Claims (8)
1. กระบวนการสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลทซึ่งประกอบ ด้วยการสัมผัสไดเมธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจนที่อุณหภูมิประมาณ 140 องศาถึง 400 องศาเซลเซียส และความดันประมาณ 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาที่เป็นพัลเล เดียมบนอาลูมินาซึ่ง (1) มีพัลเลเดียมประมาณ 0.1 ถึง 5.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับ 20 เปอร์เซ็นต์เป็นอย่างน้อย (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาที่ความลึกน้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา และ (4) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นแบบอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอตา หรือของผสมของแบบ เหล่านี้1. The process for preparing dimethyl cyclohexendai carboxylate which consists of With exposure to dimethyl benzene dicarboxylate With hydrogen at a temperature of about 140 ° to 400 ° C and an absolute pressure of about 10 to 200 bar while with a pulsed catalyst Diem on the alumina, which (1) contains approximately 0.1 to 5.0 percent of the palladium by weight of the catalyst (2), the distribution of the palladium is at least 20 percent (3). 90% by weight of the palladium is on the alumina at a depth of less than 200 microns from the alumina surface and (4) the crystalline phase of the alumina is the alpha, the Eye, delta, gamma, eta or a combination of these
2. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัสระหว่าง ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับ ไฮโดรเจนที่อุณหภูมิประมาณ 140 องศา ถึง 400 องศาเซลเซียส และที่ความดันประมาณ 10 ถึง 200 บาร์สัมบูรณ์ ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาที่เป็นพัลเลเดียมบนอาลู มินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียมประมาณ 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับ 30 เปอร์เซ็นต์เป็นอย่างน้อย (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาที่ความลึกน้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา และ (4) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นแบบอัลฟา, เธตา, เดลตา หรือของผสมของแบบเหล่านี้2. The process set out in claim 1, consisting of contact between Dimethylbenzene dicarboxylate with Hydrogen at about 140 degrees to 400 degrees Celsius and at about 10 to 200 bar absolute pressures, while there is a palladium catalyst on alumina, which (1) has an approximate palladium. 0.5 to 2.0% by weight of the catalyst (2) the palladium distribution is at least 30% (3) at least 90% by weight of the palladium on the alumina at Less than 100 microns from the alumina surface, and (4) the alumina crystalline phase is alpha, theta, delta or a combination of these.
3. กระบวนการตามที่ถือสิทธิที่ 2 ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิลเบนซีน ไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิลเลทกับไฮโดรเจน3. Process according to entitled No. 2 in which exposure to dimethylbenzene solution Dicarboxylate In dimethyl cyclohexendai carboxylate with hydrogen
4. กระบวนสำหรับเตรียมไดเมทธิลไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งประกอบด้วย การสัมผัสระหว่างไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจนที่อุณหภูมิประมาณ 140 ถึง 400 องศาเซลเซียส และความดันประมาณ 50 ถึง 170 บาร์สัมบูรณ์ ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาที่เป็นพัลเล เดียมบนอาลูมินา ซึ่ง (1) มีพัลเลเดียมประมาณ 0.1 ถึง 5.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับ 20 เปอร์เซ็นต์เป็นอย่างน้อย (3) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาที่ความลึกน้อยกว่า 200 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา และ (4) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นแบบอัลฟา, เธตา, เดลตา, แกมมา, เอดา หรือของผสมของแบบ เหล่านี้4. Process for preparing dimethyl cyclohexendai carboxylate Which consists of Contact between dimethylbenzene dicarboxylate With hydrogen at approx. 140 to 400 ° C and approx. 50 to 170 bar absolute pressure, while with pulsed catalyst. Diem on the alumina, which (1) contains approximately 0.1 to 5.0 percent of the palladium by weight of the catalyst (2), the distribution of the palladium is at least 20 percent (3). 90% by weight of the palladium is on the alumina at a depth of less than 200 microns from the alumina surface and (4) the crystalline phase of the alumina is the alpha, the Eye, delta, gamma, ada, or a combination of these
5. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 4 ซึ่งประกอบด้วยการสัมผัสระหว่าง ไดเมทธิลเบนซีนไดคาร์บอกซิเลทกับไฮโดรเจนที่อุณหภูมิประมาณ 140 องศาถึง 250 องศาเซลเซียส ที่ความดันประมาณ 50 ถึง 170 บาร์สัมบูรณ์ ในขณะที่มีสารเร่งปฏิกิริยาที่เป็นพัลเลเดียมบนอาลูมินาซึ่ง (1) มีพัลเลเดียมประมาณ 0.5 ถึง 2.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารเร่งปฏิกิริยา (2) การกระจายของพัลเลเดียมเท่ากับ 30 เปอร์เซ็นต์เป็นอย่างน้อย (4) อย่างน้อย 90 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของพัลเลเดียมอยู่บนอาลูมินาที่ความลึกน้อยกว่า 100 ไมครอน จากผิวของอาลูมินา และ (5) เฟสที่เป็นผลึกของอาลูมินาเป็นแบบอัลฟา, เธตา, เดลตา หรือของผสมของแบบเหล่านี้5. The process set out in claim 4, consisting of contact between Dimethylbenzene dicarboxylate with hydrogen at approx. 140 ° to 250 ° C at approx. 50 to 170 bar absolute pressure while having a palladium catalyst on the alumi. Na, which (1) contains approximately 0.5 to 2.0 percent of the palladium by weight of the catalyst, (2) the distribution of the palladium is at least 30 percent (4), at least 90 percent by weight of the pulse. The ledium is on the alumina at a depth of less than 100 microns from the alumina surface, and (5) the crystalline phase of the alumina is the alpha, theta, delta or A mixture of these types
6. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,4-ไซ โคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,4-เบนซีนไดคาร์บอกซิเลทใน ไดเมทธิล 1,4-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน6. The process as defined in claim 5 for the preparation of dimethyl 1,4-cyclohexendai carboxylate. Which is in contact with the solution of dimethyl 1,4-benzene dicarboxylate in dimethyl 1,4-cyclohexendai carboxylate with hydrogen
7. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,3-ไซ โคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,3-เบนซีนไดคาร์บอกซิเลท ไนไดเมทธิล 1,3-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน7. Process as defined in claim 5 for preparation of dimethyl 1,3-cyclohexendai carboxylate. Which is in contact with the solution of dimethyl 1,3-benzene dicarboxylate, nitrimethyl, 1,3-cyclohexendai carboxylate with hydrogen
8. กระบวนการตามที่กำหนดไว้ในข้อถือสิทธิที่ 5 สำหรับเตรียมไดเมทธิล 1,2-ไซ โคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท ซึ่งมีการสัมผัสสารละลายของไดเมทธิล 1,2-เบนซีนไดคาร์บอกซิเลท ในไดเมทธิล 1,2-ไซโคลเฮกเซนไดคาร์บอกซิเลท กับไฮโดรเจน8. Process as defined in claim 5 for the preparation of dimethyl 1,2-cyclohexendai carboxylate. Which is in contact with the solution of dimethyl 1,2-benzene dicarboxylate in dimethyl 1,2-cyclohexendai carboxylate with hydrogen