TH11832C3 - "ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี" - Google Patents
"ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี"Info
- Publication number
- TH11832C3 TH11832C3 TH1503001192U TH1503001192U TH11832C3 TH 11832 C3 TH11832 C3 TH 11832C3 TH 1503001192 U TH1503001192 U TH 1503001192U TH 1503001192 U TH1503001192 U TH 1503001192U TH 11832 C3 TH11832 C3 TH 11832C3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- relative humidity
- humidity control
- workpiece
- control system
- nanolithography
- Prior art date
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract 24
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 title claims abstract 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 9
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 claims 4
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
Abstract
แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ วันที่ 17/06/2559 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วย เทคนิคนาโนลิไธกราฟี ซึ่งประกอบด้วย ห้องควบคุมความชื้น (100) (chamber) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย หน่วย โครงสร้าง (110),หน่วยตรวจรู้ความชื้นสัมพัทธ์ (120) อย่างน้อยหนึ่งหน่วย,อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) (scanning probe-based devices) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย ส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) (reacting pin) ติดตั้งอยู่ที่ส่วนคานเพื่อการตรวจรู้ (220) (sensing cantitever) และส่วนรองรับชิ้นงาน (230) (sample holder) ที่ ติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความขึ้น (100) ดังกล่าว, อุปกรณ์เชิงแสง (300) (optical devices) ซึ่งติดตั้งอยู่กับระบบ ควบคุมความชื้นสัมพัทธ์อย่างให้สามารถติดตามการเคลื่อนที่ของส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) ดังกล่าวได้ และเพื่อให้สามารถติดตามตำแหน่งของชิ้นงาน (240) (sample) ซึ่งอยู่ที่ส่วนรองรับชิ้นงาน (250) ดังกล่าวได้ หน่วย ทำความชื้น (400) (humidifier) ซึ่งติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งหน่วย, หน่วย ควบคุมและประมวลผล (500) ซึ่งอย่างน้อยจะทำหน้าที่ ประมวลผลค่าความชื้นสัมพัทธ์ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวเพื่อการควบคุมให้หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าวทำความชื้นได้, หน่วยแสดงผล (600) ซึ่งอย่างน้อย จะแสดงค่าความชื้นสัมพัทธ์ของห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว,โดยที่ หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าว อาศัย การทำงานของอุปกรณ์กำเนิดคลื่นความถี่สูง (410) (ultrasonic frequency generator) ซึ่งจัดวางไว้ที่อ่างน้ำ (420) (water bath) สำหรับทำความชื้นสัมพัทธ์ประสิทธิผล (effective relative humidity) ให้เกิดขึ้นภายในห้องควบคุม ความชื้น (100) และเกิดสะพานน้ำ (280) (water meniscus) ขึ้นที่บริเวณระหว่างส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) และชิ้นงาน (240) สำหรับใช้การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกล (250) ---------------------------------- คำขอใหม่ปรับปรุง การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับระบบควบคุมความชื้นสัมพันธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วย เทคนิคนาโนลิโธกราฟี ซึ่งประกอบด้วย: ห้องควบคุมความชื้น (100) (chamber) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย หน่วย โครงสร้าง (110), หน่วยตรวจรู้ความชื้นสัมพันธ์ (120) อย่างน้อยหนึ่งหน่วย, อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) (scanning probe-based devices) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย ส่วนปลายเพื่อการทำปฏิกิริยา (210) (reacting pin) ติดตั้งอยู่ที่ส่วนคานเพื่อการตรวจรู้ (220) (sensing cantilever) และส่วนรองรับชิ้นงาน (230) (sample holder) ที่ ติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, อุปกรณ์เชิงแสง (300) (optical devices) ซึ่งติดตั้งอยู่กับระบบ ควบคุมความชื้นสัมพัทธ์อย่างให้สามารถติดตามการเคลื่อนที่ของส่วนปลายเพื่อการทำปฏิกิริยา (210) ดังกล่าวได้ และเพื่อให้สามารถติดตามตำแหน่งของชิ้นงาน (240) (sample) ซึ่งอยู่ที่ส่วนรองรับชิ้นงาน (230) ดังกล่าวได้, หน่วย ทำความชื้น (400) (humidifier) ซึ่งติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งหน่วย, หน่วย ควบคุมและประมวลผล (500) ซึ่งอย่างน้อยจะทำหน้าที่ ประมวลผลค่าความชื้นสัมพัทธ์ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวเพื่อการควบคุมให้หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าวทำความชื้นได้, หน่วยแสดงผล (600) ซึ่งอย่างน้อย จะแสดงค่าความชื้นสัมพัทธ์ของห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, โดยที่ หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าว อาศัย การทำงานของอุปกรณ์กำเนิดคลื่นความถี่สูง (410) (ultrasonic frequency generator) ซึ่งจัดวางไว้ที่อ่างน้ำ (420) (water bath) สำหรับความชื้นสัมพัทธ์ประสิทธิผล (effective relative humidity) ให้เกิดขึ้นภายในห้องควบคุม ความชื้น (100) และเกิดสะพานน้ำ (280) (water meniscus) ขึ้นที่บริเวณระหว่างส่วนปลายเพื่อการทำปฏิกิริยา (210) และชิ้นงาน (240) สำหรับใช้การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกล (250):
Claims (9)
1. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ซึ่ง ประกอบ ด้วย : - ห้องควบคุมความชื้น (100) (chamber) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย หน่วยโครงสร้าง (110) หน่วยตรวจรู้ ความชื้นสัมพัทธ์ (120) อย่างน้อยหนึ่งหน่วย, - อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) (scanning probe-based devices) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย ส่วนปลาย เพื่อการทาปฎิกิริยา (210) (reading pin) ติดตั้งอยู่ที่ส่วนคานเพื่อการตรวจรู้ (220) (sensing cantilever) และส่วนรองรับชิ้นงาน (250) (sample holder) ที่ติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, - อุปกรณ์เชิงแสง (500) (optical devices) ซึ่งติดตั้งอยู่กับระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์อย่างให้สามารถ ติดตามการเคลื่อนที่ของส่วนปลายเพี่อการทำปฎิกิริยา (210) ดังกล่าวได้ และเพื่อให้สามารถติดตาม ตำแหน่งของชิ้นงาน (240) (sample) ซึ่งอยู่ที่ส่วนรองรับชิ้นงาน (230) ดังกล่าวได้, - หน่วยทำความชื้น (400) (humidifier) ซึ่งติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่ง หน่วย, - หน่วยควบคุมและประมวลผล (500) ซึ่งอย่างน้อยจะทำหน้าที่ ประมวลผลค่าความชื้นสัมพัทธ์ภายใน ห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวเพื่อการควบคุมให้หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าวทำความชื้นได้, - หน่วยแสดงผล (600) ซึ่งอย่างน้อยจะแสดงค่าความชื้นสัมพัทธ์ของห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, ที่มีลักษณะเฉพาะคือ หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าว อาศัยการทำงานของอุปกรณ์กำเนิดคลื่นความถี่สูง (410) (ultrasonic frequency generator) ซึ่งจัดวางไว้ที่อ่างน้ำ (420) (water bath) สำหรับทำความชื้นสัมพัทธ์ ประสิทธิผล (ewedive retative humidi )ให้เกิดขึ้นภายในห้องควบคุมความชื้น (100) และเกิดสะพานน้ำ (280) (water meniscus) ขึ้นที่บริเวณระหว่างส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) และชิ้นงาน (240) สำหรับใช้การสร้าง โครงสร้างระดับนาโนสเกล (250)
2. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วย กล้องจุลทรรศน์ แบบแรงอะตอม (atomic force microscopy, AFU) หรือ กล้องจุลทรรศน์ทันเนลลิ่งแบบส่อกราด (scanning tunneling microscopy, STM)
3. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิ์ที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง อุปกรณ์เชิงแสง (300) ดังกล่าว เลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วย กล้องจุลทรรศน์ เชิงแสง (optical microscopy), กล้องวิดีโอจุลทรรศน์เชิงแสง
4. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกล (250) ดังกล่าว เกิดขึ้นจากเทคนิค นาโนลิโธกราฟีไดยปฏิกิริยาเชิงไฟฟ้า (bias-assisted Nanolithography) หรือ เทคนิคนาโนลิไธกราฟีโดย ปฏิกิริยาเชิงเคมี (local chemical nanolithography)
5. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิที่ 1 หรือ 4 ที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลจากปฏิกิริยาเชิงไฟฟ้าดังกล่าว คือ การสร้าง โดยเทคนิคนาโนลิโธกราฟที่อาศัยศักย์ไฟฟ้า (bias-assisted nanolithography) ซึ่งประกอบด้วย ส่วนปลาย เพื่อการทำปฎิกิริยา (210) ดังกล่าว ทำหน้าที่เป็นขั้วไฟฟ้า ลบ (cathode) เชื่อมต่อทางไฟฟัา (260) เข้ากับ ส่วนชิ้นงาน (240) ดังกล่าว ซึ่งทำหน้าที่เป็น ขั้วไฟฟ้าบวก( anode )
6. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิ์ที่ 4 หรือ 5 ที่ซึ่ง ขั้วไฟฟ้าลบและขั้วไฟฟ้าบวกดังกล่าวจะได้รับการเคลือบด้วยสารเคลือบ (270) เพิ่มเติม โดยที่สารเคลือบดังกล่าว เลือกได้จาก ธาตุในกลุ่มโลหะ กึ่งโลหะที่มีสถานะเป็นของแข็งหรือ สารประกอบกึ่งตัวนำ (semicondudor compound)
7. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่ง สารเคลือบ (270) ดังกล่าวที่เคลือบขั้วไฟฟ้าทั้งสองชนิดดังกล่าวถูกกำหนดให้เป็นสารคนละ ชนิด และค่าศักย์ไฟฟ้ามาตรฐาน (standard elemrode Potential, E0) ของขั้วไฟฟ้าลบสูงกว่าขั้วไฟฟ้า บวก
8. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตามข้อ ถือสิทธิที่ 1 หรือ 4 ที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลจากปฏิกิริยาเชิงเคมีดังกล่าว คือ การสร้างโดย เทคนิคนาโนลิโธกราฟที่อาศัยสารเคมี (local chemical nanolithography) ได้แก่ เทคนิคนาโนลิโธกราฟี ขนิดที่เกิดพันธะเคมี (chemical bonding) ของโครงสร้าง (250) กับชิ้นงาน (240) หรือ เทคนิคนาโน ลิโธกราฟีชนิดที่เกิดการพอกพูกของสารเคมี (chemical deposition) กับชิ้นงาน (240) 9. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ตาม ข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่ง โครงสร้างระดับนาโนสเกล (250) ได้แก่ ลวดลายบนชิ้นงานแบบเส้นตรง หรือ แบบอิสระ ------------------------------------------------------------ คำขอใหม่ปรับปรุง 1. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี ซึ่ง ประกอบ ด้วย : - ห้องควบคุมความชื้น (100) (chamber) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย หน่วยโครงสร้าง (110), หน่วยตรวจรู้ ความชื้นสัมพัทธ์ (120) อย่างน้อยหนึ่งหน่วย, - อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) (scanning probe-based devices) ซึ่งอย่างน้อยประกอบด้วย ส่วนปลาย เพื่อการทำปฎิกิริยา (210) (reacting pin) ติดตั้งอยู่ที่ส่วนคานเพื่อการตรวจรู้ (220) (sensing cantilever) และส่วนรองรับชิ้นงาน (230) (sample holder) ที่ติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, - อุปกรณ์เชิงแสง (300) (optical devices) ซึ่งติดตั้งอยู่กับระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์อย่างให้สามารถ ติดตามการเคลื่อนที่ของส่วนปลายเพี่อการทำปฎิกิริยา (210) ดังกล่าวได้ และเพื่อให้สามารถติดตาม ตำแหน่งของชิ้นงาน (240) (sample) ซึ่งอยู่ที่ส่วนรองรับชิ้นงาน (230) ดังกล่าวได้, - หน่วยทำความชื้น (400) (humidifier) ซึ่งติดตั้งอยู่ภายในห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่ง หน่วย, - หน่วยควบคุมและประมวลผล (500) ซึ่งอย่างน้อยจะทำหน้าที่ ประมวลผลค่าความชื้นสัมพัทธ์ภายใน ห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าวเพื่อการควบคุมให้หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าวทำความชื้นได้, - หน่วยแสดงผล (600) ซึ่งอย่างน้อยจะแสดงค่าความชื้นสัมพัทธ์ของห้องควบคุมความชื้น (100) ดังกล่าว, ที่มีลักษณะเฉพาะคือ หน่วยทำความชื้น (400) ดังกล่าว อาศัยการทำงานของอุปกรณ์กำเนิดคลื่นความถี่สูง (410) (ultrasonic frequency generator) ซึ่งจัดวางไว้ที่อ่างน้ำ (420) (water bath) สำหรับทำความชื้นสัมพัทธ์ ประสิทธิผล (effective relative humidity )ให้เกิดขึ้นภายในห้องควบคุมความชื้น (100) และเกิดสะพานน้ำ (280) (water meniscus) ขึ้นที่บริเวณระหว่างส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) และชิ้นงาน (240) สำหรับใช้การสร้าง โครงสร้างระดับนาโนสเกล (250) 2. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง อุปกรณ์ที่มีสแกนนิงโพรบ (200) ดังกล่าว เลือกได้ จากกลุ่มที่ประกอบด้วย กล้องจุลทรรศน์แบบแรงอะตอม (atomic force microscopy, AFM) หรือ กล้อง จุลทรรศน์ทันเนลลิ่งแบบส่องกราด (scanning tunneling microscopy, STM) 3. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง อุปกรณ์เชิงแสง (300) ดังกล่าว เลือกได้จาก กลุ่มที่ประกอบด้วย กล้องจุลทรรศน์เชิงแสง (optical microscopy), กล้องวิดีโอจุลทรรศน์เชิงแสง 4. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโน สเกล (250) ดังกล่าว เกิดขึ้นจากเทคนคนาโนลิโธกราฟีโดยปฏิกิริยาเชิงไฟฟ้า (bias-assisted nanolithography) หรือ เทคนิคนาโนลิโธกราฟีโดย ปฏิกิริยาเชิงเคมี (local chemical nanolithography) 5. ระบบควบคุมความชื้นสัมพันธ์ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 4 ที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลจาก ปฏิกิริยาเชิงไฟฟ้าดังกล่าว คือ การสร้างโดยเทคนิคนาโนลิโธกราฟีที่อาศัยศักย์ไฟฟ้า (bias-assisted nanolithography) ซึ่งประกอบด้วย ส่วนปลายเพื่อการทำปฎิกิริยา (210) ดังกล่าว ทำหน้าที่เป็นขั้วไฟฟ้า ลบ (cathode) เชื่อมต่อทางไฟฟ้า (260) เข้ากับ ส่วนชิ้นงาน (240) ดังกล่าว ซึ่งทำหน้าที่เป็น ขั้วไฟฟ้าบวก (anode) 6. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ถือสิทธิที่ 4 หรือ 5 ที่ซึ่ง ขั้วไฟฟ้าลบและขั้วไฟฟ้าบวกดังกล่าวจะได้รับ การเคลือบด้วยสารเคลือบ (270) เพิ่มเติม โดยที่สารเคลือบดังกล่าว เลือกได้จาก ธาตุในกลุ่มโลหะ, กึ่งโลหะ ที่มีสถานะเป็นของแข็งหรือ สารประกอบกึ่งตัวนำ (semiconductor compound) 7. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามข้อถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่ง สารเคลือบ (270) ดังกล่าวที่เคลือบขั้วไฟฟ้าทั้งสอง ชนิดดังกล่าวถูกกำหนดให้เป็นสารคนละชนิด และค่าศักย์ไฟฟ้ามาตรฐาน (standard electrode potential, E0) ขั้วไฟฟ้าลบสูงกส่าขั้วไฟฟ้าบวก 8.ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 4 ที่ซึ่ง การสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลจาก ปฏิกิริยาเชิงเคมีดังกล่าว คือ การสร้างโดยเทคนิคนาโนลิโธกราฟีที่อาศัยสารเคมี (local chemical nanolithography) ได้แก่ เทคนิคนาโนลิโธกราฟีชนิดที่เกิดพันธะเคมี (chemical bonding) ของโครงสร้าง (250) กับชิ้นงาน (240) หรือ เทคนิคนาโนลิโธกราฟีชนิดที่เกิดการพอกพูกของสารเคมี (chemical deposition) กับชิ้นงาน (240)
9. ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์ตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งข้างต้น ที่ซึ่ง โครงสร้างระดับนาโนสเกล (250) ได้แก่ ลวดลายบนชิ้นงานแบบเส้นตรง หรือ แบบอิสระ
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH11832C3 true TH11832C3 (th) | 2016-08-11 |
| TH11832A3 TH11832A3 (th) | 2016-08-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kai et al. | Scanning electrochemical microscopy at the nanometer level | |
| Momotenko et al. | High-speed electrochemical imaging | |
| Yu et al. | Surface gradient material: from superhydrophobicity to superhydrophilicity | |
| Burt et al. | Nanowire probes for high resolution combined scanning electrochemical microscopy− atomic force microscopy | |
| AT410032B (de) | Verfahren zur herstellung einer vorrichtung für die gleichzeitige durchführung einer elektrochemischen und einer topographischen nahfeldmikroskopie | |
| US9316613B2 (en) | Pipets containing electrolyte and electrodes | |
| CN101176167A (zh) | 用于电化学、电学或形貌分析的传感器 | |
| Souto et al. | Characterization of coating systems by scanning electrochemical microscopy: Surface topology and blistering | |
| Lazenby et al. | Nanoscale intermittent contact-scanning electrochemical microscopy | |
| Wapner et al. | Height-regulating scanning Kelvin probe for simultaneous measurement of surface topology and electrode potentials at buried polymer/metal interfaces | |
| US20150059027A1 (en) | Scanning electrochemical microscopy | |
| Forouzan et al. | Evidence for faradaic processes in scanning probe microscopy on mica in humid air | |
| JP5269725B2 (ja) | 液中電位計測方法 | |
| Kuznetsov et al. | Adhesion of colloidal particles on modified electrodes | |
| Woo et al. | Fabrication of nanoscale gold disk electrodes using ultrashort pulse etching | |
| Dobson et al. | Electron beam lithographically-defined scanning electrochemical-atomic force microscopy probes: fabrication method and application to high resolution imaging on heterogeneously active surfaces | |
| Santana et al. | Direct evidence of early blister formation in polymer-coated metals from exposure to chloride-containing electrolytes by alternating-current scanning electrochemical microscopy | |
| JPH05281276A (ja) | 液中静電力検出装置 | |
| TH11832C3 (th) | "ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี" | |
| TH11832A3 (th) | "ระบบควบคุมความชื้นสัมพัทธ์สำหรับการสร้างโครงสร้างระดับนาโนสเกลด้วยเทคนิคนาโนลิโธกราฟี" | |
| Ghorbal et al. | Localized electrografting of vinylic monomers on a conducting substrate by means of an integrated electrochemical AFM probe | |
| Joseph Raj et al. | Investigation into the corrosion behavior of copper/aluminum associated with electric/electronic devices in marine environment | |
| Wang | Contact-Electrification of Matter | |
| Karg et al. | Electrochemical grippers based on the tuning of surface forces for applications in micro-and nanorobotics | |
| Battistel et al. | Characterization of metal-supported Al2O3 thin films by scanning electrochemical microscopy |