TH127151A - One-step heating method of assembling microelectronics materials with a flip chip. - Google Patents

One-step heating method of assembling microelectronics materials with a flip chip.

Info

Publication number
TH127151A
TH127151A TH1201001607A TH1201001607A TH127151A TH 127151 A TH127151 A TH 127151A TH 1201001607 A TH1201001607 A TH 1201001607A TH 1201001607 A TH1201001607 A TH 1201001607A TH 127151 A TH127151 A TH 127151A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
metal oxide
substrate
circuit board
assembling
bugle
Prior art date
Application number
TH1201001607A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ดร.อนงค์นาฎ สมหวังธนโรจน์ ผู้ช่วยศาสตราจารย์
จิตต์จงรัก นายสาธิต
Original Assignee
นายมงคล แก้วมหา
Filing date
Publication date
Application filed by นายมงคล แก้วมหา filed Critical นายมงคล แก้วมหา
Priority to US14/390,982 priority Critical patent/US9064820B2/en
Priority to PCT/TH2013/000016 priority patent/WO2013165323A2/en
Publication of TH127151A publication Critical patent/TH127151A/en

Links

Abstract

DC60 (05/04/55) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการประกอบวัสดุไมโครอิเลคทรอนิกส์แบบฟลิปชิป โดยให้ความร้อนขั้นตอนเดียว ซึ่งมีขั้นตอนประกอบด้วย (1) จุ่มเม็ดโลหะบักรีในสารชะโลหะ ออกไซด์ หรือจ่ายสารชะโลหะออกไซด์บนพื้นรอง (2) วางแผงวงจรที่มีเม็ดโลหะบักรีลงบนพื้นรอง (3) จ่ายวัสดุรีโฟลว์เอนแคปซูเลนท์ด้านข้างของแผงวงจร และ (4) ให้ความร้อน การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการประกอบวัสดุไมโครอิเลคทรอนิกส์แบบฟลิปชิป โดยให้ความร้อนขั้นตอนเดียว ซึ่งมีขั้นตอนประกอบด้วย (1) จุ่มเม็ดโลหะบักรีในสารชะโลหะ ออกไซด์ หรือจ่ายสารชะโลหะออกไซด์บนพื้นรอง (2) วางแผงวงจรที่มีเม็ดโลหะบักรีลงพื้นรอง (3) จ่ายวัสดุรีโฟลว์เอนแคปซูเลนท์ด้านข้างของแผงวงจร และ (4) ให้ความร้อน DC60 (05/04/55) This invention involves a method for assembling a flip-chip microelectronic material. By heating one step The procedure consists of (1) immersing the metal oxide beads in the metal oxide leachate or dosing the metal oxide leachate on the substrate (2) placing the circuit board with the bugle on the substrate. The side encapsulation of the circuit board and (4) is heated. The invention involves a method of assembling a flip-chip microelectronic material. By heating one step The procedure consists of (1) dipping the bugle pellets in the metal oxide leachate or dosing the metal oxide leach on the substrate (2) placing the circuit board with the bugle on the substrate (3) dispensing the reflow material. Encapsulate the side of the circuit board and (4) heat it.

Claims (1)

1. วิธีการประกอบวัสดุไมโครอิเลคทรอนิกส์แบบฟลิปชิปโดยให้ความร้อนขั้นตอนเดียว ซึ่งมี ขั้นตอนประกอบด้วย (1) จุ่มเม็ดโลหะบักรีในสารชะโลหะออกไซด์ หรือจ่ายสารชะโลหะออกไซด์ บนพื้นรอง (2) วางแผงวงจรที่มีเม็ดโลหะบักรีลงบนพื้นรอง (3) จ่ายวัสดุรีโฟลว์เอนแคปซูเลนท์ด้านข้างของแผงวงจร โดยที่วัสดุดังกล่าว ประกอบด้วย อิพอกซีเรซิน สารบ่มประเภทแอนไฮไดร์ด ตัวเร่งปฏิกิริยา แท็ก :1. A one-step heating flip-chip microelectronic assembly method, which involves (1) dipping the metal bug pellets in a metal oxide leachate. Or, dispense the metal oxide leachate on the substrate. (2) Place the circuit board with the bugle on the substrate. (3) Dispense the reflow encapsulent material on the side of the circuit board. Where the material is composed of epoxy resin, anhydride curing agent Catalyst tags:
TH1201001607A 2012-04-05 2012-04-05 One-step heating method of assembling microelectronics materials with a flip chip. TH127151A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/390,982 US9064820B2 (en) 2012-04-05 2013-04-05 Method and encapsulant for flip-chip assembly
PCT/TH2013/000016 WO2013165323A2 (en) 2012-04-05 2013-04-05 Method and encapsulant for flip-chip assembly

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH127151A true TH127151A (en) 2013-09-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101640341B1 (en) Semiconductor package
JP2011513970A5 (en)
US20130065361A1 (en) Chip package structure and method for manufacturing the same
US8455989B2 (en) Package substrate having die pad with outer raised portion and interior recessed portion
JP2010080457A5 (en)
CN103420331B (en) Cavate semiconductor packages and method for packing thereof
US9142523B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI456669B (en) Method for bonding semiconductor die to lead frame and semiconductor device
WO2013006209A3 (en) Lead carrier with thermally fused package components
US7612450B2 (en) Semiconductor package including dummy board and method of fabricating the same
JP2014150253A5 (en)
EP1748479A3 (en) Method of making an electronic assembly
JP2013012522A5 (en) Package manufacturing method and POP structure
US11742310B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US20150001697A1 (en) Selective treatment of leadframe with anti-wetting agent
TWI711506B (en) Welding joining method and welding joining device
TH127151A (en) One-step heating method of assembling microelectronics materials with a flip chip.
JP2015181142A5 (en)
WO2010134230A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
CN102280431B (en) Semiconductor package with protective layer and manufacturing method thereof
TWI478257B (en) Package structure and packaging process
TW200741903A (en) Method of manufacturing a semiconductor apparatus
WO2014134059A3 (en) Package substrate with testing pads on fine pitch traces
JP2014072520A5 (en)
KR101553463B1 (en) Semiconductor package and fabricating method thereof