TH14372EX - Agile Plasma Action Instruments and Methods - Google Patents

Agile Plasma Action Instruments and Methods

Info

Publication number
TH14372EX
TH14372EX TH9201001181A TH9201001181A TH14372EX TH 14372E X TH14372E X TH 14372EX TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 9201001181 A TH9201001181 A TH 9201001181A TH 14372E X TH14372E X TH 14372EX
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
plasma
agile
methods
reaction chamber
plasma action
Prior art date
Application number
TH9201001181A
Other languages
Thai (th)
Inventor
นายโรเบิร์ต เจ.เนลสัน นาย จอห์น ที. เฟลท์ส นาย ฮูด แชทแธม ที่สาม นาย โจเซฟ คันทรีวูด นาย โรเบิร์ต เจ.เนลสัน นายจอห์น ที. เฟลท์ส
Original Assignee
วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด filed Critical วอลเม็ต เจนเนอรัล ลิมิเต็ด
Publication of TH14372EX publication Critical patent/TH14372EX/en

Links

Abstract

เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมามีประโยชน์สำหรับการเคลือบสับสเตรทเข้ากับฟิล์มบางที่มีสมบัติเป็นขั้นกั้นโอในอัตราการพอกพูนที่ค่อนข้าเร็ว เครื่องมือนี้ประกบด้วยห้องทำปฏิกิริยาที่เอาอากาศออกได้ อีเลคโทรดพลังไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่หันหน้าเข้หาพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยาและส่วนกำบังที่กั้นเป็นช่องที่มีระยะห่าง ตามขวางจากพื้นผิวที่หันหน้าเชข้หาพลาสมา ในช่วงระหว่างการกระทำด้วยพลาสมาพลาสมาจะได้รักบารกัดให้อยู่ห่างในระยะ ในขณะที่มีการป้อนสับสเตรทอย่างต่อเนื่องสู่พลาสมาที่ได้รับการกักไว้ The plasma processing tool is useful for the substrate coating to thin films with barrier properties, at a relatively fast deposit rate. The instrument is coupled with an airtight reaction chamber. Electrodes designated for plasma-facing surfaces within the reacting chamber and spaced barrier shields. Across from the surface facing the plasma During plasma action, the plasma is kept at a distance of While the substrate is continuously fed to the entrapped plasma.

Claims (1)

1.เครื่องมือสำหรับกระทำด้วยพลาสมาที่ประกอบด้วย ห้องทำปฏิกิริยาที่ระบายอากาศออกได้; อุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา โดยอุปกรณ์สำหรับสร้างพลาสมาประกอบด้วยอีเลคโรดที่ทำงานด้วยไฟฟ้าที่กำหนดพื้นผิวที่อยู่ประชิดกับพลาสมาภายในห้องทำปฏิกิริยา อุปกรณ์สำหรับเชื่อมต่อไฟฟ้าจากอีเลคโรดไปยังสับสเทรตหนึ่ง ๆ เสมื่อสับสเท:1. a plasma device consisting of Ventilated reaction chamber; A device for generating plasma in the reaction chamber The plasma-generating device consists of an electrically activated electrode directed to the surface of the plasma in the reaction chamber. A device for connecting electricity from the electrode to a substrate.
TH9201001181A 1992-08-25 Agile Plasma Action Instruments and Methods TH14372EX (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH14372EX true TH14372EX (en) 1994-06-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK0605534T3 (en) Apparatus and Method for Rapid Plasma Treatments
TW469534B (en) Plasma processing method and apparatus
US4452679A (en) Substrate with chemically modified surface and method of manufacture thereof
US20060156983A1 (en) Low temperature, atmospheric pressure plasma generation and applications
AU7958591A (en) Process and device for coating substrate material
TW347553B (en) Plasma treatment apparatus
JP2005531147A5 (en)
AU2933189A (en) Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam
MX9701062A (en) Jet plasma deposition process and apparatus.
ATE139268T1 (en) DEVICE FOR PLASMA-ASSISTED ELECTRON BEAM HIGH RATE STEAM DEPOSITATION
ATE81532T1 (en) METHOD AND DEVICE FOR SPRAYING HIGH-RESISTANCE COATINGS BY CATODE SPRAYING.
JPS5713174A (en) Reactive sputtering method
JPS5915982B2 (en) Electric discharge chemical reaction device
CA2137307A1 (en) Electrode Forming Method for Surface Acoustic Wave Device
JPH03183781A (en) Method and device for forming thin membrane
TH14372EX (en) Agile Plasma Action Instruments and Methods
JPS6442574A (en) Arc power source device for vacuum arc discharge type pvd device
JPH11236676A (en) Atmospheric discharge plasma treating method
EP0909837A3 (en) Chemical vapor deposition apparatus and cleaning method thereof
CS246982B1 (en) Method and apparatus for producing chemically active environment for plasma chemical reactions namely for deposition of thin layers
JPS57167630A (en) Plasma vapor-phase growing device
EP0801414A3 (en) Gas-controlled arc vapor deposition apparatus and process
JPH0469465U (en)
SU863716A1 (en) Coating device
JPS63142627A (en) Manufacture of semiconductor thin film