TH128450A - กระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดโครเมียมและนิกเกิล และวิธีการสร้างกระจกต้นแบบดังกล่าว - Google Patents
กระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดโครเมียมและนิกเกิล และวิธีการสร้างกระจกต้นแบบดังกล่าวInfo
- Publication number
- TH128450A TH128450A TH1201004893A TH1201004893A TH128450A TH 128450 A TH128450 A TH 128450A TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 1201004893 A TH1201004893 A TH 1201004893A TH 128450 A TH128450 A TH 128450A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- film
- chromium
- nickel
- layer
- glass
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (32/09/55) การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating (CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Double patterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch (LELE) ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมาก ทำให้ง่ายต่อการควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้ การประดิษฐ์นี้มุ่งเน้นที่การสร้างกระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบ โครเมียมและนิกเกิล (Chromium/Nickel Multi-Fiim Thickness Mask, Cr/Ni MFT-Mask) เพื่อให้ สามารถสร้างโครงสร้างจุลภาคสามมิติ ที่มีจำนวนความลึกในการกัดลงบนผิวชิ้นงานหลายระดับ โดย อาศัยการเปลี่ยนแปลงความหนาของชั้นฟิล์มนิกเกิล/โครเมียม ที่มีสัดส่วนองค์ประกอบคงที่ ทั้งนี้ สามารถประยุกต์ใช้เพื่อสร้างโครงสร้างเกรตติ้งแบบ เลนส์ดิฟแฟรกทีฟชนิด Concentric Chirped Grating(CCG) แบบสามมิติ แทนการใช้เทคนิคการถ่ายแบบลายวงจรสองครั้ง (Doublepatterning) ชนิด Litho-Etch-Litho-Etch(LELE)ร่วมกับการเลื่อนตำแหน่งของชิ้นงานในระหว่างขั้นตอนการฉายแสงครั้ง ที่ 2 ที่อาจมีความคลาดเคลื่อนทางตำแหน่งในระหว่างการเลื่อนตำแหน่งชิ้นงานในการฉายแสงครั้งที่ 2 ระหว่างแผ่นซิลิกอน (Wafer-to Wafer process control) ได้ อีกทั้งยังมีราคาต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่าการใช้ กระจกต้นแบบชนิดเกรย์สเกล (Grayscale lithography mask, GSL) และเพิ่มปริมาณของจำนวนระดับ ของโครงสร้างสามมิติ ให้มากกว่าการใช้กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับแบบฟิล์ม โครเมียม (Cr MFT-Mask) โดยไม่ต้องสร้างชั้นฟิล์มที่มีความบางมากทำ ให้ง่ายต่การควบคุมคุณภาพ ของแผ่นกระจกต้นแบบได้
Claims (7)
1.กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับ ประกอบด้วย -ฐานรงอโปร่งแสงกึ่งนำไฟฟ้า -ชั้นฟิล์มโครเมียมที่เคลือบอยู่บนฐานรองโปร่งแสง -ชั้นฟิล์มนิกเกิลที่มีบางส่วนเคลือบอยู่บนชั้นฟิล์มโครเมียม และมีบางส่วนของชั้นฟิล์มนิกเกิลเคลือบอยู่ บนฐานรองโปร่งแสงกึ่งนำไฟฟ้า
2. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มโครเมียมมีความหนา ที่น้อยกว่า 100 นาโนเมตร
3. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งชั้นฟิล์มนิกเกิลมีความ หนาที่น้อยกว่า 50 นาโนเมตร
4. กระจกต้นแบบชนิดความหนาชั้นฟิล์มหหลายระดับตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งฐานโปร่งแสงทำมาจากแก้ว หรือควอทช์ หรือวัสดุโปร่งแสงชนิดอื่นๆ
5. วิธีสร้างกระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดชนิดโครเมียมและนิกเกิล ประกอบด้วย ขั้นตอน ก. การจัดให้มีฐานของกึ่งนำไฟฟ้าที่มีชั้นฟิล์มโครเมียมเคลือบอยู่บนฐานรอง ข. การจัดให้มีชั้นฟิล์มนำยาไวแสงเคลือบอยู่บนชั้นฟิล์มโครเมียมในขั้นตอน ก. ค. การฉายแสงลงบนชั้นฟิลืมน้ำยาไวแสงโดยกระบวนการโฟโตลิโทรการฟี (Photolithography) และ ล้างลาย ( Develop) ง. การกัดชั้นฟิล์มโครเมียมในส่วนที่ไม่มีขั้นน้ำยาไวแสงปกคลุมและลอกชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงส่วนที่ เหลือภายหลังการกัดออก จ. การเคลือบชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงลงยนฐานรองกึ่งตัวนำไฟฟ้าและชั้นฟิล์มโครเมียมในขั้นตอน ง. ฉ. การฉาบแสงลงบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงโดยกระบวนการโฟโตลิโทรการฟี (Photolithographv) และล้าง ลาย (Develop) โดยตำแหน่งการฉายแสงนั้นเป็นคนละตำแหน่งกับการฉายแสงในขั้นตอน ค. ช. การเคลือบฟิล์มนิกเกิลลงบนชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสง ฐานรองกึ่งนำไฟฟ้า และโครเมียม ซ. การลอกชั้นฟิล์มน้ำยาไวแสงของชิ้นงานที่ผ่านขั้นตอน ช.
6. วิธีสร้างกระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดโครเมียมและนิกเกิลตามข้อถือสิทธิ 5 ที่ ซึ่งการเคลือบฟิล์มนิกเกิลเคลือบด้วยเทคนิคการระเหิดโดยใช้ลำอิเล็กตรอน (Electron-beam evaporation)
7. กระจกต้นแบบที่สร้างด้วยวิธีการในข้อถือสิทธิ 5 หรือ 6
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH128450A true TH128450A (th) | 2013-10-16 |
| TH64545B TH64545B (th) | 2018-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5558327B2 (ja) | パターン形成方法、半導体装置の製造方法およびテンプレートの製造方法 | |
| KR101333899B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
| CN101436528A (zh) | 制造半导体器件的方法 | |
| US20100086877A1 (en) | Pattern forming method and pattern form | |
| US8951698B2 (en) | Method for forming pattern and method for producing original lithography mask | |
| JP6441162B2 (ja) | テンプレート基板、テンプレート基板作製方法、パターン形成方法 | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| US9170480B2 (en) | Reflective extreme ultraviolet mask and method of forming a pattern using the same | |
| TWI501024B (zh) | 微影術遮罩及其製造方法 | |
| US7901848B2 (en) | Method of fabricating a photomask using self assembly molecule | |
| WO2016114455A1 (ko) | 포토리소그래피 방법 | |
| TH64545B (th) | กระจกต้นแบบที่มีความหนาชั้นฟิล์มหลายระดับชนิดโครเมียมและนิกเกิล และวิธีการสร้างกระจกต้นแบบดังกล่าว | |
| US20110059402A1 (en) | Exposure method | |
| JP6015140B2 (ja) | ナノインプリントモールドおよびその製造方法 | |
| US9017903B2 (en) | Mask overlay control | |
| JP2018157093A (ja) | テンプレートの製造方法及びテンプレート母材 | |
| US20120214103A1 (en) | Method for fabricating semiconductor devices with fine patterns | |
| FR2894691B1 (fr) | Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede | |
| DE102012107757A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer lithographischen Maske | |
| KR20090006703A (ko) | 고종횡비 미세구조물 제조방법 | |
| US20080160429A1 (en) | Method for manufacturing a photomask | |
| KR100930388B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성방법 | |
| JP2006305800A (ja) | 成形用型、及び樹脂成形体の製造方法 | |
| JP6638493B2 (ja) | 多段構造体を有するテンプレートの製造方法 | |
| US7910268B2 (en) | Method for fabricating fine pattern in photomask |