Claims (6)
1. วิธีการผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าจากผิวหน้าแรกของชิพสารกึ่งตัวนำกับฐานรอง ติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นซึ่งไม่ด้แข็งตัวเต็มที่ ระหว่างผิวที่สองของแผ่นชิพสารกึ่งตัว นำและตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและชิพเข้าไปด้วยกัน และ ให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น 2. วิธีตามข้ถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของกาเรกาะติดอ๊พ๊อกซี่ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแกว้น้อยกว่า 25 องศาเซลเซียส และค่า ยังโมดูลัสน้อยกว่า 100,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 3. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 10 องศาเซลเซียส 4. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 0 องศาเซลเซียส 5. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นด้วยค่ายังโมดูลัสน้อยกว่า 50,000 Psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 6. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิน้อยกว่า 20,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 7. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่-ยืดหยุ่นด้วยวัสดุคุณสมบัติ หรือ สูตรเหมือนเทคโนโลยี AIEG 7655 8. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซียืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นวัสดุคุณสมบัติ หรือ สูตรเหมือนกับ ABLE BOND ตาม PI - 8971 9. วิธีการผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าจากผิวหน้าแรกของชิพกึ่งตัวนำกับฐานรอง การเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ อยู่ระหว่างผิวสัมผัสที่สอง ของชิพสารกึ่งตัวนำ และผิวหน้าอะลูมิเนียมของโลหะตัวกระจายความร้อน การอัดตัวกระจายความร้อนและชิพเข้าด้วยกัน และให้ความร้อนโมดูลเพื่อให้เกิด การแข็งตัวของอีพ็อกซี่ยืดหยุ่น 1 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการอะโนไดซ์ ผิวหน้า อะลูมิเนียมของแผ่นโลหะระบายความร้อน 1 1. วิธีในการผลิตฟลิกชิพแพคเก็จ ประกอบด้วย วางตำแหน่งฟลิพชิพดสารกึ่งตัวนำลงบนผิวหน้าฐานรองพร้อมกับแท่งพื้นที่ของตัว เชื่อมต่อไฟฟ้าที่ต่ออกจากหน้าประกบด้านแรกของชิพ เพื่อจับเข้ากับแท่งพื้นที่ของตัวเชื่อมต่อบน ตัวฐานรอง ให้ความร้อนทางกล และการเชื่อมต่อระหว่างกันด้วยไฟฟ้าของชิพกับฐานรอง ทำการติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ติดไว้ในระหว่างผิวด้านที่สองของ ชิพ และตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและชิพเข้าด้วยกัน และให้ความร้อนกับแพตเก็จเพื่อให้ เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น 1 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 11 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนการเลือกโลหะระบาย ความร้อน 1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการสร้างฐานรองที่ ยืดหยุ่นของชั้นฟิล์มโลหะที่มีรูปแบบหนึ่งอัน หรือมากกว่า ที่ถูกยึดโดยชั้นฟิล์มไดอิเล็กตริกหนึ่งชั้น หรือมากกว่า ที่แยกชั้นฟิล์มโลหะที่อยู่ใกล้กันของชั้นฟิล์มโลหะที่มีรูปแบบดังกล่าว โดยการเกาะติด แบบสลับกันของชั้นฟิล์มไดอิเล็กตริกดังกล่าวและชั้นฟิล์มโลหะที่มีรูปแบบดังกล่าวบนชั้นเริ่มต้น 1 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 11 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นรวมไป ถึงขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 25 องศาเซลเซียส และค่า ยังโมดูลัสน้อยกว่า 100,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 1 5. วิธีการสำหรับการผลิต โครงสร้างต่อเชื่อมระหว่างกันประกอบไปด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าที่ผิวหน้าแรกของชิพสารกึ่งตัวนำกับฐานรองแรก การเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ให้อยู่ระหว่างผิวด้านที่สองของ ชิพสารกึ่งตัวนำและตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและแผ่นชิพเข้าด้วยกัน เพิ่มระดับอุณหภูมิของโมดูลเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น วางตำแหน่งผิวด้านที่สองของฐานรองแรก ในลักษณะหน้าสัมผัสขนานกับผิวของ ฐานของที่สองที่ใหญ่กว่า และ เชื่อมต่อตัวต่อทางไฟฟ้าของฐานแรก และฐานรองที่สองเข้าด้วยกันเพื่อสร้าง โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกัน 1 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 15 ที่ซึ่งขั้นตอนของการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น รวมเอาขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 25 องศาเซลเซียส และค่ายังโมดูลัสน้อยกว่า 100,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 1 7. วิธีการผลิตโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกัน ประกอบด้วย การติดชิพสารกึ่งตัวนำเข้าที่ตำแหน่งคงที่บนด้านแรกของฐานรองที่หนึ่ง การการเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ให้อยู่ระหว่างตัวกระจาย ความร้อน และผิวบนด้านที่สองของฐานรองแรก การกดอัดตัวกระจายความร้อน และด้านที่สองของฐานรองที่หนึ่งเข้าด้วยกัน การให้ความร้อนกับโมดูลเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น การเชื่อมต่อไฟฟ้าระหว่างหน้าสัมผัสโลหะบนตัวชิพ และหน้าสัมผัสโลหะบนฐาน รองที่สอง 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 17 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการเลือกวัสดุ เซรา มิคสำหรับฐานรองที่หนึ่ง 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 17 ที่ซึ่งขั้นตอนของการองการเกาะติดของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นรวม เอาขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ ยืดหยุ่นที่อุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 25 องศาเซลเซียส และค่า ยังโมดูลัสน้อยกว่า 100,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 2 0. วิธีการสำหรับผลิตระบบจัดการข้อมูล ซึ่งประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าที่ผิวหน้าแรกของชิพสารกึ่งตัวนำ ของหน่วยประมวลผลกลางกับ ฐานรองแรก การติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ในระหว่างผิวหน้าที่สองของชิพสาร กึ่งตัวนำและตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและแผ่นชิพเข้าด้วยกัน เพิ่มระดับอุณหภูมิของโมดูลเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น วางตำแหน่งผิวด้านที่สองของฐานรองแรก ในลักษณะหน้าสัมผัสขนานกับผิวของ ฐานรองที่สองที่ใหญ่กว่า เชื่อมต่อระหว่างส่วนสำหรับเชื่อมต่อไฟฟ้า และทางกลของฐานรองแรก และส่วน ประกอบสำหรับเชื่อมต่อทางไฟฟ้าและทางกลของฐานรองที่สอง เพื่อทำให้เกิกโครงสร้างเชื่อมต่อ ระหว่างกัน เชื่อมต่อโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันด้วยส่วนจ่ายไฟฟ้า และส่วนอินพุท ซเอาท์พุทเพื่อทำให้เกิดระบบจัดการข้อมูล 2 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 20 ที่ซึ่งขั้นตอนของการติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นรวมเอา ขั้น ตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่นด้วยอุณหภูมิสภาพแก้วน้อยกว่า 25 องศาเซลเซียส และค่ายัง โมดูลัส น้อยกว่า 100,000 psi ที่ 25 องศาเซลเซียส 2 2. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ยังรวมต่อไปถึงขั้นตอนของการเลือกอะลูมิเนียมสำหรับ ผิวหน้าของตัวกระจายความร้อน 2 3. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งตัวกระจายความร้อนรวมถึงอะลูมิเนีม และยังรวม ต่อไปถึงขั้นตอนของการอะโนไดซ์ เพื่อสร้างผิวหน้าอะลิมูเนียมที่ถูกอะโนไดซ์ของตัวกระจายความ ร้อน 2 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งตัวกระจายความร้อนรวมถึงอะลูมิเนียม และยังรวม ต่อไปถึงขั้นตอน ของการสร้างบนผิวหน้าอะลูมิเนียมของตัวกระจายความร้อนด้วยผิวเคลือบของ สารเปลี่ยนโครเมท 2 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 รวมต่อไปถภึงการจัดให้มีทองแดงสำหรับตัวกระจายความ ร้อน 2 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 25 รวมต่อไปภถึงขั้นตอนของการเคลือบทองแดงด้วยนิเกิ้ล เพื่อสร้างผิวหน้าของตัวกระจายความร้อน 2 7. วิธีการสำหรับผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย เชื่อมต่อผิวหน้าที่หนึ่งของชิพสารกึ่งตัวนำกับฐานรอง การติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ในอยู่ระหว่างผิวด้านที่สองของชิพสาร กึ่งตัวนำและผิวหน้าของตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและแผ่นชิพเข้าด้วยกัน การิตดอีพ็อกซี่ตัวอื่นกับผิวหน้าที่ไม่ถูกครอบครอง โดยอีพ็อกซี่ยืดหยุ่น ดังกล่าว ระหว่างตัวกระจายความร้อนและฐานรอง และ การให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ็อกซี่ยืดหยุ่น 2 8. วิธีการสำหรับผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าผิวสัมผัสที่หนึ่งของชิพสารกึ่งตัวนำกับฐานรอง การเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ให้อยู่ระหว่างผิวด้านที่สองของ ชิพสารกึ่งตัวนำ และตัวหน้าของตัวกระจายความร้อนของโลหะที่รวมถึงทองแดง กดอัดตัวกระจายความร้อนและแผ่นชิพเข้าด้วยกัน และ การให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ็อกซี่ยืดหยุ่น 2 9. วิธีการสำหรับผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าที่ผิวด้านที่หนึ่ง ของชิพสารกึ่งตัวนำกับชั้นขดลวดด้านบนของฐาน รอง การติดสายวงจรชนิด J กับขอบของฐานรอง การเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ในระหว่างผิวด้านที่สองของ ชิพสารกึ่งตัวนำและตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อน และแผ่นชิพเข้าด้วยกัน และ การให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ็อกซี่ยืดหยุ่น 3 0. วิธีการสำหรับผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การเชื่อมต่อไฟฟ้าผิวหน้าหลักที่หนึ่ง ของชิพสารกึ่งตัวนำกับแผ่นผิวสัมผัสของ ฐานรอง การทำปลอกหุ้มช่องว่างระหว่างผิวด้านที่หนึ่งของแผ่นชิพ และ ผิวของฐานรอง รอบๆ การเชื่อมต่อไฟฟ้ากับอีพ๊อกซ๊ที่หนึ่ง การเกาะติดผิวเคลือบที่สอดคล้องกันขชองอีพ๊อกซีที่สอง ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ บน ผิวของฐานรองรอบตัวชิพ สารเคลือบอีพ๊อกซี่ที่สองมีความหนาประมาณเท่ากับช่องว่างที่ถูกหุ้ม ปลอกบวกกับความหนาของแผ่นชิพระหว่างผิวด้านที่หนึ่งของแผ่นชิพ และผิวหน้าหลักที่สองของ แผ่นชิพ การทำให้แข้งตัวของอีพ๊อกซี่ที่หนึ่ง และผิวเคลือบที่สอดคล้องกัน ดังกล่าว ของ อีพ๊อกซี่ที่สองดังกล่าว การเกาะติดอีพ๊อกซี่ทมี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ระหว่างผิวด้านที่สองของชิพ สารกึ่งตัวนำและผิวสัมผัสของตัวกระจายความร้อน การเกาะติดอีพ๊อกซี่ที่สาม ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ในปริมาตรระหวางพื้นที่ของผิว หน้าของตัวกระจายความร้อนที่ขยายออกจากผิวด้านที่สองของแผ่นชิพ และผิวเคลือบที่ สอดคล้องกันของอีพ๊อกซีที่สองดังกล่าว กดอัดตัวกระจายความร้อนและฐานรองเข้าด้วยกัน และ การให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น 31. The method of manufacturing a carrier chip module consists of an electrical connection from the first surface of the semiconductor chip to the base. Attach a flexible epoxy that does not fully erect. Between the second surface of the semiconductor chip Led and heat spreader Compress the heat spreader and the chip together and heat to achieve the elastic epoxy coagulation. 2. Method according to claim 1 where the flexible epoxy bonding process is included. go To the process of fixing the elastic epoxy at a temperature of less than 25 ° C and the modulus of less than 100,000 psi at 25 ° C. 3. Method according to claim 1, where the step Epoxy resilient bonding episodes include To the stage of flexible epoxy adhesion at a glass temperature less than 10 ° C 4. Method according to claim 1, where the step of flexible epoxy bonding is included. To the stage of flexible epoxy adhesion at a glass temperature less than 0 ° C 5. Method according to claim 1, where the step of flexible epoxy bonding is included. To the stage of bonding of the elastic epoxy with a young modulus of less than 50,000 Psi at 25 ° C 6. Method according to claim 1, where the flexible epoxy bonding stage Included To the stage of flexible epoxy adhesion at temperatures less than 20,000 psi at 25 ° C. 7. Method according to claim 1, where the flexible epoxy bonding stage is included. To the stage of epoxy-elastic bonding with materials, properties or formulas like AIEG 7655 technology 8. Method according to claim 1, where the epoxy elastic bonding process is included. The material properties or formulas are the same as ABLE BOND, according to PI-8971 9. The method of manufacturing a carrier chip module consists of an electrical connection from the first surface of the semiconductor chip to the base. Adhesion of elastic epoxy, which has not yet fully hardened. In between the second surface Of a semiconductor chip And the aluminum surface of the metal heat spreader Compressing the heat spreader and the chip together And heating the module to achieve Hardening of flexible epoxy 1 0. Method to Claim 9 Following is the process of anodizing the aluminum surface of the cooling sheet 1 1. Method for manufacturing flicks. The package consists of positioning the semiconductor flipchips onto the base surface along with the space bar of the body. Electrical connection that goes from the first splice of the chip To grasp the connector area bar on the base body, mechanically heating And the electrical connection between the chip and the base Perform a flexible epoxy attachment that has not yet fully erected. Stick it in between the second surface of the chip and the heat spreader. Press the heat spreader and the chip together. And heating the package to make The hardening of the elastic epoxy 1 2. Method of claim 11 consists of the selection process of cooling metal 1 3. The method of claim 1 consists of the procedure of Creating a base that The elasticity of one or more formed metallic film layers bonded by one or more dielectric layers separating the adjacent metal film layers of the formed metallic film layers. By sticking The alternation of the aforementioned dielectric film layer and the patterned metal film layer on the initial layer 1 4. Method according to claim 11, where the epoxy adhesion phase Total flexibility To the stage of flexible epoxy adhesion at a glass temperature of less than 25 ° C and a modulus of less than 100,000 psi at 25 ° C, 1 5. Methods for production. Interconnected structures consist of Electrical connection at the first surface of the semiconductor chip to the first substrate. Flexible epoxy bond that has not yet fully hardened. Between the second surface of Semiconductor chips and heat spreader Press the heat spreader and the chip together. Increase the module temperature level to achieve elastic epoxy coagulation. Position the second surface of the first support. In the manner in contact with the surface of the The base of the second larger and connect the electrical connector of the first And the second base together to create Interconnected structures 1 6. Method according to claim 15, where the flexible epoxy bonding process is Incorporates the process of epoxy bonding. Flexibility at glass temperature less than 25 ° C and modulus of less than 100,000 psi at 25 ° C 1 7. Manufacturing method of interconnect structures consists of bonding a semiconductor into a fixed position on the side. First of the first base Flexible epoxy bonding It has not yet fully hardened between the heat spreader and the surface on the second side of the first base. Compression heat spreader And the second side of the first base together Heating the module to achieve elastic epoxy coagulation. Electrical connection between the metal contacts on the chip body. And metal contacts on the second substrate 1 8. Method of claim 17 consists of the procedure for selecting the ceramic material for the first substrate 1 9. Method for claim 17, where Stages of flexible epoxy total bonding Remove the stage of epoxy adhesion Flexibility at glass temperatures less than 25 ° C and modulus of less than 100,000 psi at 25 ° C 2 0. Methods for manufacturing data management systems. Which consists of Electrical connections at the first surface of a semiconductor chip Of the central processor with the first base, flexible epoxy attachment Which has not fully hardened during the second surface of the chip Semi-conductors and heat spouts Press the heat spreader and the chip together. Increase the module temperature level to achieve elastic epoxy coagulation. Position the second surface of the first support. In the manner in contact with the surface of the The larger second base Connection between sections for electrical connections And mechanical of the first substrate and the electrical and mechanical connection components of the second substrate. To make the structures interconnect with each other, connect the structures, which are connected with each other by power supply And the input part 2 1. Method according to claim 20, where the flexible epoxy bonding process incorporates the process of flexible epoxy bonding with a temperature, The glass is less than 25 ° C and the modulus of less than 100,000 psi at 25 ° C 2 2. The method of claim 1 is also included in the selection process for aluminum. Surface of the heat spreader 2 3. Method according to claim 1, where the heat spreader includes aluminium, and also continues to the anodizing process. To create an anodized alumina surface of the heat spreader 2 4. Method according to claim 1, where the heat spreader includes aluminum and continues to step Of building on the aluminum surface of the heat spreader with a coating of Chromate-changing agent 2. 5. Method of claim 1 Including further arrangement of arrangement of copper for heat spreader 2. 6. Method according to claim 25. Of copper coating with nickle 2. A method for manufacturing a carrier chip module consists of connecting one surface of a semiconductor chip to a base. Flexible epoxy attachment Which has not yet fully erected In between the second surface of the chip Semiconductor and surface of heat spreader Press the heat spreader and the chip together. Other epoxy garits with non-occupied surfaces The elastic epoxy is used between the heat spreader and the base and heating to achieve the elastic epoxy hardening. 2 8. The method for manufacturing the carrier chip module consists of a contact surface electrical connection. One of the semiconductor chips with a secondary base. Flexible epoxy bonding Which has not yet fully erected Between the second surface of Semiconductor chip And the front of the heat spreader of metals including copper Press together the heat spreader and the chipboard and heating them to form the flexible epoxy hardening. 2 9. Method for manufacturing the chip carrier module consists of an electrical connection on the first surface. Of the semiconductor chip to the winding layer on top of the substrate, attaching the J-type circuit wire to the edge of the substrate Flexible epoxy bonding Which has not yet fully erected In between the second surface of Semiconductor chips and heat spreader Press the heat spreader. 3 0. Method for manufacturing chip carrier modules consists of first surface electrical connections. Of the semiconductor chip to the substrate contact surface, casing the space between the first surface of the chip and the surface of the substrate around the electrical connection with the first epox. Corresponding coating adhesion of the second epoxy Which has not fully hardened on the surface of the base around the chip The second epoxy coating is approximately the same thickness as the enclosed gap. The casing plus the thickness of the chipboard between the first surface of the chipboard. And the second main surface of the chipboard. And the corresponding coating of the aforementioned second epoxy Flexible epoxy bonding Which has not yet fully erected Between the second surface of the chip Semiconductor and heat spreader contact surface Third epoxy adhesion Which has not yet fully erected In the volume between the areas of the surface The face of the heat spreader extends from the second surface of the chipboard. And coating that Corresponding of the aforementioned second epoxy Compress the heat spreader and the base together and heating to form the elastic epoxy coagulation.
1. วิธีการสำหรับผลิตโมดูลชิพพาหะ ประกอบด้วย การผลิตโดยการเกาะติดอย่างต่อเนื่อง ของฐานรองที่มีด้านหลักสองด้าน ที่มีขั้น สายโลหะที่รวมถึงชั้นสายโลหะด้านนอกที่ขยายบนแต่ละด้านของด้านหลัก โดยลำดับดังกล่าวของ ฐานรอง และซึ่งชั้นสายโลหะด้านนอกดังกล่าวรวมถึงแผ่นเชื่อมต่อบนด้านหลักดังกล่าว และมีการ นำไฟฟ้าผ่านการขยายออกระหว่างด้านหลักสองด้านของฐานรอง และในชั้นสายโลหะอย่างน้อย หนึ่งชั้น ทำให้ตัวนำไฟฟ้าแบบยาวที่ขยายในแนวราบที่ถูกกำหนดโดยชั้นสายโลหะ การเชื่อมต่อไฟฟ้าผิวหน้าด้านแรก ของชิพสารกึ่งตัวนำกับแผ่นเชื่อมต่อบนด้าน หนึ่งของฐานรอง การเกาะติดอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวตัวเต็มที่ระหว่างผิวด้านที่สองของชิพ สารกึ่งตัวนำ และตัวกระจายความร้อน กดอัดตัวกระจายความร้อนและแผ่นชิพเข้าด้วย และ การให้ความร้อนเพื่อให้เกิดการแข็งตัวของอีพ๊อกซี่ยืดหยุ่น 31. A method for manufacturing a carrier chip module consists of production by continuous binding. Of a base with two primary sides with a metal step that includes an outer metal wire layer that extends on each side of the primary side By the above sequence of the substrate and where the outer metal wire layer includes the connecting plates on the primary side, and is conductive through expansion between the two primary sides of the substrate. And in at least one metal wire layer makes a long, horizontally extended conductor defined by the metal cable layer. First surface electrical connection Of a semiconductor chip with a connection plate on the side One of the base Flexible epoxy bonding It has not yet fully hardened between the second surface of the semiconductor chip and the heat spreader. Pressing the heat spreader and chipboard together and heating to form a flexible epoxy solidification.
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 28 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการเคลือบผิว ทองแดงด้วยชั้นที่ปกคลุมด้วยนิเกิ้ล เพื่อสร้างผิวหน้าก่อนการสัมผัสกับแผ่นชิพ 32. The method of claim 28 consists of the process of coating. Copper with a layer covered with nickle To form a surface before contact with the chipboard 3
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการเชื่อมต่อแท่ง ของลูกบอลโลหะบัดกรี เพื่อต่อเชื่อมแผ่นบนด้านตรงข้ามของฐานรองจากการเชื่อมต่อแผ่นชิพ 33. The method of claim 31 consists of the procedure for connecting rods. Of solder balls To connect plates on opposite sides of the base from chipboard connection 3
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 31 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการสร้างโลหะ บัดกรีกระแทกบนแผ่นต่อเชื่อมบนด้านตรงข้ามของฐานรองจากการเชื่อมต่อของแผ่นชิพ 34. The method of claim 31 consists of the process of metal construction. Solder the bump on the connector pad on the opposite side of the pad from the chipboard connection 3.
5. วิธีตามข้อถือสิทธิที่ 31 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการแทรกหมุดเข้าไปใน ฐานรอง เพื่อสร้างช่องการนำไฟฟ้า และซึ่งขยายออกจากด้านของฐานรองที่อยู่ตรงข้ามจากการต่อ เชื่อมของแผ่นชิพ 35. Method according to claim 31 consists of the procedure for inserting pins into the base to create a conduction channel. And which extends from the side of the base opposite the connection 3 chip plate welding
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 30 ประกอบต่อไปด้วยขั้นตอนของการเกาะติดอีพ๊อกซี่ ยืด หยุ่น ซึ่งยังไม่ได้แข็งตัวเต็มที่ ในปริมาตรระหว่างพื้นที่ส่วนใหญ่ของผิวของตัวกระจายความร้อนที่ ขยายออกเหนือิวด้านที่สองของแผ่นชิพ และผิวเคลือบที่สอดคล้องกัน6. The method of claim 30 consists of the process of flexible epoxy bonding, which has not yet fully hardened. In volume between most of the surface area of the heat spreader where Extend above the second side of the chip. And the corresponding coating