TH127327A - การทำให้เกิดสถานะที่ไม่ได้สามารถเปลี่ยนกลับได้ที่บิตเซล ที่มีจุดต่อทันเนลแม่เหล็กที่หนึ่ง และจุดต่อทันเนลแม่เหล็กที่สอง - Google Patents
การทำให้เกิดสถานะที่ไม่ได้สามารถเปลี่ยนกลับได้ที่บิตเซล ที่มีจุดต่อทันเนลแม่เหล็กที่หนึ่ง และจุดต่อทันเนลแม่เหล็กที่สองInfo
- Publication number
- TH127327A TH127327A TH1301000600A TH1301000600A TH127327A TH 127327 A TH127327 A TH 127327A TH 1301000600 A TH1301000600 A TH 1301000600A TH 1301000600 A TH1301000600 A TH 1301000600A TH 127327 A TH127327 A TH 127327A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mtj
- bitcell
- magnetic tunnel
- irreversible state
- tunnel connection
- Prior art date
Links
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 title claims abstract 7
- 230000006698 induction Effects 0.000 title 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000008447 perception Effects 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (30/04/56) วิธีการของการทำให้เกิดสถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยนกลับได้ที่บิตเซลที่มีจุดต่อทันเนล แม่เหล็ก (MTJ) ที่หนึ่ง และ MTJ ที่สอง จะรวมถึงการประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมกับ MTJ ที่หนึ่งของบิตเซลโดยปราศจากการประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมกับ MTJ ที่สอง ของบิตเซล อุปกรณ์หน่วยความจำจะรวมถึงบิตเซลที่มี MTJ ที่หนึ่งและ MTJ ที่สอง และ วงจรไฟฟ้าการโปรแกรมได้รับการสร้างขึ้นมาในโครงแบบเพื่อทำให้เกิดสถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยน กลับได้ที่บิตเซลโดยการประยุกต์ใช้สัญญาณโปรแกรมกับสิ่งที่ได้รับการเลือกหนึ่งของ MTJ ที่หนึ่ง และ MTJ ที่สองของบิตเซล วิธีการของการทำให้เกิดสถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยนกลับได้ที่บิตเซลที่มีจุดต่อทันเนล แม่เหล็ก(MTJ)ที่หนึ่ง และ MTJ ที่สอง จะรวมถึงการประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมกับ MTJ ที่หนึ่งของบิตเซลล์โดยปราศจากการประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมกับ MTJ ที่สอง ของบิตเซลล์ อุปกรณ์หน่วยความจำจะรวมถึงบิตเซลล์ที่มี MTJ ที่หนึ่งและ MTJ ที่สอง และ วงจรไฟฟ้าการโปรแกรมได้รับการสร้างขึ้นมาในโครงแบบเพื่อทำให้เกิดสถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยน กลับได้ที่บิตเซลล์โดยการประยุกต์ใช้สัญญาณโปรแกรมกับสิ่งที่ได้รับการเลือกหนึ่งของ MTJ ที่หนึ่ง และ MTJ ทีสองของบิตเซลล์
Claims (1)
1.วิธีการที่ประกอบรวมด้วย การประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมดับจุดต่ออุโมงค์แม่เหล็กที่หนึ่ง(MTJ)ของบิต เซลล์ที่ไม่มีการประยุกต์ใช้แรงดันไฟฟ้าในการโปรแกรมกับ MTJ ที่สองของบิตเซลล์ เพื่อทำให้เกิด สถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยนกลับได้ที่บิตเซลล์ และ การรับรู้สถานะที่ไม่สามารถเปลี่ยนกลับได้โดยการเปรียบเทียบค่าที่หนึ่งที่อ่านที่ MTJ ที่หนึแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH127327A true TH127327A (th) | 2013-09-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015013023A3 (en) | Sense amplifier offset voltage reduction using test code stored in latches | |
| JP2013201458A5 (th) | ||
| AR082475A1 (es) | Generacion de un estado no reversible en una celda de bits con un primer empalme de tunel magnetico y un segundo empalme de tunel magnetico | |
| WO2007062100A3 (en) | Method and system for providing current balanced writing for memory cells and magnetic devices | |
| WO2013173538A3 (en) | Controlling mram cell bias voltages | |
| IN2014DE00713A (th) | ||
| WO2012109093A3 (en) | Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells | |
| JP2012221522A5 (th) | ||
| WO2016144436A3 (en) | Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory stt-mram using series magnetic tunnel junctions | |
| WO2015102569A3 (en) | Static random access memory cell having improved write margin for use in ultra-low power application | |
| JP2011166132A5 (th) | ||
| WO2011159705A3 (en) | Write and erase scheme for resistive memory device | |
| WO2013180946A8 (en) | Josephson magnetic memory cell system | |
| WO2012036734A3 (en) | Spin torque transfer memory cell structures and methods | |
| ATE540407T1 (de) | Magnetspeicher mit magnettunnelübergang | |
| WO2014164134A3 (en) | Detecting effect of corrupting event on preloaded data in non-volatile memory | |
| TW201614505A (en) | Memory cell and memory array | |
| WO2017111798A8 (en) | High retention time memory element with dual gate devices | |
| WO2014150791A3 (en) | Reading a memory cell using a reference cell and a common sensing path | |
| WO2009059071A3 (en) | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer | |
| JP2012079399A5 (th) | ||
| US8929132B2 (en) | Write driver circuit and method for writing to a spin-torque MRAM | |
| MX2010007597A (es) | Sistema y método para aplicar selectivamente un voltaje negativo a líneas de palabras durante la operación de lectura de un dispositivo de memoria. | |
| JP2012142066A5 (th) | ||
| WO2015017389A3 (en) | Circuits for voltage or current biasing static random access memory (sram) bitcells during sram reset operations, and related systems and methods |