Claims (9)
ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 05/07/2562 ข้อถือสิทธิไม่มี ---------------------------------------------------------------------------------------------------- แก้ไข 26/5/2559Disclaimers (all) which will not appear on the advertisement page: Revised 05/07/2019 Claims None -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- Edit 26/5/2016
1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วย ฐานของที่เป็นสารกึ่งตัวนำ (200) อิเล็กโทรดหลัก (220; 250; 270) ซึ่งมีฟิล์มโลหะที่หนึ่ง (211; 251; 271) ซึ่งถูกจัดทำไว้บน พื้นผิวขิงสนามการสร้างองค์ประกอบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและฟิล์มโลหะที่สอง (222; 252; 272) ซึ่งถูกเชื่อมต่อเข้ากับผิวหน้าของฟิล์มโลหะที่หนึ่งซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนอีกด้านหนึ่ง ของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและมีสัมประสิทธิ์ซีเบคที่แตกต่างจากฟิล์มโลหะที่หนึ่งและ ขั้วปลายสำหรับตรวจจับซึ่งสามารถตรวจจับความต่างศักย์ระหว่างฟิล์มโลหะที่หนึ่ง และฟิล์มโลหะที่สอง1.Semiconductors, including The base of the semiconductor (200), the main electrode (220; 250; 270), which contains the first metal film (211; 251; 271), which is prepared on The field surface is formed by a semiconductor substrate and a second metal film (222; 252; 272), which is connected to the first metal film surface, positioned on the other. Of a semiconductor substrate and a zebec coefficient that is different from the first metal film and Sensing terminal which can detect the potential difference between one metal film And the second metal film
2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ ขั้วปลายสำหรับตรวจจับดังกล่าวมีการติดตั้งขั้วปลายสำหรับตรวจจับที่หนึ่ง (241) ซึ่งมี การเชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับฟิล์มโลหะที่หนึ่งและขั้วปลายสำหรับตรวจจับที่สอง (242) ซึ่งมีการ เชื่อมต่อกระแสไฟฟ้าเข้ากับฟิล์มโลหะที่สอง ขั้วปลายสำหรับตรวจจับที่หนึ่งดังกล่าวทำจากวัสดุชนิดเดียวกันกับฟิล์มโลหะที่หนึ่งและ ขั้วปลายสำหรับตรวจจับที่สองดังกล่าวทำจากวัสดุชนิดเดียวกันกับฟิล์มโลหะที่สอง2. Semiconductors in accordance with claim 1, where the detector end is equipped with one detector terminal (241) where the current is connected to the first metal film and the terminal. For a second detector (242) in which an electric current is connected to a second metal film The first detector tip is made of the same material as the first metal film, and The second detector tip is made of the same material as the second metal film.
3. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่หนึ่งดังกล่าวคือฟิล์มโลหะซึ่งมีส่วนประกอบของ A1 ในปริมาณ 10% โดยมวลหรือมากกว่านี้ในฐานะเป็นส่วนประกอบหลักและ ฟิล์มโลหะที่สองดังกล่าวคือฟิล์มโลหะซึ่งมีส่วนประกอบของ 10% โดยมวลหรือมากกว่า นี้ของสารอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มของ Ni, Ti, Mo, W, Ag, Cu และ Zn ซึ่งใช้เป็น ส่วนประกอบหลัก3. The semiconductor device according to claim 1 or 2, where the first metal film is a metal film containing 10% of A1 by mass or more as the primary component; and The second such metallic film is a metal film, which contains 10% or more by mass. This is one or more of the selected substances from the Ni, Ti, Mo, W, Ag, Cu and Zn groups, which are used as the main components.
4. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 3 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่หนึ่งดังกล่าวมีความหนาเท่ากับหรือมากกว่า 1 ไมโครเมตร4.A semiconductor device according to claim 3, where the first metal film is equal or greater than 1 μm.
5. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 3 หรือ 4 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่สองดังกล่าวฟิล์มโลหะซึ่งมีส่วนประกอบของ Ni ในปริมาณ 10% โดยมวลหรือมากกว่านี้ซึ่งใช้เป็นส่วนประกอบหลักและ ฟิล์มโลหะที่สองดังกล่าวมีความหนาเท่ากับหรือมากกว่า 500 นาโนเมตร5. A semiconductor device pursuant to claim 3 or 4, where the second metal film, a metal film containing 10% Ni by mass or more, which is used as the primary component; and The aforementioned second metal film has a thickness of 500 nm or more.
6. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่หนึ่งดังกล่าวคือฟิล์มโลหะซึ่งมีส่วนประกอบของ Ni ในปริมาณ 10% โดยมวลหรือมากกว่านี้ซึ่งใช้เป็นส่วนประกอบหลักและ ฟิล์มโลหะที่สองดังกล่างคือฟิล์มโลหะซึ่งมีส่วนประกอบของสารอย่างน้อยหนึ่งชนิด ที่เลือกมาจากกลุ่มของ Zn และ Ti ในปริมาณ 10% โดยมวลหรือมากกว่านี้6. The semiconductor device according to claim 1 or 2 where the first metal film is a metal film containing 10% Ni by mass or more, which is used as the primary component; and The second metal film is a metal film containing at least one substance. Selected from the Zn and Ti groups in quantities of 10% by mass or more.
7. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิที่ 6 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่หนึ่งดังกล่าวมีความหนาเท่ากับหรือมากกว่า 500 นาโนเมตร7.A semiconductor device according to claim 6, where the first metal film is equal or greater than 500 nm.
8. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งมีการติดตั้ง ฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำ (200) อิเล็กโทรดหลัก (220; 250; 270) ซึ่งมีฟิล์มโลหะที่หนึ่ง (221; 251; 271;) ซึ่งถูกจัดทำไว้บน พื้นผิวของสนามการสร้างองค์ประกอบของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและฟิล์มโลหะที่สอง (222; 252; 272) ซึ่งถูกเชื่อมต่อกับเข้าผิวหน้าของฟิล์มโลหะที่หนึ่งซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนอีกด้านหนึ่ง ของฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำและมีสัมประสิทธิ์ซีเบคที่แตกต่างจากฟิล์มโลหะที่หนึ่งและ ขั้วปลายสำหรับตรวจจับซึ่งสามารถตรวจจับความต่างศักย์ระหว่างฟิล์มโลหะที่หนึ่งและ ฟิล์มโลหะที่สองโดยที่วิธีการดังกล่าวประกอบรวมด้วย การเคลือบฟิล์มโลหะที่หนึ่งและฟิล์มโลหะที่สองดังกล่าวทับลงไปอย่างต่อเนื่องในสภาพ สุญญากาศด้วยการสปัตเตอร์8. Methods for manufacturing semiconductor devices which are installed. The semiconductor substrate (200), the primary electrode (220; 250; 270), which contains the first metal film (221; 251; 271;), which is prepared on The surface of the field creates a semiconductor substrate and a second metal film (222; 252; 272) which is connected to the surface of the first metal film, positioned on the other. Of a semiconductor substrate and a zebec coefficient that is different from the first metal film and Detection terminal which can detect the potential difference between the first metal film and A second metal film by which the above method includes The first and second metal film coatings are applied continuously in the Vacuum with sputtering
9. วิธีการผลิตตามข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ ฟิล์มโลหะที่หนึ่งและฟิล์มโลหะที่สองดังกล่าวถูกเคลือบทับด้วยการสปัตเตอร์โดยใช้ เป้าหมายในการเคลือบทับโดยมีความบริสุทธิ์เท่ากับหรือสูงกว่า 99% ภายใต้เงื่อนไข ที่ระดับ ความพร้อมทำงานของสภาพสุญญากาศของห้องสปัตเตอร์มีค่าเท่ากับหรือต่ำกว่า 1 x 10-6 ปาสคาล, ความผันผวนของแรงดันในห้องระหว่างการเคลือบทับมีค่าเท่ากับหรือต่ำกว่า 10% และความบริสุทธิ์ ของก๊าซสำหรับการเคลือบทับมีค่าเท่ากับหรือสูงกว่า 99% ------------------------------------------------------------------------------------------------------9. Manufacturing method according to claim 8, where the first metal film and the second metal film are coated with sputtering using Target for overcoating with purity equal to or higher than 99% under condition where the vacuum chamber availability of the sputtering chamber is 1 x 10-6 kPa, the fluctuation of The chamber pressure during overcoating is 10% or less, and the purity Of gas for coating is equal to or higher than 99% ------------------------------------ -------------------------------------------------- ----------------