TH13521B - กรรมวิธีสร้างรอยเครื่องหมายบนเพชร - Google Patents

กรรมวิธีสร้างรอยเครื่องหมายบนเพชร

Info

Publication number
TH13521B
TH13521B TH9101001514A TH9101001514A TH13521B TH 13521 B TH13521 B TH 13521B TH 9101001514 A TH9101001514 A TH 9101001514A TH 9101001514 A TH9101001514 A TH 9101001514A TH 13521 B TH13521 B TH 13521B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mask
diamond
laser
under
die
Prior art date
Application number
TH9101001514A
Other languages
English (en)
Other versions
TH11803A (th
Inventor
เอช วินสตั้น นายโรแนลด์
Original Assignee
แฮร์รี่ย์ วินสตั้น เอสเอ
Filing date
Publication date
Application filed by แฮร์รี่ย์ วินสตั้น เอสเอ filed Critical แฮร์รี่ย์ วินสตั้น เอสเอ
Publication of TH11803A publication Critical patent/TH11803A/th
Publication of TH13521B publication Critical patent/TH13521B/th

Links

Abstract

กรรมวิธีในการผลิตหรือสร้างรอยเครื่องหมายให้ปรากฏบนเพชร,ไข่มุก, หินแบบมีค่าหรือ กึ่งมีค่า เพื่อสร้างรอยเครื่องหมายในบริเวณบนพื้นผิวที่จะต้องถูกสร้างเครื่องหมายด้วยกระฉายรังสีโดย ArF เอ็กไซเมอร์เลเซอร์ ที่มีลำแสงเอ้าท์พุทถูกส่งผ่านตลอดหน้ากากที่ซึ่งทำหน้าที่กำหนดสร้างรอยเครื่องหมาย เครื่องหมายเฉพาะหรือเครื่องหมายรับประกันจะสามารถถูกสร้างให้มีขึ้น กรรมวิธีอย่างเดียวกันสามารถถูกนำมาใช้เพื่อสร้างแม่พิมพ์อัดรีดที่มีความแข็งแรง และอายุการใช้งานยาวนาน โดยมีแนวหน้าตัดขวางไม่เป็นแบบเรียบปกติ และแนวหน้าตัดขวางจะแปรเปลี่ยนขนาดของความลึกโดยตลอดวัสดุที่ใช้สร้างแม่พิมพ์

Claims (27)

1. กรรมวิธีในการผลิตรอยเครื่องหมายให้ปรากฏบนเพชร โดยกรรมวิธีประกอบด้วยขั้นตอน การกำหนดตำแหน่งหน้ากากหรือแผ่นกำบังให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ในช่วงรังสีอัลตราไวโอเล็ท และส่วนของพื้นผิวของตัวเพชรที่จะถูกสร้างเครื่องหมาย และ การฉายรังสีโดยตรงที่ส่วนของพื้นผิวของตัวเพชรด้วยแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ผ่านตลอดหน้ากาก เพื่อเป็นการทำให้เกิดการแผ่รังสีตัวมันเองในการสร้างรอยเครื่องหมายในรูปแบบ ที่กำหนดโดยหน้ากากหรือแผ่นกำบัง
2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ฉายรังสีไปที่เพชรด้วยอย่างน้อยที่สุดพัลส์พลังงานหนึ่งที่ช่วงความยาวคลื่นประมาณ 193 nm.
3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของขั้นตอนการฉายรังสีดังกล่าวรวมถึงการส่งผ่านการแผ่รังสีเลเซอร์ผ่านตลอดพื้นที่ช่องเปิดออกในตัวหน้ากากหรือแผ่นกำบัง
4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของขั้นตอนการฉายรังสีดังกล่าวรวมถึงการส่งผ่านการแผ่รังสีเลเซอร์ผ่านตลอดพื้นที่สำหรับการส่งผ่านที่แตกต่างกันในส่วนของหน้ากากหรือ แผ่นกำบัง
5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 หน้ากากดังกล่าวถูกเว้นระยะห่างจากพื้นผิวของตัวเพชร
6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 หน้ากากดังกล่าวถูกกำหนดให้อยู่บนหรือใกล้กับพื้นผิวของตัวเพชร
7. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 หน้ากากดังกล่าวถูกสร้างรูปเงาหรือรูปแบบจำลองให้ปรากฏอยู่บนพื้นผิวของเพชรด้วยขนาดที่ลดลง โดยผ่านตลอดวิถีทางสำหรับการลดรูปแบบของหน้ากากทางแสง
8. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิ 3 รวมถึงขั้นตอนเพิ่มเติมดังนี้ การกำหนดตำแหน่งหน้ากากส่วนที่สองให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์และส่วนที่สองของพื้นผิวตัวเพชรที่จะถูกสร้างเครื่องหมาย โดยส่วนที่สองดังกล่าวเป็นเซ็ทย่อยของส่วนพื้นผิวตัวเพชรส่วนแรกที่จะถูกสร้างเครื่องหมาย และ การฉายรังสีโดยตรงที่ส่วนที่สองของพื้นผิวตัวเพชรด้วยแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ผ่านตลอดหน้ากากส่วนที่สอง เพื่อเป็นการทำให้เกิดการแผ่รังสีตัวมันเองในการสร้างเครื่องหมายที่สองในรูปแบบที่กำหนดโดยหน้ากากส่วนที่สอง
9. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 4 หน้ากากดังกล่าวถูกสร้างขึ้นจากกลุ่มของวัสดุกลุ่มหนึ่ง ซึ่งจะมีการส่งผ่านด้วยความยาวคลื่นของการแผ่รังสีความยาวคลื่นเอ็กซ์ไซเมอร์กลุ่มของวัสดุดังกล่าวรวมถึงแซพไฟร์ ซิลิกาและควอท์ซที่ถูกหล่อหลอม
10. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของพลังงานของแหล่งเลเซอร์ถูกปรับเพื่อเคลื่อนหรือกำจัดเฉพาะแผ่นชั้นบางๆ ออกจากพื้นผิวของเพชร
11. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 10 ในส่วนของแผ่นชั้นดังกล่าวที่ถูกเคลื่อนออกจากพื้นผิวดังกล่าว จะมีความหนาอยู่ในช่วงจากประมาณจำนวนหลายอังสตรอมถึงหลายไมครอน
12. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของเครื่องหมายทั้งหมดจะถูกสร้างขึ้นในระหว่างการยึดจับเพชรให้อยู่ในตำแหน่งคงที่ตำแหน่งเดียว
13. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 รวมถึงขั้นตอนการจ่ายวัสดุเคลือบไปบนพื้นผิวที่จะต้องถูกสร้างเครื่องหมาย (ก่อนการฉายรังสีไปที่เพชร) ซึ่งวัสดุจะสามารถถูกตรวจจับเฉพาะภายใต้สถานะการให้แสงสว่างตามที่กำหนดล่วงหน้า
14. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 13 ในส่วนของวัสดุดังกล่าวคือวัสดุฟลูออเรสเซนท์
15. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 13 ในส่วนของวัสดุดังกล่าวคือวัสดุฟอสฟอเรสเซนท์
16. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 รวมถึงขั้นตอนการจ่ายวัสดุเคลือบไปบนพื้นผิวที่จะต้องถูกสร้างเครื่องหมาย (ก่อนการฉายรังสีไปที่เพชร) ซึ่งวัสดุจะสามารถถูกตรวจจับได้ทางแม่เหล็ก หรือทางไฟฟ้าหรือทางแสง
17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 16 ในส่วนของวัสดุดังกล่าวคือโมลิบดินัมคาร์ไบด์, นิคเกิลคาร์ไบด์ ไททาเนียมคาร์ไบด์หรือเหล็กคาร์ไบด์
18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 16 ยังประกอบขึ้นด้วยขั้นตอนเพิ่มเติมในส่วนของการฉายรังสีโดยตรงที่คล้ายกันไปอย่างน้อยที่สุดบริเวณส่วนที่สองของเพชร เพื่อสร้างให้มีอย่างน้อยที่สุดเครื่องหมายที่สอง
19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของพลังงานจากแหล่งกำเนิดเลเซอร์จะถูกปรับเพื่อให้สามารถแปลงรูปบางส่วนของเพชรจากรูปแบบหนึ่งของอิลิเมนทอลคาร์บอนไปเป็นอีกรูปแบบ หนึ่งของอิลิเมนทอลคาร์บอน
20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 1 ในส่วนของแหล่งกำเนิดเลเซอร์จะถูกปรับเพื่อให้เขียนรอยเส้นหรือกราไฟท์บางส่วนบนเพชร ณ บริเวณที่จะต้องถูกสร้างเครื่องหมาย
21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 21 ในส่วนความเข้มของเครื่องหมายจะถูกสร้างขึ้น โดยแปรเปลี่ยนตามองศาของการสร้างเขียนรอยเส้นที่เกิดจากการฉายแสงเรเซอร์
22. กรรมวิธีของการผลิตตัวสอดแม่พิมพ์ เพื่อใช้ในแม่พิมพ์อัดรีด ตัวสอดแม่พิมพ์จะมีช่องเปิดอัดรีดของแม่พิมพ์เป็นช่องเปิดออกตลอด ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดเตรียมแหล่งกำเนิดของพลังงานอัลตราไวโอเลเซอร์ที่มีเอ้าท์พุท การกำหนดตำแหน่งของหน้ากากที่มีบริเวณพื้นที่ช่องเปิดออกตรงกับแนวตัดขวางของช่องเปิดอัดรีดของแม่พิมพ์ โดยกำหนดให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของแหล่งกำเนิดดังกล่าวของพลังงานอัล ตราไวโอเลทเลเซอร์และตัวสอดแม่พิมพ์, การบังคับทิศทางลำแสงจากเอ้าท์พุทผ่านตลอดหน้ากากดังกล่าวไปบนตัวสอดแม่พิมพ์ดังกล่าว เพื่อสร้างช่องเปิดอัดรีดในส่วนของตัวสอดแม่พิมพ์
23. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 22 ยังประกอบด้วยขั้นตอนของการกำหนดตำแหน่งของเลนส์ลดลำแสงให้อยู่ระหว่างหน้ากากดังกล่าวและสอดแม่พิมพ์
24. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิที่ 22 ยังประกอบด้วยขั้นตอน การกำหนดตำแหน่งหน้ากากส่วนที่สองที่ซึ่งมีพื้นที่ช่องเปิดออกตรงกับแนวตัดขวางส่วนที่สองของช่องเปิดอัดรีดของแม่พิมพ์ โดยกำหนดให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของแหล่งกำเนิดดังกล่าวของพลังงานอัลตราไวโอเลเซอร์ และตัวสอดแม่พิมพ์ และ การบังคับทิศทางลำแสงจากเอ้าท์พุทผ่านตลอดหน้ากากส่วนที่สองดังกล่าวไปบนตัวสอดแม่พิมพ์ดังกล่าว เพื่อสร้างช่องเปิดอัดรีดในส่วนของตัวสอดแม่พิมพ์ โดยในส่วนของแนวตัดขวางของช่องเปิดอัดรีด จะแปรเปลี่ยนอยู่ในทิศทางที่ซึ่งวัสดุจะถูกอัดรีดออกมา
25. กรรมวิธีของการปฏิบัติในส่วนของวัตถุที่สร้างขึ้นจากเพชร ประกอบด้วยขั้นตอนของ การกำหนดจัดเตรียมอัลตราไวโอเลทเลเซอร์ที่มีเอ้าท์พุท การกำหนดตำแหน่งหน้ากากที่มีพื้นที่ช่องเปิดออกตรงกับรูปแบบที่จะต้องทำให้มีขึ้นบนวัตถุ โดยกำหนดให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของเลเซอร์ดังกล่าวและวัตถุ การกำหนดตำแหน่งของเลนส์ลดลำแสงให้อยู่ระหว่างหน้ากากดังกล่าว และวัตถุ และ การบังคับทิศทางลำแสงจากเลเซอร์ดังกล่าวผ่านตลอดหน้ากากดังกล่าวและผ่านตลอดเลนส์ลดลำแสงให้ไปอยู่บนวัตถุเพื่อสร้างรูปแบบตามที่กำหนดล่วงหน้าบนวัตถุ
26. แม่พิมพ์สำหรับการอัดรีดเส้นใย, เส้นลวด, ใยแบบฟิลาเมนท์ และที่คล้ายกัน ซึ่งมีแนวหน้าตัดขวางแบบซับซ้อนประกอบขึ้นด้วยตัวสอดแม่พิมพ์ที่สร้างขึ้นจากเพชรโดยมีช่องเปิดอัดรีดที่มีแนวตัดขวางตรงกับแนวหน้าตัดขวางแบบซับซ้อนของเส้นใย, เส้นลวด, ใยแบบฟิลาเมนท์และที่คล้ายกัน ตัวสอดแม่พิมพ์จะถูกสร้างขึ้นโดยการบังคับทิศทางลำแสงอัลตราไวโอเลทเลเซอร์ให้ไปบนตัวสอดแม่พิมพ์ ผ่านตลอดหน้ากากที่มีพื้นที่ช่องเปิดออกตรงกับแนวตัดขวางของช่องเปิดอัดรีด และถูกกำหนดให้อยู่ในตำแหน่งระหว่างเอ็กไซเมอร์เลเซอร์และตัวสอดแม่พิมพ์
27. กรรมวิธีในการสร้างเครื่องหมายบนไข่มุก, หินมีค่าหรือหินกึ่งมีค่า กรรมวิธีประกอบด้วยขั้นตอน การกำหนดตำแหน่งหน้ากากให้อยู่ระหว่างเอ้าท์พุทของแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ ในช่วงรังสีอัลตราไวโอเลท และส่วนของพื้นผิวของไข่มุก, หินมีค่าหรือหินกึ่งมีค่า ที่จะถูกสร้าง ให้มีเครื่องหมาย และ การฉายรังสีโดยตรงที่ส่วนของพื้นผิวของหินมุกแบบมีค่าหรือกึ่งมีค่า ด้วยแหล่งกำเนิดพลังงานเลเซอร์ผ่านตลอดหน้ากากเพื่อเป็นการทำให้เกิดการแผ่รังสีของตัวมันเองในการสร้างเครื่องหมายในรูปแบบที่กำหนดโดยหน้ากาก โดยในขณะเดียวกันจะไม่มีการทำให้เกิดรอยแตกร้าวเล็กๆ ของพื้นผิว ไข่มุก, หินมีค่าหรือหินกึ่งมีค่า
TH9101001514A 1991-10-11 กรรมวิธีสร้างรอยเครื่องหมายบนเพชร TH13521B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH11803A TH11803A (th) 1992-09-01
TH13521B true TH13521B (th) 2002-09-18

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930702665A (ko) 다이아몬드상의 표시 형성방법
KR100445767B1 (ko) 마킹 다이아몬드
JP3491467B2 (ja) 光拡散板およびその製造方法
US5149938A (en) Methods for producing indicia on diamonds
TWI753393B (zh) 用於標記寶石的光學可滲透標記
AU609876B2 (en) Method for producing a marking on a spectacle lens
US6664501B1 (en) Method for creating laser-induced color images within three-dimensional transparent media
RU98102782A (ru) Способ маркировки бриллиантов
RU93005274A (ru) Способ выполнения маркировки на алмазе, способ изготовления вкладыша пресс-формы, способ обработки изделий из бриллиантов, пресс-форма для экструдирования волокон, проволок, нитей и подобных изделий и способ выполнения маркировки на жемчуге, драгоценном или полудрагоценном камне
DE102006042280A1 (de) Bearbeitung von transparentem Material mit einem Ultrakurzpuls-Laser
EP0291459B1 (de) Verfahren zur abtragenden Bearbeitung von optischen Körpern aus vernetzten Polymeren
PT98686A (pt) Processo e aparelho para a marcacao de um corpo material marcado
AU1774399A (en) Diamond or gemstone marking by plurality of grooves
TH11803A (th) กรรมวิธีสร้างรอยเครื่องหมายบนเพชร
DE10234002A1 (de) Produkt aus Glas und Verfahren zur Inspektion einer Eigenschaft
US6008467A (en) Laser processing method to an optical waveguide
JPS6322453B2 (th)
GB2047215A (en) Identification markings for gemstones
ATE321278T1 (de) Herstellungsverfahren einer optischen faser vorrichtung mit hohlraum
JPS61183609A (ja) イオン注入による光半導体装置の製造方法
TH19557B (th) การทำเครื่องหมายลงบนเพชร
TH24494A (th) การทำเครื่องหมายลงบนเพชร
US20060091124A1 (en) Method for transformation of color images into point arrangement for production of laser-induced color images inside transparent materials
JPH05154925A (ja) 光学的造形法
NL7903059A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van permanente identificatiemerken binnen edelstenen.