at dimethyl aluminum hydride. Alkyl aluminum hydride as mentioned 2
9. วิธีการของการเตรียมโฟโตมาสก์ตามข้อถือสิทธิข้อที่ 21 ที่ฟิล์มบางที่ยอมให้แสงผ่าน ดังกล่าวคือ อลูมิเนียมออกไซด์9. The method of photomask preparation according to claim 21, where the thin film allowing light to pass through, is aluminum oxide.