TH16920B - ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจากวัสดุนาโนที่มีขั้วไฟฟ้าเกตบนชิป - Google Patents
ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจากวัสดุนาโนที่มีขั้วไฟฟ้าเกตบนชิปInfo
- Publication number
- TH16920B TH16920B TH9501001973A TH9501001973A TH16920B TH 16920 B TH16920 B TH 16920B TH 9501001973 A TH9501001973 A TH 9501001973A TH 9501001973 A TH9501001973 A TH 9501001973A TH 16920 B TH16920 B TH 16920B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- electrode
- electric field
- field transistor
- sensor chip
- source electrode
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract 35
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title abstract 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 11
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 6
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 claims 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 6
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims 5
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 4
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- -1 palladium metals Chemical class 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
Abstract
------01/11/2562------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้มีเกี่ยวข้องกับการสร้างชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจากวัสดุนาโนที่มีขั้วไฟฟ้าเกตบนชิป โดยมีลักษณะเฉพาะคือ ที่ประกอบด้วย 1) แผ่นฐานที่มีพื้นผิวที่เป็นฉนวนไฟฟ้า 2) ขั้วไฟฟ้าเดรน 3)ขั้วไฟฟ้าซอร์ส 4) แชนแนลหรือช่องทางการไหลของกระแสไฟฟ้า ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรนและขั้วไฟฟ้าซอร์ส 5) ขั้วไฟฟ้าเกต ที่ซึ่งขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส ขั้วไฟฟ้าเกตสร้างบนแผ่นฐาน และ 6) ชั้นฉนวน ที่ซึ่งคลุมบริเวณขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส หรือขั้วไฟฟ้าเกต บริเวณที่สัมผัสกับสารละลายระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย นอกจากนั้นชิปเซ็นเซอร์ดังกล่าวอาจประกอบเพิ่มเติมด้วย ชั้นประสาน ที่อยู่ระหว่างผิวหน้าของแผ่นฐานและขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส หรือขั้วไฟฟ้าเกต ซึ่งการใช้งานขั้วไฟฟ้าเกตบนชิปที่ได้ทำการพัฒนาตามการประดิษฐ์นี้ เพื่อทดแทนการใช้งานขั้วไฟฟ้าเกตภายนอกอันทำให้เซ็นเซอร์สามารถมีขนาดกระทัดรัด ช่วยลดขนาดของแหล่งจ่ายศักย์ไฟฟ้า ช่วยลดจำนวนอุปกรณ์ต่อพ่วงภายนอก ซึ่งมีผลต่อการใช้งานที่ง่ายและพกพาได้สะดวก โลหะที่ใช้สร้างขั้วไฟฟ้าเกตเป็นชนิดเดียวกับขั้วไฟฟ้าซอร์สและขั้วไฟฟ้าเดรน ทำให้สามารถลดขั้นตอนในการสร้างทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า อันนำไปสู่การลดต้นทุนในการสร้างเซ็นเซอร์นอกจากนี้ขั้วไฟฟ้าเกต ขั้วไฟฟ้าซอร์ส และขั้วไฟฟ้าเดรนมีชั้นฉนวนคลุมเพื่อป้องกันการเกิดกระแสรั่วไหลได้ในระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย ซึ่งจะส่งผลให้ค่าผลตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงจำนวนโมเลกุลเป้าหมายมีความถูกต้องแม่นยำมากขึ้น เซ็นเซอร์ที่มีโครงสร้างตามการประดิษฐ์นี้สามารถนำไปใช้ประโยชน์ทางการแพทย์ การเกษตร และอุตสาหกรรม ------------ หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้มีเกี่ยวข้องกับการสร้างชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจากวัสดุนาโนที่มีขั้วไฟฟ้า เกตบนชิป โดยมีลักษณะเฉพาะคือ ที่ประกอบด้วย 1) แผ่นฐานที่มีพื้นผิวที่เป็นฉนวนไฟฟ้า 2) ขั้วไฟฟ้าเดรน 3) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส 4) แชนแนลหรือช่องทางการไหลของกระแสไฟฟ้า ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรนและขั้วไฟฟ้า ซอร์ส 5) ขั้วไฟฟ้าเกต ที่ซึ่งขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส ขั้วไฟฟ้าเกตสร้างบนแผ่นฐาน และ 6) ชั้นฉนวน ที่ ซึ่งคลุมบริเวณขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส หรือขั้วไฟฟ้าเกต บริเวณที่สัมผัสกับสารละลายระหว่างการ ตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย นอกจากนั้นชิปเซ็นเซอร์ดังกล่าวอาจประกอบเพิ่มเติมด้วย ชั้นประสาน ที่อยู่ระหว่าง ผิวหน้าของแผ่นฐานและขั้วไฟฟ้าเดรน ขั้วไฟฟ้าซอร์ส หรือขั้วไฟฟ้าเกต ซึ่งการใช้งานขั้วไฟฟ้าเกตบนชิปที่ได้ ทำการพัฒนาตามการประดิษฐ์นี้ เพื่อทดแทนการใช้งานขั้วไฟฟ้าเกตภายนอกอันทำให้เซ็นเซอร์สามารถมีขนาด กระทัดรัด ช่วยลดขนาดของแหล่งจ่ายศักย์ไฟฟ้า ช่วยลดจำนวนอุปกรณ์ต่อพ่วงภายนอก ซึ่งมีผลต่อการใช้งานที่ ง่ายและพกพาได้สะดวก โลหะที่ใช้สร้างขั้วไฟฟ้าเกตเป็นชนิดเดียวกับขั้วไฟฟ้าซอร์สและขั้วไฟฟ้าเดรน ทำให้ สามารถลดขั้นตอนในการสร้างทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า อันนำไปสู่การลดต้นทุนในการสร้างเซ็นเซอร์ นอกจากนี้ขั้วไฟฟ้าเกต ขั้วไฟฟ้าซอร์ส และขั้วไฟฟ้าเดรนมีชั้นฉนวนคลุมเพื่อป้องกันการเกิดกระแสรั่วไหลได้ ในระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเฟ้าหมาย ซึ่งจะส่งผลให้ค่าผลตอบสนองต่อการเปลี่ยนแปลงจำนวนโมเลกุล เป้าหมายมีความถูกต้องแม่นยำมากขึ้น เซ็นเซอร์ที่มีโครงสร้างตามการประ ดิษฐ์นี้สามารถนำไปใช้ประโยชน์ ทางการแพทย์การเกษตร และอุตสาหกรรม
Claims (9)
1. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย มีลำดับชั้นดังนี้ ก. แผ่นฐาน (100) มีพื้นผิวหน้าเป็นฉนวนไฟฟ้า (102) ข. ขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ค. ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ง. แชนแนล (106) หรือช่องทางเดินกระแส ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรน (103) และขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) ดังกล่าว ที่ซึ่งแชนแนล (106) เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำ จ. ขั้วไฟฟ้าเกต (105) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ฉ. ชั้นฉนวน (108) ที่คลุมที่ขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) เพื่อลดกระแสรั่วในสารละลายจากชั้นโลหะที่นำไฟฟ้าในบริเวณที่สัมผัสกับ สารละลายระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย
2. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อาจประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้น ประสาน (107) ที่อยู่ระหว่างผิวหน้าที่เป็นฉนวนไฟฟ้าของแผ่นฐาน (102) และขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) หรือขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว
3. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ชั้นฉนวน (108) ดังกล่าว เลือกได้ จากกลุ่มที่ประกอบด้วยชั้นออกไซด์ของโลหะที่ง่ายต่อการเกิดกระบวนการออกซิเดชั่น (oxidation) หรือสารพอลิเมอร์ หรือสารกลุ่มไนไตรด์ ที่ซึ่งมีความเป็นฉนวนไฟฟ้าและทนต่อ การกัดกร่อนได้ดี
4. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่ง โลหะที่ง่ายต่อการเกิด กระบวนการออกซิเดชั่น ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วย นิเกิล อลูมิเนียม โครเนียม หรือไททาเนียม
5. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยจาก โลหะที่มีความ เฉื่อยต่อการทำปฏิกิริยาทางเคมี ที่เหมาะสม คือ โลหะมีตระกูล หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า
6. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะทอง แพลตตินัม และพาลาเดียม
7. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 2 ที่ซึ่งขั้นประสาน (107) ดังกล่าวเลือก ได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะนิเกิล โครเนียม หรือ ไททาเนียม
8. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแชนแนล (106) ดังกล่าว ประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งในบรรดาของวัสดุเหล่านี้ คือ ลวดนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่ม ของลวดนาโน, ท่อนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของท่อนาโน, เข็มขัดนาโนจำนวนหนึ่งเส้น หรือกลุ่มของเข็มขัดนาโน และริบบอนนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของริบบอนนาโน
9. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 8 ที่ซึ่งแชนแนล (106) ดังกล่าวมี ผิวหน้าที่เปิดสำหรับยึดติดกับโมเลกุลโพรบสำหรับการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย โดยการติด โมเลกุลโพรบอาจจะกระทำโดยตรงกับส่วนแชนแนลหรือผ่านโมเลกุลเชื่อมโยงที่อยู่บนผิวหน้า ส่วนเปิดของแชนแนลก็ได้1
0. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 9 ที่ซึ่งโมเลกุลโพรบดังกล่าว มี ความจำเพาะเจาะจงกับโมเลกุลเป้าหมาย โดยโมเลกุลโพรบจะประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งใน บรรดาโมเลกุลเหล่านี้ คือ แอนติบอดี้, โปรตีน, สายตีเอ็นเอ, สายอาร์เอ็นเอ และโมเลกุลเคมี และ โมเลกุลเป้าหมายจะประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งในบรรดาโมเลกุลเหล่านี้ คือ แอนติบอดี้, โปรตีน, สายดีเอ็นเอ, สายอาร์เอ็นเอ, โมเลกุลเคมี และไอออน ------------ แก้ไข 2 พย. 61 ข้อถือสิทธิ
1. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ทีมีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย มีลำดับชั้นดังนี้ ก. แผ่นฐาน (100) มีพื้นผิวหน้าเป็นฉนวนไฟฟ้า(102) ข. ขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ค. ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ง. แชนแนล (106) หรือช่องทางเดินกระแส ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรน (103) และขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) ดังกล่าว ที่ซึ่งแชนแนล (106) เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำ จ. ขั้วไฟฟ้าเกต (105) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ฉ. ชั้นฉนวน (108) ที่คลุมที่ขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) เพื่อลดกระแสรั่วในสารละลายจากชั้นโลหะที่นำไฟน้าในบริเวณที่สัมผัสกับ สารละลายระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย ++++++++++++++++++++++++ ------01/12/2560------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 2 หน้า ข้อถือสิทธิ
1. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ทีมีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย มีลำดับชั้นดังนี้ ก. แผ่นฐาน(100) มีพื้นผิวหน้าเป็นฉนวนไฟน้า(102) ข. ขั้วไฟฟ้าเดรน(103)ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100)ดังกล่าว ค. ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ง. แชนแนล (106) หรือช่องทางเดินกระแส ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรน (103) และขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) ดังกล่าว ที่ซึ่งแชนแนล (106) เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำ จ. ขั้วไฟฟ้าเกต(105)ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100)ดังกล่าว ฉ. ชั้นฉนวน (108) ที่คลุมที่ขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) เพื่อลดกระแสรั่วในสารละลายจากชั้นโลหะที่นำไฟน้าในบริเวณที่สัมผัสกับ สารละลายระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย
2. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อาจประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้น ประสาน (107) ที่อยู่ระหว่างผิวหน้าที่เป็นฉนวนไฟฟ้าของแผ่นฐาน (102) และขั้วไฟฟ้าเดรน (103) ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) หรือขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว
3. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ชั้นฉนวน (108) ดังกล่าว เลือกได้ จากกลุ่มที่ประกอบด้วยชั้นออกไซด์ของโลหะที่ง่ายต่อการเกิดกระบวนการออกซิเดชั่น (oxidation) หรือสารพอลิเมอร์ หรือสารกลุ่มไนไตรด์ ที่ซึ่งมีความเป็นฉนวนไฟฟ้าและทนต่อ การกัดกร่อนได้ดี
4. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่ง โลหะที่ง่ายต่อการเกิด กระบวนการออกซิเดชั่น ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วย นิเกิล อลูมิเนียม โครเนียม หรือไททาเนียม
5. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ขั้วไฟฟ้าเดรน (103)ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยจาก โลหะที่มีความ เฉื่อยต่อการทำปฏิกิริยาทางเคมี ที่เหมาะสม คือ โลหะมีตระกูล หน้า 2 ของจำนวน 2 หน้า
6. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1ที่ซึ่งขั้วไฟฟ้าเดรน (103)ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) และขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะทอง แพลตตินัม และพาลาเคียม
7. ซิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 2 ที่ซึ่งชั้นประสาน (107) ดังกล่าวเลือก ได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะนิเกิล โครเนียม หรือ ไททาเนียม
8. ซิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าตามข้อถือสิทธิ 1ที่ซึ่งแชนแนล(106)ดังกล่าว ประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งในบรรดาของวัสดุเหล่านี้ คือ ลวดนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่ม ของลวดนาโน, ท่อนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของท่อนาโน, เข็มขัดนาโนจำนวนหนึ่งเส้น หรือกลุ่มของเข็มขัดนาโน และริบบอนนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของริบบอนนาโน
9. ซิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 8 ที่ซึ่งแชนแนล (106) ดังกล่าวมี ผิวหน้าที่เปิดสำหรับยึดติดกับโมเลกุลโพรบสำหรับการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย โดยการติด โมเลกุลโพรบอาจจะกระทำโดยตรงกับส่วนแชนแนลหรือผ่านโมเลกุลเชื่อมโยงที่อยู่บนผิวหน้า ส่วนเปิดของแชนแนลก็ได้ 1
0. ซิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 9 ที่ซึ่งโมเลกุลโพรบดังกล่าว มี ความจำเพาะเจาะจงกับโมเลกุลเป้าหมาย โดยโมเลกุลโพรบจะประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งใน บรรดาโมเลกุลเหล่านี้ คือ แอนติบอดี้, โปรตีน, สายดีเอ็นเอ, สายอาร์เอ็นเอ และโมเลกุลเคมี และ โมเลกุลเป้าหมายจะประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งในบรรดาโมเลกุลเหล่านี้ คือ แอนติบอดี้, โปรตีน, สายดีเอ็นเอ, สายอาร์เอ็นเอ,โมเลกุลเคมี และไอออน ------------
1. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ที่มีลักษณะเฉพาะคือ ประกอบด้วย มีลำดับชั้นดังนี้ ก. แผ่นฐาน (100) มีพื้นผิวหน้าเป็นฉนวนไฟฟ้า (102) ข. ขั้วไฟฟ้าเดรน(103) ที่สร้างบนแผ่นฐาน(100) ดังกล่าว ค. ขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104) ที่สร้างบนแผ่นฐาน(100) ดังกล่าว ง. แชนแนล (106) หรือช่องทางเดินกระแส ที่เชื่อมระหว่างขั้วไฟฟ้าเดรน(103) และขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104) ดังกล่าว ที่ซึ่งแชนแนล (106) เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติเป็นสารกึ่งตัวนำ จ. ขั้วไฟฟ้าเกต (105) ที่สร้างบนแผ่นฐาน (100) ดังกล่าว ฉ. ชั้นฉนวน(108) ที่คลุมที่ขั้วไฟฟ้าเดรน(103) และขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104 และ ขั้วไฟฟ้าเกต (105) เพื่อลดกระแสรั่วในสารละลายจากชั้นโลหะที่นำไฟฟ้าในบริเวณที่สัมผัสกับ สารละลายระหว่างการตรวจจับโมเลกุลเป้าหมาย
2. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง อาจประกอบเพิ่มเติมด้วยชั้น ประสาน(107) ที่อยู่ระหว่างผิวหน้าของแผ่นฐาน (102) และขั้วไฟฟ้าเดรน(103) และขั้วไฟฟ้าซอร์ส (104)หรือขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว
3. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ชั้นฉนวน (108) ดีงกล่าว เลือกได้ จากกลุ่มที่ประกอบด้วยชั้นออกไซด์ของโลหะที่ง่ายต่อการเกิดกระบวนการออกซิเดชั่น (oxidation) หรือสารพอลิเมอร์ หรือสารกลุ่มไนไตรด์ ที่ซึ่งมีความเป็นฉนวนไฟฟ้าและทนต่อ การกัดกร่อนได้ดี
4. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่ง โลหะที่ง่ายต่อการเกิดกระบวน การออกซิเดชั่น ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ปะกอบด้วย นิเกิล อลูมิเนียม โครเนียม หรือไททา เนียม
5. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ขั้วไฟฟ้าเดรน(103) ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104)หรือขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยจาก โลหะที่มีความ เฉื่อยต่อการทำปฏิกิริยาทางเคมี ที่เหมาะสม คือ โลหะมีตระกูล
6. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่ง ขั้วไฟฟ้าเดรน(103) ขั้วไฟฟ้า ซอร์ส (104)หรือขั้วไฟฟ้าเกต (105) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะทอง แพลตตินัม และพาลาเดียม
7. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 2 ที่ซึ่งชั้นประสาน (107) ดังกล่าวเลือก ได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโลหะนิเกิล โครเนียม หรือ ไททาเนียม
8. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งแชนแนล(106) ดังกล่าว ประกอบด้วยอย่างน้อยหนึ่งในบรรดาของวัสดุเหล่านี้ คือ ลวดนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่ม ของลวดนาโน,ท่อนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของท่อนาโน,เข็มขัดนาโนจำนวนหนึ่งเส้น หรือกลุ่มของเข็มขัดนาโน และริบบอนนาโนจำนวนหนึ่งเส้นหรือกลุ่มของริบบอนนาโน
9. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 8 ที่ซึ่งแชนแนล(106) ดังกล่าวมี พื้นผิวหน้าที่เปิดสำหรับยึดติดกับโมเลกุลเชื่อมโยง และปลายอีกข้างของโมเลกุลเชื่อมโยงเชื่อม ติดกับโมเลกุลโพรบ 1
0. ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า ตามข้อถือสิทธิ 9 ที่ซึ่งโมเลกุลโพรบดังกล่าว มี ความจำเพาะเจาะจงกับโมเลกุลเป้าหมาย โดยโมเลกุลโพรบและโมเลกุลเป้าหมายจะ ประกอบด้วยอย่างน้อยในบรรดาโมเลกุลเหล่านี้ คือ แอนติบอดี้, โปรตีน, สายดีเอ็นเอ และ สายอาร์เอ็นเอ
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH20175A TH20175A (th) | 1996-08-29 |
| TH16920B true TH16920B (th) | 2004-05-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10274455B2 (en) | Nanoelectronic sensor pixel | |
| US6060023A (en) | Molecular sensing apparatus | |
| CN101241102B (zh) | 生物分子检测元件和利用它分析核酸的方法 | |
| US20110154648A1 (en) | Electronic sensing of biological and chemical agents using functionalized nanostructures | |
| US6870235B2 (en) | Silicon-on-insulator biosensor device | |
| CN100406879C (zh) | 用于电化学测量的电极 | |
| CN107449812B (zh) | 一种在cmos标准工艺下的生物化学传感器 | |
| WO2002001647A1 (en) | Microelectronic device and method for label-free detection and quantification of biological and chemical molecules | |
| CN115963161B (zh) | 波浪状传感界面的碳纳米管场效应晶体管生物传感器、制备方法及应用 | |
| WO2001013432A1 (en) | Sensing devices using chemically-gated single electron transistors | |
| Suryaganesh et al. | Advanced FET-based biosensors—A detailed review | |
| DE10228260A1 (de) | Methode und Vorrichtung zum impedimetrischen Nachweis eines oder mehrerer Analyten in einer Probe | |
| US8795511B2 (en) | Configuration, a sensing element with such configuration, electrochemical sensor comprising such sensing element and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor | |
| US20150316529A1 (en) | System and method for real-time analysis of molecular sequences using nanochannels | |
| Azzouzi et al. | Novel iron (III) phthalocyanine derivative functionalized semiconductor based transducers for the detection of citrate | |
| Lee et al. | CMOS biosensors for the detection of DNA hybridization in high ionic-strength solutions | |
| US20140295573A1 (en) | Biosensor with dual gate structure and method for detecting concentration of target protein in a protein solution | |
| US20230036979A1 (en) | Transistor-based biological assay system comprising mating receptacle plate and gate electrode plate | |
| Bhatt et al. | Dual‐gate ion‐sensitive field‐effect transistors: A review | |
| TH16920B (th) | ชิปเซ็นเซอร์ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าจากวัสดุนาโนที่มีขั้วไฟฟ้าเกตบนชิป | |
| WO1999066322A1 (en) | A sensor for analyte detection | |
| TW202334645A (zh) | 用於生物晶片的結構 | |
| US20200209187A1 (en) | Gas sensor and method for making same | |
| Salaün et al. | Field effect transistor technologies for biological and chemical sensors | |
| Yáñez-Sedeño Orive et al. | Multiplexed Electrochemical Immunosensors for Clinical Biomarkers |