TH147822A - เพชร CVD สังเคราะห์ (Synthetic CVD Diamond) - Google Patents

เพชร CVD สังเคราะห์ (Synthetic CVD Diamond)

Info

Publication number
TH147822A
TH147822A TH1201002952A TH1201002952A TH147822A TH 147822 A TH147822 A TH 147822A TH 1201002952 A TH1201002952 A TH 1201002952A TH 1201002952 A TH1201002952 A TH 1201002952A TH 147822 A TH147822 A TH 147822A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
source gas
hydrogen
synthesis
atomic ratio
Prior art date
Application number
TH1201002952A
Other languages
English (en)
Other versions
TH1201002952B (th
Inventor
เจมส์ ทวิตเชน นายดาเนียล
ไมเคิล เบนเนตต์ นายแอนดรูว์
อุดดิน อาห์เหม็ด คาห์น นายริซวาน
มอริซ มาร์ติโน นายฟิลลิป
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH147822A publication Critical patent/TH147822A/th
Publication of TH1201002952B publication Critical patent/TH1201002952B/th

Links

Abstract

DC60 (18/06/55) วิธีการพอกพูนด้วยไอเคมี (chemical vapour deposition) (CVD) เพื่อการสังเคราะห์วัสดุ เพชรบนซับสเตรทในสภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์, วิธีการดังกล่าวที่ประกอบด้วย การจัดให้มีซับสเตรท; การจัดให้มีก๊าซต้นทาง; การแยกก๊าซต้นทาง; และ การปล่อยให้เกิดการสังเคราะห์เพชรโฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรท; โดยที่สภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ประกอบด้วยไนโตรเจนที่ความเข้มข้นอะตอมจาก ประมาณ 0.4 ส่วนต่อล้านส่วน ถึงประมาณ 50 ส่วนต่อล้านส่วน; และ และโดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วย: a) อัตราส่วนอะตอมของไฮโดรเจน, Hf, จากประมาณ 0.40 ถึงประมาณ 0.75; b) อัตราส่วนอะตอมของคาร์บอน, Cf, จากประมาณ 0.15 ถึงประมาณ 0.30; c) อัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Of, จากประมาณ 0.13 ถึงประมาณ 0.40; โดยที่ Hf + Cf + Of = 1; โดยที่สัดส่วนของอัตราส่วนอะตอมของคาร์บอนต่ออัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Cf:Of สอดคล้องกับสัดส่วนประมาณ 0.45:1 น้อยกว่า Cf:Of น้อยกว่า ประมาณ 1.25:1; โดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วยไฮโดรเจนอะตอมที่ถูกเติมเป็นไฮโดรเจนโมเลกุลs, H2, ที่ อัตราส่วนอะตอมของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฏของ ระหว่าง 0.05 และ 0.40; และ โดยที่อัตราส่วนอะตอม Hf, Cf และ Of เป็นอัตราส่วนของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฏในก๊าซต้นทาง วิธีการพอกพูนด้วยไอเคมี (chemical vapour deposition) (CVD) เพื่อการสังเคราะห์วัสดุ เพชรบนซับสเตรทในสภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์, วิธีการดังกล่าวที่ประกอบด้วย: การจัดให้มีซับสเตรท; การจัดให้มีก๊าซต้นทาง; การแยกก๊าซต้นทาง; และ การปล่อยให้เกิดการสังเคราะห์โฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรท; โดยที่สภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ประกอบด้วยไนโตรเจนที่ความเข้มข้นอะตอมจาก ประมาณ 0.4 ส่วนต่อล้านส่วน ถึงประมษณ 50 ส่วนต่อล้านส่วน; และ และโดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วย: a) อัตราส่วนอะตอมของไฮโดรเจน, Hf, จากประมาณ 0.40 ถึงประมษณ 0.75; b) อัตราส่วนอะตอมของคาร์บอน, Cf, จากประมาณ 0.15 ถึงประมาณ 0.30; c) อัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Of, จากประมาณ 0.13 ถึงประมาณ 0.40; โดยที่ Hf + Cf + Of = 1; โดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วยไฮโดรเจนอะตอมที่ถูกเติมเป็นไฮโดรเจนโมเลกุลs, H2, ที่ อัตราส่วนอะตอมของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฎของ ระหว่าง 0.05 และ 0.40; และ โดยที่อัตราส่วนอะตอม Hf, Cf และ Of เป็นอัตราส่วนของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฎในก๊าซต้นทาง:

Claims (1)

: DC60 (18/06/55) วิธีการพอกพูนด้วยไอเคมี (chemical vapour deposition) (CVD) เพื่อการสังเคราะห์วัสดุ เพชรบนซับสเตรทในสภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์, วิธีการดังกล่าวที่ประกอบด้วย: การจัดให้มีซับสเตรท; การจัดให้มีก๊าซต้นทาง; การแยกก๊าซต้นทาง; และ การปล่อยให้เกิดการสังเคราะห์เพชรโฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรท; โดยที่สภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ประกอบด้วยไนโตรเจนที่ความเข้มข้นอะตอมจาก ประมาณ 0.4 ส่วนต่อล้านส่วน ถึงประมาณ 50 ส่วนต่อล้านส่วน; และ และโดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วย: a) อัตราส่วนอะตอมของไฮโดรเจน, Hf, จากประมาณ 0.40 ถึงประมาณ 0.75; b) อัตราส่วนอะตอมของคาร์บอน, Cf, จากประมาณ 0.15 ถึงประมาณ 0.30; c) อัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Of, จากประมาณ 0.13 ถึงประมาณ 0.40; โดยที่ Hf + Cf + Of = 1; โดยที่สัดส่วนของอัตราส่วนอะตอมของคาร์บอนต่ออัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Cf:Of สอดคล้องกับสัดส่วนประมาณ 0.45:1 น้อยกว่า Cf:Of น้อยกว่า ประมาณ 1.25:1; โดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วยไฮโดรเจนอะตอมที่ถูกเติมเป็นไฮโดรเจนโมเลกุลs, H2, ที่ อัตราส่วนอะตอมของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฏของ ระหว่าง 0.05 และ 0.40; และ โดยที่อัตราส่วนอะตอม Hf, Cf และ Of เป็นอัตราส่วนของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฏในก๊าซต้นทาง วิธีการพอกพูนด้วยไอเคมี (chemical vapour deposition) (CVD) เพื่อการสังเคราะห์วัสดุ เพชรบนซับสเตรทในสภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์, วิธีการดังกล่าวที่ประกอบด้วย: การจัดให้มีซับสเตรท; การจัดให้มีก๊าซต้นทาง; การแยกก๊าซต้นทาง; และ การปล่อยให้เกิดการสังเคราะห์โฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรท; โดยที่สภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ประกอบด้วยไนโตรเจนที่ความเข้มข้นอะตอมจาก ประมาณ 0.4 ส่วนต่อล้านส่วน ถึงประมษณ 50 ส่วนต่อล้านส่วน; และ และโดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วย: a) อัตราส่วนอะตอมของไฮโดรเจน, Hf, จากประมาณ 0.40 ถึงประมษณ 0.75; b) อัตราส่วนอะตอมของคาร์บอน, Cf, จากประมาณ 0.15 ถึงประมาณ 0.30; c) อัตราส่วนอะตอมของออกซิเจน, Of, จากประมาณ 0.13 ถึงประมาณ 0.40; โดยที่ Hf + Cf + Of = 1; โดยที่ก๊าซต้นทางประกอบด้วยไฮโดรเจนอะตอมที่ถูกเติมเป็นไฮโดรเจนโมเลกุลs, H2, ที่ อัตราส่วนอะตอมของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฎของ ระหว่าง 0.05 และ 0.40; และ โดยที่อัตราส่วนอะตอม Hf, Cf และ Of เป็นอัตราส่วนของจำนวนรวมของไฮโดรเจน, ออกซิเจนและคาร์บอนอะตอมที่ปรากฎในก๊าซต้นทางข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :
1. วิธีการพอกพูนด้วยไอเคมี (chemical vapour deposition) (CVD) เพื่อการสังเคราะห์ วัสดุเพชรบนซับสเตรทในสภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ วิธีการดังกล่าวประกอบด้วย: การจัดให้มีซับสเตรท; การจัดให้มีก๊าซต้นทาง; การปล่อยให้เกิดการสังเคราะห์เพชรโฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรท; โดยที่สภาวะแวดล้อมการสังเคราะห์ประกอบด้วยไนโตรเจนที่ความเข้มข้นอะตอมจาก ประมาณ 0.4 ส่วนต่อล้านส่วน ถึงประมาณ 50&nbแท็ก :
TH1201002952A 2010-12-15 เพชร CVD สังเคราะห์ (Synthetic CVD Diamond) TH1201002952B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH147822A true TH147822A (th) 2016-03-04
TH1201002952B TH1201002952B (th) 2016-03-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY160769A (en) Synthetic cvd diamond
WO2007092893A3 (en) Materials and methods for the manufacture of large crystal diamonds
WO2012061593A3 (en) Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films
Bernstein et al. The lifetimes of nitriles (CN) and acids (COOH) during ultraviolet photolysis and their survival in space
GB2516372A (en) High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition
MY166453A (en) Gas-barrier plastic molded product and manufacturing process therefor
WO2010045153A3 (en) Method for depositing conformal amorphous carbon film by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd)
GB201113244D0 (en) A diamond optical element
MY173452A (en) Method for growing monocrystalline diamonds
WO2011146212A3 (en) Ultra high selectivity ashable hard mask film
EP2376681A4 (en) GENERATION OF A CRYSTAL DIAMOND BY CVD WITH FAST GROWTH RATE
ATE474941T1 (de) Hochorientierte diamantschicht, verfahren zu ihrer herstellung sowie elektronische vorrichtung mit einer hochorientierten diamantschicht
SG162706A1 (en) Static chemical vapor deposition of gamma-ni + gamma
GB2548501A (en) Highly twinned, oriented polycrystalline diamond film and method of manufacture thereof
MY160801A (en) Method for producing hydrogen for storage and transportation
GB201205801D0 (en) Process
Casaletto et al. Methanol adsorption on Si (1 0 0) 2× 1 investigated by high-resolution photoemission
Lee et al. Nanocrystalline‐Graphene‐Tailored Hexagonal Boron Nitride Thin Films
ATE548327T1 (de) Verfahren zur herstellung von nanostrukturen
GB201215321D0 (en) A cutting insert with a titanium oxycarbonitride coating and method for making the same
TW200833886A (en) Method for manufacture of III-V family chemical compound semiconductor
Casaletto et al. A high resolution photoemission study of phenol adsorption on Si (1 0 0) 2× 1
Dementyev et al. Size and shape exclusion in 2D silicon dioxide membranes
Jacobberger et al. Tailoring the growth rate and surface facet for synthesis of high-quality continuous graphene films from CH4 at 750° C via chemical vapor deposition
TH147822A (th) เพชร CVD สังเคราะห์ (Synthetic CVD Diamond)