TH16513A - ระบบและส่วนประกอบของระบบความจำคอมพิวเตอร์ที่ใช้การแก้ไขและการตรวจสอบความผิดพลาดสองระดับที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ด้วยการใช้ลักษณะพิเศษของการปิดกั้น - Google Patents
ระบบและส่วนประกอบของระบบความจำคอมพิวเตอร์ที่ใช้การแก้ไขและการตรวจสอบความผิดพลาดสองระดับที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ด้วยการใช้ลักษณะพิเศษของการปิดกั้นInfo
- Publication number
- TH16513A TH16513A TH9001000147A TH9001000147A TH16513A TH 16513 A TH16513 A TH 16513A TH 9001000147 A TH9001000147 A TH 9001000147A TH 9001000147 A TH9001000147 A TH 9001000147A TH 16513 A TH16513 A TH 16513A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- memory
- fault
- factor
- correction
- level
- Prior art date
Links
Abstract
ระบบความจำระบบหนึ่งประกอบด้วยหน่วยความจำจำนวนหนึ่งหน่วยความจำแต่ละหน่วยต่างมีความสามารถในการแก้ไขความผิดพลาดในระดับหน่วยและต่างเชื่อมโยงกับการแก้ไขความผิดพลาดในระดับระบบ การปรับปรุงความแน่นอนของระบบความจำให้ดีขึ้นสามารถทำได้โดยอาศัยปัจจัยสำหรับตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำหน่วยใดหน่วยหนึ่งให้มีค่าที่คงที่เมื่อมีความผิดพลาดที่ไม่สามารถก้ไขได้เกิดขึ้นในหน่วยความจำดังกล่าว วิธีการซึ่งจะบังคับให้มีการสร้างความผิดพลาดชนิดถาวรที่ขัดกับสัญชาติญานนี้สามารถจะปรับปรุงความแน่นอนของระบบความจำทั้ง ระบบให้ดีขึ้นได้เนื่องจากจะทำให้สามารถใช้กระบวนการพลิกกลับ/พลิกกลับใหม่ ซึ่งจะทำงานได้อย่างถูกต้องก็ต่อเมื่อสามารถจะจำลองความผิดพลาดขึ้นซ้ำอีก ดังนั้นการใช้ระบบสำหรับแก้ไขความผิดพลาดในระดับชิบซึ่งเป็นสิ่งที่พึงปรารถนาเมื่อความจุวงจรมีความหนาแน่นเพิ่มมากขึ้นย่อมสามารถทำได้โดยไม่เป็นการรบกวนต่อวิธีการในการแก้ไขความผิดพลาดในระดับระบบ
Claims (7)
1. ระบบความจำคอมพิวเตอรืที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ซึ่งจะรับข่าวสารของตำแหน่งและจะมีปฏิกิริยาตอบสนองต่อข่าวสารของตำแหน่งดังกล่าวด้วยการส่งข่าวสารของข้อมูล ระบบความจำดังกล่าวประกอบด้วย:- หน่วยความจำชนิดตัวเลขจำนวนหนึ่ง ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยจำนวนหนึ่ง ปัจจัยดังกล่าวจะเกี่ยวข้องกับหน่วยความจำดังกล่าวหน่วยที่ต่างกันและจะทำหน้าที่แก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในข้อมูลที่ถูกอ่านจากจุดความจำภายในหน่วยความจำดังกล่าวและสร้างสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้สัญญาณหนึ่ง ปัจจัยสำหรับปิดกั้นในระดับหน่วยจำนวนหนึ่งซึ่งจะเกี่ยวข้องกับหน่วยความจำดังกล่าวหน่วยที่ต่างกันและจะทำงานด้วยการตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำที่เกี่ยวข้องกับตนอย่าง น้อยที่สุดหนึ่งบิทให้มีค่าที่คงที่เมื่อได้รับสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้ดังกล่าวจากปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยที่เกี่ยวข้องกับตน และ ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับระบบซึ่งจะรับข้อมูลจากหน่วยความจำดังกล่าวและสามารถจะทำงานแก้ไขความผิดพลาดชนิดถาวรได้โดยอาศัยการทำงานของปัจจัยสำหรับปิดกั้นดังกล่าว
2. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่หน่วยความจำดังลก่าวได้แกชิบความจำชนิดกึ่งตัวนำ
3. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยดังกล่าวจะทำการแก้ไขความผิดพลาดเดี่ยวและการตรวจสอบความผิดพลาดคู่
4. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่ระบบความจำดังกล่าวยังประกอบด้วยปัจจัยสำหรับสับเปลี่ยนแบบวิธีซึ่งสามารถจะทำงานควบคุมการเปิดปิดปัจจัยสำหรับปิดกั้นดังกล่าว
5. หน่วยความจำที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้สำหรับระบบความจำซึ่งจะรับข่าวสารของตำแหน่งและจะมีปฏิกิริยาตอบสนองต่อข่าวสารของตำแหน่งดังกล่าวด้วยการส่งข่าวสารของข้อมูล หน่วยความจำดังกล่าวประกอบด้วย:- จุดความจำจำนวนหนึ่ง ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในข้อมูลที่ถูกอ่านจากจุดความจำดังกล่าวและสร้างสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้สัญญาณหนึ่ง และ ปัจจัยสำหรับปิดกั้นซึ่งจะทำงานด้วยการตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งบิทให้มีค่าที่คงที่เมื่อได้รับสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้จากปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดดังกล่าว
6. หน่วยความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ในกรณีที่หน่วยความจำดังกล่าวติดตั้งอยู่บนชิบของวงจรรวมเพียงชิบเดียว
7. หน่วยความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ในกรณีที่ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดดังกล่าวจะทำการแก้ไขความผิดพลาดเดี่ยวและการตรวจสอบความผิดพลาดคู่
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH16513A true TH16513A (th) | 1995-08-29 |
TH6356B TH6356B (th) | 1996-12-20 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0030612B1 (en) | Method of correcting double errors in a data storage apparatus and data storage apparatus | |
US7496826B2 (en) | Method, system, and apparatus for adjacent-symbol error correction and detection code | |
US6009548A (en) | Error correcting code retrofit method and apparatus for multiple memory configurations | |
US6044483A (en) | Error propagation operating mode for error correcting code retrofit apparatus | |
US4993028A (en) | Error detection and correction coding | |
WO1981001893A1 (en) | Self-correcting memory system and method | |
DE3587145T2 (de) | Puffersystem mit erkennung von lese- oder schreibschaltungsfehlern. | |
JPH0743678B2 (ja) | フオールト・トレラント・メモリ・システム | |
US20070089032A1 (en) | Memory system anti-aliasing scheme | |
AU597140B2 (en) | Efficient address test for large memories | |
US4926426A (en) | Error correction check during write cycles | |
US4236247A (en) | Apparatus for correcting multiple errors in data words read from a memory | |
US20050154943A1 (en) | Mechanism for adjacent-symbol error correction and detection | |
GB1287238A (en) | Error detection and correction apparatus | |
KR900014998A (ko) | 고장 방지 컴퓨터 메모리 시스템 | |
TH16513A (th) | ระบบและส่วนประกอบของระบบความจำคอมพิวเตอร์ที่ใช้การแก้ไขและการตรวจสอบความผิดพลาดสองระดับที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ด้วยการใช้ลักษณะพิเศษของการปิดกั้น | |
TH6356B (th) | ระบบและส่วนประกอบของระบบความจำคอมพิวเตอร์ที่ใช้การแก้ไขและการตรวจสอบความผิดพลาดสองระดับที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ด้วยการใช้ลักษณะพิเศษของการปิดกั้น | |
EP0100825A2 (en) | True single error correction and multiple error detection system | |
JPH03147041A (ja) | エラー訂正システム | |
JPS60188000A (ja) | 読み出し専用メモリ | |
SU1167659A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
WO1985002925A1 (en) | Computer controlled systems | |
SU1661840A1 (ru) | Запоминающее устройство с самоконтролем | |
SU1751820A1 (ru) | Резервированное запоминающее устройство с коррекцией информации | |
JPH04143690A (ja) | 放射線認識回路を用いた電子回路 |